專利名稱：微環(huán)境方式半導體制造裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在制造半導體用凈化室中使用的微環(huán)境方式半導體制造裝置，特別是涉及在晶片密閉裝置和半導體制造裝置之間傳送晶片時，為防止外部空氣進入密閉裝置內(nèi)，在半導體制造裝置送入晶片的開口處設有清掃空氣噴出裝置的微環(huán)境方式半導體制造裝置。
背景技術：
以前，為節(jié)省投資和能源，制造半導體用凈化室采用將晶片的傳送和處理放在密閉容器中進行的微環(huán)境方式，而且，由于采用由一塊晶片制許多半導體芯片，晶片尺寸正向直徑300mm發(fā)展。
對300mm直徑這一代的微環(huán)境方式半導體制造裝置，正決定把收納晶片的密閉容器，以及為使來自上述密閉容器的晶片在半導體制造裝置內(nèi)出入時不接觸外部空氣而設裝載部分的做法當作世界標準。
現(xiàn)有技術中，設置在凈化室70內(nèi)的微環(huán)境方式半導體制造裝置如圖19和圖20所示，其中，圖19是現(xiàn)有技術微環(huán)境方式半導體制造裝置的縱剖面簡圖，圖20是密閉容器和裝載裝置的裝配分解斜視圖。在密閉容器71的接收部分72，連續(xù)多次收放晶片73；上述密閉容器71，采用蓋75閉鎖上述晶片73的出入口74使之密閉，并置于臺盤79上，臺盤79前后移動自如地設置在與半導體制造裝置76前面板77一體安裝的裝載部分78上。
上述半導體制造裝置76中央部分設置的區(qū)域劃分壁80將前方側的高凈化空間81和后方側的低凈化空間82區(qū)分開。
上述高凈化空間81上方頂面，設置了帶有風扇83和過濾器84的風扇過濾組件85，并由該風扇過濾組件85向高凈化空間81輸送凈化空氣86，以保持高凈化氛圍。
上述半導體制造裝置76中，在高凈化空間81的前面板77面對密閉容器71的蓋75的位置處，設置了開口處87，通過該開口處87將晶片73從該密閉容器71內(nèi)取出至高凈化空間81內(nèi)、或者將其裝入密閉容器71之內(nèi)，且與裝載部分78的開口處98連通。
電動機88固定在上述前面板77內(nèi)面的下部，介于該電動機88和與之聯(lián)動的減速機構(圖中未示)之間并在上下前后方向上移動自如的開關臂89連接在上述減速機構上，同時在該開關臂89上方上述的開口處87一側，契合(結合)固定在上述密閉容器71的蓋75上，而使蓋75連接固定在開關板90上。另外，圖中91是突設在上述板90上的契合凸起，將該契合凸起91契合固定于設置在蓋75上的契合受部92，使上述板90與蓋75成為一體。
為了將晶片73從密閉容器71中取出至上述高凈化空間81內(nèi)或者插入密閉容器71，在該高凈化空間81中設置了上方備有臂93的遙控機械裝置(自動裝置)94。晶片73由上述密閉容器71移載到上述臂93上，再從該高凈化空間81內(nèi)取出，通過上述遙控機械裝置94送到設置在低凈化空間82內(nèi)的小室95中進行加工。然后，把上述加工過的晶片73從上述小室95移載到上述臂93上，再裝入上述密閉容器71。
為將收納在上述密閉容器71中的晶片73移載到臂93上并取出，首先啟動電動機88，使開關臂89向前移動，將板90的契合凸起91，契合固定在密閉容器71的蓋75的契合受部92上，從而使上述板90與蓋75成為一體；再使上述開關臂89向后移動，蓋75被打開并與板90一起被拉進高凈化空間81內(nèi)，然后上述開關臂89向下移動，使上述密閉容器71前面開口處87、98敞開，然后停掉電動機88。
之后，啟動遙控機械裝置94，使上述臂93通過上述開口處87、98移動到密閉容器71內(nèi)要移載的晶片73下面，將該晶片73移載到該臂93上，并從上述密閉容器71中取出到構成半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)，進一步用上述遙控機械裝置94將該晶片73移送到構成上述半導體制造裝置76的低凈化空間82內(nèi)的小室95中，進入晶片73的加工過程。
取出到半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)，并移送到上述小室95中加工過的晶片73，通過啟動遙控機械裝置94移載到臂93上，再經(jīng)開口處87、98和再度打開的出入口74裝回密閉容器71內(nèi)。以下反復同樣的操作，將密閉容器71內(nèi)的各晶片73順序地移送到半導體制造裝置76中加工；待密閉容器71內(nèi)全部晶片73加工完畢，再啟動電動機88，使開關臂89上升同時向前移動，將與該開關臂89的板90一體固定的蓋75，裝回并固定在密閉容器71的出入口74上，解除上述契合凸起91與契合受部92的契合狀態(tài)，使該密閉容器71處于密閉狀態(tài)。
但是，對上述現(xiàn)有技術標準做法的密閉容器71和裝載部分78而言，在用開關臂89向構成半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)側打開設置在裝載部分78上的密閉容器71的蓋75時，密閉容器71內(nèi)的壓力短時間內(nèi)比外部氣體(所謂向半導體制造裝置76外的凈化室70內(nèi)輸送的低凈化空氣)的壓力低，而來自風扇過濾器組件85的氣流風量、風壓不足，因而如圖21中箭頭指示的外部氣體97會從密閉容器71出入口74和裝載部分78的開口處98之間的間隙96吸入，這樣外部氣體中的灰塵附著在密閉容器71內(nèi)的晶片73上，從而造成問題。
本發(fā)明就是要解決這一問題，它提供的微環(huán)境方式半導體制造裝置，在安裝于作為晶片通路的半導體制造裝置的前面板上的裝載部分的開口處周邊配設了凈化空氣噴出裝置，由上述凈化空氣噴出裝置噴出的凈化空氣，在上述開口處和上述密閉容器晶片出入口的間隙處形成空氣簾幕，因而不會從上述間隙吸入外部氣體，也不會發(fā)生在密閉容器內(nèi)的晶片73上附著灰塵的問題。
本發(fā)明概述本發(fā)明采用如下手段解決上述課題在將密閉容器中收納的晶片在半導體制造裝置內(nèi)取出或者將在半導體制造裝置中加工過的晶片裝回密閉容器的微環(huán)境方式半導體制造裝置中，在晶片出入密閉容器的出入口和安裝在半導體制造裝置上的裝載部分開口處之間的間隙處，利用從軟管與供氣裝置連接的凈化空氣噴出裝置噴出的凈化空氣形成空氣簾幕，使得密閉容器的蓋在向半導體制造裝置內(nèi)側打開時，能夠阻斷在上述密閉容器出入口和安裝在半導體制造裝置上的裝載部分開口處之間間隙流通、從而侵入密閉容器的外部空氣。


圖1是本發(fā)明優(yōu)選實施例1所示微環(huán)境方式半導體制造裝置整體的縱剖面簡圖。
圖2是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置與供氣裝置的斜視簡圖。
圖3是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置的主要部分的縱剖面簡圖。
圖4是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置整體斜視圖。
圖5是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中構成凈化空氣噴出裝置的噴出部分整體斜視圖。
圖6是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中構成凈化空氣噴出裝置的噴出部分的裝配分解剖面圖。
圖7是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中構成凈化空氣噴出裝置的噴出部分橫剖面圖。
圖8是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中構成凈化空氣噴出裝置的導向蓋的整體斜視圖。
圖9是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置正面圖。
圖10是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置橫剖面圖。
圖11是本發(fā)明優(yōu)選實施例2所示微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置的整體斜視圖。
圖12是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置橫剖面圖。
圖13是本發(fā)明優(yōu)選實施例3所示微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置與供氣裝置切取一部分的斜視簡圖。
圖14是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置的橫剖面圖。
圖15是本發(fā)明優(yōu)選實施例4所示微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置與供氣裝置切取一部分的斜視簡圖。
圖16是相同微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置橫剖面圖。
圖17是本發(fā)明微環(huán)境方式半導體制造裝置中構成凈化空氣噴出裝置的噴出部分其他實施形態(tài)正面圖。
圖18是本發(fā)明微環(huán)境方式半導體制造裝置中構成凈化空氣噴出裝置的噴出部分另外一種其他實施形態(tài)正面圖。
圖19是現(xiàn)有技術微環(huán)境方式半導體制造裝置的整體縱剖面簡圖。
圖20是現(xiàn)有技術微環(huán)境方式半導體制造裝置中密閉容器和裝載裝置裝配分解斜視圖。
圖21是現(xiàn)有技術微環(huán)境方式半導體制造裝置中主要部分縱剖面簡圖。
本發(fā)明優(yōu)選實施方案下面結合附圖，來詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。在本發(fā)明中，對于與前面所述現(xiàn)有技術中半導體制造裝置所用符號相同的部件采用相同的符號，同時省略對相同符號所示部件的構成和作用的說明。
本發(fā)明微環(huán)境方式半導體制造裝置的構成是在現(xiàn)有技術共知的微環(huán)境方式半導體制造裝置76的前面板77上，在構成該半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)將密閉容器71中收納的晶片73取出或者裝入密閉容器71時作為通路開口的裝載部分78開口處98的周邊，設置凈化空氣噴出裝置1；由該噴出裝置1向上述開口處98外側外周邊方向噴出凈化空氣，在上述密閉容器71的出入口74和上述開口處98之間形成空氣簾幕，阻止從該密閉容器71的出入口74與上述開口處98之間的間隙96吸入凈化室70中含有灰塵的外部空氣，使該密閉容器71中晶片73上不會附著灰塵。
圖1是本發(fā)明優(yōu)選實施例1所示微環(huán)境方式半導體制造裝置的縱剖面簡圖。圖1所示設置在凈化室70中的半導體制造裝置的裝載部分78，是按世界標準做法確定的，在由上述世界標準做法確定的半導體制造裝置76的高凈化空間81限定的空間內(nèi)，配設了凈化空氣噴出裝置1a和供氣裝置2a。
如圖2斜視簡圖所示，上述凈化空氣噴出裝置1a用軟管3與供氣裝置2a連接，在上述半導體制造裝置76內(nèi)有限的空間中，該凈化空氣噴出裝置1a和供氣裝置2a是相互分離并能夠裝配起來的裝置。
上述凈化空氣噴出裝置1a形成薄型框狀，為了使在板90上下前后移動沒有障礙，裝配固定在上述裝載部分78的開口處98的周邊；另外，上述供氣裝置2a形成使電動機88與開關臂89動作無障礙的薄型，與上述電動機88有一定間隔地固定在前面板77內(nèi)側面上。
因為上述供氣裝置2a必須以薄型使用，因此如圖2所示形成由多翼通風機4吸氣的環(huán)狀吸氣部分5，由該多翼通風機4吸引高凈化空間81內(nèi)的凈化空氣，經(jīng)過軟管3送至凈化空氣噴出裝置1a。
上述凈化空氣噴出裝置1a，設置在圖3所示安裝于半導體制造裝置76前面板77上的裝載部分78的開口處98的周邊，向該開口處98外側外周邊方向噴出凈化空氣。在本發(fā)明優(yōu)選實施方案中，上述凈化空氣噴出裝置1a形成適合于方形開口處98的方棒狀。
即，上述凈化空氣噴出裝置1a，由框狀噴出部分6，和配置在該噴出部分6前面的導向蓋(整流蓋)7構成。上述噴出部分6如圖6和圖7所示，在中央與上述開口處98外周形狀大致一樣的空間部分8的棒狀內(nèi)周壁板9底緣外側方向上，成直角設置底板10，形成前面?zhèn)葮嫾?1；同時在中央與上述前面?zhèn)葮嫾?1有相同空間部分8的頂板12的外周緣部垂直設置外周壁板13，形成后面?zhèn)葮嫾?4，而且使該后面?zhèn)葮嫾?4能從上述前面?zhèn)葮嫾?1上卸下而戴帽固定；在上述前面?zhèn)葮嫾?1和后面?zhèn)葮嫾?4之間形成環(huán)形送風通路15，而且在上述環(huán)形送風通路15中，在上述內(nèi)周壁板9的上周緣與底板10的外周緣處呈角錐狀層疊設置多個除塵用過濾器16；該過濾器16作為劃分壁，使上述送風通路15區(qū)分為靠近頂板12的流入空氣通路17和靠近底板10的凈化空氣通路18；再沿上述底板10四邊設置噴出凈化空氣用的狹縫19。
上述狹縫19如圖5所示靠近在上述噴出部分外側開口的吸氣口20，其幅寬g狹窄，但隨著離該吸氣口20越遠而慢慢變寬，即g1＜g2＜g3＜g4＜g5。由于如上形成狹縫19，則經(jīng)過流入空氣通路17和凈化空氣通路18空氣的壓力損失，可以彌補遠離上述吸氣口20的狹縫19凈化空氣噴出量的下降，使狹縫19能從四周各面均勻噴出凈化空氣。
進一步，如圖8所示，構成上述凈化空氣噴出裝置1a的導向蓋7設計形成如下在對從上述噴出部分6的狹縫19噴出的凈化空氣整流的同時，為使風速分布均一，備有兩側尖端方向上慢慢變狹的兩塊整流板21，且周邊設置與該整流板21尖端同樣幅寬的導向狹縫22，在上述噴出部分6的前面配置空間部分23。
將上述構成的導向蓋7固定在上述噴出部分6的前面(下流側)，形成凈化空氣噴出裝置1a(圖9和圖10)。由此，通過上述噴出部分6的狹縫19調(diào)整噴出風量，同時對使風量均一的導向蓋7內(nèi)噴出的凈化空氣以整流板21整流，并從使風速均一的導向狹縫22中噴出。
使上述構成的凈化空氣噴出裝置1a的導向狹縫22一側，面對上述密閉容器71的出入口74和開口處98的間隙96的方向，將上述凈化空氣噴出裝置1a固定在該開口處98的周緣上，進一步用軟管3連接上述供氣裝置2a的送氣口24和設在凈化空氣噴出裝置1a的流入空氣通路17一側的吸氣口20。
由于構成凈化空氣噴出裝置1a噴出部分6的過濾器16設置成角錐狀，隨著該過濾器16表面積的增大，過濾面積也增大，同時單位面積的風量變小，具有降低壓力損失的作用。另外，由于凈化空氣噴出裝置1a、前面?zhèn)?倒)構件11是能從后面?zhèn)?倒)構件14上卸下那樣戴帽固定，而凈化空氣噴出裝置1a不能整體從前面板77上卸下，只能卸下后面?zhèn)葮嫾?4，因此更換過濾器16很容易。
圖11是本發(fā)明優(yōu)選實施例2所示微環(huán)境方式半導體制造裝置中凈化空氣噴出裝置與供氣裝置的斜視簡圖，圖12是相同凈化空氣噴出裝置的橫剖面圖。上述本發(fā)明優(yōu)選實施例1中凈化空氣噴出裝置1a將過濾器16呈角錐狀設置在送風通路15內(nèi)，該送風通路15將流入空氣通路17與凈化空氣通路18區(qū)分開。與此相反，本發(fā)明優(yōu)選實施例2中在前面?zhèn)葮嫾?1和后面?zhèn)葮嫾?4之間形成的送風通路25中沒有設置過濾器。
本發(fā)明優(yōu)選實施例2中，在前面?zhèn)葮嫾?1和后面?zhèn)葮嫾?4之間形成的送風通路25整體作為凈化空氣送風通路。而且，在凈化空氣噴出裝置1b吸氣口26的上方、可拆卸連接的過濾器容器28內(nèi)，設有層疊配置多個除塵用過濾器27，且用軟管3連接供氣裝置2b送氣口24和上述過濾器容器28，同時，這樣的凈化空氣噴出裝置1b和供氣裝置2b，與上述優(yōu)選實施例1中一樣，設置在半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)。
上述優(yōu)選實施例2中從供氣裝置2b經(jīng)過軟管3送入的空氣，由上述過濾器27凈化后，經(jīng)過上述吸氣口26連通的送風通路25送風，從設置在上述噴出部分6上的狹縫19向?qū)蛏w7內(nèi)噴出，進一步經(jīng)過導向狹縫22的凈化空氣向上述開口處98外側外周緣方向噴出。過濾容器28內(nèi)的過濾器27可以從該過濾容器28中卸出，更換新的過濾器。其他作用與上述優(yōu)選實施例1相同，說明省略。
圖13是本發(fā)明優(yōu)選實施例3所示微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置與供氣裝置切取一部分的斜視簡圖，圖14是相同凈化空氣噴出裝置的橫剖面圖。上述本發(fā)明優(yōu)選實施例1的凈化空氣噴出裝置1a，是在送風通路15內(nèi)呈角錐狀設置過濾器16，將送風通路15區(qū)分成流入空氣通路17與凈化空氣通路18，同時，供氣裝置2a備有多翼通風機4。
與此相反，本發(fā)明優(yōu)選實施例3中，凈化空氣噴出裝置1c的形成與上述優(yōu)選實施例2相同，在前面?zhèn)葮嫾?1和后面?zhèn)葮嫾?4之間形成的送風通路31，整體作為凈化空氣送風通路；且供氣裝置2c是由半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)設置的備有風扇32和過濾器33的小型風扇過濾組件34形成的。而且上述供氣裝置2c的送氣口35與凈化空氣噴出裝置1c吸氣口36由軟管3連接，同時，這種凈化空氣噴出裝置1c和供氣裝置2c，與上述優(yōu)選實施例1一樣，設置在半導體制造裝置76的高凈化空間81中。
上述優(yōu)選實施例3中，小型風扇過濾組件34吸引高凈化空間81中的凈化空氣進一步凈化，經(jīng)過軟管送入連接在吸氣口36的送風通路31中，從設置在上述噴出部分6的狹縫19噴向?qū)蛏w7內(nèi)，然后，經(jīng)過導向狹縫22的凈化空氣噴向上述開口處98外側外周緣方向。另外，將小型風扇過濾組件34內(nèi)過濾器33更換成新的過濾器也很簡單。其他作用與優(yōu)選實施例1相同，說明省略。
圖15是本發(fā)明優(yōu)選實施例4所示微環(huán)境方式半導體制造裝置中的凈化空氣噴出裝置與供氣裝置切取一部分的斜視簡圖，圖16是相同凈化空氣噴出裝置的橫剖面圖。凈化空氣噴出裝置1d與上述優(yōu)選實施例2、3相同，在前面?zhèn)葮嫾?1和后面?zhèn)葮嫾?4之間形成的送風通路41，整體作為凈化空氣的送風通路；且供氣裝置2d的形成，是將吸入并壓送凈化空氣到半導體制造裝置76外凈化室70的壓縮機43設置在上述半導體制造裝置76外凈化室70內(nèi)，同時，該壓縮機43與在上述半導體制造裝置76高凈化空間81內(nèi)、由多個除塵用的過濾器44層疊形成的過濾裝置45，由貫通該半導體制造裝置76前面板77的連接管46連接。而且，構成上述供氣裝置2d的過濾裝置45與凈化空氣噴出裝置1d的吸氣口47用軟管3連接；同時，過濾裝置45和凈化空氣噴出裝置1d，與上述優(yōu)選實施例1一樣，設置在半導體制造裝置76的高凈化空間81內(nèi)。
上述優(yōu)選實施例4中，壓縮機43吸引凈化室70中的低凈化空氣，由過濾裝置45進一步凈化，經(jīng)過軟管3送入連通吸氣口47的送風通路41中，從設置在上述噴出部分6的狹縫19噴入導向蓋7內(nèi)，然后，經(jīng)過導向狹縫22的凈化空氣噴向上述開口處98外側外周緣。另外，過濾裝置45的過濾器44更換成新的過濾器也很簡單。其他作用與優(yōu)選實施例1相同，說明省略。
圖17是構成本發(fā)明凈化空氣噴出裝置1的噴出部分6的其他實施形態(tài)正面圖。與上述圖5所示噴出部分6是設置狹縫19而形成的不同，圖17所示噴出部分6是由穿設多個直徑相同的噴出孔48代替上述狹縫而形成的。即按照靠近吸氣口20一側采用較寬的間隔，且隨著遠離該吸氣口20間隔慢慢變窄，同時數(shù)量變多那樣穿設噴出孔48。而且，在上述構成的噴出部分6的前面配置與上述結構相同的導向蓋7。圖17所示噴出部分6的作用與上述圖5所示相同，說明省略。另外，圖中所示噴出部分6，在凈化空氣噴出裝置1a～1d中均可使用。
圖18是構成本發(fā)明凈化空氣噴出裝置1的噴出部分6另外一種其他實施形態(tài)的正面圖。與上述圖5所示噴出部分6是設置狹縫19形成的不同，圖18所示噴出部分6是由穿設多個直徑不同的噴出孔49代替上述狹縫而形成的。即按照靠近吸氣口20一側穿設直徑較小的噴出孔49，且隨著遠離該吸氣口20直徑慢慢變大。而且，在上述構成的噴出部分6的前面配置與上述結構相同的導向蓋7。圖18所示噴出部分6的作用與上述圖5所示相同，說明省略。另外，圖18中所示噴出部分6，在凈化空氣噴出裝置1a～1d中均可使用。
若根據(jù)上述構成的本發(fā)明，在半導體制造裝置76內(nèi)將密閉容器71的蓋75打開，將晶片73移載到臂93上拉出時，或者將加工好的晶片73經(jīng)過上述臂93裝入上述密閉容器71之際，如圖3所示，在半導體制造裝置76開口處98外側外周緣方向上，從供氣裝置2和與軟管3連接的凈化空氣噴出裝置1的狹縫19，按照箭頭所示方向噴出凈化空氣，在上述開口處98和上述密閉容器71的出入口74之間的間隙96形成空氣簾幕，如彎曲箭頭所示，由于該開口處98和出入口74之間的間隙96，可以阻止攜帶灰塵的外部氣體侵入密閉容器71中，防止灰塵附著在上述密閉容器71內(nèi)的晶片73上。
關于本發(fā)明，說明了幾種優(yōu)選實施方案，其優(yōu)選實施方案如優(yōu)選實施例所示，但不局限于這些實施例。作為業(yè)內(nèi)人士應該明白，這些優(yōu)選實施方案可以有多種變更和變形，本發(fā)明也包含這些變更和變形。從而本發(fā)明是根據(jù)權利要求記載的范圍確定的，也包含與權利要求記載內(nèi)容等同的內(nèi)容。
工業(yè)應用可能性如上所述，本發(fā)明在從密閉容器中將晶片移載到臂上并取出或者將加工好的晶片經(jīng)過上述臂裝入上述密閉容器中時，在該密閉容器出入口處與安裝在半導體制造裝置上的裝載部分的開口處之間的間隙，從用軟管與供氣裝置連接的凈化空氣噴出裝置中噴出的凈化空氣形成空氣簾幕，從而阻止含有灰塵的外部氣體從該間隙侵入，也就防止了灰塵向上述密閉容器中的晶片上附著。
權利要求
1.一種微環(huán)境式半導體制造裝置，該裝置在向密閉容器傳送晶片的載入晶片開口處備有形成空氣簾幕的凈化空氣噴出手段；當位于上述載入晶片開口處前面的上述密閉容器打開時，為防止外部空氣從該密閉容器敞開的開口處流入，該凈化空氣噴出手段在上述密閉容器開口處和上述載入晶片開口處之間形成凈化空氣簾幕。
2.權利要求1所述的裝置，其特征在于，上述噴出凈化空氣的手段包括安裝在上述載入晶片開口處周邊的環(huán)狀空氣噴出部分、供氣設施段、和連通上述空氣噴出部分和上述供氣設施的連接管，上述空氣噴出部分有環(huán)狀流路，而且沿該環(huán)狀流路配置了至少一個空氣噴出口，該空氣噴出口部分的開口面積，從該部分上述噴出部分與上述連接管接合處沿上述環(huán)狀流路離開越遠變得越大。
3.權利要求2所述的裝置，其特征在于，上述至少一個空氣噴出口，有一個環(huán)狀狹縫，該環(huán)狀狹縫部分的開口面積從該部分上述接合處沿上述環(huán)狀流路離開越遠變得越大。
4.權利要求2所述的裝置，其特征在于，上述至少一個空氣噴出口，沿上述環(huán)狀流路設置多個孔，位于上述空氣噴出口部分的孔的總開口面積，從該部分上述接合處沿上述環(huán)狀流路離開越遠變得越大。
5.權利要求2所述的裝置，其特征在于，上述連接管是柔性管；半導體制造裝置有靠近上述載入晶片開口處的高凈化空間，上述供氣設施配置在上述高凈化空間，將上述高凈化空間內(nèi)高凈化空氣送入上述空氣噴出部分。
6.權利要求2所述的裝置，其特征在于，從上述供氣設施至上述空氣噴出口的空氣流路中，在上述空氣噴出部分、上述連接管以及上述供氣設施內(nèi)至少設置一個過濾器。
7.權利要求2或5所述的裝置，其特征在于，上述供氣設施包括多翼通風機。
8.權利要求2所述的裝置，其特征在于，上述供氣設施包括風扇過濾器組件。
9.權利要求2所述的裝置，其特征在于，上述空氣噴出部分，包括后面?zhèn)葮嫾?，以及使該后面?zhèn)葮嫾裳b卸式安裝、并與上述前面?zhèn)葮嫾黄鹦纬缮鲜霏h(huán)狀流路的前面?zhèn)葮嫾?；而且，上述空氣噴出部分，具有配置在上述環(huán)狀流路內(nèi)、將上述環(huán)狀流路截面分割成第一和第二區(qū)的過濾器，上述第一區(qū)與上述連接管連通，上述第二區(qū)與上述至少一個空氣噴出口連通，從上述供氣設施送來的空氣進入上述第一區(qū)，再經(jīng)上述過濾器流入上述第二區(qū)，從上述至少一個空氣噴出口噴出。
10.權利要求2或9所述的裝置，其特征在于，上述環(huán)狀空氣噴出部分，備有將從配置在該空氣噴出部分前面的上述空氣噴出口噴出的凈化空氣導向前方的整流蓋；上述環(huán)狀空氣噴出部分包括第一個框和第二個框，第二個框設置在第一個框內(nèi)側，并形成將從與該第一個框之間上述噴出口噴出的凈化空氣導向前方的整流流路，還包括使上述整流流路隨著向前行進其寬度變小，從而形成上述第一和第二個框的整流蓋。
全文摘要
本發(fā)明是在備有載入晶片的開口處(98)的半導體制造裝置中，使晶片(73)傳送在密閉容器(71)中進行的微環(huán)境方式半導體制造裝置(76)。即備有凈化空氣噴出裝置(1)的半導體制造裝置，在位于半導體制造裝置上述載入晶片開口處前面的上述密閉容器打開時，為防止外部空氣從該密閉容器敞開的開口處(74)流入，凈化空氣噴出裝置(1)在上述密閉容器開口處和上述載入晶片開口處之間形成凈化空氣簾幕。
文檔編號H01L21/02GK1625795SQ02828930
公開日2005年6月8日 申請日期2002年10月11日 優(yōu)先權日2002年5月10日
發(fā)明者木崎原稔郎 申請人:近藤工業(yè)株式會社, 日本劍橋過濾器株式會社