專利名稱：用于表面安裝用途的毫米波濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及毫米波濾波器，更具體地，本發(fā)明涉及例如平行耦合的線路濾波器(line filter)的毫米波濾波器。
背景技術(shù)：
藉助對本技術(shù)領(lǐng)域的那些熟練人員已知的技術(shù)、使用薄膜工藝通常已設(shè)計和制造了高性能毫米波(MMW)濾波器。使用薄膜工藝的任何制造技術(shù)要求緊密的設(shè)計容限實現(xiàn)在各種毫米波頻率下的一所需的濾波器響應。這些容限包括有關(guān)材料厚度、表面粗糙度、介電常數(shù)、金屬化厚度以及傳送線寬度和間距的必需的和關(guān)鍵的尺寸。
在這些現(xiàn)有技術(shù)薄膜濾波器設(shè)計中，濾波器長度和濾波器寬度通常因為波長變化而以頻帶的一函數(shù)而變化。在濾波器長度中的任何變化都難于設(shè)計跨越多個頻率的一共用的射頻組件方案。因為這些高頻的薄膜工藝，濾波器是昂貴的，通常單獨地制造它們，然后作為一無屏蔽的半導體小硅片附連于一載體板或用環(huán)氧樹脂或焊料直接附連于一殼體。
當毫米波生產(chǎn)緊密地向?qū)崿F(xiàn)高容量表面安裝制造技術(shù)靠攏時，需要有能用在高頻的低成本表面安裝濾波器。如果利用一層或多層厚膜、帶有相關(guān)聯(lián)的低制造容限的低溫共焙燒(co-fired)陶瓷工藝(LTCC)能夠制造低成本、高性能毫米波濾波器將是有利的。使用這工藝的任何毫米波濾波器將必須在小空間內(nèi)實現(xiàn)高“Q”濾波器。微帶和條帶接口方法(microstrip and stripline interface method)是可行的方法。使用這些低溫共焙燒的陶瓷材料制造的任何濾波器應該被鈍化(desensitized)到與薄膜工藝相關(guān)聯(lián)的傳統(tǒng)的臨界容限和補償任何帶寬和由與厚膜工藝相關(guān)聯(lián)的較寬容限所引起的回波損耗(return loss)下降。優(yōu)點是將可以薄膜濾波器的成本的一部分制出一濾波器。
發(fā)明概要本發(fā)明有利地提供用低溫共焙燒的陶瓷厚薄工藝提供一高性能毫米波濾波器。它通過在一多層低溫共焙燒的陶瓷薄膜中垂直堆疊諸諧振器(resonator)在一小空間內(nèi)實現(xiàn)高“Q”濾波器。這些諧振器能夠形成諸平行耦合的線路濾波器，包括一發(fā)夾式濾波器(hairpin filter)。利用諸微帶和條帶接口連接在諸低溫共焙燒的陶瓷中堆疊諸濾波器，使該結(jié)構(gòu)被作為標準的表面安裝單元。諸濾波器被鈍化至與薄膜工藝相關(guān)聯(lián)的傳統(tǒng)的臨界容限，并補償帶寬和由與厚膜工藝相關(guān)聯(lián)的較寬容限所引起的回波損耗下降。能夠以薄膜濾波器的成本的一部分將這些類型的濾波器制造成為高性能。此外，這些濾波器，包括發(fā)夾式濾波器，能夠消除對于頻率的濾波器尺寸變化和縮小濾波器尺寸百分之五十。
按照本發(fā)明的一個方面，關(guān)于表面安裝用途的毫米波濾波器包括具有相對表面的一絕緣基片。一磨平層形成在絕緣基片的一表面上。至少一低溫共焙燒的陶瓷層位于磨平層之上和形成一外濾波器表面。多個耦合的線路毫米波長諧振器(linemillimeter wavelength resonator)，例如諸平行耦合的諧振器，包括發(fā)夾式諧振器，形成為條帶或微帶，以及位于外濾波器表面上。
諸射頻接線端觸點位于絕緣基片的、與至少一低溫共焙燒的陶瓷層相對的表面上。諸導電通路延伸通過至少一低溫共焙燒的陶瓷層、磨平層和絕緣基片，以及各自互連射頻接線端觸點和至少一耦合的線路諧振器。
在本發(fā)明的另一方面中，一下方磨平層位于絕緣基片的、與磨平層和陶瓷層相對的表面上，以及與射頻接線端觸點分開。許多絕緣路徑延伸通過低溫共焙燒的陶瓷層和絕緣基片和結(jié)合下方磨平層。
在本發(fā)明的又一方面中，許多低溫共焙燒的陶瓷層和插入的諸磨平層形成一多層低溫共焙燒的陶瓷基板。許多毫米波長條帶諧振器形成在外濾波器表面與絕緣基片之間和被諸插入的磨平層(ground plane layer)分開的諸陶瓷層上。在一非限制的例子中，這些諧振器是諸發(fā)夾式諧振器。諸導電通路互連形成在諸陶瓷層上的諸諧振器和外濾波器表面。諧振器能夠形成兩極發(fā)夾式濾波器和可以是約四分之一波長長度。一絕緣蓋子位于外濾波器表面之上和具有一金屬化內(nèi)表面，金屬化內(nèi)表面與諸發(fā)夾式諧振器分開，用于產(chǎn)生一預定的切斷頻率(cutoff frequency)。這絕緣的蓋子離開形成在上濾波器表面上的諸諧振器約15至約25密耳距離。形成在外濾波器表面上的諸諧振器可以形成為微帶。
在本發(fā)明的再一方面中，絕緣基片由一陶瓷材料形成，例如氧化鋁，它約為10至35密耳厚。
附圖簡述在參閱附圖、閱讀以下本發(fā)明的詳細敘述后本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點將變得很明顯，在附圖中

圖1A和1B分別示出了以24千兆赫工作的典型的薄膜三極帶通平行耦合的線路濾波器(thin film three-pole bandpass parallel-coupled line filter)，以及示出了正比于射頻波長變化的濾波器的長度差異。
圖2A和2B示出了作為與LTCC工藝相關(guān)聯(lián)的間距的一例子的、由厚膜低溫共焙燒的陶瓷材料(LTCC)制造的三極濾波器。
圖3是示出用于本發(fā)明的一示例性的低溫共焙燒的陶瓷三極過濾響應的一濾波器響應的一曲線圖。
圖4是能用于一表面安裝單元結(jié)構(gòu)中的本發(fā)明的一LTCC濾波器的斷開的平面圖。
圖5是圖4中所示的濾波器的斷開的剖視圖，該濾波器由一示例性的鋁載體片、一層低溫共焙燒的陶瓷帶和一磨平層形成。
圖6是圖4中所示的濾波器的一不完全的底部平面圖。
圖7是通過在不同的LTCC層中串聯(lián)三個兩極濾波器所產(chǎn)生的一多層六極濾波器的一斷開的平面圖。
圖8是圖7中所示的濾波器的和定位在諸堆疊層中的低溫共焙燒的陶瓷材料的斷開的剖視圖。
圖9是圖7中所示的濾波器的一不完全的底部平面圖。
最佳實施例的詳細說明以下將參照附圖較詳細地敘述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的較佳實施例。但是，可以按許多不同形式體現(xiàn)本發(fā)明和不應該認為本發(fā)明被限制于在此所提出的實施例。反之，提供這些實施例，從而對本技術(shù)領(lǐng)域的那些熟練人員來說，這些揭示內(nèi)容將是詳盡的和完全的和將完全復蓋本發(fā)明的范圍。在全部中附圖相同的標號表示相同的部分。
本發(fā)明是優(yōu)越的和提供了在傳統(tǒng)的高頻毫米波濾波器方面的改進，傳統(tǒng)的該濾波器是采用要求緊密設(shè)計容限、在毫米波頻率下實現(xiàn)一所需的過濾響應的薄膜工藝制造的。本發(fā)明允許低成本、高性能、包括一所需的平行耦合的線路濾波器的毫米波濾波器的生產(chǎn)，該線路濾波器包括一發(fā)夾式濾波器，該發(fā)夾式濾波器使用允許較松的容限的傳統(tǒng)的厚膜低溫共焙燒的陶瓷工藝設(shè)計和制造。這優(yōu)越于有緊密的容限的現(xiàn)有技術(shù)薄膜工藝，該緊密的容限包括關(guān)于材料厚度、表面粗糙度、介電常數(shù)、金屬化厚度和傳送線寬度和間距的容限。本發(fā)明允許使用低溫共焙燒的陶瓷工藝的發(fā)夾式的和類似的平行耦合線路濾波器生產(chǎn)。本發(fā)明被鈍化到與現(xiàn)有技術(shù)的薄膜工藝相關(guān)聯(lián)的傳統(tǒng)的臨界容限和為了易于裝配和試驗能夠易于被裝配在小型表面安裝單元內(nèi)。
本發(fā)明使用標準的低溫共焙燒的陶瓷厚膜工藝實現(xiàn)了高性能毫米波濾波器和通過在一多層、低溫共焙燒的陶瓷薄膜中垂直堆疊諸諧振器在一小空間內(nèi)實現(xiàn)了高“Q”濾波器。微帶和條帶接口電路和相關(guān)聯(lián)的制造方法是優(yōu)越的和被使用于在低溫共焙燒的陶瓷諸層中堆疊諸濾波器，用作為標準的表面安裝單元。毫米波濾波器能夠被設(shè)計和制造以及鈍化至傳統(tǒng)的情況。這些臨界容限與較普通的薄膜工藝相關(guān)聯(lián)。能夠補償帶寬和回波損耗下降。能夠以薄膜濾波器的成本的一部分獲得這些高性能低溫共焙燒的陶瓷薄膜。任何濾波器設(shè)計，例如非限制的發(fā)夾式濾波器，能夠消除對于頻率的濾波器尺寸變化和縮小濾波器尺寸的百分之五十。
圖1A和1B示出了制造成為在那些相應頻率下工作的傳統(tǒng)的薄膜三極帶通、平行耦合線路濾波器的相應的28千兆赫和38千兆赫帶通濾波器10、12。濾波器長度差異正比于射頻波長變化。如本技術(shù)領(lǐng)域中那些熟練人員所已知的那樣，為了實現(xiàn)較寬的帶寬，這些形式的薄膜濾波器要求大電容值和要求在諸諧振器之間的極小的、約一密耳的一間隙，如圖1A和1B中尺寸“Y”所示。因為與薄膜材料和加工相關(guān)聯(lián)的高成本，這些濾波器的制造是很花錢的。圖1B中標明為“X”的尺寸如在該薄膜濾波器例子中所述那樣為0.001英寸(一密耳)間距。
圖2A和2B示出了為本發(fā)明的非限制的例子，三極發(fā)夾式濾波器14、16用于相應的28千兆赫和38千兆赫帶通濾波器，并帶有與現(xiàn)有技術(shù)尺寸“X”相比較的有代表性的諧振器間距尺寸“Y”，示出了由于用厚膜低溫共焙燒的陶瓷材料制造而產(chǎn)生在關(guān)于本發(fā)明的濾波器設(shè)計中的差異。雖然示出和敘述了發(fā)夾式濾波器，但是本發(fā)明可應用于采用低溫共焙燒的陶瓷材料的垂直堆疊的大多數(shù)平行耦合線路濾波器。如圖所示，間距“Y”不像在圖1A和1B中所示的較傳統(tǒng)的薄膜帶通濾波器中尺寸“X”那樣窄。如圖2A和2B所示，低溫共焙燒的陶瓷帶通濾波器中的間距約0.003英寸(3密耳)，可與用于薄膜工藝的0.001英寸(1密耳)比較。因為本發(fā)明能夠采用諸諧振器的低成本絲網(wǎng)印刷，與使用薄膜工藝實現(xiàn)1密耳容隙的金屬蝕刻的高成本形成對比，所以在諸諧振器之間的較寬的間距的能力(3密耳對1密耳)是優(yōu)越的。在某些加工中，3密耳間距約為絲網(wǎng)印刷能力的極限。
發(fā)夾式帶通濾波器使用諸電容耦合諧振器，類似于廣泛使用的平行耦合線路帶通濾波器(BPF)。如本技術(shù)領(lǐng)域那些熟練人員所知的，使用兩種發(fā)夾式濾波器(1)耦合線路輸入濾波器，如主要使用于窄帶應用之中；以及(2)分接的輸入發(fā)夾式濾波器，如主要使用于寬帶應用之中。一發(fā)夾式濾波器能夠被看成在自身上向后折疊的一平行耦合線路濾波器，如本技術(shù)領(lǐng)域的那些熟練人員已知的那樣。當折疊平行耦合的線路時，結(jié)果是因為形成發(fā)夾彎曲的線路之間的附加的耦合，從而對于相同等級的濾波器有較大數(shù)量的耦合的線路。
在厚膜低溫共焙燒的陶瓷材料中的這些濾波器的設(shè)計中必須確定和說明的某些關(guān)鍵參數(shù)包括單元或諧振器的數(shù)量、所要求的帶外排出、基體介質(zhì)、材料高度、金屬化厚度、損耗角正切和金屬損耗系數(shù)。在獲得該設(shè)計中的一步驟是將低通原型值轉(zhuǎn)換成為偶數(shù)和奇數(shù)模式阻抗，然后將相應的阻抗轉(zhuǎn)換成關(guān)于線路寬度和微帶的間隙的實際尺寸。
使用低溫共焙燒的陶瓷材料設(shè)計和制造的任何濾波器，例如發(fā)夾式濾波器能夠制造成為由較傳統(tǒng)的方法制造的平行耦合線路濾波器的尺寸的一半。一個三極濾波器能夠制造成小于100密耳×100密耳的面積。對于全部頻率任何濾波器能夠具有相同的長度和沒有如使用薄膜工藝設(shè)計和制造的濾波器中的緊密的容限。由與厚膜工藝加工相關(guān)聯(lián)的較寬的容限所產(chǎn)生的任何所期待的性能下降被濾波器的增加的內(nèi)阻抗和線路寬度和諸諧振器的間隙的變化所補償。
在設(shè)計頻率下，在濾波器中耦合的諸線路段，如在該一個非限制的示例的發(fā)夾式濾波器中所示的，是四分之一波長。這類濾波器較常規(guī)的濾波器采取多次進行合成和通常要求先進的射頻設(shè)計軟件。如以上所指出的，能夠在厚膜低溫共焙燒的陶瓷材料上設(shè)計和制造這些濾波器，并在毫米波頻率下帶有極佳性能。
圖3示了了關(guān)于帶有3％帶寬的一28千兆赫濾波器的一濾波器響應曲線和在垂直軸線上示出了關(guān)于在28千兆赫可工作的一低溫共焙燒的陶瓷帶通濾波器的插入損失(insertion loss)(分貝)和回波損耗(分貝)。一開始數(shù)字(start figure)被示出在22千兆赫處和一停止數(shù)字(stop figure)被示出在32千兆赫處，示出了低溫共焙燒的陶瓷三極濾波器的響應曲線。
現(xiàn)在參閱圖4-6，示出了利用通過使用厚膜、低溫共焙燒的陶瓷材料產(chǎn)生用作一表面安裝單元結(jié)構(gòu)的發(fā)夾式濾波器的本發(fā)明的方法生產(chǎn)的基本發(fā)夾式濾波器結(jié)構(gòu)。當然，本發(fā)明不局限于發(fā)夾式濾波器，而是可應用于其它平行耦合線路濾波器。敘述將參考所示出、非限制性的發(fā)夾式濾波器的例子進行。圖4示出了如圖2A和2B所示的一示例性的發(fā)夾式濾波器，以及形成為帶有諸單個發(fā)夾式諧振器22的一個兩極濾波器20。在這具體實施例中用約25密耳厚的一鋁載體片24制造該濾波器，在一非限制性例子中，它起到具有相對表面的一絕緣基片的作用。一磨平層26形成在絕緣基片24的一表面上。一低溫共焙燒的陶瓷層28位于磨平層26上和形成一外濾波器表面30。在所示實施例中由一層低溫共焙燒的陶瓷帶28形成這低溫共焙燒的陶瓷層28，該帶還能是形成為未加工帶子的低溫傳送帶(LTTT)。它被形成為約5至約7密耳，用一磨平層分開絕緣基片和未加工帶層(green tapelayer)。
多個耦合的線路毫米波長發(fā)夾式諧波器22被形成為條帶或微帶以及定位在外濾波器表面30上。射頻接線端觸點32定位在絕緣基片的與未加工帶形成的低溫共焙燒的陶瓷層28相對的表面上。如圖所示，諸導電的通路34通過低溫共焙燒的陶瓷層28、磨平層26和絕緣基片、即載體片24延伸，以及各自互連射頻接線端觸點32和形成在外濾波器表面30上的端部定位的耦合的諸線路諧振器22a。
在本發(fā)明的一個方面中，絕緣基片形成為約10至約35密耳厚(以及在一個方面中較佳地為約25密耳厚)和由礬土形成，還已知為氧化鋁，即一大家所知的陶瓷介電材料。如本技術(shù)領(lǐng)域的那些熟練人員所建議的，能夠使用其它絕緣材料。
如圖6所示，一下方磨平層35定位在絕緣基片24的、與上方定位的磨平層26和未加工帶層28相對的表面上，并如由兩平行形成的線路所示的、與諸射頻接線端觸點相絕緣。多個絕緣的路徑36通過低溫共焙燒的陶瓷(未加工帶)層28和絕緣基片24延伸和基本結(jié)合形成下方磨平層35的平行的條帶。如圖4所示，絕緣的路徑36對所形成的發(fā)夾式濾波器絕緣。一絕緣蓋子38可以定位在外濾波器表面30之上。該蓋子38具有金屬化內(nèi)表面40，例如由金屬或類似材料形成，它與諸發(fā)夾式諧振器22分開，用于產(chǎn)生一預定的切斷頻率。這蓋子38還為所形成的濾波器遮蔽外部的干擾。微帶和蓋子的頂部的距離為約20密耳，但是能夠根據(jù)本技術(shù)領(lǐng)域的那些熟練人員所要求的進行改變。如果濾波器僅由條帶制成，通常將不需要一蓋子38。
圖7-9示出了本發(fā)明的另一實施例，其許多未加工帶層50形成為低溫共焙燒的諸陶瓷層和定位在第一磨平層上。諸插入的磨平層52位于諸未加工帶層50之間。形成為未加工帶的多個低溫共焙燒的陶瓷層50和諸插入的磨平層52形成了一多層低溫共焙燒的陶瓷基板。多個毫米波長條帶發(fā)夾式諧振器54形成在外濾波器表面30與絕緣基片(載體)24之間、被諸插入的磨平層52隔開的諸陶瓷層50上。如圖所示，導電的通路57互連形成在諸陶瓷層和外濾波器表面上的發(fā)夾式諧振器56。這結(jié)構(gòu)示出了一多層、六極濾波器58，它通過串聯(lián)在三個不同層中三個兩極濾波器產(chǎn)生，并帶有一微帶濾波器52和兩個條帶濾波器64，如圖所示。
這些濾波器能夠具有約100密耳×約100密耳的一額定尺寸和能夠被制造在大的六英寸單層和多層晶片上以及用一適合的激光器切割尺寸。具有金屬化內(nèi)表面的鋁蓋38可以用導電的銀環(huán)氧樹脂附著至濾波器。在諸頂部濾波諧振器(top filterresonator)僅由條帶制造的場合，將不要求一蓋子。
顯然本發(fā)明是優(yōu)越的和提供了優(yōu)越于現(xiàn)有技術(shù)的一表面安裝的毫米波厚膜低溫共焙燒的陶瓷濾波器。它可以用單或多層未加工帶或類似的絕緣的陶瓷層、并帶有適當?shù)闹T磨平層形成。
本技術(shù)領(lǐng)域的那些熟練的人們將會認識到對本發(fā)明可以進行具有上述說明和關(guān)聯(lián)的附圖中所顯示的揭示內(nèi)容的優(yōu)點的許多修改和其它實施例。因此，應該理解本發(fā)明不局限于所提示的實施例，以及修改和實施例都被包含在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于表面安裝用途的毫米波濾波器，它包括具有相對表面的一絕緣基片；形成在絕緣基片的一表面上的一磨平層；位于磨平層上的至少一低溫共焙燒陶瓷層，該層形成一外濾波器表面；形成為條帶或微帶的、和位于外濾波器表面上的多個耦合線路毫米波長諧振器；位于絕緣基片的、與該至少一低溫共焙燒陶瓷層相對的表面上的射頻接線端觸點；以及通過該至少一低溫共焙燒陶瓷層、磨平層和絕緣基片延伸的諸導電通路，各導電通路互連所述射頻接線端觸點和一耦合線路諧振器。
2.按照權(quán)利要求1的毫米波濾波器，其特征在于，還包括位于絕緣基片的、與磨平層和至少一低溫共焙燒陶瓷層相對的表面上的一下方磨平層，該下方磨平層與所述射頻接線端觸點絕緣；以及，通過所述低溫烘焙燒的陶瓷層和絕緣基片延伸并結(jié)合所述下方磨平層的多個絕緣路徑。
3.按照權(quán)利要求1的毫米波濾波器，其特征在于，還包括多層低溫共焙燒陶瓷層和插入的多層磨平層，從而形成一多層低溫共焙燒的陶瓷基板；以及，形成在所述外濾波器表面與絕緣的基片之間的和被所述插入的諸磨平層隔開的諸陶瓷層上的許多毫米波長條帶諧振器；以及，互連形成在所述諸陶瓷層上的所述諸諧振器和外濾波器表面上的諸導電通路。
4.按照權(quán)利要求3的毫米波濾波器，其特征在于諸所述諧振器形成諸兩極平行耦合發(fā)夾式濾波器。
5.按照權(quán)利要求4的毫米波濾波器，其特征在于諸所述發(fā)夾式諧振器為約四分之一波長長度。
6.按照權(quán)利要求1的毫米波濾波器，其特征在于，還包括位于所述外濾波器表面上方的和具有一金屬化內(nèi)表面的一絕緣蓋，該金屬化內(nèi)表面與所述諸諧振器分開，用于產(chǎn)生一預定的切斷頻率。
7.按照權(quán)利要求6的毫米波濾波器，其特征在于所述絕緣蓋離開形成在外濾波器表面上的諸諧振器約15至約25密耳的距離。
8.按照權(quán)利要求6的毫米波濾波器，其特征在于形成在所述外濾波器表面上的諸所述諧振器包括形成為微帶的諸諧振器。
9.按照權(quán)利要求1的毫米波濾波器，其特征在于所述絕緣基片由一陶瓷材料形成。
10.按照權(quán)利要求9的毫米波濾波器，其特征在于所述絕緣基片由氧化鋁形成。
11.按照權(quán)利要求9的毫米波濾波器，其特征在于所述絕緣基片形成為約10至約35密耳厚。
12.按照權(quán)利要求1的毫米波濾波器，其特征在于所述至少一低溫共焙燒陶瓷層形成為約5至約7密耳厚。
13.一種用于表面安裝用途的毫米波濾波器它包括具有相對表面的一絕緣基片；形成在絕緣基片的一表面上的一磨平層；位于磨平層之上和形成一外濾波器表面的至少一低溫共焙燒的陶瓷層；形成為微帶的和位于外濾波器表面上的多個耦合線路毫米波長諧振器；位于絕緣基片的、與至少一低溫共焙燒陶瓷層相對的表面上的諸射頻接線端觸點；通過至少一低溫共焙燒陶瓷層、磨平層和絕緣基片延伸的諸導電通路，各通路互連所述射頻接線端觸點和一耦合線路諧振器；位于絕緣基片的、與低溫共焙燒的陶瓷層相對的表面上的一下方磨平層，該下方磨平層與所述射頻接線端觸點絕緣，多個絕緣路徑通過至少一所述低溫共焙燒陶瓷層和絕緣基片延伸和所述下方磨平層結(jié)合；以及位于所述外濾波器表面之上和具有一金屬化內(nèi)表面的一絕緣蓋，金屬化內(nèi)表面與所述毫米波諸諧振器分開，用于產(chǎn)生一預定的切斷頻率。
14.按照權(quán)利要求13的毫米波濾波器，其特征在于，還包括多層低溫共焙燒陶瓷層和插入的諸磨平層，從而形成一多層低溫共焙燒的陶瓷基板；以及，在所述外濾波器表面與絕緣基片之間的和被所述插入的諸磨平層隔開的諸陶瓷層上形成的多個毫米波長條帶諧振器；以及，互連形成在所述諸陶瓷層上的諸諧振器和外濾波器表面上的多條導電通路。
15.按照權(quán)利要求13的毫米波濾波器，其特征在于諸所述諧振器形成諸兩極發(fā)夾式濾波器。
16.按照權(quán)利要求15的毫米波濾波器，其特征在于諸所述發(fā)夾式諧振器為約四分之一波長長度。
17.按照權(quán)利要求16的一毫米波濾波器，其特征在于所述絕緣蓋離開成形在外濾波器表面上的諸諧振器約15至25密耳距離。
18.一種用于表面安裝用途的毫米波濾波器，它包括具有相對表面的一絕緣基片；形成在絕緣基片的一表面上的磨平層；位于絕緣基片的一表面上的、由多層低溫共焙燒陶瓷層和位于該低溫共焙燒陶瓷多層之間的諸磨平層形成的一多層基板，所述多層基板形成一外濾波器表面；多個形成為條帶或微帶的耦合線路毫米波長發(fā)夾式諧振器位于外濾波器表面上；多個形成為條帶的耦合線路毫米波長發(fā)夾式諧振器位于諸所述陶瓷層上；互連形成在所述諸陶瓷層和外濾波器表面的每一個上的至少一個所述發(fā)夾式諧振器的多個導電通路；位于絕緣基片的、與多層基板相對的表面上的射頻接線端觸點；以及諸導電通路，它們通過多層基板和絕緣基板延伸，各導電通路互連所述射頻接線端觸點和至少一個耦合線路發(fā)夾式諧振器。
19.按照權(quán)利要求18的一毫米波濾波器，其特征在于在各層和外濾波器表面處的諸所述發(fā)夾式諧振器各自形成一雙極發(fā)夾式濾波器。
20.按照權(quán)利要求18的毫米波濾波器，其特征在于，還包括位于絕緣基片的、相對于多層基板的表面上的和射頻接線端觸點分開的一下方磨平層；以及，通過所述基板和絕緣基片延伸并結(jié)合所述下方磨平層的多個絕緣路徑。
21.按照權(quán)利要求18的一毫米波濾波器，其特征在于，所述毫米波長發(fā)夾式諧振器約四分之一波長長度。
22.按照權(quán)利要求18的毫米波濾波器，其特征在于，還包括位于所述外濾波器表面之上的和具有一金屬化內(nèi)表面的一絕緣蓋，該金屬化內(nèi)表面與所述諸發(fā)夾式諧振器分開，用于產(chǎn)生一預定的斷開頻率。
23.按照權(quán)利要求22的毫米波濾波器，其特征在于所述絕緣蓋與形成在外濾波器表面上的諸諧振器分開約15至約25密耳距離。
24.按照權(quán)利要求22的毫米波濾波器，其特征在于形成在所述外濾波器表面上的諸所述發(fā)夾式諧振器包括形成為微帶的諸諧振器。
25.按照權(quán)利要求18的毫米波濾波器，其特征在于在各陶瓷層處和在所述外濾波器表面上的諸所述耦合線路發(fā)夾式諧振器各自構(gòu)成一兩極濾波器。
全文摘要
一種用于表面安裝用途的一個毫米波濾波器包括具有相對表面的一絕緣基片。一磨平層形成在絕緣基片的一表面上。至少一低溫共焙燒陶瓷層位于磨平層之上和形成一外濾波器表面。形成為條帶或微帶的多個耦合線路毫米波長諧振器位于外濾波器表面上。這些諧振器可以是平行耦合線路濾波器，包括發(fā)夾式諧振器。射頻接線端觸點位于絕緣基片的、與至少一低溫共焙燒陶瓷層相對的表面上。諸導電通路通過至少一低溫共焙燒陶瓷層、磨平層和絕緣基片延伸，并互連射頻接線端觸點和耦合的線路諧振器。
文檔編號H01P1/203GK1543688SQ02816239
公開日2004年11月3日 申請日期2002年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月20日
發(fā)明者D·F·埃瑪, E·菲舍爾, D F ?，? 岫 申請人:柴川斯股份有限公司