亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

溫度熔斷器和使用它的電池的制作方法

文檔序號(hào):6978220閱讀:277來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:溫度熔斷器和使用它的電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及溫度熔斷器和使用它的電池。
背景技術(shù)
圖32是現(xiàn)有的溫度熔斷器的剖面圖。如圖32所示,現(xiàn)有的溫度熔斷器具有含錫的可熔合金2和連接其兩端部的一對(duì)導(dǎo)線3。而且,該連接的方法是通過(guò)普通焊接、超聲波焊接、在導(dǎo)線3和可熔合金2中通電,使可熔合金2熔化進(jìn)行連接。再有,要在可熔合金2的表面涂敷助熔劑14,并且把可熔合金2收放在有開(kāi)口部的絕緣殼1內(nèi)。而且,該絕緣殼4的開(kāi)口部用硬化樹(shù)脂封口體5封口。
所述現(xiàn)有的溫度熔斷器隨著周圍溫度的上升使助熔劑3熔化,除去可熔合金2的表面氧化膜。之后,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金2的熔點(diǎn)時(shí),可熔合金2熔斷,而切斷通電。為了能確實(shí)地熔斷,必須要在可熔合金2的表面的盡可能多的部分或者全部涂敷助熔劑4。在溫度熔斷器熔斷時(shí),在熔斷的可熔合金2的尖端之間會(huì)發(fā)生電弧,特別在切斷時(shí)電流或者切斷電壓大的場(chǎng)合,電弧的能量就大。而且,通過(guò)該電弧的能量分解或者氣化涂敷在可熔合金2表面的助熔劑4,因此,由封口體5密封的絕緣殼1內(nèi)的氣體分子數(shù)量急速增加,溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升。此時(shí),當(dāng)電弧能量特別大的場(chǎng)合,可能會(huì)造成密封的劣化或者構(gòu)成溫度熔斷器的絕緣殼破損。因而,現(xiàn)有的溫度熔斷器不能作為用于高電壓·大電流切斷用的溫度熔斷器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的溫度熔斷器,具有絕緣殼,其是有開(kāi)口部的有底筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在絕緣殼內(nèi);導(dǎo)線,其一端與可熔合金連接,另一端從絕緣殼的開(kāi)口部引到絕緣殼外;助熔劑,其被涂敷在可熔合金上;封口體,其封堵絕緣殼的開(kāi)口部;且使絕緣殼內(nèi)的可熔合金和封口體之間的空間容積比助熔劑的體積大。
在該溫度熔斷器,因?yàn)樵诮^緣殼內(nèi)的可熔合金和封口體之間的空間容積比涂敷在可熔合金上的助熔劑的體積還大,所以當(dāng)因周圍溫度上升使助熔劑熔化時(shí),該助熔劑幾乎全部流入絕緣殼內(nèi)的可熔合金和封口體之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金的表面只存在少量的助熔劑,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金的熔點(diǎn)、可熔合金熔斷時(shí),即使在可熔合金的尖端之間產(chǎn)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑的氣化量。因此,能減少溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,于是,即使用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合也難以造成該溫度熔斷器密封劣化或絕緣殼破損。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的徑向型溫度熔斷器的剖面圖;圖2是實(shí)施例1中,助熔劑熔化后的徑向型溫度熔斷器的剖面圖;圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2的徑向型溫度熔斷器的剖面圖;圖4是實(shí)施例2中,助熔劑熔化后的徑向型溫度熔斷器的剖面圖;圖5是本發(fā)明的實(shí)施例3的軸向型溫度熔斷器的剖面圖;圖6是實(shí)施例3中,助熔劑熔化后的軸向型溫度熔斷器的剖面圖;圖7是本發(fā)明的實(shí)施例4的軸向型溫度熔斷器的剖面圖;圖8是實(shí)施例4中,助熔劑熔化后的軸向型溫度熔斷器的剖面圖;圖9是本發(fā)明的實(shí)施例5的軸向型溫度熔斷器的剖面圖;圖10是實(shí)施例5中,助熔劑熔化后的軸向型溫度熔斷器的剖面圖;圖11是本發(fā)明的實(shí)施例6的薄型溫度熔斷器的上面圖;圖12是沿圖11的12-12線的剖面圖;圖13是沿圖11的13-13線的剖面圖;圖14是實(shí)施例6中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖15是本發(fā)明的實(shí)施例7的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖16是實(shí)施例7中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖17是本發(fā)明的實(shí)施例8的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖18是本發(fā)明的實(shí)施例8的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖19是實(shí)施例8中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖20是實(shí)施例8中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;
圖21是本發(fā)明的實(shí)施例9的薄型溫度熔斷器的上面圖;圖22是沿圖21的22-22線的剖面圖;圖23是沿圖21的23-23線的剖面圖;圖24是實(shí)施例9中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖25是本發(fā)明的實(shí)施例10的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖26是實(shí)施例10中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖27是本發(fā)明的實(shí)施例11的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖28是本發(fā)明的實(shí)施例11的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖29是實(shí)施例11中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖30是實(shí)施例11中,助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖;圖31是本發(fā)明的實(shí)施例13的電池的立體圖;圖32是現(xiàn)有的溫度熔斷器的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1是本發(fā)明的實(shí)施例1的徑向型溫度熔斷器的剖面圖。圖2是助熔劑熔化后的徑向型溫度熔斷器的剖面圖。具有開(kāi)口部的有底的圓筒狀或者棱筒狀的絕緣殼11用聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚亞苯基硫醚(PPS)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、酚醛樹(shù)脂、陶瓷、玻璃等材料中的任意一種材料制成。在絕緣殼11內(nèi)配設(shè)略似圓柱狀或者棱柱狀的可熔合金12??扇酆辖?2用錫、鉛、鋅、鉍、銦、鎘、銀、銅中的任意一種金屬或者其中幾種金屬的合金制成。一對(duì)導(dǎo)線13的一端部連接可熔合金12的兩端部,并且導(dǎo)線13的另一端部從絕緣殼11的開(kāi)口部引到絕緣殼11之外。一對(duì)導(dǎo)線13用銅、鐵、鎳等一種金屬或者它們的合金制成線狀,并且在其表面電鍍錫、鉛、鋅、鉍、銦、鎘、銀、銅中之一種金屬或者具有其中幾種金屬的合金。在可熔合金12上涂敷助熔劑14,助熔劑14在周圍溫度上升時(shí)熔化、除去可熔合金12的氧化膜。助熔劑14使用硬脂酰胺含量在20%(重量)以上、最好是含量30%(重量)的是理想的。通過(guò)硬脂酰胺的作用,助熔劑14熔化時(shí)的粘度降低,因此,在周圍溫度上升使助熔劑14熔化時(shí),助熔劑14確實(shí)地流動(dòng)。絕緣殼11的開(kāi)口部用封口體15封堵,封口體15用環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等硬化樹(shù)脂制成。再有,可熔合金12和一對(duì)導(dǎo)線13的連接通過(guò)普通焊接、超聲波焊接進(jìn)行,或者通過(guò)在導(dǎo)線13和可熔合金12中通電使可熔合金12熔化進(jìn)行。
如圖1所示,在實(shí)施例1,形成絕緣殼11內(nèi)的可熔合金12和封口體15之間的空間容積比助熔劑14的體積要大。
在把實(shí)施例1的徑向型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖2所示,從可熔合金12看,使可熔合金12和封口體15之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑14熔化時(shí),在實(shí)施例1因?yàn)槭乖诮^緣殼11內(nèi)的可熔合金12和封口體15之間的空間容積比助熔劑14的體積還大,所以熔化的助熔劑14由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入絕緣殼11內(nèi)的可熔合金12和封口體15之間的空間內(nèi)。結(jié)果,可熔合金12的表面只存在少量的助熔劑14,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金12的熔點(diǎn)、可熔合金12熔斷時(shí),即使在可熔合金12的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑14的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,于是,即使應(yīng)用于高電壓·大電流切斷的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例1的溫度熔斷器密封劣化和絕緣殼11的破損。再有,在使用硬脂酰胺含量在20%(重量)以上、最好是含量30%(重量)的助熔劑作為助熔劑14時(shí),助熔劑14熔化時(shí)的粘度降低,助熔劑14熔化時(shí)會(huì)確實(shí)地流動(dòng)。
(實(shí)施例2)圖3是本發(fā)明的實(shí)施例2的徑向型溫度熔斷器的剖面圖。圖4是助熔劑熔化后的徑向型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例2的徑向型溫度熔斷器與圖1、圖2中表示的實(shí)施例1的徑向型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例1的不同點(diǎn)是如圖3所示地形成絕緣殼11內(nèi)的可熔合金12的絕緣殼11的內(nèi)底部之間的空間容積要比助熔劑14的體積大。
在把實(shí)施例2的徑向型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖4所示,從可熔合金12看,使可熔合金12和絕緣殼11的內(nèi)底部之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑14熔化時(shí),在實(shí)施例2因?yàn)槭乖诮^緣殼11內(nèi)的可熔合金12和絕緣殼11的內(nèi)底部之間的空間容積比助熔劑14的體積還大,所以熔化的助熔劑14由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入絕緣殼11內(nèi)的可熔合金12和絕緣殼11的內(nèi)底部之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金12的表面只存在少量的助熔劑14,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金12的熔點(diǎn)、可熔合金12熔斷時(shí),即使在可熔合金12的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)助熔劑14的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,于是,即使應(yīng)用于高電壓·大電流切斷的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例2的溫度熔斷器密封劣化和絕緣殼11的破損。
(實(shí)施例3)圖5是本發(fā)明的實(shí)施例3的軸向型溫度熔斷器的剖面圖。圖6是助熔劑熔化后的軸向型溫度熔斷器的剖面圖,具有開(kāi)口部的圓筒狀或者棱筒狀的絕緣殼21用聚對(duì)笨二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚亞苯基硫醚(PPS)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、酚醛樹(shù)脂、陶瓷、玻璃等材料中的任意一種材料制成。在絕緣殼21內(nèi)配設(shè)略似圓柱狀或者棱柱狀的可熔合金22??扇酆辖?2用錫、鉛、鋅、鉍、銦、鎘、銀、銅中的任意一種金屬或者其中幾種金屬的合金制成。一對(duì)導(dǎo)線23的一端部連接可熔合金22的兩端部,并且,導(dǎo)線23的另一端部從絕緣殼21的開(kāi)口部引到絕緣殼21之外。一對(duì)導(dǎo)線23用銅、鐵、鎳等一種金屬或者它們的合金制成線狀,并且在其表面電鍍錫鉛、鋅、鉍、銦、鎘、銀、銅中之一種金屬或者具有其中幾種金屬的合金。在可熔合金22上涂敷助熔劑24,助熔劑24在周圍溫度上升時(shí)熔化、除去可熔合金22的氧化膜。絕緣殼21的兩端的開(kāi)口部用封口體25封堵,封口體25用環(huán)氧樹(shù)脂、硅樹(shù)脂等硬化樹(shù)脂制成。再有,可熔合金22和一對(duì)導(dǎo)線23的連接通過(guò)普通焊接、超聲波焊接進(jìn)行,或者通過(guò)在導(dǎo)線23和可熔合金22中通電使可熔合金22熔化進(jìn)行。
如圖5所示,在實(shí)施例3形成絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的下面?zhèn)群徒^緣殼21的下方的內(nèi)面部之間的空間容積比助熔劑24的體積要大。
在把實(shí)施例3的軸向型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖6所示,從可熔合金22看,使可熔合金22的下面?zhèn)群徒^緣殼21的下方的內(nèi)面部之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑24熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例3形成絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的下面?zhèn)群徒^緣殼21的下方的內(nèi)面部之間的空間容積比助熔劑24的體積還大,所以熔化的助熔劑24由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的下面?zhèn)群徒^緣殼21的下方的內(nèi)面部之間的空間內(nèi)。結(jié)果在可熔合金22的表面只存在少量的助熔劑24,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金22的熔點(diǎn)、可熔合金22熔斷時(shí),即使在可熔合金22的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑24的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,于是,即使應(yīng)用于高電壓·大電流切斷的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例3的溫度熔斷器密封劣化和絕緣殼21的破損。
(實(shí)施例4)圖7是本發(fā)明的實(shí)施例4的軸向型溫度熔斷器的剖面圖。圖8是助熔劑熔化后的軸向型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例4的軸向型溫度熔斷器與圖5、圖6中表示的實(shí)施例3的軸向型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例3的不同點(diǎn)是如圖7所示地形成絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的上面?zhèn)群徒^緣殼21的上方的內(nèi)面部之間的空間容積比助熔劑24的體積要大。
在把實(shí)施例4的軸向型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖8所示,從可熔合金22看,使可熔合金22的上面?zhèn)群徒^緣殼21的上方的內(nèi)面部之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑24熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例4形成絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的上面?zhèn)群徒^緣殼21的上方的內(nèi)面部之間的空間容積比助熔劑24的體積還大,所以熔化的助熔劑24由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入絕緣殼21的可熔合金22的上面?zhèn)群徒^緣殼21的上方的內(nèi)面部之間的空間內(nèi)。結(jié)果在可熔合金22的表面只存在少量的助熔劑24,因此,當(dāng)溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金22的熔點(diǎn)、可熔合金22熔斷時(shí),即使在可熔合金22的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑24的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例4的溫度熔斷器密封劣化和絕緣殼體21的破損。
(實(shí)施例5)圖9是本發(fā)明的實(shí)施例5的軸向型溫度熔斷器的剖面圖。圖10是助熔劑熔化后的軸向型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例5的軸向型溫度熔斷器與圖5、圖6中表示的實(shí)施例3的軸向型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例3的不同點(diǎn)是如圖9所示地形成絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的一方的端部和一對(duì)封口體25中的一方的封口體25之間的空間容積要比助熔劑24的體積大。
在把實(shí)施例5的軸向型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等的發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖10所示,從可熔合金22看,使可熔合金22一方的端部和一對(duì)封口體25中的一方的封口體25之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑24熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例5形成絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的一方的端部和一對(duì)封口體25的一方的封口體25之間的空間容積比助熔劑24的體積還大,所以熔化的助熔劑24由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入絕緣殼21內(nèi)的可熔合金22的一方的端部和一對(duì)封口體25中的一方的封口體25之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金22的表面只存在少量的助熔劑24,因此,當(dāng)溫度繼續(xù)上升超過(guò)可熔合金22的熔點(diǎn)、可熔合金22熔斷時(shí),即使在可熔合金22的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑24的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間壓力的上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例5的溫度熔斷器密封劣化和絕緣殼21的破損。
(實(shí)施例6)圖11是本發(fā)明的實(shí)施例6的薄型溫度熔斷器的上面圖。圖12是沿圖11的線12-12的剖面圖。圖13是沿圖11線13-13的剖面圖。圖14是助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖。在由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等樹(shù)脂材料制成的薄片狀的第一絕緣膜31上安裝一對(duì)金屬端子32,使其各端子的一部分要從下面向上面露出。一對(duì)端子32形成帶狀或者線狀,并且在由銅、鎳等導(dǎo)電性良好的金屬制成的表面施以錫焊、或電鍍錫、銅等。位于第一絕緣膜31的上方,在金屬端子32的端部之間連接可熔合金33。可熔合金33用錫、鉛、鋅、鉍、銦、鎘、銀、銅中之一種金屬或者其中幾種金屬的合金制成。在可熔合金33的周圍涂敷助熔劑34,助熔劑34是主要成分由松香組成的樹(shù)脂,并且助熔劑34的色數(shù)為4~16。在第一絕緣膜31上密封固定安裝片狀的第二絕緣膜35,使其位于可熔合金33的上方,在與第一絕緣膜31之間形成空間。構(gòu)成第二絕緣膜35的材料與所述第一絕緣膜31相同是理想的。這樣,用第一絕緣膜31和第二絕緣膜35覆蓋可熔合金33,并且,在除去設(shè)置可熔合金33的部分,第一絕緣膜31和第二絕緣膜35通過(guò)密封固定牢固。因此,可熔合金33被密封、防止可熔合金33的劣化。
而且,在實(shí)施例6,如圖12所示,形成可熔合金33的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜31的上面之間的空間容積要比助熔劑34的體積大。
在把實(shí)施例6的薄型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖14所示,從可熔合金33看,使可熔合金33的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜31的上面之間的空間方向與重力方向大體相同地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑34熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例6形成可熔合金33的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜31的上面之間的空間的容積比助熔劑34的體積還大,所以熔化的助熔劑34由于重力作用、幾乎都確實(shí)地流入可熔合金33的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜31的上面之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金33的表面只存在少量的助熔劑34,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金33的熔點(diǎn)、可熔合金33熔斷時(shí),即使在可熔合金33的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑34的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間壓力的上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例6的溫度熔斷器密封劣化和破損。
(實(shí)施例7)圖15是本發(fā)明的實(shí)施例7的薄型溫度熔斷器的剖面圖。圖16是助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例7的薄型溫度熔斷器與圖11~圖14中表示的實(shí)施例6的薄型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例6的不同點(diǎn)是如圖15所示地形成可熔合金33的上面?zhèn)群偷诙^緣膜35的下面之間的空間容積要比助熔劑34的體積大。
在把實(shí)施例7的薄型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖16所示,從可熔合金33看,使可熔合金33的上面?zhèn)群偷诙^緣膜35的下面之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑34熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例7形成可熔合金33的上面?zhèn)群偷诙^緣膜35的下面之間的空間容積要比助熔劑34的體積大,所以熔化的助熔劑34由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入可熔合金33的上面?zhèn)群偷诙^緣膜35的下面之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金33的表面只存在少量的助熔劑34,因此當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金33的熔點(diǎn)、可熔合金33熔斷時(shí),即使在可熔合金33的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑34的氣化量。因此,能減少溫度熔斷器內(nèi)部空間壓力的上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例7的溫度熔斷器密封劣化和破損。
(實(shí)施例8)圖17和圖18是本發(fā)明的實(shí)施例8的薄型溫度熔斷器的剖面圖。圖19和圖20是助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例8的薄型溫度熔斷器與圖11~圖14中表示的實(shí)施例6的薄型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例6的不同點(diǎn)是如圖17和圖18所示地形成可熔合金33的一方的側(cè)面與第一絕緣膜31和第二絕緣膜35的密封固定部之間的空間容積要比助熔劑34的體積大。
在把實(shí)施例8的薄型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖19和圖20所示,從可熔合金33看,使可熔合金33的一方的側(cè)面與第一絕緣膜31和第二絕緣膜35的密封固定部之間形成的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑34熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例8形成可熔合金33的一方的側(cè)面和第一絕緣膜31、第二絕緣膜35兩絕緣膜的密封固定部之間的空間容積比助熔劑34的體積還大,所以熔化的助熔劑34由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入可熔合金33的一方的側(cè)面和第一絕緣膜31、第二絕緣膜35兩絕緣膜的密封固定部之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金33的表面只存在少量的助熔劑34,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金33的熔點(diǎn)、可熔合金33熔斷時(shí),即使在可熔合金33的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑34的氣化量。因此,能減少溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力的上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例8的溫度熔斷器密封劣化和破損。
(實(shí)施例9)圖21是本發(fā)明的實(shí)施例9的薄型溫度熔斷器的上面圖。圖22是沿圖21的線22-22的剖面圖。圖23是沿圖21的線23-23的剖面圖。圖24是助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖。在由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等樹(shù)酯材料制成的薄片狀的第一絕緣膜41上安裝幅度比第一絕緣膜41狹窄的一對(duì)金屬端子42,該一對(duì)金屬端子42由銅、鎳等導(dǎo)電性良好的金屬制成帶狀或者線狀、并且其表面施以錫焊、或電鍍錫、銅等。位于第一絕緣膜41的上方、在金屬端子42的端部之間連接可熔合金43??扇酆辖?3用錫、鉛、鋅、鉍、銦、鎘、銀、銅中的一種金屬或者其中幾種金屬的合金制成。在可熔合金43的周圍涂敷助熔劑44,助熔劑44是主要成分由松香組成的樹(shù)酯,并且,助熔劑44的色數(shù)為4~16。在第一絕緣膜41上密封固定安裝片狀的第二絕緣膜45,使其位于可熔合金43的上方,在與所述第一絕緣膜41之間形成空間。構(gòu)成第二絕緣膜45的材料與所述第一絕緣膜41相同是理想的。這樣,用第一絕緣膜41和第二絕緣膜45覆蓋可熔合金43,并且,在除去設(shè)置可熔合金43的部分,第一絕緣膜41的外周部和第二絕緣膜45的外周部通過(guò)密封固定牢固,因此,可熔合金43被密封、防止可熔合金43的劣化。
而且,在實(shí)施例9,如圖22所示地形成可熔合金43的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜41的上面之間的空間容積要比助熔劑44的體積大。
在把實(shí)施例9的薄型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖14所示,從可熔合金43看,使可熔合金的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜41的上面之間的空間方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑44熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例9形成可熔合金43的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜41的上面之間的空間容積比助熔劑44的體積還大,所以,熔化的助熔劑44由于重力作用,幾乎都確實(shí)地流入可熔合金43的下面?zhèn)群偷谝唤^緣膜41的上面之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金43的表面只存在少量的助熔劑44,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金43的熔點(diǎn)、可熔合金43熔斷時(shí),即使在可熔合金43的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑44的氣化量。因此,能減小溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例9的溫度熔斷器密封劣化和破損。
(實(shí)施例10)圖25是本發(fā)明的實(shí)施例10的薄型溫度熔斷器的剖面圖。圖26是助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例10的薄型溫度熔斷器與圖21~24中表示的實(shí)施例9的薄型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例9的不同點(diǎn)是如圖25所示地使可熔合金43的上面?zhèn)群偷诙^緣膜45的下面之間的空間容積要比助熔劑44的體積大。
在把實(shí)施例10的薄型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖26所示,從可熔合金43看,使可熔合金43的上面?zhèn)群偷诙^緣膜45的下面之間的空間的方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑44熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例10形成可熔合金43的上面?zhèn)群偷诙^緣膜45的下面之間的空間容積要比助熔劑44的體積大,所以熔化的助熔劑44由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入可熔合金43的上面?zhèn)群偷诙^緣膜45的下面之間的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金43的表面上只存在少量的助熔劑44,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金43的熔點(diǎn)、可熔合金43熔斷時(shí),即使在可熔合金43的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑44的氣化量。因此,能減少溫度熔斷器的內(nèi)部空間的壓力上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例10的溫度熔斷器密封劣化和破損。
(實(shí)施例11)圖27和圖28是本發(fā)明的實(shí)施例11的薄型溫度熔斷器的剖面圖。圖29和圖30是助熔劑熔化后的薄型溫度熔斷器的剖面圖。實(shí)施例11的薄型溫度熔斷器與圖21~圖24中表示的實(shí)施例9的薄型溫度熔斷器的構(gòu)成部件相同,與實(shí)施例9的不同點(diǎn)是如圖27和圖28所示地形成可熔合金43的一方的側(cè)面與第一絕緣膜41、第二絕緣膜45兩絕緣膜的密封固定部之間的空間容積要比助熔劑44的體積大。
在把實(shí)施例11的薄型溫度熔斷器安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上使用時(shí),如圖29和圖30所示從可熔合金43看,使可熔合金43的一方的側(cè)面與第一絕緣膜41、第二絕緣膜45兩絕緣膜的密封固定部之間形成的空間的方向與重力方向大體一致地安裝在各種電子設(shè)備和變壓器、電機(jī)等發(fā)熱部件上。當(dāng)在該使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使助熔劑44熔化時(shí),因?yàn)樵趯?shí)施例11形成可熔合金43的一方的側(cè)面與第一絕緣膜41、第二絕緣膜45兩絕緣膜的密封固定部之間的空間比助熔劑44的體積還大,所以熔化的助熔劑44由于重力作用幾乎都確實(shí)地流入可熔合金43的一方的側(cè)面與第一絕緣膜41、第二絕緣膜45兩絕緣膜的密封固定部之間形成的空間內(nèi)。結(jié)果,在可熔合金43的表面只存在少量的助熔劑44,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金43的熔點(diǎn)、可熔合金43熔斷時(shí),即使在可熔合金43的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少在電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑44的氣化量。因此,能減少溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成實(shí)施例11的溫度熔斷器密封劣化和破損。
(實(shí)施例12)本發(fā)明的實(shí)施例12的溫度熔斷器是用在實(shí)施例6~11的溫度熔斷器中,收放可熔合金的第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足以下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm1.5mm≤L2≤3.5mm0.4mm≤L3≤1.5mm通過(guò)滿足所述關(guān)系,溫度熔斷器形成既薄又小,即使用于高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難于造成密封劣化和破損。
(實(shí)施例13)圖31是本發(fā)明的實(shí)施例13的電池的立體圖。該電池具有電池本體51;溫度熔斷器52,其與電池本體51電氣連接,當(dāng)電池本體51異常發(fā)熱時(shí)切斷電流;外部電極53,其設(shè)置在電池本體51的側(cè)面上;保護(hù)電路54,其與電池本體51電氣連接。溫度熔斷器52是在所述的實(shí)施例6~12中說(shuō)明的溫度熔斷器中的任意一種。溫度熔斷器52,其一方的端子55通過(guò)在連接部56點(diǎn)焊等,被電氣地連接在電池本體51的外部電極53上;其另一方的端子57通過(guò)在連接部58點(diǎn)焊等,被電氣地連接在保護(hù)電路54上。溫度熔斷器52當(dāng)電池本體51發(fā)熱到規(guī)定溫度以上、即發(fā)生異常發(fā)熱時(shí),切斷電流。
實(shí)施例13的電池,當(dāng)在使用狀態(tài),在由周圍溫度上升使溫度熔斷器52內(nèi)的助熔劑熔化時(shí),熔化的助熔劑確實(shí)地流入溫度熔斷器52內(nèi)的內(nèi)部空間內(nèi),因此,能使可熔合金的表面只存在少量的助熔劑。通過(guò)這樣,在周圍溫度繼續(xù)上升、超過(guò)可熔合金的熔點(diǎn)、可熔合金熔斷時(shí),即使在可熔合金的尖端發(fā)生電弧也能夠減少電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑的氣化量。結(jié)果,能夠減少溫度熔斷器52的內(nèi)部空間的壓力上升,因此能夠獲得即使應(yīng)用于高電壓·大電流切斷的場(chǎng)合也難以造成溫度熔斷器52密封劣化和破損的電池。
產(chǎn)業(yè)利用的可能性本發(fā)明的溫度熔斷器,具有絕緣殼,其是具有開(kāi)口部的有底的筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在絕緣殼內(nèi);導(dǎo)線,其一端與可熔合金連接,另一端從絕緣殼的開(kāi)口部引到絕緣殼外;助熔劑,其被涂敷在可熔合金上;封口體,其封堵絕緣殼的開(kāi)口部。使絕緣殼內(nèi)的可熔合金和封口體之間的空間容積比助熔劑的體積大。
通過(guò)形成這樣的結(jié)構(gòu),當(dāng)在由周圍溫度上升使助熔劑熔化時(shí),該助熔劑幾乎都流入絕緣殼內(nèi)的可熔合金和封口體之間的空間內(nèi),結(jié)果,在可熔合金的表面只存在少量的助熔劑,因此,當(dāng)周圍溫度繼續(xù)上升,超過(guò)可熔合金的熔點(diǎn)、可熔合金熔斷時(shí),即使在可熔合金的尖端之間發(fā)生電弧,也能夠減少電弧發(fā)生時(shí)的助熔劑的氣化量。這樣,能夠減少溫度熔斷器內(nèi)部空間的壓力上升,因此,能夠獲得即使應(yīng)用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合,也難以造成密封劣化和絕緣殼破損的溫度熔斷器。
權(quán)利要求
1.一種溫度熔斷器,其具有絕緣殼,其是具有開(kāi)口部的有底的筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在所述絕緣殼內(nèi);導(dǎo)線,其一端與所述可熔合金連接,另一端從所述絕緣殼的開(kāi)口部引到所述絕緣殼外;助熔劑,其被涂敷在所述可熔合金上;封口體,其封堵所述絕緣殼的開(kāi)口部;所述絕緣殼內(nèi)的所述可熔合金和所述封口體之間的空間容積比所述助熔劑的體積要大。
2.如權(quán)利要求1所述的溫度熔斷器,其特征在于,從所述可熔合金看,所述可熔合金和所述封口體之間的所述空間位于和重力方向大體一致的方向上。
3.如權(quán)利要求1所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
4.一種溫度熔斷器,其具有絕緣殼,其是具有開(kāi)口部的有底的筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在所述絕緣殼內(nèi);導(dǎo)線,其一端與所述可熔合金連接,另一端從所述絕緣殼的開(kāi)口部引到所述絕緣殼外;助熔劑,其被涂敷在所述可熔合金上;封口體,其封堵所述絕緣殼的開(kāi)口部;所述絕緣殼內(nèi)的所述可熔合金和所述絕緣殼的內(nèi)底部之間的空間的容積比所述助熔劑的體積要大。
5.如權(quán)利要求4所述的溫度熔斷器,其特征在于,從所述可熔合金看,所述可熔合金和所述絕緣殼的內(nèi)底部之間的所述空間位于和重力方向大體一致的方向上。
6.如權(quán)利要求4所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
7.一種溫度熔斷器,其具有絕緣殼,其是在兩端具有開(kāi)口部的筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在所述絕緣殼內(nèi);一對(duì)導(dǎo)線,每根導(dǎo)線的一端部分別連接所述可熔合金的兩端部,每根導(dǎo)線的另一端部分別通過(guò)所述絕緣殼的開(kāi)口部引到所述絕緣殼外;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;封口體,其封堵所述絕緣殼兩端的開(kāi)口部;所述絕緣殼內(nèi)的所述可熔合金的表面和對(duì)向所述可熔合金的所述表面的所述絕緣殼的內(nèi)表面部之間的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
8.如權(quán)利要求4所述的溫度熔斷器,其特征在于,從所述可熔合金看,所述可熔合金的所述表面和所述絕緣殼的所述內(nèi)面部之間的所述空間位于和重力方向大體一致的方向上。
9.如權(quán)利要求4所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
10.一種溫度熔斷器,其具有絕緣殼,其是在兩端具有開(kāi)口部的筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在所述絕緣殼內(nèi);一對(duì)導(dǎo)線,每根導(dǎo)線的一端部分別連接所述可熔合金的兩端部,每根導(dǎo)線的另一端部分別通過(guò)所述絕緣殼的開(kāi)口部引到所述絕緣殼外;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;封口體,其封堵所述絕緣殼兩端的開(kāi)口部;所述絕緣殼內(nèi)的所述可熔合金一方的端部和所述一對(duì)的封口體的一方之間的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
11.如權(quán)利要求10所述的溫度熔斷器,其特征在于,從所述可熔合金看,所述可熔合金的所述一方的端部和所述一對(duì)封口體的所述的一方之間的所述的空間位于和重力方向大體一致的方向上。
12.如權(quán)利要求11所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
13.一種溫度熔斷器,其具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其分別安裝在所述第一絕緣膜上,使其各自的一部從所述第一絕緣膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜的所述第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的所述一部之間;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第一絕緣膜的第一方向的面和對(duì)向所述第一絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間的容積要大于所述助熔劑的體積。
14.如權(quán)利要求13所述的溫度熔斷器,其特征在于,從所述可熔合金看,所述第一絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間位于和重力方向大體一致的方向上。
15.如權(quán)利要求13所述的溫度熔斷器,其特征在于,還具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體,所述溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足如下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
16.如權(quán)利要求13所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
17.一種溫度熔斷器,其具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其分別安裝在所述第一絕緣膜上,使其各自的一部從所述第一絕緣膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜的所述第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的所述一部之間;助熔劑,其涂在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第二絕緣膜的面和對(duì)向所述第二絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
18.如權(quán)利要求17所述的溫度熔斷器,其特征在于,從所述可熔合金看,所述第二絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間位于和重力方向大體一致的方向上。
19.如權(quán)利要求17所述的溫度熔斷器,其特征在于,還具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體,所述溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足如下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
20.如權(quán)利要求17所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
21.一種溫度熔斷器,其具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其分別安裝在所述第一絕緣膜上,使其各自的一部從所述第一絕緣膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜的所述第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的所述一部之間;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其通過(guò)密封固定部安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述可熔合金的一端與所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
22.如權(quán)利要求21所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述可熔合金的所述一端與所述第一絕緣膜和第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
23.如權(quán)利要求21所述的溫度熔斷器,其特征在于,還具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體,所述溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足如下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
24.如權(quán)利要求21所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
25.一種溫度熔斷器,其具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其被安裝在所述第一絕緣膜上;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的端部之間;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第一絕緣膜的面和對(duì)向所述第一絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間容積要比所述助熔劑的體積大。
26.如權(quán)利要求25所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述第一絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
27.如權(quán)利要求25所述的溫度熔斷器,其特征在于,還具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體,所述溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足如下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
28.如權(quán)利要求25所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
29.一種溫度熔斷器,其具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其被安裝在所述第一絕緣膜上,可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的端部之間;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第二絕緣膜的面和對(duì)向所述第二絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
30.如權(quán)利要求29所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述第二絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
31.如權(quán)利要求29所述的溫度熔斷器,其特征在于,還具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體,所述溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足如下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
32.如權(quán)利要求29所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
33.一種溫度熔斷器,其具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其被安裝在所述第一絕緣膜上,可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬的端部之間;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其通過(guò)密封固定部安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述可熔合金的一端與所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
34.如權(quán)利要求33所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述可熔合金的所述一端與所述第一絕緣膜和第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
35.如權(quán)利要求33所述的溫度熔斷器,其特征在于,還具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二絕緣膜形成的溫度熔斷器本體,所述溫度熔斷器本體的長(zhǎng)度L1、寬度L2、厚度L3滿足如下的關(guān)系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
36.如權(quán)利要求33所述的溫度熔斷器,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
37.一種電池,其包括電池本體和溫度熔斷器,所述溫度熔斷器具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其分別安裝在所述第一絕緣膜上,使其各自的一部從所述第一絕緣膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的所述一部之間,通過(guò)所述電池本體發(fā)出的熱量熔斷;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第一絕緣膜的所述第一方向的面和對(duì)向所述第一絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間容積要比助熔劑的體積大。
38.如權(quán)利要求37所述的電池,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
39.如權(quán)利要求37所述的電池,其特征在于,所述第一絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
40.一種電池,其包括電池本體和溫度熔斷器,所述溫度熔斷器具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其分別安裝在所述第一絕緣膜上,使其各自的一部從所述第一絕緣膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一絕緣開(kāi)始的所述第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的所述一部之間,通過(guò)所述電池本體發(fā)出的熱量熔斷;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第二絕緣膜的面和對(duì)向所述第二絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
41.如權(quán)利要求40所述的電池,其特征在于,所述第二絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
42.如權(quán)利要求40所述的電池,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)以上的硬脂酰胺。
43.一種電池,其包括電池本體和溫度熔斷器,所述溫度熔斷器具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其分別安裝在所述第一絕緣膜上,使其各自的一部從所述第一絕緣膜向第一方向突出;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的所述第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的所述一部之間,通過(guò)所述電池本體發(fā)出的熱量熔斷;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其通過(guò)密封固定部安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述可熔合金的一端與所述第一絕緣膜和第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
44.如權(quán)利要求43所述的電池,其特征在于,所述可熔合金的所述一端與所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
45.如權(quán)利要求43所述的電池,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)的硬脂酰胺。
46.一種電池,其包括電池本體和溫度熔斷器,所述溫度熔斷器具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其安裝在所述第一絕緣膜上;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的端部之間,通過(guò)所述電池本體發(fā)出的熱量熔斷;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第一絕緣膜的面和對(duì)向所述第一絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
47.如權(quán)利要求46所述的電池,其特征在于,所述第一絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
48.如權(quán)利要求46所述的電池,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)的硬脂酰胺。
49.一種電池,其包括電池本體和溫度熔斷器,所述溫度熔斷器具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其安裝在所述第一絕緣膜上;可熔合金,其位于由所述第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的端部之間,通過(guò)所述電池本體發(fā)出的熱量熔斷;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其被安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述第二絕緣膜的面和對(duì)向所述第二絕緣膜的所述面的所述可熔合金的面之間的空間容積要比所述助熔劑的體積大。
50.如權(quán)利要求49所述的電池,其特征在于,所述第二絕緣膜的所述面和所述可熔合金的所述面之間的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
51.如權(quán)利要求49所述的電池,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)的硬脂酰胺。
52.一種電池,其包括電池本體和溫度熔斷器,所述溫度熔斷器具有第一絕緣膜;一對(duì)金屬端子,其安裝在所述第一絕緣膜上;可熔合金,其位于由第一絕緣膜開(kāi)始的第一方向上,連接在所述一對(duì)金屬端子的端部之間,通過(guò)所述電池本體發(fā)出的熱量熔斷;助熔劑,其涂敷在所述可熔合金上;第二絕緣膜,其通過(guò)密封固定部安裝在所述第一絕緣膜上,使其位于由所述可熔合金開(kāi)始的所述第一方向上,并且與所述第一絕緣膜之間形成空間;所述可熔合金的一端與所述第一絕緣膜和第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的空間的容積要比所述助熔劑的體積大。
53.如權(quán)利要求52所述的電池,其特征在于,所述可熔合金的所述一端與所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的所述密封固定部之間形成的所述空間,從所述可熔合金看,位于和重力方向大體一致的方向上。
54.如權(quán)利要求52所述的電池,其特征在于,所述助熔劑含有20%(重量)的硬脂酰胺。
全文摘要
本發(fā)明提供一種溫度熔斷器。該溫度熔斷器具有絕緣殼,其是有開(kāi)口部的有底筒狀體;可熔合金,其配設(shè)在絕緣殼內(nèi);導(dǎo)線,其一端與可熔合金連接,另一端從絕緣殼的開(kāi)口部引到絕緣殼外;助熔劑,其被涂敷在可熔合金上;封口體,其封堵絕緣殼的開(kāi)口部;且使絕緣殼內(nèi)的可熔合金和封口體之間的空間容積比助熔劑的體積大。該溫度熔斷器即使用于切斷高電壓·大電流的場(chǎng)合也難以造成該溫度熔斷器密封劣化或絕緣殼破損。
文檔編號(hào)H01H37/76GK1520600SQ02811189
公開(kāi)日2004年8月11日 申請(qǐng)日期2002年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月5日
發(fā)明者仙田謙治, 河野篤司, 和田達(dá)也, 也, 司 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
  • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1