專利名稱：2f的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，涉及2F2閃存。
由于計(jì)算機(jī)變得日益復(fù)雜，改進(jìn)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)量的需求也增加了。與此同時(shí)，人們也一直致力于減小計(jì)算機(jī)和存儲(chǔ)器件的尺寸。因此，存儲(chǔ)器件制造的目標(biāo)就是增加每單位面積上存儲(chǔ)單元的數(shù)量。
存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元塊或者存儲(chǔ)單元陣列。存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)一比特信息。比特通常由二進(jìn)制數(shù)字0和1來表示。閃存器件是非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中在存儲(chǔ)單元的一個(gè)單一單元或者一個(gè)塊中的內(nèi)容是電可編程的，并且可以在單一操作中進(jìn)行讀或?qū)?。閃存器件具有功率低且操作快的特性，這使得它們對(duì)于便攜設(shè)備是理想的。閃存通常用于以下便攜設(shè)備中，諸如膝上型或筆記本計(jì)算機(jī)、數(shù)字音頻播放器以及個(gè)人數(shù)字助理(PDA)設(shè)備。
在閃存中，帶電的浮動(dòng)?xùn)攀且环N邏輯狀態(tài)，通常由二進(jìn)制數(shù)字1來表示，而不帶電的浮動(dòng)?xùn)攀窍喾吹倪壿嫚顟B(tài)，通常由二進(jìn)制數(shù)字0來表示。電荷可以通過任意的方法注入或者寫入浮動(dòng)?xùn)?，這些方法例如包括雪崩注入、溝道注入、Fowler-Nordheim隧道以及溝道熱電子注入(channel hot electron injection)。
存儲(chǔ)單元和閃存單元可以根據(jù)其最小外形尺寸(F)和單元面積(F2)來描述其特性。例如，標(biāo)準(zhǔn)的NOR閃存單元通常以10平方的特征單元(feature cell)來舉例，而標(biāo)準(zhǔn)的NAND閃存單元是以接近4.5平方的特征單元來舉例。通常，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)單元在8F2和6F2之間。單元面積(F2)根據(jù)眾所周知的方法來確定，并且沿存儲(chǔ)單元的x和y維表示多種的外形數(shù)量。在No.6,043,562號(hào)U.S.專利中公開了一種適宜的外形尺寸的舉例說明。
存儲(chǔ)器件可以使用2維結(jié)構(gòu)或者3維結(jié)構(gòu)來創(chuàng)建。2維結(jié)構(gòu)還可以稱為平面結(jié)構(gòu)。通常，3維結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的單元尺寸要小于平面結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的單元尺寸。SRAMs和DRAMs已經(jīng)使用3維結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)而成，然而只有幾乎沒有閃存單元使用3維結(jié)構(gòu)進(jìn)行制造。大多數(shù)的閃存單元還是使用平面結(jié)構(gòu)進(jìn)行制造。雖然某些閃存單元已經(jīng)使用3維結(jié)構(gòu)來制造，但是尺寸范圍通常在4.5F2到8F2，這樣的尺寸范圍并不比使用平面結(jié)構(gòu)制造的閃存單元的尺寸顯著更小。
由此，需要一種三維的閃存器件，所述閃存器件具有減小的外形尺寸平方的單元面積。
依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)單元。該存儲(chǔ)單元包括源極、垂直溝道、漏極和水平浮動(dòng)?xùn)?。垂直溝道形成在源極的上方。漏極形成在垂直溝道的上方。水平浮動(dòng)?xùn)判纬稍谥辽僖徊糠致O的上方。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開一種存儲(chǔ)單元。所述存儲(chǔ)單元包括源極、垂直溝道、漏極、水平浮動(dòng)?xùn)乓约按怪边x擇柵。所述垂直溝道形成在源極的上方。所述漏極形成在垂直溝道的上方。所述水平浮動(dòng)?xùn)判纬稍谥辽僖徊糠致O的上方。所述垂直選擇柵與水平浮動(dòng)?xùn)耪坏匦纬伞?br> 依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)單元。所述存儲(chǔ)單元包括第一晶體管和選擇晶體管。所述第一晶體管包括源極、漏極和柵電路。所述選擇晶體管與第一晶體管耦合并包括源極、漏極和柵電路。所述選擇晶體管的柵電路與第一晶體管的柵電路正交地形成。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器件包括第一n型層、p型層以及第二n型層。所述p型層在第一n型層的上方形成。所述第二n型層在所述p型層的上方形成，形成垂直溝道。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器件包括水平的第一n型層、p型層、水平第二n型層、水平浮動(dòng)?xùn)乓约按怪边x擇柵。水平第一n型層形成在基底的上方。p型層形成在第一n型成的上方。所述水平第二n型層形成在p型層的上方。水平浮動(dòng)?xùn)判纬稍诨咨戏健４怪边x擇柵形成在基底上方。p型層形成垂直溝道。第一n型層形成埋入式源極，而第二n型層形成漏極。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器件包括埋入式源極、垂直溝道、漏極、浮動(dòng)?xùn)乓约斑x擇柵。埋入式源極形成在基底上方。垂直溝道形成在該埋入式源極的上方。漏極形成在該垂直溝道的上方。浮動(dòng)?xùn)判纬稍诨咨戏?。在基底中形成的溝槽里，選擇柵與浮動(dòng)?xùn)耪坏匦纬?。所述存?chǔ)器件具有2F2的外形尺寸平方。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器件包括基底、第一n型層、p型層、第二n型層、浮動(dòng)?xùn)?、溝槽以及選擇柵。所述基底具有至少一個(gè)半導(dǎo)體層。在該基底的上方形成所述第一n型層。在該第一n型層的上方形成所述p型層。在該p型層的上方形成所述第二n型層。在該基底的上方形成所述浮動(dòng)?xùn)?。在該基底中形成所述溝槽。在該溝的?cè)壁上形成所述選擇柵。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器件包括第一n型層、p型層、第二n型層、選擇溝、垂直選擇柵、位線、自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)乓约白志€。所述p型層形成在n型層的上方。所述第二n型層形成在該p型層中。所述選擇溝形成在該基底的上方。所述垂直選擇柵在該選擇溝中形成。位線形成在該第二n型層的上方。所述自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)旁谠搉型層上方形成。所述字線在基底和位線的上方形成。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種存儲(chǔ)器件。所述存儲(chǔ)器件包括第一n型層、p型層、第二n型層、選擇溝、鎢層、隔離區(qū)、隧道氧化物層、多晶硅層以及氧化物層。所述第一n型層在基底上方形成。所述p型層在該n型層的上方形成。所述第二n型層在p型層的上方形成。所述選擇溝在該基底中形成。所述垂直選擇柵在該選擇溝中形成。所述鎢層在至少一部分第二n型層的上方形成。所述隔離區(qū)在該鎢層的上方形成。所述隧道氧化物層在至少一部分基底的上方形成。所述多晶硅層在該隧道氧化物層上形成。所述氧化物層在該多晶硅層上形成。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種制造存儲(chǔ)器件的方法，其中所述存儲(chǔ)器件具有2F2的外形尺寸平方。所述方法包括提供一基底。在該基底上方形成第一n型層。在該第一n型層上方形成p型層。在該p型層上方形成第二n型層。在該基底的上方形成浮動(dòng)?xùn)拧Ｔ谒龃鎯?chǔ)器件中形成溝槽。在該溝槽中形成選擇柵。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種制造埋入式源極的方法。所述方法包括提供具有基底的晶片。所述晶片的外圍使用陣列掩模(array mask)來覆蓋。源極區(qū)域上涂有摻雜劑。執(zhí)行外延淀積以形成p型溝道。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種制造存儲(chǔ)器件的方法。所述方法包括提供具有基底的晶片。在該基底上方形成埋入式源極。在該埋入式源極的上方形成垂直溝道。執(zhí)行單元注入。在該基底上方形成隧道氧化物層。在該隧道氧化物層的上方形成第一聚層。在該第一聚層的上方形成氮化物層。將字線形成圖案到所述存儲(chǔ)器件上。在該存儲(chǔ)器件中形成STI區(qū)域。消除所述氮氧化物層。在所述存儲(chǔ)器件的表面形成氧化物-氮化物-氧化物層。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，仍公開了一種制造存儲(chǔ)器件的方法。所述方法包括提供具有基底的晶片。在該基底上方形成埋入式源極。在該埋入式源極的上方形成垂直溝道。形成STI區(qū)域以及自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?。在該基底的上方淀積BPSG層。在該BPSG層的上方淀積硬掩模層。形成圖案有源區(qū)以形成源溝槽。第一隔離區(qū)沿該有源溝槽的側(cè)壁形成。在該有源溝槽中形成漏極。在該漏極的上方形成字線。
依照本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，公開了一種制造存儲(chǔ)器件的方法。在基底中形成埋入式源極。在該埋入式源極的上方形成垂直溝道。在該存儲(chǔ)器件中形成STI區(qū)域。在該基底上方形成自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?。在該基底上方形成字線。在該字線上方形成隔離區(qū)。在該基底上方形成行線。在該基底的選擇溝槽中形成選擇柵。
所公開的方法和器件、連同它們的變化，用于具有2F2大小的外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件。這樣的外形尺寸平方能夠允許大容量的存儲(chǔ)器件，類似于吉字節(jié)或更大的容量的存儲(chǔ)器件被制造在一個(gè)芯片或管芯上。所公開的方法和器件、連同它們的變化提供了三維制造方案。
當(dāng)結(jié)合附圖來閱讀時(shí)，能夠更加理解本發(fā)明隨后的詳細(xì)描述，在此，相同的結(jié)構(gòu)用相同的參考標(biāo)記來表示。


圖1舉例說明了依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的線路俯視圖；圖2A舉例說明依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件、根據(jù)圖1的線2A-2A的橫截面；圖2B舉例說明依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件、根據(jù)圖1的線2B-2B的橫截面；圖2C舉例說明依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件、根據(jù)圖1的線2C-2C的橫截面；圖2D舉例說明依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件、根據(jù)圖1的線2D-2D的橫截面；圖3A-3D舉例說明依照本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的制造方法；圖4舉例說明依照?qǐng)D3的方法制造的存儲(chǔ)器件的俯視圖；圖5舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，存儲(chǔ)器件的一部分；圖6A舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線A-A的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖6B舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線B-B的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖6C舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線D-D的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖7A舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線A-A的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖7B舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線B-B的存儲(chǔ)器件的橫截面；
圖7C舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線C-C的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖7D舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線D-D的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖8A舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線A-A的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖8B舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線B-B的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖8C舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線C-C的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖8D舉例說明依照?qǐng)D3的方法所選擇的一處理階段時(shí)，根據(jù)圖4中線D-D的存儲(chǔ)器件的橫截面；圖9舉例說明了可以使用本發(fā)明的實(shí)施例的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
圖1舉例說明了依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件100的線路俯視圖。該存儲(chǔ)器件100通常用于閃存，但是也可以用于其它類型的存儲(chǔ)器。該圖示出了字線104、位線102以及單位單元(unit cell)或存儲(chǔ)單元101。單位單元或存儲(chǔ)單元101是存儲(chǔ)器件100的多個(gè)單元中的一個(gè)。，該存儲(chǔ)單元具有第一維上的1F或F 105的最小外形尺寸，該最小外形尺寸是位線間距的一半，并具有第二維上的外形尺寸2F 106，其是字線的間距。因而該單元的外形尺寸乘積或者外形面積等于2F2。該存儲(chǔ)器件100的存儲(chǔ)單元使用常規(guī)的硅處理工藝形成。在此，正如參考圖2A、2B、2C和2D進(jìn)一步詳細(xì)描述的那樣，具有選擇柵205、源極201以及漏極203的選擇晶體管作為存儲(chǔ)單元101的一部分形成。選擇柵205以及浮動(dòng)?xùn)?06彼此充分正交地形成。所述選擇晶體管的選擇柵205以及浮動(dòng)?xùn)?06構(gòu)成了存儲(chǔ)單元101的最小外形尺寸。
圖2A舉例說明了存儲(chǔ)器件100的沿圖1中2A-2A線的橫截面。在基底的上方形成n型層201。該n型層201作為源極進(jìn)行操作。在n型層201的上方形成p型層202。p型層202可以使用外延淀積或者所有其它適用的制造方案來形成。在p型層202中形成一個(gè)或多個(gè)漏極203。由此創(chuàng)建了垂直溝道212。為存儲(chǔ)器件100的每對(duì)存儲(chǔ)單元形成選擇柵205。該選擇柵205是垂直地形成的。
在漏極203的至少一部分的上方形成位線102。所述位線102包括鎢層210以及在該鎢層210上方形成的隔離區(qū)213。此外，所述位線102還可以包括諸如在圖8A中描述的附加層。一個(gè)或多個(gè)自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?06如圖2A所示那樣水平地形成，并且與選擇柵205正交。自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?06可以通過任何方式，諸如通過在基底上方形成第一氧化物層、在該第一氧化物層上方形成聚層并在該聚層上方形成第二氧化物層的方式來制造。自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?06是亞光刻特征(sublithographic features)以及亞光刻浮動(dòng)?xùn)拧喒饪烫卣魍ǔＪ褂每上母綦x區(qū)來創(chuàng)建。圖8A、8B、8C和8D舉例說明了制造自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?06的另一個(gè)例子。
圖2B舉例說明了沿圖1中的線2B-2B的存儲(chǔ)器件100的橫截面。在隔離區(qū)213的上方形成一條或多條字線104，每條字線都包括第二聚層209以及WSix層208。隔離區(qū)213由這樣一種材料構(gòu)成，即這種材料是為了使字線104與位線102絕緣而選用的。淺溝槽隔離(shallow trench isolation，STI)區(qū)域211通過蝕刻溝槽、淀積溝槽氧化物層并利用氧化物來填充該溝槽來形成。在STI區(qū)域211上形成有TiSi層221，并且在TiSi層221上且在鎢層210下方形成有TiN層220。
圖2C舉例說明了沿圖1中2C-2C線的存儲(chǔ)器件100的橫截面。在該圖中示出了垂直選擇柵205。圖2D舉例說明了沿圖1中2D-2D線的存儲(chǔ)器件100的橫截面。在STI區(qū)域211上方形成有硼漆磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層214。在該BPSG 214上方形成硬掩模215。
圖1、2A、2B、2C和2D中示出的存儲(chǔ)器件100構(gòu)成2F2存儲(chǔ)單元。應(yīng)該注意，參見圖2A，在制造存儲(chǔ)器件100時(shí)，可以在自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?06的上方提供可消除隔離區(qū)216，以便允許可以實(shí)現(xiàn)亞光刻。可消除隔離區(qū)216僅僅以虛線示出是因?yàn)樗鼈円呀?jīng)被消除了。為了保持清楚，僅示出了一個(gè)可消除隔離區(qū)216。選擇柵的設(shè)置減少了過度擦除(over-erasure)。過擦除是在閃存存儲(chǔ)單元中普遍出現(xiàn)的一種情況，其中Vt降至低于0，這引起一次轉(zhuǎn)換，并使一列存儲(chǔ)單元與地導(dǎo)通或者短路。此外，由于自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)?06直接位于垂直溝道212之上，因而提高了設(shè)計(jì)效率。
圖3A、3B、3C和3D舉例說明了依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器件的制造方法。在框301處，使用陣列掩模來覆蓋晶片的外圍。在框302處，參見圖5，埋入式源極502被注入摻雜劑。所使用的摻雜劑可以是As或Sb。在框303執(zhí)行退火。在框304清洗該晶片。所述晶片可以使用任意方法來清洗，諸如使用氫氟酸(HF)。在框305執(zhí)行外延淀積(EPI)，以便形成期望厚度的p型溝道503，參見圖5。期望厚度規(guī)定了溝道長(zhǎng)度。使用諸如硼的摻雜劑來執(zhí)行EPI。
圖5舉例說明在該處理階段的存儲(chǔ)器件的橫截面。圖5示出了p型基底501、埋入式源極502以及p型溝道503。
圖4是通過圖3A、3B、3C和3D中的方法制造的存儲(chǔ)器件的水平俯視圖。該圖示出了存儲(chǔ)單元405、字線404以及位線402。該圖還示出了橫截線A-A、B-B、C-C以及D-D，這部分內(nèi)容將在下面進(jìn)一步詳細(xì)描述。圖6A-8D舉例說明了在本發(fā)明制造方案中，本發(fā)明的存儲(chǔ)器件在連續(xù)點(diǎn)處的橫截面。
參考圖6A、6B、6C以及3B，在框306執(zhí)行單元注入。在框307處，在基底608的上方形成隧道氧化物層604。在框308處，在隧道氧化物層604的上方形成第一聚層605。在框309處，在第一聚層605的上方形成或設(shè)置氮化物層(未示出)。在框310處，將用于字線404的區(qū)域形成圖案到存儲(chǔ)器件中。在框311處，蝕刻氮化物層、第一聚層605以及溝槽，以形成STI溝槽或區(qū)域607。在框312處，淀積淺溝槽隔離(STI)氧化物層(未示出)。該STI氧化物層完成了溝槽607的角。在框313處，使用氧化物來填充STI溝槽607。在框314處，使用機(jī)械平面化方法來拋光或平面化所述存儲(chǔ)器件的表面。能夠使用的機(jī)械平面化的示例性類型是化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)。拋光使得存儲(chǔ)器件的表面成為一平面。
在框315處，消除氮化物層。在框316處，在存儲(chǔ)器件表面的上方形成氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層606。圖6A、6B以及6C示出了在所述方法的該階段時(shí)的存儲(chǔ)器件，更具體地說，示出了浮動(dòng)?xùn)?10和其對(duì)STI區(qū)域607的調(diào)整。該調(diào)整使得浮動(dòng)?xùn)?10成為自對(duì)準(zhǔn)浮動(dòng)?xùn)拧?br> 圖6A舉例說明了在制造過程中，根據(jù)圖4中A-A線的存儲(chǔ)器件的橫截面。在該圖中示出了隧道氧化物層604，所述隧道氧化物層604形成于硅基底608的上方。在隧道氧化物層604的上方形成有第一聚層605。在第一聚層605的上方形成有ONO層606。圖6B舉例說明了在制造過程中，根據(jù)圖4中B-B以及C-C線的存儲(chǔ)器件的橫截面。該圖示出了ONO層606是如何形成水平以及垂直部分的。圖6C舉例說明了在制造過程中，根據(jù)圖4中D-D線的存儲(chǔ)器件的橫截面，并示出了基底608上方的STI區(qū)域607。
參考圖3C、7A、7B、7C和7D，在框318處，在ONO層606的上方淀積硼漆磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層717。在框319處，在該存儲(chǔ)器件上執(zhí)行快速熱處理(RTP)。RTP使得存儲(chǔ)器件經(jīng)受短的、受控的熱循環(huán)。在框320處，所述存儲(chǔ)器件的表面可選擇地通過再次使用機(jī)械平面化的方法來拋光，并且淀積硬掩模層710。
在框321，形成圖案存儲(chǔ)器件的位線或者有源區(qū)域402。在框322，蝕刻位線或者有源區(qū)域402，直到下降到隧道氧化物層604，以形成溝槽或有源溝槽718。將溝槽718的硬掩模層710、BPSG層717、ONO層606以及第一聚層605都蝕刻掉，但是不對(duì)隧道氧化物層604進(jìn)行蝕刻。在框323處，淀積并蝕刻第一隔離區(qū)層，以垂直地形成第一隔離區(qū)711。在框324處，通過注入摻雜劑在有源區(qū)域或列中形成漏極714。在框325執(zhí)行又一次的RTP。在框326處，在漏極714的上方形成TiSi 713和TiN 712層。TiN 712和TiSi 713層在有源溝槽718中水平且垂直地形成。在框327中執(zhí)行又一次的RTP。在框328處，在有源溝槽718中并于有源區(qū)域或列的上方淀積鎢層716。在框329處，在存儲(chǔ)器件上執(zhí)行機(jī)械平面化，以使鎢層716與硬掩模成為一個(gè)平面。在框330處，蝕刻鎢層716，以致消除接近一半。在框331處，在鎢層716的上方淀積第二隔離區(qū)715。第二隔離區(qū)715填充剩余的溝槽，從而使得有源區(qū)域或列的高度近似等于硬掩模710的高度。
位線402包括第二隔離區(qū)715和鎢層716。位線402因第二隔離區(qū)715而被隔離。圖7A、7B、7C和7D舉例說明了位線402的形成。圖7A示出了在制造過程中，根據(jù)圖4中A-A線的存儲(chǔ)器件的橫截面。在ONO層606的上方形成有BPSG層717。在該BPSG層717的上方形成有硬掩模層710。在將溝槽718已經(jīng)蝕刻掉之后，垂直地并臨近BPSG層形成第一隔離區(qū)711。在Ti層、TiN 712和TiSi713的上方形成鎢層716。在溝槽或有源區(qū)域718中，在鎢層716的上方形成第二隔離區(qū)715。圖7B示出了在制造過程中，根據(jù)圖4中B-B線的存儲(chǔ)器件的橫截面。圖7C示出了在制造過程中，根據(jù)圖4中C-C線的存儲(chǔ)器件的橫截面。圖7D示出了在制造過程中，根據(jù)圖4中D-D線的存儲(chǔ)器件的橫截面。
參考圖3D、8A、8B、8C和8D，在框332處，從字線404中消除或蝕刻硬掩模層710和BPSG層717。在框333處，淀積可消除隔離區(qū)825。為了保持清楚，在圖中僅示出了一個(gè)可消除隔離區(qū)。在框334處，蝕刻可消除隔離區(qū)825。在框335處，通過蝕刻ONO層606、第一聚層605、隧道氧化物層604以及硅以達(dá)到所希望的深度來形成至少一個(gè)選擇溝槽820。在框336處，消除可消除隔離區(qū)825的剩余部分。在選擇溝槽820的表面上形成選擇晶體管氧化物層822。在框338處，在該存儲(chǔ)器件表面、包括選擇溝槽820的上方形成第二聚層821，并且在第二聚層821的上方淀積的WSix層823。第二聚層821也稱為字線聚。在框339處，形成圖案第二聚層821以及WSix層823，并在框340處進(jìn)行蝕刻。通過蝕刻并消除可消除隔離區(qū)825，第二聚層821和浮動(dòng)?xùn)?05電容性地耦合。圖8A、8B、8C和8D示出了字線404的形成。圖8A是在制造過程中，根據(jù)圖4中A-A線的存儲(chǔ)器件的橫截面。選擇溝槽820具有一層選擇柵氧化物822，并且由第二聚層821填充。可消除隔離區(qū)825已經(jīng)被消除。在選擇溝槽820以及其它區(qū)域中示出了第二聚層821。圖8B是在制造過程中，根據(jù)圖4中B-B線的存儲(chǔ)器件的橫截面。在該圖中示出了字線404，并且所述字線404包括形成在第二聚層821上方的WSix層823，其中所述第二聚層821形成在第二隔離區(qū)715的上方。由此，字線404通過第二隔離區(qū)715而與鎢層716絕緣。圖8C舉例說明了在制造過程中，根據(jù)圖4中C-C線的存儲(chǔ)器件的橫截面。在該圖中示出了選擇溝槽820。圖8D舉例說明了在制造過程中，根據(jù)圖4中D-D線的存儲(chǔ)器件的橫截面。
圖9是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)912的舉例說明，該系統(tǒng)可以使用本發(fā)明的實(shí)施例來使用，以及依照本發(fā)明實(shí)施例來使用該計(jì)算機(jī)。所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以是臺(tái)式機(jī)、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、便攜計(jì)算機(jī)等等。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠理解的那樣，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)912將包括ROM 914、大容量存儲(chǔ)器916、外圍設(shè)備918以及I/O設(shè)備920，這些設(shè)備經(jīng)由數(shù)據(jù)總線924或其它適用的數(shù)據(jù)通信路徑與微處理器922進(jìn)行通信。存儲(chǔ)器件914和916可以依照本發(fā)明不同的實(shí)施例來制造，包括具有2F2的外形大小平方的存儲(chǔ)器件。ROM 914可以包括EPROM或EEPROM或閃存。大容量存儲(chǔ)器916可以包括DRAM、同步RAM或閃存。
本發(fā)明的發(fā)明人意識(shí)到其它的3維存儲(chǔ)單元在<111>平面或者在具有更高粘合劑濃度的其它平面的溝槽側(cè)壁中設(shè)置浮動(dòng)?xùn)拧５窃撛O(shè)置通常會(huì)造成劣質(zhì)氧化物，引起存儲(chǔ)單元的保存、循環(huán)以及陷阱方面的問題。本發(fā)明一般在<100>平面中設(shè)置浮動(dòng)?xùn)?，由此避免上述結(jié)果。
為了描述和定義本發(fā)明的目的，在基底或?qū)印吧稀钡牟牧系臉?gòu)造指的是與所述隔離區(qū)或?qū)拥谋砻嫦嘟佑|的構(gòu)造。在基底或?qū)印吧戏健钡臉?gòu)造，指的是在所述基底表面的上面或者與所述基底的表面相接觸的構(gòu)造?！伴W存器件”包括多個(gè)存儲(chǔ)單元。閃存器件的每個(gè)“存儲(chǔ)單元”可以包括諸如柵電路、浮動(dòng)?xùn)拧⒖刂茤?、字線、溝道區(qū)、源極、自對(duì)準(zhǔn)源極以及漏極的組件。術(shù)語“形成圖案”指的是一個(gè)或多個(gè)步驟，其引起層的所選部分的清除。所述形成圖案過程也稱為光學(xué)掩蔽、掩蔽、光刻法以及微光刻法。術(shù)語“自對(duì)準(zhǔn)柵”指的是一種存儲(chǔ)器件，其中在源極/漏極進(jìn)行漫射之前形成柵電極?！巴嘶稹笔且桓邷靥幚聿襟E，被設(shè)計(jì)用來使晶片的晶體結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力最小化。“外延淀積”(EPI)包括在晶片表面上淀積一層高質(zhì)量、單晶硅，以形成基底。術(shù)語“快速熱處理(RTP)”指的是一種處理過程，該過程使晶片經(jīng)受短的、然而受控的熱循環(huán)，該過程在幾秒鐘內(nèi)將晶片從室溫加熱到諸如1200℃的高溫。
可以利用本發(fā)明的不同實(shí)施例來制造許多其它的電子器件。例如，能夠?qū)⒁勒毡景l(fā)明實(shí)施例的存儲(chǔ)器件用于諸如蜂窩電話、數(shù)字照相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、數(shù)字音頻播放器、有線電視的機(jī)頂盒、數(shù)字衛(wèi)星接收器、個(gè)人數(shù)字助理等的電子設(shè)備中。此外，還可以制造大容量閃存芯片。例如，0.45μ2單元可以使用2F2存儲(chǔ)單元在0.15μ技術(shù)中得以實(shí)現(xiàn)。
雖然已經(jīng)詳細(xì)地并參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是顯而易見的是，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，各種修改和變化是可能的。其它適合的材料可以代替那些在此具體列舉的材料。例如，所述基底可以由諸如砷化鎵或鍺的半導(dǎo)體組成。此外，除了那些具體規(guī)定的摻雜劑之外，可以利用其它的摻雜劑。通常，可以在元素周期表的第III和V組中找到摻雜劑。
權(quán)利要求
1.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括源極；在所述源極上方形成的大體垂直的溝道；在所述垂直溝道的上方形成的漏極；以及在所述漏極的至少一部分的上方形成的大體水平的浮動(dòng)?xùn)?，其中所述存?chǔ)單元的外形尺寸不大于2F2。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其中所述源極是埋入層。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其中所述水平浮動(dòng)?xùn)攀莵喒饪谈?dòng)?xùn)拧?br> 4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其中所述水平浮動(dòng)?xùn)攀怯筛綦x區(qū)限定的亞光刻浮動(dòng)?xùn)拧?br> 5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其中所述水平浮動(dòng)?xùn)攀亲詣?dòng)調(diào)整浮動(dòng)?xùn)拧?br> 6.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括源極；在所述源極上方形成的大體垂直的溝道；在所述垂直溝道的上方形成的漏極；在至少一部分漏極的上方形成的大體水平的浮動(dòng)?xùn)?；以及在溝槽中，與所述水平浮動(dòng)?xùn)耪坏匦纬傻拇篌w垂直的選擇柵，其中所述選擇柵鄰近所述垂直溝道。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)單元，其中所述存儲(chǔ)單元具有對(duì)應(yīng)于所述水平浮動(dòng)?xùn)藕痛怪边x擇柵的最小外形尺寸。
8.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)單元，進(jìn)一步包括與所述選擇柵耦合的選擇源極和選擇漏極，其中所述選擇源極、選擇柵以及選擇漏極形成選擇晶體管。
9.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)單元，其中所述存儲(chǔ)單元具有不大于2F2的外形尺寸。
10.一種具有小于4.5F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括第一晶體管，所述第一晶體管包括源極、漏極和門電路；以及選擇晶體管，所述選擇晶體管與第一晶體管耦合，并包括源極、漏極和門電路，其中所述選擇晶體管的門電路與所述第一晶體管的門電路充分正交地形成。
11.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)單元，其中所述第一晶體管的漏極具有上表面和下表面，且所述第一晶體管的源極具有上表面和下表面，并且所述第一晶體管的源極和上表面位于第一晶體管漏極的下表面的下方。
12.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)單元，其中所述第一晶體管的源極和漏極作為所述選擇晶體管的源極和漏極而被共用。
13.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括第一n型層；在所述第一n型層的上方形成的p型層；以及在所述p型層的上方形成的第二n型層，其中所述p型層形成大體垂直的溝道，其中所述存儲(chǔ)器件具有小于4F2外形尺寸的存儲(chǔ)單元。
14.如權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器件，其中所述第一n型層形成埋入式源極，且第二n型層形成漏極。
15.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的水平第一n型層；在所述第一n型層的上方形成的p型層；在所述p型層的上方形成的水平第二n型層；在基底上方形成的水平浮動(dòng)?xùn)?；以及在基底上方形成的垂直選擇柵，其中所述p型層形成垂直溝道，所述第一n型層形成埋入式源極，而第二n型層形成漏極。
16.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器件，其中所述垂直選擇柵與所述水平浮動(dòng)?xùn)懦浞终坏匦纬伞?br> 17.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的埋入式源極；在所述埋入式源極的上方形成的垂直溝道；以及在所述垂直溝道的上方形成的漏極，其中使用外延淀積的方法來形成所述垂直溝道。
18.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的埋入式源極；在所述埋入式源極的上方形成的垂直溝道；以及在所述垂直溝道的上方形成的漏極，其中使用外延淀積的方法來形成所述垂直溝道。
19.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的埋入式源極；在所述埋入式源極的上方形成的垂直溝道；在所述垂直溝道的上方形成的漏極；在所述基底上方形成的浮動(dòng)?xùn)牛灰约霸诨字行纬傻臏喜劾?、與浮動(dòng)?xùn)耪坏匦纬傻倪x擇柵，其中所述存儲(chǔ)器件具有小于4F2的外形尺寸平方。
20.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括具有至少一個(gè)半導(dǎo)體層的基底；在所述基底的上方形成的第一n型層；在所述第一n型層的上方形成的p型層；在所述p型層的上方形成的第二n型層；在所述基底的上方形成的浮動(dòng)?xùn)?；在所述基底中形成的溝槽；以及在所述溝槽的?cè)壁上形成的選擇柵。
21.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括具有至少一個(gè)半導(dǎo)體層的基底；在所述基底的上方形成的第一n型層，用于形成源極；在所述第一n型層的上方形成的p型層，用于形成垂直溝道；在所述p型層的上方形成的第二n型層，用于形成漏極；在所述n型層的上方形成的隧道氧化物層；在至少一部分所述隧道氧化物層上方形成的第一聚層；在所述基底中形成的溝槽；以及在所述溝槽的側(cè)壁上形成的選擇柵。
22.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括具有至少一個(gè)半導(dǎo)體層的基底；在所述基底的上方形成的埋入式源極；在所述埋入式源極上方形成的垂直溝道；在所述垂直溝道的上方形成的漏極；在所述漏極的上方形成的隧道氧化物層；在隧道氧化物層上方形成的自動(dòng)調(diào)整浮動(dòng)?xùn)?；在所述基底中形成的溝槽；在所述基底中形成的有源溝槽；以及沿所述有源溝槽的?cè)壁形成的選擇柵。
23.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的第一n型層；在所述n型層的上方形成的p型層；在所述p型層中形成的第二n型層；在所述基底中形成的選擇溝槽；在所述選擇溝槽中形成的垂直選擇柵；在所述第二n型層上方形成的位線；在所述n型層上方形成的自動(dòng)調(diào)整浮動(dòng)?xùn)?；在所述基底和所述位線上方形成的字線。
24.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的第一n型層；在所述n型層的上方形成的p型層；在所述p型層中形成的第二n型層；在所述基底中形成的選擇溝槽；在所述選擇溝槽中形成的垂直選擇柵；在至少一部分所述第二n型層的上方形成導(dǎo)電層；在鎢層上形成的第一隔離區(qū)；在至少一部分基底的上方形成的隧道氧化物層；在所述隧道氧化物層上形成的多晶硅層；以及在所述多晶硅層上形成的氧化物層。
25.如權(quán)利要求24所述的存儲(chǔ)器件，其中所述導(dǎo)電層是鎢層。
26.一種具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括在基底上方形成的第一n型層，用于形成源極；在所述n型層的上方形成的p型層；在所述p型層中形成的第二n型層，用于形成漏極；在所述基底中形成的選擇溝槽；在所述選擇溝槽中大體垂直地形成的選擇柵，其中所述存儲(chǔ)器件具有小于4.5F2且不大于2F2的外形尺寸平方。
27.如權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括在所述基底上方形成的隧道氧化物層。
28.如權(quán)利要求27所述的存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括在所述基底上方形成的位線和字線。
29.如權(quán)利要求28所述的存儲(chǔ)器件，其中所述字線位于位線的上面。
30.如權(quán)利要求29所述的存儲(chǔ)器件，其中，所述字線包括聚-WSi層。
31.如權(quán)利要求30所述的存儲(chǔ)器件，其中所述位線包括至少一個(gè)鎢層。
32.如權(quán)利要求31所述的存儲(chǔ)器件，其中所述位線在至少一部分漏極之上。
33.如權(quán)利要求32所述的存儲(chǔ)器件，進(jìn)一步包括在所述位線和字線之間形成的隔離區(qū)。
34.如權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)器件，其中所述漏極使用硼來摻雜。
35.如權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)器件，其中所述浮動(dòng)?xùn)虐ㄋ淼姥趸?、多晶硅以及氧化物層?br> 36.如權(quán)利要求26所述的存儲(chǔ)器件，其中所述浮動(dòng)?xùn)攀亲詣?dòng)調(diào)整的。
37.一種制造具有2F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括步驟提供基底；在所述基底上方形成第一n型層；在所述第一n型層的上方形成p型層；在所述p型層的上方形成第二n型層；在所述基底的上方形成浮動(dòng)?xùn)?；在所述存?chǔ)器件中蝕刻溝槽；以及在所述溝槽中形成選擇柵。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中在所述基底的上方形成第一n型層的步驟包括在所述基底的上方形成埋入式源極。
39.如權(quán)利要求37所述的方法，其中在所述第一n型層的上方形成第一p型層的步驟包括使用外延淀積的方法在所述第一n型層的上方形成第一p型層。
40.如權(quán)利要求37所述的方法，其中在所述第一n型層的上方形成p型層的步驟包括在所述第一n型層的上方形成垂直溝道。
41.一種制造埋入式源極的方法，所述方法包括步驟提供具有基底的晶片；使用陣列掩模覆蓋所述晶片的外圍；利用摻雜劑上涂源極區(qū)域；以及執(zhí)行外延淀積以形成p型溝道，其中執(zhí)行外延淀積以形成p型溝道的步驟包括執(zhí)行外延淀積以形成預(yù)定厚度的p型溝道，其中所述厚度確定溝道長(zhǎng)度。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其中利用摻雜劑上涂源極區(qū)域的步驟包括利用As來上涂源極區(qū)域。
43.如權(quán)利要求41所述的方法，其中利用摻雜劑上涂源極區(qū)域的步驟包括利用Sb來上涂源極區(qū)域。
44.一種制造具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括步驟提供具有基底的晶片；在所述基底上方形成埋入式源極；在所述埋入式源極上方形成垂直溝道；執(zhí)行單元注入；在所述基底上方形成通道氧化物層；在所述通道氧化物層上方形成第一聚層；在所述第一聚層上方形成氮化物層；形成圖案字線到所述存儲(chǔ)器件；在所述存儲(chǔ)器件中形成STI區(qū)域；消除所述氮化物層；以及在所述存儲(chǔ)器件的表面上方形成氧化物氮化物氧化物層。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于在存儲(chǔ)器件中形成STI區(qū)域的步驟進(jìn)一步包括蝕刻氮化物層以及蝕刻第一聚層。
46.如權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于在存儲(chǔ)器件中形成STI區(qū)域的步驟進(jìn)一步包括在所述STI區(qū)域上方淀積STI氧化物以及利用場(chǎng)效氧化物來填充STI區(qū)域。
47.如權(quán)利要求44所述的方法，進(jìn)一步包括使用化學(xué)機(jī)械拋光方法來拋光所述存儲(chǔ)器件的表面以便使所述表面平坦。
48.一種制造具有小于4F2的外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括步驟提供具有基底的晶片；在所述基底上方形成埋入式源極；在所述埋入式源極上方形成垂直溝道；形成STI區(qū)域以及自動(dòng)調(diào)整浮動(dòng)?xùn)?；在所述基底上方淀積BPSG層；在所述BPSG層上方淀積硬模層；形成圖案有源區(qū)域以形成有源溝槽；沿所述有源溝槽的側(cè)壁形成第一隔離區(qū)；在所述有源溝槽中形成漏極；以及在所述漏極上方形成字線。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，進(jìn)一步包括在所述存儲(chǔ)器件上執(zhí)行RTP以及在淀積硬模層之前拋光所述存儲(chǔ)器件的表面。
50.如權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于形成圖案有源區(qū)域的步驟進(jìn)一步包括蝕刻硬模層、BPSG層、氧化物氮化物氧化物層以及第一聚層。
51.如權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于形成第一隔離區(qū)的步驟包括淀積第一隔離區(qū)層并蝕刻所述第一隔離區(qū)層，借此沿所述有源溝槽的側(cè)壁來剩余所述第一隔離區(qū)。
52.如權(quán)利要求48所述的方法，進(jìn)一步包括在所述有源溝槽上方形成TiN層；以及在所述有源溝槽上方形成TiSi層。
53.如權(quán)利要求48所述的方法，進(jìn)一步包括在形成字線之前在所述存儲(chǔ)器件上執(zhí)行RTP。
54.如權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于形成字線的步驟包括在所述有源溝槽上方淀積字線；拋光所述字線層，以便使字線層與硬模層成為平面；以及消除所述字線層的一部分，以至于保留所述字線層的較低部分。
55.如權(quán)利要求54所述的方法，其特征在于消除一部分字線層的步驟包括消除所述字線層的一半。
56.如權(quán)利要求48所述的方法，進(jìn)一步包括在所述字線層上方淀積第二隔離區(qū)。
57.一種制造具有小于2F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括在基底中形成有源區(qū)域；在所述基底上方形成浮動(dòng)?xùn)艑?；在所述存?chǔ)器件中形成圖案行線；在所述行線上方形成可消除的隔離區(qū)；以及蝕刻所述基底中的選擇溝槽。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，包括消除可消除的隔離區(qū)；在所述選擇溝槽上方形成選擇晶體管氧化物層；在所述存儲(chǔ)器件的表面形成第二聚層；在所述第二聚層上方形成導(dǎo)電層；以及形成圖案所述第二聚層以及導(dǎo)電層。
59.如權(quán)利要求58所述的方法，其特征在于在所述第二聚層上方形成導(dǎo)電層的步驟包括在所述第二聚層上方形成WSix層。
60.如權(quán)利要求58所述的方法，其特征在于在所述存儲(chǔ)器件的表面上方形成第二聚層的步驟進(jìn)一步包括在所述選擇溝槽中形成第二聚層以形成選擇柵。
61.一種制造具有小于4F2外形尺寸平方的存儲(chǔ)器件的方法，所述方法包括形成源極；形成漏極；形成浮動(dòng)?xùn)艑?；形成行線；形成溝槽；形成選擇溝槽；以及形成選擇柵。
62.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于形成源極的步驟包括在基底上方形成n型層。
63.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于形成漏極的步驟包括在所述源極上方形成n型層。
64.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于形成浮動(dòng)?xùn)艑拥牟襟E包括形成通道氧化物層；在所述通道氧化物層的上方形成多晶硅層；在所述多晶硅層上方形成氧化物層。
65.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于形成選擇柵的步驟包括在所述選擇溝槽中形成氧化物層；以及利用多晶硅來填充所述選擇溝槽。
66.如權(quán)利要求61所述的方法，進(jìn)一步包括形成位線，其中所述位線被定位在所述行線的上方。
67.一種系統(tǒng)，包括多個(gè)存儲(chǔ)器件，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)器件中的至少一個(gè)具有小于4F2的外形尺寸平方，并且包括源極；在所述源極上方大體垂直地形成的溝道；在所述溝道上方形成的漏極；以及在至少一部分所述漏極的上方大體水平地形成的浮動(dòng)?xùn)?，其中所述存?chǔ)器件的外形尺寸小于4.5F2。
68.一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，包括至少一個(gè)處理器；系統(tǒng)總線；以及耦合到系統(tǒng)總線的存儲(chǔ)器件，所述存儲(chǔ)器件包括至少一個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元具有小于4F2的外形尺寸平方，并且包括在基底中形成的埋入式源極；在所述埋入式源極上方形成的垂直溝道；在所述基底上方形成的自動(dòng)調(diào)整浮動(dòng)?xùn)?；以及在所述基底上形成的選擇溝槽中的選擇柵。
全文摘要
公開了一種用于存儲(chǔ)器件的方法和器件，所述存儲(chǔ)器件具有減小了的存儲(chǔ)單元的外形尺寸平方。這種外形尺寸平方可以允許將類似于吉字節(jié)或更大容量的存儲(chǔ)器件制造在一個(gè)芯片或管芯上。所公開的方法和器件連同它們的變化，相對(duì)于其它僅在兩維中制造的存儲(chǔ)器件來說，利用了三維的方法。由此，所公開的方法和器件連同其變化包括水平和垂直組件。
文檔編號(hào)H01L29/788GK1633714SQ02808776
公開日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2002年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月8日
發(fā)明者克爾克·普拉爾 申請(qǐng)人:微米技術(shù)公司