專利名稱：成型橫向溝槽光檢測器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及光檢測器，更具體地說，本發(fā)明涉及成型在半導(dǎo)體光電子集成電路上的橫向溝槽光檢測器。
根據(jù)成型溝槽型光檢測器的現(xiàn)有技術(shù)方法，為了成型該檢測器，需要分別蝕刻用于不同類型電極的溝槽，因此增加了制造過程的步驟。因?yàn)檫@些步驟屬于光檢測器制造過程中的較昂貴步驟，所以該附加費(fèi)用會反映到生產(chǎn)成本中。
因此，需要一種成型橫向溝槽p-i-n光電二極管(LTD)的方法，在該方法中，同時(shí)，即在同一個(gè)操作步驟對所有電極類型圖形化溝槽，然后蝕刻溝槽。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，在半導(dǎo)體基底上成型光檢測器器件的方法包括步驟在基底上同時(shí)成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充保護(hù)材料；蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；通過將第一摻雜物材料中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層，而通過將第二摻雜物材料中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在半導(dǎo)體基底上成型光檢測器器件的方法包括步驟在基底上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；
對各溝槽填充保護(hù)材料；蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率的摻雜材料；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料；通過將摻雜材料中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層，而通過將摻雜材料中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
該方法包括在基底上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充保護(hù)材料；以及蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料。該方法進(jìn)一步包括對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率的摻雜材料；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料；通過將摻雜材料中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層，而通過將摻雜材料中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
最好在基底上同時(shí)成型第一組溝槽和第二組溝槽。
根據(jù)該第二方面，蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟最好進(jìn)一步包括步驟清除器件表面上的保護(hù)材料；以及掩蔽第二組溝槽。此外，蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟最好進(jìn)一步包括使第二組溝槽的保護(hù)材料暴露在器件表面之上的步驟。
設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接的步驟可以包括步驟使填充第一組溝槽的摻雜材料和填充第二組溝槽的摻雜材料暴露在器件表面之上；以及對第一組溝槽設(shè)置第一組接點(diǎn)，而對第二組溝槽設(shè)置第二組接點(diǎn)。
此外，根據(jù)該第二方面，形成結(jié)層的步驟可以進(jìn)一步包括步驟在形成結(jié)層之前，在器件表面上沉積擴(kuò)散阻擋層；以及在形成結(jié)層后，清除器件表面上的擴(kuò)散阻擋層。
暴露第二組溝槽的保護(hù)材料的步驟可以進(jìn)一步包括利用機(jī)械拋光方法，清除第二組溝槽之上的區(qū)域內(nèi)的第一電導(dǎo)率摻雜材料的步驟。暴露第二組溝槽的保護(hù)材料的步驟可以包括圖形化第一電導(dǎo)率的摻雜材料；以及蝕刻第二組溝槽之上的區(qū)域內(nèi)的第一電導(dǎo)率的摻雜材料。
第一電導(dǎo)率材料可以包括n型摻雜多晶硅，而第二電導(dǎo)率材料可以包括p型摻雜多晶硅。作為一種選擇，第一電導(dǎo)率材料可以包括p型摻雜多晶硅，而第二電導(dǎo)率材料可以包括n型摻雜多晶硅。
基底最好包括半導(dǎo)體材料、沉積在半導(dǎo)體材料上的SiO2層以及沉積在SiO2層上的SiN層。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，在半導(dǎo)體基底上成型光檢測器器件的方法包括步驟在基底上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充第一電導(dǎo)率的保護(hù)材料；蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第一組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料；通過將摻雜材料中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層，而通過將保護(hù)材料中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層；以及蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第二組溝槽填充電極材料；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
該方法包括在基底上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充第一電導(dǎo)率的保護(hù)材料；以及蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料。該方法進(jìn)一步包括對第一組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料；通過將摻雜材料中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層，而通過將保護(hù)材料中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率的電極材料；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
根據(jù)該第三方面，蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟最好進(jìn)一步包括步驟清除器件表面上的保護(hù)材料；以及掩蔽第二組溝槽。
在形成結(jié)層之前，最好從器件表面上清除第二電導(dǎo)率型的摻雜材料。形成結(jié)層的步驟最好進(jìn)一步包括步驟在形成結(jié)層之前，在器件表面上沉積擴(kuò)散阻擋層；以及在形成結(jié)層后，清除器件表面上的擴(kuò)散阻擋層。
設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接的步驟可以進(jìn)一步包括使填充第一組溝槽的摻雜材料和填充第二組溝槽的電極材料暴露在器件表面之上的步驟。電極材料可以是第一電導(dǎo)率的摻雜材料和非摻雜材料之一。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在半導(dǎo)體基底上成型光檢測器器件的方法包括步驟在基底上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充保護(hù)材料；蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；利用氣相摻雜方法，在第一組溝槽的每一個(gè)的側(cè)壁上形成結(jié)層；在第二組溝槽的每一個(gè)的側(cè)壁上形成第二結(jié)層，其中將保護(hù)材料中的摻雜物摻雜到側(cè)壁內(nèi)；對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率的摻雜材料；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
該方法包括在基底上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充保護(hù)材料；以及蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料。該方法進(jìn)一步包括利用氣相摻雜方法，在第一組溝槽的每一個(gè)的側(cè)壁上形成結(jié)層；在第二組溝槽的每一個(gè)的側(cè)壁上形成第二結(jié)層，其中將保護(hù)材料中的摻雜物摻雜到側(cè)壁內(nèi)；對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率的摻雜材料；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟最好進(jìn)一步包括步驟清除器件表面上的保護(hù)材料；以及掩蔽第二組溝槽。蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟最好進(jìn)一步包括清除器件表面上的第一電導(dǎo)率的摻雜材料的步驟。
設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接的步驟包括使填充第一組溝槽的摻雜材料和填充第二組溝槽的摻雜材料暴露在器件表面之上的步驟。
為了更好地理解本發(fā)明，以下將參考附圖詳細(xì)說明作為例子的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，附圖包括

圖1是位于半導(dǎo)體基底上的橫向溝槽的剖視圖；圖2是其中利用保護(hù)材料填充多個(gè)溝槽的、圖1所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖3是其中拋光暴露的保護(hù)材料的、圖2所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖4是其中從第一組溝槽中清除保護(hù)材料的、圖3所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖5是其中在器件表面上沉積n+ploy的、圖4所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖6是其中圖形化n+ploy的、圖5所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖7是其中從第二組(第一組)溝槽中清除保護(hù)材料的、圖6所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖8是其中在器件整個(gè)表面上沉積p型poly的、圖7所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖9是其中已經(jīng)圖形化n和p結(jié)層的、圖8所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖10是其中在摻雜區(qū)圖形化金屬接點(diǎn)的、圖9所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖11是其中在器件上沉積TEOS擴(kuò)散阻擋層的、根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；圖12是其中在從第一摻雜電極材料(n+poly)和保護(hù)材料開始擴(kuò)散退火后，清除了TEOS擴(kuò)散阻擋層的、圖11所示橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖；以及圖13是其中利用氣相摻雜方法將摻雜物摻雜到第二組溝槽并通過保護(hù)材料摻雜到第一組溝槽內(nèi)的、根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的橫向溝槽半導(dǎo)體基底的剖視圖。
通過在基底上成型多個(gè)大致平行的溝槽以成型多個(gè)被n型和p型摻雜材料的交錯(cuò)溝槽區(qū)分離的多個(gè)區(qū)域，在半導(dǎo)體基底上成型光檢測器。
各N型區(qū)連接在一起形成n接點(diǎn)。各p型區(qū)連接在一起形成p型接點(diǎn)。分離各溝槽的區(qū)域起本征半導(dǎo)體層(i)的作用，從而形成多個(gè)并聯(lián)p-i-n光電二極管。支持該檢測器布局的基本原理是，在垂直于入射光的方向，在該檢測器的吸收區(qū)內(nèi)使載流子自由運(yùn)動。
本發(fā)明公開了一種成型光檢測器的方法，在該方法中，圖形化n型摻雜材料和p型摻雜材料的溝槽，然后同時(shí)蝕刻它們以形成要求的叉指式光電二極管器件。然后，通過利用保護(hù)層填充第一組溝槽，而利用電極材料(例如多晶硅)填充第二組溝槽，可以實(shí)現(xiàn)要求的結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明建議了一種成型橫向溝槽光檢測器的方法，在該方法中，圖形化第一組溝槽和第二組溝槽，然后同時(shí)蝕刻它們。通過減少光檢測器制造過程中光刻圖形化和深溝槽蝕刻步驟的數(shù)量，本發(fā)明可以降低生產(chǎn)成本。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，例如，圖形化深溝槽并利用活性離子蝕刻(RIE)方法蝕刻半導(dǎo)體基底(102)。附圖中僅示出每組深溝槽組中的一個(gè)深溝槽，這些深溝槽組將構(gòu)成橫向溝槽光檢測器器件的n型和p型交錯(cuò)電極?；走€可以包括例如SiO2構(gòu)成的墊片層(104)以及沉積在SiO2上用作化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)防護(hù)層的SiN層(106)。本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員明白，根據(jù)本發(fā)明，在本發(fā)明實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)，可以使用其它基底，例如，硅鍺、鍺以及單晶硅。
參考圖2，然后，利用諸如氧化物(硼硅玻璃(BSG)、磷硅玻璃(PSG)、砷硅玻璃(ASG)、硼磷硅玻璃(BPSG)、四乙基原硅酸鹽(TEOS)等)的保護(hù)材料(sacrificial material)(202)填充溝槽。氧化物最好對基底(102)具有高蝕刻選擇性?？梢詫⒈Ｗo(hù)材料拋光(例如利用CMP方法)到下面的SiN層。
參考圖3，利用例如非晶硅(302)掩蔽(mask)各交錯(cuò)溝槽。掩膜材料(302)沉積在器件表面上，然后，清除位于交錯(cuò)溝槽上的掩膜材料(302)以露出下面的保護(hù)材料(202)。然后，蝕刻第一組溝槽外部的保護(hù)材料(202)(圖4)。
參考圖5，利用第一摻雜電極材料(502)填充開口溝槽從而覆蓋該器件?？梢允褂弥T如n型或p型摻雜多晶硅的摻雜材料。被事先掩蔽的保護(hù)材料(202)繼續(xù)填充到第二組溝槽內(nèi)，而不使第一電極材料(502)填充到第二組溝槽內(nèi)。然后，可以圖形化和蝕刻填充了保護(hù)材料的第二組溝槽上的電極材料(302)(poly)。作為一種選擇，該方法可以包括利用機(jī)械方法拋光和平面化該器件以清除突出到溝槽之外的電極材料(參考圖6)。然后，可以在清除第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料之前，掩蔽第一組溝槽。可以利用諸如濕蝕刻方法的蝕刻方法，清除保護(hù)材料(參考圖7)。此后，如圖8所示，利用諸如n型或p型摻雜多晶硅的第二種電極材料(802)填充第二組溝槽?？梢岳闷矫婊^程清除位于溝槽外的多余電極材料。
參考圖9，在平面化之后，在該器件上沉積TEOS擴(kuò)散阻擋層(902)，并使摻雜物摻雜到包圍分別構(gòu)成n型結(jié)(904)和p型結(jié)(906)的n型和p型摻雜溝槽的基底內(nèi)。退火處理之后，清除TEOS擴(kuò)散阻擋層(902)，并對各電極噴涂金屬接點(diǎn)(1002、1004)(參考圖10)。
參考圖11，根據(jù)本發(fā)明的變換實(shí)施例，在將n型多晶硅(502)填充到第一組溝槽內(nèi)并圖形化(如圖6所示)后，可以將TEOS擴(kuò)散阻擋層(902)沉積到該器件的表面上。通過將第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料(202)(例如BSG)用作p型摻雜物源，并進(jìn)行擴(kuò)散退火(drive-in anneal)，利用從n型摻雜材料(502)和保護(hù)材料(202)的向外擴(kuò)散過程，可以分別形成n型結(jié)(904)和p型結(jié)(906)。然后，可以清除TEOS擴(kuò)散阻擋層(902)(參考圖12)。
參考圖13，根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，在蝕刻第一組交錯(cuò)溝槽內(nèi)的保護(hù)材料后(如圖4所示)，利用氣相摻雜方法，將摻雜物摻雜到第一組溝槽，形成第一型結(jié)(904)。通過保護(hù)材料(202)將摻雜物摻雜到第二組溝槽，形成第二型結(jié)(906)。利用第一電極材料填充第一組溝槽，清除覆蓋第二組溝槽的多余電極材料。蝕刻覆蓋第二組溝槽的保護(hù)材料(302)，并利用第二摻雜電極材料填充第二組溝槽。第一組溝槽的第一摻雜電極材料暴露在該器件的表面上，而且設(shè)置導(dǎo)線連接(接點(diǎn)等)。
已經(jīng)根據(jù)本發(fā)明在電阻率為11至16 W-cm的p型硅基底上制造了橫向溝槽光檢測器，其溝槽的深度為8μm深，寬度為0.35μm，而且其溝槽之間還具有3.3μm的間隔。該器件是直徑為75μm的圓形。硼硅玻璃(BSG)用作保護(hù)材料，而對第一組溝槽填充摻磷多晶硅(～1020cm-3)，對第二組溝槽填充摻硼多晶硅(～1010cm-3)。在1000NC下在氬氣中對該器件退火10分鐘以使摻雜物摻雜到基底內(nèi)并避免在硅/多晶硅界面形成結(jié)。在每個(gè)溝槽電極的頂部形成硅化物和金屬接點(diǎn)。
一些結(jié)果顯示，橫向溝槽光檢測器的DC I-V特性包括在-5V和-15V分別具有1.5pA和3pA的電流。擊穿電壓約-27V。從橫向溝槽光檢測器的正向偏置I-V曲線得出的串聯(lián)阻抗為15W。845nm時(shí)的響應(yīng)度為045A/W，而與偏置電壓無關(guān)。已經(jīng)檢測到外量子效率為66％。對于根據(jù)本發(fā)明的器件，在光源為670nm時(shí)，在從DC到2.8GHZ的-3db帶寬的頻率范圍內(nèi)，響應(yīng)度為常數(shù)。
在位誤碼率為10-9時(shí)，通過將該分立光檢測器與2.5Gb/sBiCMOS前置放大器導(dǎo)線連接在一起，對于3.3V的偏壓，在2.5Gb/s時(shí)，接收機(jī)顯示-16.1dBm的靈敏度，而在3Gb/s時(shí)，接收機(jī)顯示-15.4dBm的靈敏度。如果將偏壓提高到-5.0V，則在2.5Gb/s時(shí)，可以將敏感度提高到-16.4dBm。
盡管已經(jīng)對成型橫向溝槽光檢測器的方法實(shí)施例進(jìn)行了說明，但是，請注意，根據(jù)上述內(nèi)容，本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員可以對其進(jìn)行各種修改和變更。因此，顯然，在所附權(quán)利要求所述的本發(fā)明范圍內(nèi)，可以對在此公開的本發(fā)明的特定實(shí)施例進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體基底上成型光檢測器器件的方法，該方法包括步驟在基底上同時(shí)成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽相對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充保護(hù)材料；蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；通過將第一摻雜物材料中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層，而通過將第二摻雜物材料中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在形成結(jié)層之前，該方法進(jìn)一步包括步驟對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率型的所述第一摻雜物材料；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；以及對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率型的所述第二摻雜物材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中保護(hù)材料包括所述第二摻雜物材料，并通過將保護(hù)層中的摻雜物摻雜到第二組溝槽內(nèi)，形成第二結(jié)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在形成結(jié)層之前，該方法進(jìn)一步包括步驟對第一組溝槽填充所述第一摻雜物材料，第一摻雜物材料是第一電導(dǎo)率型的，所述保護(hù)層是第二電導(dǎo)率型的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，該方法進(jìn)一步包括步驟在第二組溝槽內(nèi)形成結(jié)層后，蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)層；以及對第二組溝槽填充電極材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一摻雜物材料是氣體摻雜物，而利用氣相摻雜方法，在所述第一組溝槽內(nèi)形成所述結(jié)層，而且其中該方法進(jìn)一步包括步驟對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率型的摻雜材料；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料；以及對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率型的摻雜材料。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之任一所述的方法，其中蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟進(jìn)一步包括步驟清除器件表面上的保護(hù)材料；以及掩蔽第二組溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料的步驟進(jìn)一步包括使第二組溝槽的保護(hù)材料暴露在器件表面之上的步驟。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之任一所述的方法，其中設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接的步驟進(jìn)一步包括步驟使填充第一組溝槽的材料和填充第二組溝槽的材料暴露在器件表面之上；以及對第一組的每一個(gè)溝槽設(shè)置第一組接點(diǎn)，而對第二組的每一個(gè)溝槽設(shè)置第二組接點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的方法，其中形成結(jié)層的步驟進(jìn)一步包括步驟在形成結(jié)層之前，在器件表面上沉積擴(kuò)散阻擋層；以及在形成結(jié)層后，清除器件表面上的擴(kuò)散阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在半導(dǎo)體基底(102)上成型光檢測器器件的方法。該方法包括在基底(102)上成型第一組溝槽和第二組溝槽，其中第一組的各溝槽對于第二組的各溝槽交錯(cuò)排列；對各溝槽填充保護(hù)材料(202)；以及蝕刻第一組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料(202)。該方法進(jìn)一步包括對第一組溝槽填充第一電導(dǎo)率的摻雜材料(502)；蝕刻第二組溝槽內(nèi)的保護(hù)材料(202)；對第二組溝槽填充第二電導(dǎo)率的摻雜材料(802)；通過將摻雜材料(502)中的摻雜物摻雜到第一組溝槽中的每一個(gè)，形成第一結(jié)層(904)，而通過將摻雜材料(802)中的摻雜物摻雜到第二組溝槽中的每一個(gè)，形成第二結(jié)層(906)；以及對第一組溝槽和第二組溝槽設(shè)置單獨(dú)導(dǎo)線連接(1002、1004)。同時(shí)形成第一組溝槽和第二組溝槽。
文檔編號H01L31/105GK1478304SQ0280322
公開日2004年2月25日 申請日期2002年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月16日
發(fā)明者楊敏, 克恩·利姆, 利姆, 敏 楊 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司