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介電濾波器、天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置和使用濾波器的通訊裝置的制作方法

文檔序號:6968319閱讀:104來源:國知局
專利名稱:介電濾波器、天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置和使用濾波器的通訊裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于高頻無線電裝置例如移動(dòng)電話的介電濾波器,且特別地涉及包括在介電襯底上具有相互電磁耦合的條狀線諧振器電極的介電濾波器。
背景技術(shù)
近來介電濾波器已經(jīng)用作移動(dòng)電話的高頻濾波器,它們特別需要減小外形尺寸和厚度?,F(xiàn)在關(guān)注的是平面、多層介電濾波器而不是同軸濾波器。下面將參照相關(guān)附圖來說明常規(guī)的平面、多層介電濾波器。


圖17示出了常規(guī)的平面、多層介電濾波器的分解透視圖。示出了層結(jié)構(gòu)的介電濾波器包括6個(gè)介電襯底1a到1f。屏蔽電極2a在介電襯底1b的上表面上形成。級間耦合電容器電極3在介電襯底1c的上表面上形成。諧振器電極4a和4b在介電襯底1d的上表面上形成。輸入/輸出耦合電容器電極5a和5b在介電襯底1e的上表面上形成。屏蔽電極2b在介電襯底1f的上表面上形成。
作為接地端口的端電極6a和6b分別在左右兩側(cè)形成。作為連接到各自屏蔽電極2a和2b和諧振器電極4a和4b的開口端的接地端口的端電極7在背面形成。在介電襯底層結(jié)構(gòu)的前面設(shè)置的端電極8在其一端連接到各自諧振器電極4a和4b的短路端,在另一端連接到屏蔽電極2a和2b上。在多層介電襯底左右側(cè)的端電極9a和9b分別連接到輸入/輸出耦合電容器電極5a和5b上,因此作為輸入/輸出口進(jìn)行操作。
平面、多層介電濾波器的諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極使用導(dǎo)電性膠的印刷圖案制作,因此幾乎具有統(tǒng)一的厚度。
附圖18示出了如圖1所示的介電襯底1c和1d的橫截面圖。如圖所示,諧振器電極4a和4b在中心厚且朝向邊緣變薄。當(dāng)層壓介電襯底時(shí),通過印刷設(shè)置的電極將在它們的邊緣將被削尖。高頻電流集中在邊緣。這降低了諧振器電極衰減的Q因數(shù),因此濾波器具有衰減的性能。主要包括金屬粉的導(dǎo)電性膠一旦被絲網(wǎng)印刷,就會(huì)因絲網(wǎng)印刷網(wǎng)具有波形的表面而降低了濾波器的性能。
平面,多層介電濾波器的諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極分別設(shè)置在具有同一介電常數(shù)的同一材料的陶瓷襯底的表面上。因此,因?yàn)樵谥C振器中的電流,介電濾波器的必要元件集中在諧振器電極4a和4b的每個(gè)邊緣,所以電流增加了導(dǎo)體的損失,從而降低了諧振器的Q因數(shù)和介電濾波器的性能。

發(fā)明內(nèi)容
介電濾波器包括一由金屬箔制作的諧振器電極,它們彼此電磁耦合;一用于耦合諧振器電極的級間耦合電容器電極;一用于輸入和輸出信號到諧振器電極的輸入/輸出耦合電容器電極;和一在其上設(shè)置有諧振器電極、級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的介電襯底。在濾波器中,每個(gè)諧振器電極具有均勻的厚度,因此提供了諧振器的高Q因數(shù),低損失和高衰減。
附圖的簡要描述附圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的分解透視圖。
附圖2A示出了沿圖1的線2A-2A處的介電襯底層結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
附圖2B示出了諧振器電極放大的橫截面視圖。
附圖2C示出了在其上包括有較寬部分的諧振器電極的諧振器介電襯底的透視圖。
附圖3A到3F示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2制造介電濾波器的過程。
附圖4A到4B示出了根據(jù)實(shí)施例2制造介電濾波器的過程。
附圖5A到5F示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3制造介電濾波器的過程。
附圖6A到6D示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4制造介電濾波器的過程。
附圖7示出了包括天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置并根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例5的通訊裝置的示意性框圖。
附圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的介電濾波器的橫截面圖。
附圖9A到9C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7制造介電濾波器的過程。
附圖10A到10C示出了根據(jù)實(shí)施例7制造介電濾波器的過程。
附圖11示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例8的介電濾波器的橫截面圖。
附圖12示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例9的介電濾波器的橫截面圖。
附圖13示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例10的介電濾波器的橫截面圖。
附圖14A到14B示出了根據(jù)實(shí)施例在濾波器的電極中的電流剖面和在常規(guī)濾波器電極中的電流剖面的示意圖。
附圖15示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例11的諧振器電極形狀的平面圖。
附圖16示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例12的包括天線轉(zhuǎn)換器的通訊裝置的框圖。
附圖17示出了常規(guī)介電濾波器的分解透視圖。
附圖18示出了常規(guī)介電濾波器中諧振器電極的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)附圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的分解透視圖。具有與圖17所示相同的基本排列的介電濾波器包括六個(gè)介電襯底11a到11f。包括諧振器電極的諧振器介電襯底11d為具有高介電常數(shù)的陶瓷襯底,但也可以是包含樹脂材料和無機(jī)填充物的樹脂襯底或樹脂復(fù)合襯底。
屏蔽電極介電襯底11b包括在上表面的屏蔽電極12a。級間耦合電容器介電襯底11c在上表面具有級間耦合電容器電極13。諧振器介電襯底11d包括在上表面的諧振器電極14a和14b,該諧振器電極由包括金、銀或銅的箔做成,具有10微米到400微米的厚度。每個(gè)諧振器電極具有圓角的四邊形橫截面。輸入/輸出耦合電容器介電襯底11e包括在上表面上的輸入/輸出耦合電容器電極15a和15b。屏蔽電極介電襯底11f包括在上表面上的屏蔽電極12b。介電襯底11a到11f以層排列的形式層壓在一起,從而組成介電濾波器。
與常規(guī)濾波器相似,端電極16a和16b設(shè)置在左右側(cè)。端電極19a和19b作為輸入/輸出口設(shè)置在左右側(cè)并分別連接到輸入/輸出耦合電容器電極15a和15b上。端電極17和18設(shè)置在層壓介電襯底的前后側(cè)。
根據(jù)本實(shí)施例濾波器的特征在于諧振器電極的排列。諧振器電極14a和14b由圖1所示的在諧振器介電襯底11d的上表面的包括金、銀或銅的金屬箔做成。
圖2A示出了在圖1中線2A-2A處的介電襯底的橫截面圖。包含金,銀或銅的金屬箔制作的諧振器電極14a和14b位于諧振器介電襯底11d的上表面,其制作方法將在后面詳細(xì)解釋。同樣,級間耦合電容器電極13和輸入/輸出耦合電容器電極15a和15b分別以導(dǎo)電性膠的印刷圖案設(shè)置在級間耦合電容器襯底11c和輸入/輸出耦合電容器襯底11e上。級間耦合電容器電極13和輸入/輸出耦合電容器電極15a和15b可由與諧振器電極14a和14b相同的金屬箔制成。
本實(shí)施例中的每個(gè)諧振器電極14a和14b可具有改進(jìn)電性能的圓角和圓邊的橫截面。圓角和圓邊的半徑為1微米或者更大。諧振器電極14a和14b具有圓角的矩形橫截面,其可通過化學(xué)蝕刻或者電解拋光用電極框架的條狀形成所期望的電極尺寸。更優(yōu)選的是,諧振器電極14a和14b可易于表面拋光或金屬鍍膜以具有0.5微米到0.01微米光潔度的光滑表面。
由具有光滑表面的金屬箔制成的諧振器電極14a和14b,形成具有改善的Q因數(shù)的諧振器,因此對介電濾波器的低損失和更好的衰減特性有貢獻(xiàn)。
諧振器電極14a和14b不限于如圖1所示的統(tǒng)一寬度條帶的形狀,可根據(jù)所需要的特性設(shè)置為如圖2C所示的具有寬部分14aw或14bw的T形。
根據(jù)本實(shí)施例,濾波器包括具有10微米到400微米厚的金屬箔的條狀電極。在高頻率工作的介電濾波器中,高頻電流在電極厚度中不是均勻流動(dòng),而是在靠近電極表面的區(qū)域加強(qiáng)。諧振器導(dǎo)體的厚度大于該區(qū)的厚度,表面厚度。沿著上下表面流動(dòng)高頻電流的條狀電極具有導(dǎo)體兩倍的厚度。因此更可取的是當(dāng)在GHz的頻率中表面深度基本上從1微米到3微米時(shí),金屬箔厚度為10微米或者更大,大于深度的兩倍。諧振器具有提高的Q因數(shù)直到具有100微米的厚度,且根據(jù)實(shí)驗(yàn)具有保持不變或者從厚度200微米增加很少的因數(shù)。介電濾波器所獲得的厚度包括條狀獲得厚度。綜上所述,金屬箔可優(yōu)選具有400微米或更小的厚度。
包括100微米厚的銅和銀的諧振器電極的金屬箔提供280的Q因數(shù)。通過40微米厚的公知印刷方法形成的諧振器電極提供240的Q因數(shù)。因此,在本實(shí)施例中金屬箔的諧振器電極提供具有提高Q因數(shù)的諧振器。
(實(shí)施例2)附圖3A到3F示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2制造諧振器介電襯底27,介電濾波器的基本元件的方法。
附圖3A示出了在附圖3B的平面圖中沿線3A-3A的襯底的橫截面圖。抗蝕刻層22的同一圖案通過在包括金,銀或銅的金屬箔21的上下表面上都進(jìn)行光刻蝕獲得。當(dāng)金屬箔21通過化學(xué)或電解過程在兩側(cè)被蝕刻然后在表面拋光時(shí),其作為如圖3B所示的具有諧振器電極23的電極框架而完成。電極框架24包括在其內(nèi)側(cè)的定位導(dǎo)向裝置25。電極框架24可通過對模成型來制作。
附圖3C示出了電極框架24的橫截面圖。然后,電極框架24設(shè)置在介電層26上,且從如圖3D所示的箭頭指示的上下側(cè)進(jìn)行擠壓。結(jié)果如圖3E所示,電極框架24被嵌入介電層26中。然后,該層被分成如圖3F所示的諧振器介電襯底27。
附圖4A到4B示出了用具有金屬箔的諧振器電極14a和14b的諧振器介電襯底27(與如圖1所示的襯底11d一致)制造介電濾波器的過程。下面將詳細(xì)描述該過程,同樣的元件用與如圖1所示的同樣數(shù)字來表示。
在附圖4A中,將作為保護(hù)層的保護(hù)陶瓷介電襯底11a,具有屏蔽電極12a的屏蔽電極陶瓷介電襯底11b,具有級間耦合電容器電極13的級間耦合電容陶瓷介電襯底11c,在圖3A到3F中過程所制備的具有在其間嵌入金屬箔的諧振器電極14a和14b的諧振陶瓷介電襯底11d,具有輸入/輸出耦合電容器電極15a和15b的輸入/輸出耦合電容陶瓷介電襯底11e和具有屏蔽電極12b的屏蔽電極陶瓷介電襯底11f一層一層的層壓且按照箭頭方向壓在一起。這提供了如圖4B所示的介電襯底組件28。將介電襯底組件28在900溫度的還原空氣中燒制,以具有分層的陶瓷介電濾波器。
根據(jù)本實(shí)施例,每個(gè)具有高介電常數(shù)的介電陶瓷襯底可由Bi-Ca-Nb-O基,Ba-Ti-O基,[Zr(Mg,Zn,Nb)]TiO4+MnO2基和Ba-Nd-Ti-O混合介電物質(zhì)制成。形成無電容的部分可由鎂橄欖石(forsterite)或硼硅酸鋁玻璃(alumina borosilicate glass)制成。
(實(shí)施例3)實(shí)施例3與實(shí)施例2的不同在于包括在其中嵌入金屬箔的諧振器電極的介電襯底是由復(fù)合材料制成的,該復(fù)合材料包括諸如環(huán)氧樹脂和Al2O3或MgO的無機(jī)填充物粉末的熱固性樹脂。
復(fù)合材料的熱固性樹脂不僅可由環(huán)氧樹脂制成,而且可由酚醛樹脂和氰酸鹽樹脂制成。
附圖5A到5F基本上示出了根據(jù)本實(shí)施例方法的示意圖。如圖5A所示,作為生片(green sheet)形式的保護(hù)層的保護(hù)陶瓷介電襯底31a,具有屏蔽電極32a的生片形式的屏蔽電極陶瓷介電襯底31b和具有級間耦合電容器電極33的生片形式的級間耦合電容陶瓷介電襯底31c被層壓并按照箭頭所示的方向擠壓在一起。然后將層壓的襯底在大約900℃燒制且形成如圖5B所示的第一介電塊34。然后,如圖5C所示,將具有輸入/輸出耦合電容器電極35a和35b的生片形式的輸入/輸出耦合電容陶瓷介電襯底36和具有屏蔽電極32b的生片形式的屏蔽電極陶瓷介電襯底37層壓并擠壓。然后將層壓的襯底在大約900℃燒制且形成如圖5D所示的第二介電塊38。
然后,通過圖3A到3F所描述的過程制作諧振器復(fù)合介電襯底40,該介電襯底具有嵌入的諧振器電極39a和39b,將其放置于如圖5E所示的第一介電塊34和第二介電塊38之間,并通過箭頭所示的方向壓制在一起。襯底40包括嵌入下表面的輸入/輸出耦合電容器電極35a和35b。將襯底在150-200℃的溫度下加熱用于固化復(fù)合材料,從而導(dǎo)致第一介電塊34,諧振器復(fù)合介電襯底40和第二介電塊38連接在一起以形成如圖5F所示的介電濾波器。
為了提高濾波器的性能,諧振器復(fù)合介電襯底40可包括作為無機(jī)填充物的具有高含量的有高介電常數(shù)的介電陶瓷粉,它們不僅可以從Al2O3或MgO中選擇,而且可從Bi-Ca-Nb-O,Ba-Ti-O,[Zr(Mg,Zn,Nb)]TiO4+MnO2和Ba-Nd-Ti-O的混合物中來選擇。
因?yàn)楸緦?shí)施例中的用金屬箔制作的諧振器電極39a和39b被嵌入含樹脂的復(fù)合襯底中,所以允許介電濾波器可通過如圖5A到5F所示的簡單過程來制作。
在本實(shí)施例的復(fù)合材料中的無機(jī)填充物可優(yōu)選包括大約70%到90%的復(fù)合材料,以對陶瓷物質(zhì)來說具有相同的熱膨脹。
為了增加復(fù)合材料的介電常數(shù),濾波器可包括更多物質(zhì)。對粘合強(qiáng)度來說,濾波器可包含少于上述范圍的物質(zhì)。
諧振器通過具有高導(dǎo)體Q因數(shù)的金屬箔的電極和具有高材料Q因數(shù)的介電襯底而具有顯著提高的Q因數(shù)。
實(shí)施例3的介電濾波器的特征為在介電物質(zhì)中嵌入的諧振器電極39a和39b具有低介電常數(shù)。每個(gè)電極在上下表面接觸具有高介電常數(shù)的物質(zhì),且在側(cè)面接觸具有高介電常數(shù)的物質(zhì)。
實(shí)施例3的介電濾波器在高介電常數(shù)的物質(zhì)中具有電極,例如電容耦合電極或輸入/輸出電極,然而即使高介電常數(shù)的物質(zhì)不包括電極,也具有同樣的優(yōu)點(diǎn)。為了包括電極,將介電物質(zhì)與電極一起燒制。然而,介電物質(zhì),即可與電極一起燒制的低溫共同燒制陶瓷(LTCC),具有實(shí)質(zhì)上低的Q因數(shù)(材料Q因數(shù))。根據(jù)實(shí)施例4,將諧振器電極設(shè)置為直接與高溫?zé)铺沾山佑|,該陶瓷具有高Q因數(shù)但不能與電極一起燒制,因此諧振器電極具有高Q因數(shù)。其上不包括電極的介電物質(zhì)給介電濾波器提供HTCC的優(yōu)點(diǎn),也就是高材料Q因數(shù)。
(實(shí)施例4)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例4的介電濾波器通過下面方法來制作。如圖6A所示,將通過如圖3A到3F所示的方式制作的電極框架24擠壓粘合成具有與電極框架24相同厚度的復(fù)合材料41。結(jié)果如圖6B所示,在電極框架24的開口42中填充復(fù)合材料41,因此形成電極復(fù)合襯底43。
然后,將具有高介電常數(shù)的生片形式的陶瓷物質(zhì)的介電襯底44放置在生片形式的第二介電塊38的上表面,該第二介電塊通過如圖6C所示的方式制作,且在與實(shí)施例3相同的條件下燒制以形成第三介電塊45。如圖6C所示,將從電極復(fù)合襯底43中分離的諧振器復(fù)合介電襯底46放置在第三介電塊45和通過如圖5B所示的方式制作的第一介電塊34之間。然后將它們一起壓制形成如圖6D所示的介電濾波器。濾波器包括具有高介電常數(shù)的位于輸入/輸出耦合電容器電極35a和35b和諧振器電極39a和39b之間的介電襯底44,從而即使通過成本低的過程制作也具有改進(jìn)的Q因數(shù)。諧振器通過具有高導(dǎo)體Q因數(shù)的金屬箔電極和具有高材料Q因數(shù)的介電襯底具有顯著提高的Q因數(shù)。
實(shí)施例4的介電濾波器的特征為在具有低介電常數(shù)的介電材料中嵌入的諧振器電極39a和39b。每個(gè)電極在上下表面與具有高介電常數(shù)的物質(zhì)接觸,且在側(cè)面與具有高介電常數(shù)的物質(zhì)接觸。
除了復(fù)合襯底43外,本實(shí)施例的濾波器可通過如圖6C所示的方法制作,在第三介電塊45的上表面上直接設(shè)置諧振器電極39a和39b,用液體樹脂諸如環(huán)氧樹脂,苯酚,氰酸鹽,多亞苯基鄰苯二甲酸鹽(poly-phenylene-phthalate)或多亞苯基醚樹脂(poly-phenylene-etherresin)作為粘合劑填充電極框架24的開口,且然后在其上粘結(jié)介電塊34。它們可用玻璃膠粘合而不是樹脂粘合劑來填充電極框架24的開口42,并在大約900℃下燒制以玻璃密封。
在如圖3A到3E,圖6A和圖6B所示的過程中,在電極框架中同時(shí)獲得多個(gè)諧振器電極。在其他過程中,每個(gè)介電濾波器以簡單的圖解示出。
為了具有平均表面光潔度0.5到0.01微米,將上述實(shí)施例的金屬箔的諧振器電極拋光或者通過在其表面電鍍Au,Ag或Cu。因?yàn)橹C振器電極比由提供平均表面光潔度為1到3微米的常規(guī)導(dǎo)電性膠印刷過程形成的電極具有更光滑的表面,因此諧振器電極具有提高的Q因數(shù),從而提高了濾波器的性能。
實(shí)施例4中的介電濾波器在高介電常數(shù)的物質(zhì)中具有電極,例如電容耦合電極或者輸入/輸出電極的電極,然而,即使高介電常數(shù)的物質(zhì)不包括電極,也具有相同的優(yōu)點(diǎn)。為了包括電極,將介電材料與電極一起燒制。然而,介電物質(zhì),即可與電極一起燒制的低溫共同燒制陶瓷(LTCC)具有實(shí)質(zhì)上低Q因數(shù)(材料Q因數(shù))。根據(jù)實(shí)施例4,將諧振器電極設(shè)置為直接與高溫?zé)铺沾山佑|,陶瓷具有高Q因數(shù)但不能與電極一起燒制,因此諧振器電極具有高Q因數(shù)。其上不包括電極的介電物質(zhì)給介電濾波器提供HTCC的優(yōu)點(diǎn),也就是高材料Q因數(shù)。
實(shí)施例4的諧振器包括一對具有金屬箔的諧振器電極,然而對包括三個(gè)或更多諧振器電極的濾波器提供同樣效果。
用導(dǎo)電性膠的印刷圖案制作的常規(guī)諧振器電極受厚度的限制。用金屬箔制作的本實(shí)施例的諧振器電極,因?yàn)槟芡ㄟ^熱石板印刷(hotolithgraphic)過程和蝕刻過程來制作,所以根據(jù)期望的性能具有期望的厚度并降低導(dǎo)體損失。帶有該電極的濾波器可使通訊裝置小型化并具有高性能。
(實(shí)施例5)本實(shí)施例涉及包括實(shí)施例1到4的介電濾波器的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置65,其作為發(fā)送濾波器62或者接收濾波器61用于在通訊裝置67例如移動(dòng)電話中將信號分離為接收信號和發(fā)送信號。如圖7所示,將上述實(shí)施例的介電濾波器連接到匹配電路266的各個(gè)端,該匹配電路具有連接到天線64的天線口63。這減弱了同軸共振,其占據(jù)大量空間,通常用于常規(guī)天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置中。本實(shí)施例的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置具有減小的總尺寸。
本實(shí)施例的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置,因?yàn)榘ň哂杏山饘俨谱鞯闹C振器電極的介電濾波器,故能對通訊裝置諸如移動(dòng)電話的更小尺寸和改進(jìn)的性能作出貢獻(xiàn)。
在天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置中的介電濾波器的諧振器電極,因?yàn)榫哂型ㄟ^拋光或者金屬電鍍的光滑表面,故具有高Q因數(shù)。
在天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置中的介電濾波器的諧振器電極用電極框架制作,該電極框架通過在包含金,銀或銅的金屬箔層的兩面進(jìn)行光掩膜和蝕刻處理,然后通過化學(xué)或電解拋光圓化其邊和角而形成。因此,諧振器電極可具有圓邊和圓角。
(實(shí)施例6)附圖8示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例6的介電濾波器的橫截面圖。具有與圖17所示的基本相似排列的介電濾波器包括6個(gè)介電襯底111a到111f。
在介電濾波器中的電極可用與常規(guī)濾波器中同樣的導(dǎo)電材料制作。為了簡單起見,在本實(shí)施例中的每個(gè)電極具有與圖8中所示的矩形橫截面。橫截面可以為任何合適的形狀,諸如圖18中所示繞線軸形狀(bobbinshape),并可通過印刷導(dǎo)電性膠的圖案來設(shè)置。
上部屏蔽電極介電襯底111b包括上表面的屏蔽電極112a。級間耦合電容器介電襯底111c包括上表面的級間耦合電容器電極113。諧振器介電襯底111d包括上表面的諧振器電極114a和114b。輸入/輸出耦合電容器介電襯底111e包括上表面的輸入/輸出耦合電容器電極115a和115b。下部屏蔽電極介電襯底111f包括上表面的屏蔽電極112b。襯底111b到111f在最上面同保護(hù)襯底111a層壓在一起以形成本實(shí)施例中的介電濾波器。保護(hù)襯底111a可由除了介電材料的其它材料制作,例如能保護(hù)屏蔽電極不受周圍環(huán)境影響的有機(jī)材料。
如圖8所示的本實(shí)施例的介電濾波器具有如圖17左側(cè)和右側(cè)所示的端電極,在此沒有示出和進(jìn)行描述。
本實(shí)施例的介電濾波器的特征在于襯底的排列。如圖8所示,每個(gè)上部屏蔽電極介電襯底111b,級間耦合電容器介電襯底111c,諧振器介電襯底111d和輸入/輸出耦合電容器介電襯底111e由具有不同介電常數(shù)的材料制作,第一介電材料116具有相對高的介電常數(shù)(后面稱為高介電常數(shù)材料),第二介電材料117與第一介電材料相比具有相對較低的介電常數(shù)(因此,后面稱為低介電常數(shù)材料)。特別地,將高介電常數(shù)材料和低介電常數(shù)材料沿著橫向交替排列。
因此,高介電常數(shù)材料116在介電濾波器上位于每個(gè)諧振器電極114a和114b的中心。低介電常數(shù)材料117位于諧振器電極114a和114b的外側(cè)。這使位于諧振器電極114a和114b的電通量線均勻。這些線在常規(guī)介電濾波器中電極的每個(gè)端附近分散。因?yàn)橹C振器電極114a和114b的電流密度是均勻的,所以減弱了諧振器電極114a和114b的導(dǎo)體損失,從而減弱了在介電濾波器中的損失。
在本實(shí)施例的介電濾波器中,在諧振器電極114a和114b和級間耦合電容器電極113之間的每個(gè)重疊區(qū)域和在輸入/輸出耦合電容器電極115a和115b和級間耦合電容器電極113之間的每個(gè)重疊區(qū)域用低介電常數(shù)材料117來填充。這使濾波器的容量和特性更容易被設(shè)計(jì)。
(實(shí)施例7)附圖9A到9C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例7的制作復(fù)合陶瓷介電襯底的過程。如圖9A所示,由具有高介電常數(shù)的Bi-Ca-Nb-O陶瓷材料制成的生片121a和121b和由具有低介電常數(shù)的鎂橄欖石陶瓷材料制成的生片122a,122b和122c交替層壓。每個(gè)生片121a和121b包括陶瓷生片,每個(gè)陶瓷生片具有幾微米到幾百微米厚,通過對由含有介電材料和有機(jī)粘結(jié)劑粉末的生料(slurry)用印刷刮墨片方法制作而成。
生片121a和122b的復(fù)合陶瓷介電塊123(下文稱為生片塊)沿著如圖9B所示的線A-A,B-B,C-C和D-D切片。這提供了如圖9C所示的四個(gè)復(fù)合陶瓷介電生片襯底124到127。每個(gè)襯底包括兩個(gè)不同的介電材料,具有相對高的介電常數(shù)的陶瓷和具有相對低的介電常數(shù)的陶瓷。
圖10A到10C示出了本實(shí)施例的介電濾波器隨后的制作過程的透視圖。如圖10A所示,上部屏蔽電極131a設(shè)置在陶瓷介電生片襯底124的上表面。級間耦合電容器電極132設(shè)置在陶瓷介電生片襯底125的上表面。一端作為短路端且另一端作為開口端的諧振器電極133a和133b設(shè)置在陶瓷介電生片襯底126的上表面。輸入/輸出耦合電容器電極134a和134b設(shè)置在陶瓷介電生片襯底127的上表面。然后將它們層壓在一起,并在各自的上下側(cè),用包括如圖10B所示的在其上設(shè)置下屏蔽電極131b的保護(hù)陶瓷生片襯底136和陶瓷介電生片襯底137,覆蓋它們。然后加壓并將它們在預(yù)設(shè)的溫度下燒制,因此提供如圖10C所示的介電濾波器。
具有如圖10A至10C所示的下部屏蔽電極131b的保護(hù)生片襯底136和陶瓷介電生片襯底137由與具有低介電常數(shù)的陶瓷材料122a相同的材料制作。它們也可由具有高介電常數(shù)的陶瓷材料制作。在本實(shí)施例的介電濾波器中的諧振器電極具有作為短路端的一端和作為開口端的另一端,然而也可都作為開口端。
如圖9A到9C和圖10A到10C所示的本實(shí)施例的陶瓷介電生片襯底124,125,126和127用生片塊123的切片形成期望的厚度。該襯底也可由各自的生片塊形成,每個(gè)生片塊包括兩種不同的介電材料。在每個(gè)陶瓷介電生片襯底中高介電常數(shù)部分可具有彼此不同的橫截面寬度。這可使介電濾波器的設(shè)計(jì)更靈活。
在介電生襯底上設(shè)置的電極可與導(dǎo)電性膠或蝕刻金屬箔的印刷模型一起制備。可將具有電極的陶瓷介電生片襯底在期望的條件下燒制。
將對實(shí)施例7的上述過程進(jìn)行說明,其中將生片塊123分為陶瓷介電生片襯底124,125,126和127,然后設(shè)置電極,層壓并進(jìn)行燒制。該過程可以改進(jìn),可以對從生片塊123中獲得的陶瓷介電生片襯底124,125,126和127先進(jìn)行燒制,然后設(shè)置電極。這個(gè)改進(jìn)的過程使得襯底在燒制期間避免發(fā)生裂紋。
在改進(jìn)的過程中燒制的陶瓷介電襯底可與從如下物質(zhì)中選擇出的粘合劑粘合在一起熱固性樹脂,含有熱固性樹脂和無機(jī)填充物的復(fù)合材料和具有低熔化溫度的火石玻璃(glass flit)及其類似物。
如所描述的,本實(shí)施例的介電濾波器的特征在于層壓的復(fù)合介電襯底由具有不同介電常數(shù)的復(fù)合材料制成。因此,根據(jù)期望形狀和期望特性,介電濾波器包括從復(fù)合介電襯底和具有單個(gè)相對介電常數(shù)的介電襯底中選擇出的襯底。
(實(shí)施例8)附圖11示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例8的介電濾波器的橫截面圖。通過改進(jìn)在級間耦合電容器介電襯底111c上的級間耦合電容器電極143和在輸入/輸出耦合電容器介電襯底111e上的輸入/輸出耦合電容器電極145a和145b,實(shí)施例8的介電濾波器將與實(shí)施例6中介電濾波器區(qū)別開來。如圖11所示,級間耦合電容器電極143的兩端和每個(gè)輸入/輸出耦合電容器電極145a和145b的一端都位于高介電常數(shù)材料116上。這種排列使具有電容的電容器部分定位于高介電常數(shù)的材料上,因此使在介電濾波器中的電容器部分增加了電容。
(實(shí)施例9)附圖12示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例9的介電濾波器,其特征為介電襯底111a到111f為具有由復(fù)合材料制作的三片結(jié)構(gòu),該復(fù)合材料包括高介電常數(shù)材料116和低介電常數(shù)材料117。因?yàn)樵摻殡娨r底用切片的生片塊形成,所以可通過簡單的過程制作。
(實(shí)施例10)附圖13示出了本發(fā)明實(shí)施例10的介電濾波器。該濾波器包括級間耦合電容器介電襯底111c和由包括高介電常數(shù)材料116和低介電常數(shù)材料117的復(fù)合材料制作的諧振器介電襯底111d。該濾波器進(jìn)一步包括保護(hù)介電襯底111a,上部屏蔽電極介電襯底111b,輸入/輸出耦合電容器介電襯底111e和由低介電常數(shù)材料117制成的下部屏蔽電極介電襯底111f。與前述實(shí)施例中所有的介電襯底都是從單個(gè)塊中獲得的相比,由于不同介電材料具有不同的收縮性,該實(shí)施例的這種排列消除了在燒制后引起的裂紋問題。
附圖14A和14B示出了在常規(guī)介電濾波器中電流流動(dòng)的剖面圖和在諧振器電極的橫截面中在該實(shí)施例的介電濾波器中電流流動(dòng)的剖面圖。通常都朝向在常規(guī)濾波器中嵌入在單個(gè)介電材料中的諧振器電極的兩側(cè)偏向的電通量線,通過本實(shí)施例的排列沿著寬度方向均勻排列。這使通過諧振器電極橫截面的電流均勻流動(dòng)。
(實(shí)施例11)除了諧振器電極的排列外,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例11的介電濾波器基本上與前述實(shí)施例一致。將參照圖15的平面圖來對諧振器電極介電襯底進(jìn)行說明,而沒有對其它元件進(jìn)行更詳細(xì)的說明。
前述實(shí)施例的介電濾波器的諧振器電極具有統(tǒng)一寬度的矩形形狀。本實(shí)施例的諧振器電極163a和163b在如圖15所示的各自開口端具有寬度部分163aw和163bw。將寬度部分163aw和163bw在外形上進(jìn)行設(shè)計(jì)以決定濾波器的特性。
如本實(shí)施例的附圖所示,每個(gè)諧振器電極163a和163b具有位于高介電常數(shù)材料的中心,并具有包括位于低介電常數(shù)材料上的寬度部分163aw和163bw的兩端。這種排列給濾波器提供了與前述實(shí)施例相同的優(yōu)點(diǎn)。
在這個(gè)實(shí)施例中,濾波器包括兩個(gè)諧振器電極,且也可包括三個(gè)或更多的諧振器電極,每個(gè)電極具有位于不同介電常數(shù)的介電材料上的中心和兩邊。
(實(shí)施例12)本發(fā)明的實(shí)施例12涉及具有實(shí)施例6到11的介電濾波器的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置265,用于在諸如移動(dòng)電話的通訊裝置267中將信號分離為接收信號和傳送信號的傳送濾波器262或接收濾波器261。如圖16所示,天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置265包括前述實(shí)施例中連接到各自匹配電路266的各個(gè)端的介電濾波器,該匹配電路具有與天線264連接的天線口263。這種排列消除了同軸諧振,同軸諧振其占據(jù)了大量空間并一般在常規(guī)天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置中使用。本實(shí)施例的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置減小了外形尺寸。
本實(shí)施例的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置,因?yàn)槠浒ň哂杏山饘俨谱鞯闹C振器電極的介電濾波器,所以能對通訊裝置諸如移動(dòng)電話的小型化和性能改善有所貢獻(xiàn)。
本實(shí)施例的諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極可用含金,銀或銅的導(dǎo)電性膠的印刷圖案制成。
本實(shí)施例的諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極可由基本上含金,銀或銅的金屬箔制成。
第一介電材料不限于由Bi-Ca-Nb-O的混合物制作,而是也可以從包括Bi-Ti-O和Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O的陶瓷材料組中選擇。第二介電材料在整個(gè)實(shí)施例中為鎂橄欖石,然而也可以是硼硅酸鋁玻璃基陶瓷材料。
本實(shí)施例的介電濾波器可以包括作為第一介電材料的Bi-Ca-Nb-O,Bi-Ti-O或Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O的陶瓷材料和作為第二介電材料的鎂橄欖石或硼硅酸鋁玻璃的陶瓷材料,因此,具有改善的工作可靠性和材料性質(zhì)。
介電濾波器可通過以下步驟來制作(a)將以生片形式的第一介電材料和在橫截面方向具有比第一介電材料低的介電常數(shù)的生片形式的第二介電材料連接在一起以提供生片形式的復(fù)合陶瓷介電塊;
(b)在橫向上切片生片形式的復(fù)合陶瓷介電塊,以提供包括第一介電材料和第二介電材料的生片形式的復(fù)合介電襯底;和(c)以生片形式在各自復(fù)合介電襯底的上表面提供上部屏蔽電極,級間耦合電容器電極,諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極,然后在特定條件下層壓和燒制復(fù)合介電襯底。
這些過程允許將介電襯底和電極簡單同時(shí)燒制。
工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的介電濾波器包括諧振器電極,該諧振器電極由具有統(tǒng)一厚度的金屬箔制作,彼此電磁耦合,且具有光滑的表面。因此,濾波器制作費(fèi)用低,具有提高的Q因數(shù),且具有低損失和高衰減。
本發(fā)明的介電濾波器使包括濾波器的通訊裝置諸如移動(dòng)電話具有小型化和高性能。
權(quán)利要求
1.一種介電濾波器包括由金屬箔制作的諧振器電極,相互之間電磁耦合;一用于耦合諧振器電極的級間耦合電容器電極;一用于將信號輸入和輸出到諧振器電極的輸入/輸出耦合電容器電極;和具有在其上設(shè)置諧振器電極、級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的介電襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中具有在其上設(shè)置諧振器電極的介電襯底的第一介電襯底具有比介電襯底的第二介電襯底低的介電常數(shù),和其中諧振器電極至少一個(gè)表面與第二介電襯底接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極具有與第一介電襯底接觸的側(cè)面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在一端具有短路端,而另一端具有開口端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在開口端具有寬的部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在兩端都有開口端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在至少一個(gè)開口端提供寬的部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中金屬箔至少含有金,銀和銅之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極具有弓形圓形角的四邊形橫截面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中諧振器電極分別具有從10微米到400微米的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中諧振器電極分別具有拋光或電鍍金屬表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的介電濾波器,其中諧振器電極分別具有從0.5微米到0.01微米的平均表面光潔度。
13.一種制作介電濾波器的方法,包括步驟提供金屬箔的諧振器電極;將諧振器電極嵌入到到介電襯底中,以形成諧振器介電襯底;和將諧振器介電襯底與其上具有導(dǎo)電層的另一介電襯底層壓,以形成層壓的介電襯底。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中金屬箔至少含有金,銀和銅之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中所述提供諧振器電極的所述步驟包括子步驟提供在兩表面具有光掩模的金屬箔;通過光掩模蝕刻金屬箔;和通過處理蝕刻的金屬箔形成電極框架,以通過化學(xué)或電解拋光具有圓形或弓形的邊。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中所述提供諧振器電極的所述步驟包括子步驟在生片形式的諧振陶瓷介電襯底中嵌入諧振器電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中形成層壓介電襯底的所述步驟包括子步驟在其上具有導(dǎo)電層的生片形式的陶瓷介電襯底和生片形式的屏蔽電極陶瓷介電襯底之間層壓在其中嵌入諧振器電極的生片形式的諧振陶瓷介電襯底;燒制生片形式的層壓諧振陶瓷介電襯底,生片形式的層壓陶瓷介電襯底和生片形式的層壓屏蔽電極陶瓷介電襯底。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中形成介電襯底的所述步驟包括子步驟在燒制的陶瓷介電襯底之間層壓在其中嵌入諧振器電極的生片形式的諧振陶瓷介電襯底;和燒制生片形式的層壓諧振陶瓷介電襯底。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的方法,其中提供介電襯底的所述步驟包括子步驟將諧振器電極嵌入到含有熱固樹脂的樹脂襯底中;和通過加熱固化樹脂襯底。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法,其中樹脂襯底是包含無機(jī)物填充物的復(fù)合襯底。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的方法,其中形成層壓介電襯底的所述步驟包括子步驟層壓樹脂襯底和屏蔽電極陶瓷介電襯底。
22.一種天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置,包括一天線口;包括根據(jù)權(quán)利1到12的任一權(quán)利要求所述的介電濾波器的第一濾波器,該第一濾波器與天線口耦合;和與天線口耦合的第二濾波器。
23.一種天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置,包括一天線口;和第一和第二濾波器,每個(gè)濾波器包括根據(jù)權(quán)利1到12的任一權(quán)利要求所述的介電濾波器,且與天線口耦合。
24.一種天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置包括一天線口;第一發(fā)送器濾波器,包括根據(jù)權(quán)利要求13到21任何一個(gè)的方法制作的介電濾波器,且與天線口連接;和與天線口連接的第二濾波器。
25.一種天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置包括一天線口;第一和第二濾波器,每個(gè)濾波器包括根據(jù)權(quán)利要求13到21的任一權(quán)利要求所述的方法制作的介電濾波器,每個(gè)濾波器與天線口耦合。
26.一種通訊裝置,包括根據(jù)權(quán)利要求22到25任意一個(gè)權(quán)利要求所述的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置。
27.一種介電濾波器,包括層壓在一起的第一,第二和第三介電襯底,第一,第二和第三介電襯底的至少一個(gè)包括與其他部分具有不同的相對介電常數(shù)的部分;在第一介電襯底上的諧振器電極,彼此相互電磁耦合;在第二介電襯底上用于耦合諧振器電極的級間耦合電容器電極;和在第三介電襯底上用于輸入和輸出信號到諧振器電極的輸入/輸出耦合電容器電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在一端具有短路端,在另一端具有開口端。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在開口斷具有寬的部分。
30.根據(jù)權(quán)利要求27的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在兩端都具有開口端。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的介電濾波器,其中每個(gè)諧振器電極在至少一個(gè)開口端具有寬的部分。
32.根據(jù)權(quán)利要求27的介電濾波器,其中至少一個(gè)諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極以至少含有金,銀和銅之一的導(dǎo)電性膠的印刷圖案形成。
33.根據(jù)權(quán)利要求27的介電濾波器,其中至少一個(gè)諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極以至少含有金,銀和銅之一的金屬箔形成。
34.根據(jù)權(quán)利要求27的介電濾波器,其中每個(gè)第一和第二介電襯底包括位于每個(gè)諧振器電極中心的第一介電部分;和位于每個(gè)諧振器電極兩側(cè)的第二介電部分,該第二介電部分具有比第一介電部分低的相對介電常數(shù)。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的介電濾波器,其中級間耦合電容器電極位于第二介電襯底的第二介電部分,其中第三介電襯底包括第二介電區(qū)域,和其中輸入/輸出耦合電容器電極位于第三介電襯底的第二介電部分。
36.根據(jù)權(quán)利要求34的介電濾波器,其中第一介電部分由Bi-Ca-Nb-O基,Ba-Ti-O基和Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作,和其中第二介電部分由鎂橄欖石和硼硅酸鋁玻璃之一的陶瓷材料制作。
37.一種制作介電濾波器的方法,包括步驟通過層壓第一介電材料和具有比第一介電材料更低的介電常數(shù)的第二介電材料來提供復(fù)合介電塊;與層壓第一和第二介電材料的方向并行地通過對復(fù)合介電塊進(jìn)行切片提供復(fù)合介電襯底;在復(fù)合介電襯底上分別提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極;和層壓具有級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的復(fù)合介電襯底。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的方法,其中提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的所述步驟包括子步驟通過至少包含金,銀和銅之一的導(dǎo)電性膠的印刷圖案形成至少一個(gè)級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極。
39.根據(jù)權(quán)利要求37的方法,其中提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的所述步驟包括子步驟通過至少包含金、銀和銅之一的金屬箔形成至少一個(gè)級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極。
40.根據(jù)權(quán)利要求37的方法,其中第一介電材料由Bi-Ca-Nb-O基,Ba-Ti-O基,和Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作,和其中第二介電材料由鎂橄欖石和硼硅酸鋁玻璃之一的陶瓷材料制作。
41.一種制作介電濾波器的方法,包括步驟通過層壓生片形式的第一介電材料和具有比第一介電材料更低的介電常數(shù)的生片形式的第二介電材料來提供生片形式的復(fù)合介電塊;與層壓第一和第二介電材料的方向并行地通過對生片形式的復(fù)合介電塊進(jìn)行切片提供生片形式的復(fù)合介電襯底;在生片形式的復(fù)合介電襯底上分別提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極;和層壓具有級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的生片形式的復(fù)合介電襯底。對層壓的生片形式的復(fù)合介電襯底進(jìn)行燒制。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的方法,其中提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的所述步驟包括子步驟通過至少包含金、銀和銅之一的導(dǎo)電性膠的印刷圖案形成至少級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極之一。
43.根據(jù)權(quán)利要求41的方法,其中提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的所述步驟包括子步驟通過至少包含金、銀和銅之一的金屬箔形成至少一個(gè)級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極。
44.根據(jù)權(quán)利要求41的方法,其中第一介電材料由Bi-Ca-Nb-O基,Ba-Ti-O基和Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作,和其中第二介電材料由鎂橄欖石和硼硅酸鋁玻璃之一的陶瓷材料制作。
45.一種制作介電濾波器的方法,包括步驟通過層壓生片形式的第一介電材料和具有比第一介電材料更低的介電常數(shù)的生片形式的第二介電材料來提供生片形式的陶瓷介電塊;與層壓第一和第二介電材料方向并行地通過對生片形式的復(fù)合陶瓷介電塊進(jìn)行切片來提供多個(gè)生片形式的復(fù)合介電襯底;對生片形式的復(fù)合介電襯底進(jìn)行燒制;在燒制的復(fù)合介電襯底上提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極;和層壓具有級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的復(fù)合介電襯底。
46.根據(jù)權(quán)利要求45的方法,其中層壓復(fù)合介電襯底的所述步驟包括子步驟用含熱固性樹脂的樹脂材料相互粘結(jié)復(fù)合介電襯底。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的方法,其中樹脂材料是含有無機(jī)填充物的復(fù)合材料。
48.根據(jù)權(quán)利要求45的方法,其中層壓復(fù)合介電襯底的所述步驟包括子步驟用低熔點(diǎn)的玻璃掠過(glass flit)的熱量來粘結(jié)復(fù)合介電襯底。
49.根據(jù)權(quán)利要求45的方法,其中提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的所述步驟包括子步驟通過至少包含金,銀和銅之一的導(dǎo)電性膠的印刷圖案來提供至少級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極之一。
50.根據(jù)權(quán)利要求45的方法,其中提供級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極的所述步驟包括子步驟通過至少包含金,銀和銅之一的金屬箔來提供至少級間耦合電容器電極、諧振器電極和輸入/輸出耦合電容器電極之一。
51.根據(jù)權(quán)利要求45的方法,其中第一介電材料由Bi-Ca-Nb-O基,Ba-Ti-O基和Zr(Mg,Zn,Nb)Ti-Mn-O基之一的陶瓷材料制作,和其中第二介電材料由鎂橄欖石和硼硅酸鋁玻璃之一的陶瓷材料制作。
52.一種天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置包括一天線口;第一濾波器,包括根據(jù)權(quán)利要求27到36任意一個(gè)權(quán)利要求所述的介電濾波器,且與天線口耦合;和與天線口耦合的第二濾波器。
53.一種天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置包括一天線口;第一濾波器,包括根據(jù)權(quán)利要求27到36任一權(quán)利要求所述的介電濾波器,且與天線口耦合;和第二濾波器,包括根據(jù)權(quán)利要求27到36任一權(quán)利要求所述的介電濾波器,且與天線口連接。
54.一種通訊裝置,包括根據(jù)權(quán)利要求52或53所述的天線收發(fā)轉(zhuǎn)換裝置。
55.一種通訊裝置,包括根據(jù)權(quán)利要求27到36任一權(quán)利要求所述的介電濾波器。
全文摘要
一種介電濾波器分別包括諧振器電極,級間耦合電容器電極和輸入/輸出耦合電容器電極。諧振器電極彼此電磁耦合形成三片結(jié)構(gòu),它由嵌入在諧振器介電襯底中的金屬箔制作。另一種介電濾波器包括上部屏蔽電極介電襯底,級間耦合電容器介電襯底,諧振器介電襯底和輸入/輸出耦合電容器介電襯底,它們由包括高介電常數(shù)的材料和低介電常數(shù)的材料的復(fù)合介電材料制作。上述排列提供了具有改善的諧振器Q因數(shù),低損失和高衰減的介電濾波器。
文檔編號H01P1/203GK1457527SQ02800508
公開日2003年11月19日 申請日期2002年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月2日
發(fā)明者前川智哉, 菅谷康博, 山田徹, 石崎俊雄 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
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