專利名稱：小變比sf的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種小變比SF6氣體絕緣電流互感器，是變比低于100A/5A或1A的SF6氣體絕緣電流互感器。
式中ZL、l、f、μ、S、k均為恒量，繞組二次阻抗ZZ與N2有關(guān)，但是通常ZL＞ZZ，即安匝數(shù)越高誤差越小(見趙修民，《測量用互感器》，機(jī)械工業(yè)出版社，1986年12月，“電流互感器”)。
由于SF6氣體絕緣結(jié)構(gòu)的特殊性，以往的SF6氣體絕緣電流互感器的安匝數(shù)一般都在400-600AT以上，對于小變比電流互感器(如50/5、1A，甚至20/5、1A，5/5、1A)的要求，因不能滿足誤差要求(如0.2級(jí))而無法提供出來(見上海MWB互感器有限公司、廣東中山和泰機(jī)電廠、西安開關(guān)廠及ABB公司、雷茲公司等中外主要SF6氣體絕緣電流互感器制造商產(chǎn)品樣本)。對于110kV及以下電網(wǎng)，小變比電流互感器的數(shù)量占產(chǎn)品的絕大多數(shù)，不得不采用易燃燒、可能產(chǎn)生爆炸的油浸式電流互感器或者用抗紫外線能力差、易老化的澆注電流互感器、現(xiàn)有的SF6氣體絕緣電流互感器多匝一次繞組均繞制在外側(cè)，且匝數(shù)不超過四匝，不僅聯(lián)接不方便，還受環(huán)境條件(紫外線、淋雨、污穢、鹽霧等)影響，一次繞組絕緣存在龜裂、老化等缺陷。
為了實(shí)現(xiàn)上述新型目的，在SF6氣體絕緣電流互感器的軀殼內(nèi)增加一個(gè)屏蔽夾層，根據(jù)不同的變比要求在夾層中繞制一次繞組，這樣可以提高安匝以滿足誤差的要求。由于一次繞組在軀殼體內(nèi)，克服了一次繞組繞制在軀殼外側(cè)受紫外線影響的缺點(diǎn)，比較好的解決了繞組間的絕緣問題(一次繞組繞制在軀殼外側(cè)還容易造成短路)。電網(wǎng)發(fā)生短路時(shí)，夾層中的一次繞組受電動(dòng)力影響向外側(cè)(軀殼)作用，故夾層(屏蔽罩)受到的機(jī)械力較小。一次繞組的引出部分沒有動(dòng)密封，密封性能好。本實(shí)用新型具有如下技術(shù)效果①使SF6氣體絕緣電流互感器的變比延伸到5/5A或1A；②可提高SF6氣體絕緣電流互感器的安匝數(shù)，即可減小鐵芯截面積(即減少鐵芯體積和重量)，降低成本，又可減小其誤差，滿足準(zhǔn)確級(jí)要求；③一次繞組在軀殼內(nèi)部，絕緣不受紫外線及其他外力影響，提高了電流互感器運(yùn)行的可靠性；④一次繞組沒有動(dòng)密封面，有利于提高產(chǎn)品的密封性能。
本實(shí)用新型可用于各種電壓等級(jí)氣體絕緣電流互感器中，特別適合110kV及以下電壓等級(jí)產(chǎn)品，包括35kV、20kV、10kV和6kV，還可應(yīng)用于SF6氣體絕緣結(jié)構(gòu)組合互感器之中。


圖1為本實(shí)用新型用于三通結(jié)構(gòu)(同軸軀殼)SF6氣體絕緣電流互感器的結(jié)構(gòu)圖；圖2為本實(shí)用新型用于柱式結(jié)構(gòu)(鐘罩軀殼)SF6氣體絕緣電流互感器的結(jié)構(gòu)圖。
其它部分，如二次繞組6、二次繞組屏蔽罩5等的設(shè)計(jì)、制造和工藝與傳統(tǒng)方式相同。低電位(即二次繞組屏蔽罩5)與高電位(即一次繞組屏蔽7)之間用SF6氣體12作為絕緣介質(zhì)，氣體壓力一般可取0.45～0.5MPa、0.35～0.4MPa、0.2～0.25MPa和0.1～0.15MPa等多個(gè)選擇范圍。
圖1為本實(shí)用新型用于三通結(jié)構(gòu)即同軸軀殼時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2則為用于柱式結(jié)構(gòu)即鐘罩軀殼時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2，2為接線板，4為端法蘭，11為緊固件，15為絕緣堵頭，16、18為墊圈，17為螺栓，19為彈簧墊圈，這些均與現(xiàn)有技術(shù)相同。
權(quán)利要求1.一種小變比SF6氣體絕緣電流互感器，其軀殼(8)內(nèi)設(shè)有二次繞組(6)，該二次繞組外套有二次繞組屏蔽罩(5)，其特征在于軀殼(8)上裝有一次繞組屏蔽罩(7)，一次繞組(9)穿過中心均勻分布在軀殼(8)與一次繞組屏蔽罩(7)之間的夾層中，其兩端分別與二個(gè)一次接線端子(1、14)相聯(lián)，一次繞組(9)設(shè)有絕緣套，它與二次繞組屏蔽罩(5)之間充有SF6氣體。
專利摘要一種小變比SF
文檔編號(hào)H01F38/28GK2572527SQ0227932
公開日2003年9月10日 申請日期2002年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月24日
發(fā)明者王曉琪, 葉國雄, 余春雨, 郭克勤, 彭旭東, 李曉林, 陳心佳 申請人:武漢高壓研究所