專利名稱：高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種具有凹穴型態(tài)散熱塊(cavity type heat sink)的高散熱效率封裝結(jié)構(gòu)。


圖1為公知凸塊晶片承載器封裝的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。請參照圖1，凸塊承載器封裝主要是由一晶片100、一黏著膠104、多條焊線106、多個(gè)終端108以及一封裝膠體110所構(gòu)成。其中，晶片100上具有多個(gè)導(dǎo)電焊墊102，且晶片100配置在黏著膠104上。晶片100上的導(dǎo)電焊墊102通過焊線106與終端108電性連接，而封裝膠體110是用以包覆晶片100以及焊線106。此外，黏著膠104會暴露在封裝膠體110外，以提升封裝體的散熱能力，而終端108亦會暴露于封裝膠體110外，通過終端108可使得晶片100與其它組件或主機(jī)板電性連接。此種封裝結(jié)構(gòu)中，必須借助化學(xué)蝕刻的方式將黏著膠104暴露并制作出終端108，故工藝較為繁瑣。
圖2為公知四方扁平無引腳封裝的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。請參照圖2，四方扁平無引腳封裝主要是由一晶片200、一黏著膠204、多條焊線(bonding wire)206a、多條焊線206b、一導(dǎo)線架208，以及一封裝膠體210所構(gòu)成。其中，導(dǎo)線架208包括一晶片座208a以及多個(gè)引腳208b，而晶片200上具有多個(gè)導(dǎo)電焊墊202。晶片200通過黏著膠204配置于晶片座208a上，且晶片200上部份的導(dǎo)電焊墊202會通過焊線206b與引腳208b電性連接，而部份的導(dǎo)電焊墊202會通過焊線206a與晶片座208a電性連接，且通常為接地狀態(tài)。封裝膠體210是用以包覆晶片200、黏著膠204以及焊線206a、206b，并使晶片座208a與引腳208b暴露在封裝膠體210外。晶片座208a暴露在封裝膠體210外可提升封裝體的散熱能力，而引腳208b暴露于封裝膠體210有利于與其它組件或主機(jī)板電性連接。
圖3為公知導(dǎo)線架型封裝的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。請參照圖3，導(dǎo)線架型封裝主要是由一晶片300、一黏著膠304、多條焊線306、一導(dǎo)線架308，以及一封裝膠體310所構(gòu)成。其中，導(dǎo)線架308包括一晶片座308a以及多個(gè)引腳308b，而晶片300上具有多個(gè)導(dǎo)電焊墊302。晶片300通過黏著膠304配置于晶片座308a上，且晶片300上的導(dǎo)電焊墊302會通過焊線306與引腳308b電性連接。封裝膠體310是用以包覆晶片300、黏著膠304、焊線306、晶片座308a以及部份的引腳308b。因此，暴露于封裝膠體31外的引腳308b可與其它載具電性連接。此種封裝結(jié)構(gòu)必須通過引腳或是以外加散熱塊(heat sink)的方式將熱導(dǎo)至外界，故其散熱效率不甚理想。
上述各種封裝體中所使用的晶片皆為焊線晶片(wire bondingchip)，且都是通過焊線達(dá)到電性連接的目的，焊線不但使封裝體的厚度無法有效縮減，且其與覆晶封裝技術(shù)相較，并無法提供較短的導(dǎo)電路徑。此外，若焊線晶片要以覆晶技術(shù)進(jìn)行封裝時(shí)，必須經(jīng)過重配置(redistribution)方可實(shí)施，但晶片在經(jīng)過重配置之后，常會有線路長度(circuit length)增加以及寄生電感較高等問題產(chǎn)生。
為達(dá)本實(shí)用新型的上述目的，提出一種高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其主要是由一散熱塊、一承載器、一黏著膠、多個(gè)第一電性接點(diǎn)、晶片、多個(gè)第二電性接點(diǎn)以及一封裝膠體所構(gòu)成。其中，散熱塊具有一凹穴，承載器配置于散熱塊上，由于散熱塊具有凹穴的緣故，承載器對應(yīng)于凹穴處具有一凹陷的晶片容納空間。散熱塊與承載器之間則是通過黏著膠來連接，黏著膠具有多個(gè)用以配置第一電性接點(diǎn)的開口，通過第一電性接點(diǎn)使得散熱塊與承載器上的部分區(qū)域(如接地引腳、晶片座等)電性連接。晶片配置于承載器上的晶片容納空間中，其通過第二電性接點(diǎn)與承載器電性連接。封裝膠體則配置于晶片容納空間中，以將晶片與凹穴型承載器固著成一體。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，位于黏著膠中的第一電性接點(diǎn)例如為焊球(solder ball)，而用以將晶片與承載器電性連接的第二電性接點(diǎn)例如為金凸塊或是錫鉛凸塊等金屬凸塊，其中金凸塊例如是通過打線機(jī)所形成的金凸塊(gold stud bump)，或是通過電鍍工藝所形成的金凸塊。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，承載器例如為一導(dǎo)線架，而此導(dǎo)線架例如是由一晶片座以及多個(gè)配置于晶片座外圍的引腳所構(gòu)成。其中，每一個(gè)引腳可分為內(nèi)引腳以及外引腳兩部分，且晶片座與外引腳位于不同平面(高度)上，如此即構(gòu)成上述的晶片容納空間。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，散熱塊通過黏著膠中的第一電性接點(diǎn)與導(dǎo)線架上的晶片座以及部分引腳(如接地引腳)電性連接，故散熱塊可借此方式達(dá)到接地的目的。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)線架上的晶片座與晶片的主動(dòng)表面之間例如配置有一黏著膠。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，承載器例如為一貼帶式承載器，而此貼帶式承載器例如是由一貼帶、一晶片座以及多個(gè)配置于晶片座外圍的引腳所構(gòu)成。其中，晶片座與引腳皆是配置于貼帶上，且每一個(gè)引腳可分為內(nèi)引腳以及外引腳兩部分，此外，晶片座與外引腳位于不同平面(高度)上，如此即構(gòu)成上述的晶片容納空間。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，散熱塊通過黏著膠中的第一電性接點(diǎn)與貼帶式承載器上的晶片座以及部分引腳(如接地引腳)電性連接，故散熱塊可借此方式達(dá)到接地的目的。
本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，晶片例如可直接使用焊線晶片或是覆晶晶片，而在晶片的主動(dòng)表面與貼帶式承載器的晶片座之間例如配置有一黏著膠。
另提出一種封裝工藝包括下列步驟(a)提供一具有凹穴的散熱塊、(b)形成一具有多個(gè)開口的黏著膠于散熱塊上、(c)形成多個(gè)第一電性接點(diǎn)于黏著膠的開口中、(d)提供一承載器，并將承載器通過黏著膠貼附于散熱塊上，其中承載器對應(yīng)于凹穴處具有一凹陷的晶片容納空間、(e)提供一晶片，此晶片具有一主動(dòng)表面，且主動(dòng)表面上配置有多個(gè)導(dǎo)電焊墊、(f)于晶片的導(dǎo)電焊墊上形成多個(gè)第二電性接點(diǎn)、(g)將晶片配置于晶片容納空間內(nèi)，并進(jìn)行一熱壓合工藝，以使得晶片與承載器之間通過第二電性接點(diǎn)電性連接，以及(h)進(jìn)行一灌膠工藝，將一封裝膠體灌入該晶片容納空間中。
本實(shí)用新型的封裝工藝中，所使用的承載器例如為一導(dǎo)線架或是一貼帶式承載器，晶片例如為一焊線晶片或是一覆晶晶片，而第二電性接點(diǎn)例如是金凸塊或是錫鉛凸塊等金屬凸塊，其中金凸塊例如是通過打線機(jī)所形成的金凸塊(gold stud bump)，或是通過電鍍工藝所形成的金凸塊。
本實(shí)用新型的封裝工藝中，在步驟(g)該晶片配置于該晶片容納空間之前，例如可提供一黏著膠，并將黏著膠配置于晶片的主動(dòng)表面上，以使得晶片的主動(dòng)表面可以通過黏著膠以及承載器與散熱塊電性連接。此外，在步驟(h)灌膠工藝之后，例如可再進(jìn)行一切割工藝，以形成封裝單體。
圖8為圖7F中的高散熱效率封裝結(jié)構(gòu)組裝于印刷電路板上的示意圖；以及圖9A至圖9C為依照本實(shí)用新型第二實(shí)施例中貼帶式承載器的示意圖。
100、200、300晶片102、202、302導(dǎo)電焊墊104、204、304黏著膠106、206a、206b、306焊線108終端110、210、310封裝膠體208、308導(dǎo)線架208a、308a晶片座208b、308b引腳400散熱塊402凹穴404黏著膠404a開口406a、406b第一電性接點(diǎn)408晶片408a主動(dòng)表面410導(dǎo)電焊墊412第二電性接點(diǎn)
414黏著膠416封裝膠體500導(dǎo)線架502晶片座504引腳504a內(nèi)引腳504b外引腳506晶片容納空間600導(dǎo)熱墊602第三電性接點(diǎn)700印刷電路板800貼帶式承載器802貼帶804晶片座806引腳806a內(nèi)引腳806b外引腳808晶片容納空間810開孔圖4A至圖4F為依照本實(shí)用新型第一實(shí)施例中高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)的制作流程剖面圖。首先請參照圖4A，提供一散熱塊400，散熱塊400具有一凹穴402。接著提供一黏著膠404，并將其配置于具有凹穴402的散熱塊400上。其中，黏著膠404具有多個(gè)開口404a。
接著請參照圖4B，于黏著膠404的開口404a中形成第一電性接點(diǎn)406a、406b。其中，第一電性接點(diǎn)406a、406b例如略微突出黏著膠404的表面，以利后續(xù)與組件或主機(jī)板(未繪示)電性連接。
接著請參照圖4C，提供一承載器，本實(shí)施例所使用的承載器例如為一導(dǎo)線架500，導(dǎo)線架500主要是由一晶片座502以及多個(gè)環(huán)繞于晶片座502周圍的引腳504所構(gòu)成，其中引腳504可分為內(nèi)引腳504a與外引腳504b兩部分。此外，導(dǎo)線架500的引腳504中有部分為接地的引腳(ground lead)，這些接地的引腳504便可通過第一電性接點(diǎn)406b與散熱塊400電性連接，而導(dǎo)線架500的晶片座502則可通過第一電性接點(diǎn)406a與散熱塊400電性連接。
同樣請參照圖4C，由于散熱塊400具有一凹穴402，故導(dǎo)線架500對應(yīng)于凹穴402的位置會具有一晶片容納空間506，此晶片容納空間506的深度可針對所欲封裝的晶片進(jìn)行設(shè)計(jì)。
接著請參照圖4D，提供一晶片408，此晶片408直接使用一般的焊線晶片或是一覆晶晶片，晶片408具有一主動(dòng)表面408a，而主動(dòng)表面408a則配置有多個(gè)導(dǎo)電焊墊410。接著于晶片408的導(dǎo)電焊墊410上形成第二電性接點(diǎn)412，此第二電性接點(diǎn)412例如是金凸塊或是錫鉛凸塊等金屬凸塊，其中金凸塊例如是通過打線機(jī)所形成的金凸塊(gold stud bump)，或是通過電鍍工藝所形成的金凸塊，此外，亦可于晶片408的主動(dòng)表面408a上配置一黏著膠414。之后進(jìn)行一熱壓合工藝，以將晶片408與導(dǎo)線架500電性連接，在熱壓合的過程中，晶片408會通過第二電性接點(diǎn)412與導(dǎo)線架500上的內(nèi)引腳504a電性連接，而晶片408的主動(dòng)表面408亦會通過黏著膠414、晶片座502及第一電性接點(diǎn)406a與散熱塊400電性連接。
接著請參照圖4E，在熱壓合工藝之后，接著進(jìn)行一灌膠工藝，以將一封裝膠體416填入晶片容納空間506中，而通過封裝膠體416即可將晶片408與導(dǎo)線架500固著成一體。
接著請參照圖4F，在進(jìn)行灌膠工藝之后，接著進(jìn)行一切割工藝，將多余的部分移除以形成一封裝單體。
圖5為圖4F中的高散熱效率封裝結(jié)構(gòu)組裝于印刷電路板上的示意圖。請參照圖5，由圖中可知，上述的封裝單體(圖4F)配置于一印刷電路板700上，通過印刷電路板700作為其承載器。其中，印刷電路板700與導(dǎo)線架500的外引腳504b電性連接，使得晶片408可通過導(dǎo)線架500以及印刷電路板700達(dá)到構(gòu)裝的目的。
本實(shí)施例中，印刷電路板700與導(dǎo)線架500的外引腳504b之間例如通過電性接點(diǎn)602作為電性連接的媒介，其中第三電性接點(diǎn)602例如是錫鉛合金(solder paste)。此外，印刷電路板700與晶片408之間例如配置有一導(dǎo)熱墊600，此導(dǎo)熱墊600用將晶片408背面的熱傳導(dǎo)至印刷電路板700之后進(jìn)行散熱，以進(jìn)一步提升封裝單體的散熱能力。
圖6為依照本實(shí)用新型第一實(shí)施例中導(dǎo)線架的示意圖。請參照圖6，由圖式可知，引腳504可區(qū)分為內(nèi)引腳504a與外引腳504b兩部分。其中，部份內(nèi)引腳504a與晶片座502的連接處例如可以采用去腳(lead break)的設(shè)計(jì)，此去腳設(shè)計(jì)將可使得內(nèi)引腳504a與晶片座502之間在分離上的處理更為容易。上述之去腳設(shè)計(jì)在后續(xù)的工藝中將會被移除，以使得內(nèi)引腳504a與晶片座502之間不會因此而短路。
第二實(shí)施例圖7A至圖7F為依照本實(shí)用新型第二實(shí)施例中高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)的制作流程剖面圖。首先請參照圖7A，提供一散熱塊400，散熱塊400具有一凹穴402。接著提供一黏著膠404，并將其配置于具有凹穴402的散熱塊400上。其中，黏著膠404具有多個(gè)開口404a。
接著請參照圖7B，于黏著膠404的開口404a中形成第一電性接點(diǎn)406a、406b。其中，第一電性接點(diǎn)406a、406b例如略微突出黏著膠404的表面，以利后續(xù)與組件或主機(jī)板(未繪示)電性連接。
接著請參照圖7C，提供一承載器，本實(shí)施例所使用的承載器例如為一貼帶式承載器800，貼帶式承載器800主要是由一貼帶802、一晶片座804以及多個(gè)環(huán)繞于晶片座804周圍的引腳806所構(gòu)成，其中引腳806可分為內(nèi)引腳806a與外引腳806b兩部分。此外，貼帶式承載器800的引腳806中有部分為接地的引腳，這些接地的引腳806便可通過第一電性接點(diǎn)406a與散熱塊400電性連接，而貼帶式承載器800的晶片座804則可通過第一電性接點(diǎn)406b與散熱塊400電性連接。
同樣請參照圖7C，由于散熱塊400具有一凹穴402，故貼帶式承載器800對應(yīng)于凹穴402的位置會具有一晶片容納空間808，此晶片容納空間808的深度可針對所欲封裝的晶片進(jìn)行設(shè)計(jì)。
接著請參照圖7D，提供一晶片408，此晶片408直接使用一般的焊線晶片或是一覆晶晶片，晶片408具有一主動(dòng)表面408a，而主動(dòng)表面408a則配置有多個(gè)導(dǎo)電焊墊410。接著于晶片408的導(dǎo)電焊墊410上形成第二電性接點(diǎn)412，此第二電性接點(diǎn)412例如是金凸塊或是錫鉛凸塊等金屬凸塊，其中金凸塊例如是通過打線機(jī)所形成的金凸塊，或是通過電鍍工藝所形成的金凸塊，此外，亦可于晶片408的主動(dòng)表面408a上配置一黏著膠414。之后進(jìn)行一熱壓合工藝，以將晶片408與貼帶式承載器800電性連接，在熱壓合的過程中，晶片408會通過第二電性接點(diǎn)412與貼帶式承載器800上的內(nèi)引腳806a電性連接，而晶片408的主動(dòng)表面408亦會通過黏著膠414、晶片座804及第一電性接點(diǎn)406a與散熱塊400電性連接。
接著請參照圖7E，在熱壓合工藝之后，接著進(jìn)行一灌膠工藝，以將一封裝膠體416填入晶片容納空間808中，而通過封裝膠體416即可將晶片408與貼帶式承載器800固著成一體。
接著請參照圖7F，在進(jìn)行灌膠工藝之后，接著進(jìn)行一切割工藝，將多余的部分移除以形成一封裝單體。
圖8為圖7F中的高散熱效率封裝結(jié)構(gòu)組裝于印刷電路板上的示意圖。請參照圖8，由圖中可知，上述的封裝單體(圖7F)配置于一印刷電路板700上，通過印刷電路板700作為其承載器。其中，印刷電路板700與貼帶式承載器800的外引腳806b電性連接，使得晶片408可通過貼帶式承載器800以及印刷電路板700達(dá)到構(gòu)裝的目的。
本實(shí)施例中，印刷電路板700與貼帶式承載器800的外引腳806b之間例如通過電性接點(diǎn)602作為電性連接的媒介，其中第三電性接點(diǎn)602例如是錫鉛合金。此外，印刷電路板700與晶片408之間例如配置有一導(dǎo)熱墊600，此導(dǎo)熱墊600用將晶片408背面的熱傳導(dǎo)至印刷電路板700之后進(jìn)行散熱，以進(jìn)一步提升封裝單體的散熱能力。
圖9A至圖9C為依照本實(shí)用新型第二實(shí)施例中貼帶式承載器的示意圖。請同時(shí)參照圖9A、圖9B與圖9C，引腳806可區(qū)分為內(nèi)引腳806a與外引腳806b兩部分。其中，部份內(nèi)引腳806a與晶片座804的連接處例如可以采用去腳的設(shè)計(jì)，此去腳設(shè)計(jì)將可使得內(nèi)引腳806a與晶片座804之間在分離上的處理更為容易。上述的去腳設(shè)計(jì)在后續(xù)的工藝中將會被移除，以使得內(nèi)引腳806a與晶片座804之間不會因此而短路。
在圖9A中，貼帶式承載器800上的開孔位置對應(yīng)于晶片座804，以使得晶片座804可以直接接地，而在圖9B與圖9C中，貼帶式承載器800的引腳806設(shè)計(jì)晶片座804與內(nèi)引腳806a下方皆有貼帶802支撐，且在晶片座804下方的貼帶802具有多個(gè)開孔810，透過這些開孔810可以使得晶片座804接地。此外，在圖9C中，貼帶式承載器800上的外引腳806b末端采用連接墊(connecting pad)812的設(shè)計(jì)。
綜上所述，本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)及其工藝至少具有下列優(yōu)點(diǎn)
1.本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)使用導(dǎo)線架與貼帶式承載器，不但面積小且厚度低，故十分符合小型化的需求。
2.本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，散熱片經(jīng)由電性接點(diǎn)達(dá)到接地的目的，且比晶片稍大的散熱塊具有良好的電磁干擾遮蔽效果(EMI shielding)。
3.本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，不需使用到焊線作為電性連接的媒介，使得封裝體積縮小。
4.本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)不但可將覆晶晶片，亦可直接將現(xiàn)行的繞線晶片與導(dǎo)線架電性連接，無須再進(jìn)行重配置，可進(jìn)一步減少線路長度增加以及寄生電感的問題，同時(shí)可以縮短新晶片開發(fā)的時(shí)間和成本。
5.本實(shí)用新型的封裝工藝以覆晶方式搭配上成熟的熱壓合技術(shù)取代打線技術(shù)，不但合格率高、信賴性佳，且導(dǎo)電路徑的縮短使得封裝體的線性表現(xiàn)十分良好。
6.本實(shí)用新型的封裝工藝中，貼帶式承載器與晶片接合時(shí)可以不使用焊料(solder material)，故凸塊間距(bump pitch)可縮減至約45微米。
7.本實(shí)用新型的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)中，貼帶式承載器可以設(shè)計(jì)為各種不同的型態(tài)，可承載各種不同晶片。
權(quán)利要求1.一種高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，包括一散熱塊，該散熱塊具有一凹穴；一承載器，配置于該散熱塊上，其中該承載器對應(yīng)于該凹穴處具有一凹陷的晶片容納空間；一黏著膠，配置于該散熱塊與該承載器之間，其中該黏著膠具有多個(gè)開口；多個(gè)第一電性接點(diǎn)，配置于該些開口中，該承載器與該散熱塊電性連接；一晶片，配置于該晶片容納空間中，其中該晶片具有一主動(dòng)表面，且該主動(dòng)表面上配置有多個(gè)導(dǎo)電焊墊；以及多個(gè)第二電性接點(diǎn)，配置于該些導(dǎo)電焊墊與該承載器之間，該晶片與該承載器電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該承載器為一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架包括一晶片座；以及多個(gè)引腳，配置于該晶片座的外圍，其中每一該些引腳由一內(nèi)引腳與一外引腳所構(gòu)成，且該晶片座與該些外引腳位于不同平面上，以構(gòu)成該晶片容納空間。
3.如權(quán)利要求2所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該晶片座通過該些第一電性接點(diǎn)與該散熱塊電性連接。
4.如權(quán)利要求2所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，部分該些引腳通過該些第一電性接點(diǎn)與該散熱塊電性連接。
5.如權(quán)利要求2所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，更包括一黏著膠，該黏著膠配置于該晶片座與該晶片的該主動(dòng)表面之間。
6.如權(quán)利要求1所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該承載器為一貼帶式承載器，該貼帶式承載器包括一貼帶；一晶片座，配置于該貼帶上；以及多個(gè)引腳，配置于該貼帶上該晶片座的外圍，其中每一該些引腳具有一內(nèi)引腳與一外引腳，且該晶片座與該些外引腳位于不同平面上，構(gòu)成該晶片容納空間。
7.如權(quán)利要求6所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，該晶片座通過該些第一電性接點(diǎn)與該散熱塊電性連接。
8.如權(quán)利要求6所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，部分該些引腳通過該些第一點(diǎn)性接點(diǎn)與該散熱塊電性連接。
9.如權(quán)利要求6所述的高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，其特征是，更包括一黏著膠，該黏著膠配置于該晶片座與該晶片的該主動(dòng)表面之間。
專利摘要一種高散熱效率的封裝結(jié)構(gòu)，主要將晶片(焊線晶片或覆晶晶片)以覆晶方式搭配熱壓合技術(shù)與一具有晶片容納空間的承載器(導(dǎo)線架、貼帶式承載器等)電性連接，之后再通過封裝膠體將晶片與承載器固著成一體。所形成的晶片尺寸封裝結(jié)構(gòu)具有封裝體積小、散熱良好、可遮蔽電磁干擾，以及電性表現(xiàn)佳等優(yōu)勢。
文檔編號H01L23/12GK2575844SQ02252358
公開日2003年9月24日 申請日期2002年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月29日
發(fā)明者何昆耀, 宮振越 申請人:威盛電子股份有限公司