專利名稱：超小型芯片電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及陶瓷電容器，尤其涉及超小型芯片電容器。廣泛應(yīng)用在直流(DC)塊和射頻(RF)旁路，或在濾波器、振蕩器和匹配網(wǎng)絡(luò)中作為固定容量調(diào)整元件。
技術(shù)背景常規(guī)的片式陶瓷電容器要做到長(zhǎng)0.2×寬0.2×厚0.15mm，存在兩方面問(wèn)題，一是生坯薄，燒結(jié)時(shí)容易變形，難以控制瓷坯尺寸；二是瓷坯強(qiáng)度差，易碎，制作工藝太難。中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?6190228·0，發(fā)明名稱為《電介質(zhì)電容器及其制造方法》的目的在于提供顯示優(yōu)異的介電特性的電介質(zhì)電容器。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)制作超小型的固定容量電容器工藝?yán)щy的缺點(diǎn)，提供一種超小型芯片電容器，該超小型芯片電容器容易控制電容量和外形尺寸。
技術(shù)特征一種超小型芯片電容器，其特征在于，具備有用作襯底的硅單晶片1，形成于硅單晶片1的上部的二氧化硅介質(zhì)層2，形成于二氧化硅介質(zhì)層2的上部的鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層3，形成于導(dǎo)體層3上部的金的表面電極4，形成于硅單晶片1的下部的鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層5，形成于導(dǎo)體層5的下部的金的表面電極6。
所述超小型芯片電容器，其特征在于，具備鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層3和金的表面電極4的四周留邊7。
所述超小型芯片電容器，其特征在于，具備鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層3、5是通過(guò)蒸發(fā)、濺射形成的，金的表面電極4、6是通過(guò)蒸發(fā)、濺射形成的。
本實(shí)用新型超小型芯片電容器優(yōu)點(diǎn)如下1·采用硅單晶片介質(zhì)材料，由于硅單晶片強(qiáng)度高，不存在尺寸收縮等問(wèn)題，因此易于制作，易于控制產(chǎn)品的電容量和外形尺寸；2·產(chǎn)品的強(qiáng)度和質(zhì)量一致性均較好，上、下兩面電極為金材料，可焊性好，3·工作溫度范圍寬，-65℃～200℃。
4·外形尺寸可根據(jù)電容量的大小而定，靈活方便。外形尺寸小，最小可做到長(zhǎng)0.2mm×寬0.2mm×厚0.15mm。最大電容量可做到1000pF，利于本實(shí)用新型在生產(chǎn)中形成系列化。
5·低的插入損耗，0.04dB。
6·采用一面的四周留邊7結(jié)構(gòu)，提高了電容器的絕緣電阻和介質(zhì)耐電壓。
7·超小型芯片電容器已經(jīng)過(guò)本申請(qǐng)人試驗(yàn)，證明其性能優(yōu)于陶瓷電容器性能，通過(guò)試驗(yàn)表明，該超小型芯片電容器的插入損耗僅為同等陶瓷電容器的1/2～1/3，并無(wú)任何伴生振蕩。


圖1超小型芯片電容器的斷面圖。
圖2超小型芯片電容器的立體圖。
圖3超小型芯片電容器的俯視圖。
圖4超小型芯片電容器的仰視圖。
具體實(shí)施方式
見(jiàn)圖1，超小型芯片電容器的斷面圖。一種超小型芯片電容器，其特征在于，具備有用作襯底的硅單晶片1，形成于硅單晶片1的上部的二氧化硅介質(zhì)層2，形成于二氧化硅介質(zhì)層2的上部的鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層3，形成于導(dǎo)體層3上部的金的表面電極4，形成于硅單晶片1的下部的鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層5，形成于導(dǎo)體層5的下部的金的表面電極6。
見(jiàn)圖2超小型芯片電容器的立體圖、圖3超小型芯片電容器的俯視圖，所述超小型芯片電容器，其特征在于，具備上部鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層3和金的表面電極4的四周留邊7。鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層3、5是通過(guò)蒸發(fā)、濺射形成的，金的表面電極4、6是通過(guò)蒸發(fā)、濺射形成的。
見(jiàn)圖3，超小型芯片電容器的俯視圖，超小型芯片電容器外形尺寸小，最小可做到長(zhǎng)B 0.2mm×寬L 0.2mm×厚I 0.15mm。外形尺寸大的可以作到長(zhǎng)3.0mm×寬3.0mm×厚0.4mm。
見(jiàn)圖4，超小型芯片電容器的仰視圖，能夠看到金的表面電極6。超小型芯片電容器的基本結(jié)構(gòu)為硅單晶片1作襯底，采用半導(dǎo)體制作工藝，在硅單晶片1的一面附著一層二氧化硅介質(zhì)層2，上下兩面通過(guò)蒸發(fā)、濺射一層鉬或鎳后，再蒸發(fā)、濺射金作為電極，再切片制作成超小型芯片電容器。
權(quán)利要求1.一種超小型芯片電容器，其特征在于，具備有用作襯底的硅單晶片(1)，形成于硅單晶片(1)的上部的二氧化硅介質(zhì)層(2)，形成于二氧化硅介質(zhì)層(2)的上部的鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層(3)，形成于導(dǎo)體層(3)上部的金的表面電極(4)，形成于硅單晶片(1)的下部的鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層(5)，形成于導(dǎo)體層(5)的下部的金的表面電極(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超小型芯片電容器，其特征在于，具備鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層(3)和金的表面電極(4)的四周留邊(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超小型芯片電容器，其特征在于，具備鉬、鎳中的任一導(dǎo)體層(3、5)是通過(guò)蒸發(fā)、濺射形成的，金的表面電極(4、6)是通過(guò)蒸發(fā)、濺射形成的。
專利摘要超小型芯片電容器，廣泛應(yīng)用在直流DC塊和射頻RF旁路，或在濾波器、振蕩器和匹配網(wǎng)絡(luò)中作為固定容量調(diào)整元件。超小型芯片電容器的基本結(jié)構(gòu)為硅單晶片1作襯底，采用半導(dǎo)體制作工藝，在硅單晶片1的一面附著一層二氧化硅介質(zhì)層2，上下兩面通過(guò)蒸發(fā)、濺射一層鉬或鎳后，再蒸發(fā)、濺射金作為電極，再切片制作成超小型芯片電容器。介質(zhì)材料溫度系數(shù)小于50ppm/℃，寬的工作范圍－65℃～200℃；高的絕緣電阻達(dá)10
文檔編號(hào)H01G4/12GK2582132SQ0224459
公開(kāi)日2003年10月22日 申請(qǐng)日期2002年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月1日
發(fā)明者魏永霞 申請(qǐng)人:成都宏明電子股份有限公司