專利名稱：半導(dǎo)體激光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光器件，特別是涉及一種具有高功率的半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，由于光存儲(chǔ)介質(zhì)的速度的提高，比如CD-RW和DVD，因此就出現(xiàn)了對(duì)具有高功率的激光半導(dǎo)體設(shè)備的需要。
圖1是一種傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光二極管的芯片條(chip bar)的透視圖。一單一的半導(dǎo)體激光二極管包括一n型GaAs蓋層2，一有源層3，和一p型AlGaAs蓋層4連續(xù)地疊置在GaAs基底1上。一電流抑制層5形成在p型AlGaAs蓋層4的一側(cè)壁。一p型GaAs蓋層6疊置在p型AlGaAs蓋層4和電流抑制層5之上，一n型金屬層7形成在GaAs基底1的下面。一p型金屬層8形成在p型GaAs蓋層6之上。每一具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光二極管被排列以形成用于半導(dǎo)體激光二極管的芯片條。
從有源層3發(fā)射出來(lái)的激光束用于從CD-RW或DVD讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)。然而，當(dāng)半導(dǎo)體二極管的功率增加時(shí)，產(chǎn)生在小面中的大量光損失(COD)作為一嚴(yán)重的問(wèn)題而加劇。
當(dāng)一小面中存在缺陷或從有源層3產(chǎn)生的激光束沒(méi)有在小面充分反射而被吸收時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生大量光損失，從而激光束被轉(zhuǎn)換成熱量，并且熱量增加了半導(dǎo)體激光二極管的功率。如果半導(dǎo)體激光二極管的功率增加，更多的激光束就會(huì)在小面被吸收，因此半導(dǎo)體激光二極管在短時(shí)間內(nèi)就會(huì)被損害。
為了防止上述大量光損失，嘗試了各種方法，但是這些方法又引起新的問(wèn)題。
作為第一例子，有一種其中要在小面表面進(jìn)行硫磺處理的方法。然而，這種方法由于使用濕法處理會(huì)引起一種污染。
作為第二個(gè)例子，利用具有比有源層更高的帶隙的材料制造一非吸收層，以便有效地抑制COD。然而，利用一種雜質(zhì)來(lái)增加帶隙，必須要使用氣態(tài)的二甲基鋅作為一種主要成分。同樣地，為了僅僅把雜質(zhì)擴(kuò)散到一預(yù)定部分，掩模層是非常需要的。結(jié)果，由于附加的工藝過(guò)程數(shù)量增加，此方法在制造效率方面是不利的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是實(shí)現(xiàn)一種真正避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一種或多種問(wèn)題的半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體激光器件及其制造方法，其中減少了在小面中的光吸收，并且產(chǎn)生穩(wěn)定的高功率激光束。
本發(fā)明其它的優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在隨后的描述中進(jìn)行闡述，部分地對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言通過(guò)如下測(cè)試而明確，或通過(guò)對(duì)本發(fā)明實(shí)踐來(lái)學(xué)習(xí)。利用由下面的描述、權(quán)利要求及附圖所指出的特定結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它的優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)此處體現(xiàn)和記載的本發(fā)明的目的，一種半導(dǎo)體激光器件具有疊層結(jié)構(gòu)，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成，該半導(dǎo)體激光器件包括一形成在該疊層結(jié)構(gòu)的一小面上的鋅擴(kuò)散源層；和一設(shè)置在該鋅擴(kuò)散源層和該疊層結(jié)構(gòu)之間用于防止光的吸收的窗口層。
在本發(fā)明的另一方面中，一種半導(dǎo)體激光器件具有疊層結(jié)構(gòu)，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成，該半導(dǎo)體激光器件包括分別形成在該疊層結(jié)構(gòu)的一小面上和與該小面相對(duì)的一側(cè)上的一第一和一第二鋅擴(kuò)散源層；通過(guò)來(lái)自該第一和第二鋅擴(kuò)散源層的鋅的擴(kuò)散，在該疊層結(jié)構(gòu)上形成一第一和一第二窗口層；一形成在該第一鋅擴(kuò)散源層外表面上的反射抑制鏡層；和一形成在該第二鋅擴(kuò)散源層外表面上的高反射鏡層。
在本發(fā)明的另一方面中，提供一種用于制造具有疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器件的方法，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成。此方法包括步驟(1)分別在該疊層結(jié)構(gòu)的一小面上和與該小面相對(duì)的一側(cè)上形成第一和第二鋅擴(kuò)散源層；(2)在該第一鋅擴(kuò)散源層外表面上形成一反射抑制鏡層，并且在該第二鋅擴(kuò)散源層外表面上形成一高反射鏡層；以及(3)通過(guò)一熱處理將鋅由該第一和第二鋅擴(kuò)散源層擴(kuò)散到疊層結(jié)構(gòu)中。
本發(fā)明前面的概括性的描述和下面的詳細(xì)的描述是示范和解釋的，并且為如權(quán)利要求的本發(fā)明提供更進(jìn)一步的解釋。


用以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解而被包含的且被引入并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖，說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例，并結(jié)合描述解釋了本發(fā)明的要點(diǎn)。其中圖1是一種慣用半導(dǎo)體激光二極管芯片條的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的透視圖；圖3A和3B是用于示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造方法的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的截面圖；圖5A至5C是用于表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，說(shuō)明書(shū)將詳細(xì)介紹本發(fā)明的在附圖中作出說(shuō)明的最佳實(shí)施例。在所有的圖中，相同或者相似的部分將盡可能使用相同的附圖標(biāo)記。
一種根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器件的特征是在一小面上形成一鋅擴(kuò)散源層，并且鋅原子通過(guò)熱處理從該鋅擴(kuò)散源層擴(kuò)散，以形成一窗口層。
第一實(shí)施例圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的透視圖。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件，包括一n型GaAs蓋層22，一有源層23，和一p型AlGaAs蓋層24連續(xù)地形成在一GaAs基底21上，一形成在p型AlGaAs蓋層24兩側(cè)的電流阻斷層25，一形成在p型AlGaAs蓋層24和電流阻斷層25上的p型GaAs蓋層26，一形成在GaAs基底21下的n型金屬層27，和一形成在p型GaAs蓋層26上的p型金屬層28。此處，n型GaAs蓋層22，有源層23和p型AlGaAs蓋層24組成一用于產(chǎn)生激光束的諧振層。
另外，半導(dǎo)體激光器件進(jìn)一步包括一涂在一小面上的鋅擴(kuò)散源層29，和一通過(guò)來(lái)自鋅擴(kuò)散源層29的鋅原子的擴(kuò)散而形成的窗口層30。鋅擴(kuò)散源層29是由ZnS或ZnO以厚度為λ/4n或?yàn)棣?2n(λ發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n該鋅擴(kuò)散源層的折射率)形成。
此處，窗口層30被作為一非吸收層通過(guò)擴(kuò)散的鋅原子來(lái)阻止光的吸收，并且鋅擴(kuò)散源層29被用作一反射抑制鏡面或者一鈍化層。
下面介紹一種根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造方法。
圖3A和3B是用于表示一種根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造方法的截面圖。
首先，如圖3A所示，一n型GaAs蓋層22，一有源層23，和一p型AlGaAs蓋層24被順序地形成在一GaAs基底21上。p型AlGaAs蓋層24的兩邊緣都被蝕刻，從而只剩下中心部分以脊的形式存在。此后，一電流阻斷層25形成在具有脊形狀的p型AlGaAs蓋層24的兩側(cè)。
然后，一p型GaAs蓋層26形成在p型AlGaAs蓋層24和電流阻斷層25上。一n型金屬層27形成在GaAs基底21的下方，并且隨后一p型金屬層28形成在p型GaAs蓋層26上。此處，n型金屬層27和p型金屬層28被構(gòu)圖以便移走它們外邊緣的預(yù)定部分。上述工藝過(guò)程的結(jié)果是，形成了具有一具有許多層的疊層結(jié)構(gòu)200。
然后，將一鋅擴(kuò)散源層29涂在該疊層結(jié)構(gòu)的一小面上。鋅擴(kuò)散源層29與GaAs基底21，n型GaAs蓋層22，一有源層23，p型AlGaAs蓋層24，電流阻斷層25，和p型GaAs蓋層26接觸。
此時(shí)，鋅擴(kuò)散源層29是通過(guò)射頻濺射(RF sputtering)方法，等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉淀(PECVD)方法，E束蒸發(fā)方法(E-bearn evaporation)，或者熱蒸發(fā)方法(thermal evaporation)形成的。鋅擴(kuò)散源層29是由ZnS或者ZnO構(gòu)成的。
鋅擴(kuò)散源層29可以被作為一針對(duì)所產(chǎn)生的光束的反射抑制鏡面或者一鈍化層。如果鋅擴(kuò)散源層29被用作反射抑制鏡面，優(yōu)選的沉積厚度為λ/4n(λ發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n該鋅擴(kuò)散源層的折射率)。如果鋅擴(kuò)散源層29被用作一鈍化層，優(yōu)選的沉積厚度為λ/2n。
然后，如圖3B所示，鋅擴(kuò)散源層29的鋅原子通過(guò)熱處理被擴(kuò)散到疊層結(jié)構(gòu)200，以形成一窗口層30。換言之，鋅原子被擴(kuò)散到都與鋅擴(kuò)散源層29接觸的GaAs基底21，n型GaAs蓋層22，有源層23，p型AlGaAs蓋層24，電流阻斷層25，和p型GaAs蓋層26。
熱處理工藝是在大約450℃下進(jìn)行的在加熱爐中的熱處理或者一種快速熱退火(RTA)方法。通過(guò)上述熱處理過(guò)程，鋅擴(kuò)散源層29中過(guò)量的鋅原子被擴(kuò)散到與小面相鄰的疊層結(jié)構(gòu)200中，以形成一窗口層30。
根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件抑制小面的溫度升高，從而穩(wěn)定地產(chǎn)生具有高功率的激光束。
第二實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件與第一實(shí)施例中的陽(yáng)似，但是不同的是鋅擴(kuò)散源層和窗口層分別形成在小面和與小面相對(duì)的一側(cè)上，并且反射抑制鏡層和高反射鏡層進(jìn)一步形成在鋅擴(kuò)散源層的外表面上。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的截面圖。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件，包括一n型GaAs蓋層32，一有源層33，和一p型AlGaAs蓋層34連續(xù)地形成在一GaAs基底31上，一形成在p型AlGaAs蓋層34兩側(cè)的電流阻斷層35，一形成在p型AlGaAs蓋層34和電流阻斷層35上的p型GaAs蓋層36，一形成在GaAs基底31下方的n型金屬層37，和一形成在p型GaAs蓋層36上的p型金屬層38。此處，n型GaAs蓋層32，有源層33和p型AlGaAs蓋層34組成一用于產(chǎn)生激光束的諧振層。
另外，根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件進(jìn)一步包括涂在一小面和與該小面相對(duì)的一側(cè)上的一第一和一第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b，來(lái)自第一鋅擴(kuò)散源層39a的鋅原子擴(kuò)散到疊層結(jié)構(gòu)300中形成一第一窗口層40a，來(lái)自第二鋅擴(kuò)散源層39b的鋅原子擴(kuò)散到疊層結(jié)構(gòu)300相對(duì)的一側(cè)中形成一第二窗口層40b，形成在第一鋅擴(kuò)散源層39a的一外表面的一反射抑制鏡層41，和形成在第二鋅擴(kuò)散源層39b的一外表面的一高反射鏡層42。此處，第一和第二窗口層40a和40b通過(guò)擴(kuò)散的鋅原子被用作一非吸收層。
第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b是由ZnS或ZnO以厚度為λ/4n或λ/2n(λ發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n該鋅擴(kuò)散源層的折射率)形成。此處，反射抑制鏡層41是由Al2O3或SiO2構(gòu)成，并且高反射鏡層42是由大量的薄膜組成，此薄膜是由SiO2和TiO2重復(fù)地(或交替地)沉積而成。
下面介紹一種根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造方法。
圖5A至5C是用于表示一種根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器件的制造方法的截面圖。
首先，如圖5A所示，一n型GaAs蓋層32，一有源層33，和一p型AlGaAs蓋層34順序地形成在一GaAs基底31上。p型AlGaAs蓋層34的兩邊緣被蝕刻，因而只剩下中心部分以脊的形式存在。此后，一電流阻斷層35形成在具有脊形形狀的p型AlGaAs蓋層34的兩側(cè)。
然后，一p型GaAs蓋層36形成在p型AlGaAs蓋層34和電流阻斷層35上。一n型金屬層37形成在GaAs基底31的下方，并且一p型金屬層38形成在p型GaAs蓋層36上。然后，n型金屬層37和p型金屬層38被構(gòu)圖，從而移走它們外邊緣的預(yù)定部分。上述工藝過(guò)程的結(jié)果是，形成了具有一具有許多層的疊層結(jié)構(gòu)300。
然后，一第一鋅擴(kuò)散源層39a形成在疊層結(jié)構(gòu)300的一小面上，一第二鋅擴(kuò)散源層39b形成在疊層結(jié)構(gòu)300的與該小面相對(duì)的一側(cè)上。第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b是通過(guò)射頻濺射方法，等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉淀(PECVD)方法，E光束蒸發(fā)方法，或者熱蒸發(fā)方法由ZnS或者ZnO而形成的。此時(shí)，由于第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b是僅僅作為鋅原子擴(kuò)散的源，因此它們形成厚度為λ/4n(λ發(fā)射的光的波長(zhǎng)，n鋅擴(kuò)散源層的折射率)。第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b與GaAs基底31，n型GaAs蓋層32，一有源層33，p型AlGaAs蓋層34，電流阻斷層35，和p型GaAs蓋層36相接觸。
然后，如圖5B所示，一反射抑制鏡層41形成在第一鋅擴(kuò)散源層39a的一外表面，并且一高反射鏡層42形成在第二鋅擴(kuò)散源層39b的一外表面。此處，反射抑制鏡層41是由Al2O3或SiO2組成，并且高反射鏡層42是由大量的薄膜組成，此薄膜是由SiO2和TiO2重復(fù)地(或交替地)沉積而成。
然后，如圖5C所示，第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b的鋅原子通過(guò)熱處理被擴(kuò)散到疊層結(jié)構(gòu)300中，以形成一第一和一第二窗口層40a和40b。換言之，鋅原子被擴(kuò)散到與第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b都接觸的GaAs基底31，n型GaAs蓋層32，有源層33，p型AlGaAs蓋層34，電流阻斷層35，和p型GaAs蓋層36。
和第一實(shí)施例一樣，熱處理工藝是在大約450℃下進(jìn)行的在加熱爐中的熱處理或者一種快速熱退火(RTA)方法。
由于在熱處理工藝中，反射抑制鏡層41和高反射鏡層42起蓋層的作用，因此它們幫助第一和第二鋅擴(kuò)散源層39a和39b的鋅原子更容易地?cái)U(kuò)散到第一和第二窗口層40a和40b。
如前面所述，在本發(fā)明中，在鋅擴(kuò)散源層形成在半導(dǎo)體激光器件的一小面上以后，具有高帶隙的窗口層通過(guò)鋅原子的擴(kuò)散而形成，因此能夠減少在小面附近的激光束的吸收，從而能夠穩(wěn)定地產(chǎn)生具有高功率的激光束。
很明顯，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種調(diào)整和改進(jìn)。因此，本發(fā)明要求包含所有這些屬于所附權(quán)利要求或與之相同的范圍之內(nèi)的調(diào)整與改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器件，具有疊層結(jié)構(gòu)，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成，該半導(dǎo)體激光器件包括一位于該疊層結(jié)構(gòu)的小面上的鋅擴(kuò)散源層；和一設(shè)置在該鋅擴(kuò)散源層與該疊層結(jié)構(gòu)之間用于防止光的吸收的窗口層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該鋅擴(kuò)散源層是由ZnO或ZnS形成。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該鋅擴(kuò)散源層具有厚度λ/4n，其中λ是發(fā)射的光的波長(zhǎng)，并且n是該鋅擴(kuò)散源層的折射率。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，進(jìn)一步包括一形成在小面上的鋅擴(kuò)散源層的外側(cè)壁上的反射抑制鏡層。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該鋅擴(kuò)散源層具有厚度λ/4n，其中λ是發(fā)射的光的波長(zhǎng)，并且n是該鋅擴(kuò)散源層的折射率。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，進(jìn)一步包括一在小面的相對(duì)側(cè)上的該鋅擴(kuò)散源層；及一在形成在與該小面相對(duì)的一側(cè)上的該鋅擴(kuò)散源層和該疊層結(jié)構(gòu)之間的窗口層。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該鋅擴(kuò)散源層是由ZnO或ZnS形成。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光器件，進(jìn)一步包括一形成在與該小面相對(duì)的一側(cè)上的該鋅擴(kuò)散源層的外側(cè)壁上的高反射鏡層。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該窗口層摻入了鋅。
10.一種半導(dǎo)體激光器件，具有疊層結(jié)構(gòu)，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成，該半導(dǎo)體激光器件包括分別形成在該疊層結(jié)構(gòu)小面上和與小面相對(duì)的一側(cè)處的第一和第二鋅擴(kuò)散源層；通過(guò)來(lái)自該第一和第二鋅擴(kuò)散源層的鋅的擴(kuò)散，在該疊層結(jié)構(gòu)上形成第一和第二窗口層；一形成在該第一鋅擴(kuò)散源層外表面上的反射抑制鏡層；和一形成在該第二鋅擴(kuò)散源層外表面上的高反射鏡層。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該第一和第二鋅擴(kuò)散源層由ZnO或ZnS形成。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該第一和第二鋅擴(kuò)散源層均具有厚度λ/4n，其中λ是發(fā)射的光的波長(zhǎng)，并且n是該鋅擴(kuò)散源層的折射率。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該反射抑制鏡層是由Al2O3或SiO2構(gòu)成。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體激光器件，其中該高反射抑制鏡層是由多個(gè)薄膜組成，薄膜是由SiO2和TiO2重復(fù)地沉積而成。
15.一種用于制造具有疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器件的方法，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成，此方法包括步驟(1)分別在該疊層結(jié)構(gòu)的一小面上和與該小面相對(duì)的一側(cè)上形成第一和第二鋅擴(kuò)散源層；(2)在該第一鋅擴(kuò)散源層外表面上形成一反射抑制鏡層，并且在該第二鋅擴(kuò)散源層外表面上形成一高反射鏡層；以及(3)通過(guò)一熱處理將鋅由該第一和第二鋅擴(kuò)散源層擴(kuò)散到疊層結(jié)構(gòu)中。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第一和第二鋅擴(kuò)散源層是由ZnO或ZnS構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該第一和第二鋅擴(kuò)散源層均具有厚度λ/4n，其中λ是發(fā)射的光的波長(zhǎng)，并且n是該鋅擴(kuò)散源層的折射率。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該反射抑制鏡層是由Al2O3或SiO2構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該高反射抑制鏡層是由SiO2和TiO2重復(fù)地沉積而成。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中加熱處理在溫度大約為450℃下進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種減少在小面中的光吸收并且產(chǎn)生穩(wěn)定的高功率激光光束的半導(dǎo)體激光器件及其制造方法。該半導(dǎo)體激光器件具有疊層結(jié)構(gòu)，其中一下蓋層，一有源層，一上蓋層，一電流阻斷層，和一蓋層順序形成，該半導(dǎo)體激光器件包括一形成在該疊層結(jié)構(gòu)的一小面上的鋅擴(kuò)散源層；和一設(shè)置在該鋅擴(kuò)散源層和該疊層結(jié)構(gòu)之間用于防止光的吸收的窗口層。
文檔編號(hào)H01S5/00GK1426142SQ0216065
公開(kāi)日2003年6月25日 申請(qǐng)日期2002年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月10日
發(fā)明者林元澤, 林時(shí)鐘 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社