專利名稱：半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體裝置，特別是涉及能夠抑制工作時溫度上升的半導體裝置。
由于發(fā)熱量增加半導體裝置的溫度就上升，就會產生半導體裝置不能進行希望的工作等不良情況，在半導體裝置中就要講究放熱及溫度控制的對策。例如，在半導體裝置中安裝散熱片、設置冷卻風扇強制性的冷卻半導體裝置就是典型的例子。
然而，在現有的半導體裝置中有以下問題。如上所述那樣，一直是用安裝散熱片、設置冷卻風扇等方法進行半導體裝置的冷卻的，但是隨著半導體裝置的微細化得到滿意的冷卻效果變的困難起來。還有，散熱片和冷卻風扇都是附加的部件，為此生產成本就增大。
本發(fā)明的一種情況的半導體裝置具有規(guī)定的元件、導電區(qū)域和熱電轉換元件。規(guī)定的元件形成在半導體襯底的主表面的規(guī)定的區(qū)域上，包含第1導電型雜質區(qū)域及第2導電型雜質區(qū)域。導電區(qū)域與規(guī)定的元件電連接。熱電轉換元件形成在半導體襯底的主表面上，其一端側配置在規(guī)定的區(qū)域的近旁吸收規(guī)定的元件工作時產生的熱，他端側配置在半導體襯底區(qū)域內發(fā)熱量較少的區(qū)域上。其熱電轉換元件具備第1導電型半導體區(qū)域及第2導電型半導體區(qū)域和第1布線部、第2布線部、第3布線部。第1導電型半導體區(qū)域及第2導電型半導體區(qū)域分別形成在半導體襯底的主表面上從規(guī)定區(qū)域的近旁跨過發(fā)熱量較少的區(qū)域。第1布線部在一端側與第1導電型半導體區(qū)域及第2導電型半導體區(qū)域電連接。第2布線部在他端側與第1導電型半導體區(qū)域電連接。第3布線部在他端側與第2導電型半導體區(qū)域電連接。
采用該構成，工作時在規(guī)定的元件上產生的熱被形成在半導體襯底主表面的具備第1導電型半導體區(qū)域、第2導電型半導體區(qū)域及第1布線部-第3布線部的熱電轉換元件吸收。由此，不是象現有的半導體裝置那樣在外部設置散熱片或風扇等附加的冷卻部件，能夠容易地冷卻半導體裝置。而且，該熱電轉換元件不用附加新的工序，能夠在形成規(guī)定的元件的同時形成，不升高制造成本而容易地得到冷卻效果高的半導體裝置。
具體地說理想的是，在熱電轉換元件中，第1導電型半導體區(qū)域與第1導電型雜質區(qū)域同時形成，第2導電型半導體區(qū)域與第2導電型雜質區(qū)域同時形成，第1布線部、第2布線部及第3布線部與導電區(qū)域同時形成。 進一步理想的是，對于熱電轉換元件具備用于從第2布線部經第1導電型半導體區(qū)域、第1布線部及第2導電型半導體區(qū)域向第3布線部流通直流電流的電源部。
由此，通過由熱電轉換元件使在形成規(guī)定的元件的規(guī)定的區(qū)域上產生的熱放熱到發(fā)熱量較少的區(qū)域，來進行半導體裝置中發(fā)熱部分的冷卻。
還有理想的是，具備與熱電轉換元件的他端側連接的電動勢測定部；與電源部連接、根據電動勢測定部檢測出的電動勢調整流經熱電轉換元件的電流、由此來控制熱電轉換元件的熱吸收的溫度控制部。
由此，對應規(guī)定區(qū)域的溫度來調整流經熱電轉換元件的電流能夠更適當且有效地進行冷卻。
另一方面理想的是，由吸收熱在熱電轉換元件上產生的電動勢被用來驅動形成在半導體襯底上的其它元件。
在這種情況下，通過將在規(guī)定區(qū)域上產生的熱轉換成熱電動勢，來抑制規(guī)定區(qū)域的溫度上升、進行半導體裝置中發(fā)熱部分的冷卻。還有，通過其電動勢被用于其它元件的驅動而能夠節(jié)約消費功率。
圖2是表示在同實施方式中熱電轉換元件構造的模式圖。
圖3是在同實施方式中

圖1所示半導體裝置的部分放大側視圖。
圖4是在同實施方式中沿圖3所示剖面線IV-IV的剖面圖。
圖5是在同實施方式中沿圖3所示剖面線V-V的剖面圖。
圖6是在同實施方式中半導體裝置制造方法的一個工序的剖面圖。
圖7是表示在同實施方式中在圖6所示工序之后進行的工序的剖面圖。
圖8是表示在同實施方式中在圖7所示工序之后進行的工序的剖面圖。
圖9是表示在同實施方式中在圖8所示工序之后進行的工序的剖面圖。
圖10是表示在同實施方式中在圖9所示工序之后進行的工序的剖面圖。
圖11是表示在同實施方式中在圖10所示工序之后進行的工序的剖面圖。
圖12是表示在同實施方式中元件形成區(qū)域側接觸孔配置的一個例子的俯視圖。
圖13是在同實施方式中與變形例相關的半導體裝置的部分放大側視圖。
圖14是表示在同實施方式中與變形例相關的半導體裝置的工作流程圖。
圖15是與本發(fā)明實施方式2相關的半導體裝置的部分放大側視圖。
圖16是表示在同實施方式中熱電轉換元件的構造的模式圖。
其次，說明熱電轉換元件8的基本構成。首先，如圖2所示，在熱電轉換元件8中分別形成從元件形成區(qū)域4跨過發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的N型半導體區(qū)域13和P型半導體區(qū)域14。金屬布線12a電連接在分別位置在元件形成區(qū)域4的近旁的N型半導體區(qū)域13的部分和P型半導體區(qū)域14的部分上。
另一方面，金屬布線12b電連接在位于發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁的N型半導體區(qū)域13的部分上、金屬布線12c電連接在P型半導體區(qū)域14的部分上。電源部10是直流電源，正極側連接金屬布線12b、負極側連接金屬布線12c。
因此，電流如箭頭所示那樣，從金屬布線12b經N型半導體區(qū)域13、金屬布線12a及P型半導體區(qū)域14流向金屬布線12c。
這時，由于珀耳帖效應N型半導體區(qū)域13和金屬布線12a的接合部分及P型半導體區(qū)域14和金屬布線12a的接合部分成為吸熱側吸收熱。另一方面，N型半導體區(qū)域13和金屬布線12b的接合部分及P型半導體區(qū)域14和金屬布線12c的接合部分成為發(fā)熱側放熱。
在本半導體裝置中，熱電轉換元件8的吸熱側配置在發(fā)熱量比較多的元件形成區(qū)域4的近旁，發(fā)熱側配置在發(fā)熱量比較少的元件形成區(qū)域6的近旁。由此，在元件形成區(qū)域4發(fā)生的熱被熱電轉換元件8吸收在發(fā)熱量比較少的區(qū)域6放熱，以圖冷卻半導體裝置的發(fā)熱部分。此外，吸熱側和元件形成區(qū)域4的距離最好是從約數μm到數十μm。
接著，說明熱電轉換元件8的一個具體的構造例子。如圖3所示那樣，在半導體襯底1的表面上，從元件形成區(qū)域4跨過發(fā)熱量比較少的區(qū)域6分別形成N型半導體區(qū)域13和P型半導體區(qū)域14。在元件形成區(qū)域4的近旁，形成與N型半導體區(qū)域13和P型半導體區(qū)域14雙方電連接的金屬布線12a。
另一方面，在發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁，形成僅僅與N型半導體區(qū)域13電連接的金屬布線12b的同時，形成僅僅與P型半導體區(qū)域電連接的金屬布線12c。
進一步，說明包含元件形成區(qū)域4的一部分的熱電轉換元件8的剖面構造。首先，在熱電轉換元件8的N型半導體區(qū)域13的部分(區(qū)域A)和元件形成區(qū)域4的部分(區(qū)域B)(剖面線IV-IV)中，如圖4所示那樣，在半導體襯底1的表面上形成規(guī)定的元件隔離膜16。
在區(qū)域A，在半導體襯底1的表面上形成N型半導體區(qū)域13。在半導體襯底1上形成層間絕緣膜20。在位于元件形成區(qū)域4的近旁的層間絕緣膜20的部分上，形成使N型半導體區(qū)域13的表面露出的接觸孔21b。在位于發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁的層間絕緣膜20的部分上，形成使N型半導體區(qū)域13的表面露出的接觸孔21a。
在層間絕緣膜20上分別形成由例如鋁等組成的金屬布線12b、12a，以填埋其接觸孔21a、21b。
另一方面，在區(qū)域B，通過柵絕緣膜17在半導體襯底1上形成柵電極18。夾持著柵電極18在分別位于柵電極一方的側面?zhèn)群退降膫让鎮(zhèn)鹊陌雽w襯底的表面上形成n-雜質區(qū)域13a及n+雜質區(qū)域13b。在柵電極的兩側面上分別形成側壁絕緣膜19。
由柵電極18及分別一對的n-雜質區(qū)域13a及n+雜質區(qū)域13b構成n溝型MOS晶體管T1。形成層間絕緣膜20覆蓋晶體管T1。
在層間絕緣膜20上形成使n+雜質區(qū)域13b的表面露出的接觸孔21c、21e的同時，形成使柵電極18的表面露出的接觸孔21d。
在層間絕緣膜20上分別形成由例如鋁等組成的金屬布線12d～12f，填埋其接觸孔21c～21e。此外，在圖3中，在元件形成區(qū)域4中為了簡單晶體管T1沒有圖示。
這里，熱電轉換元件8中的N型半導體區(qū)域13在形成晶體管T1的n-雜質區(qū)域13a及n+雜質區(qū)域13b的同時形成。還有，在熱電轉換元件8中的金屬布線12b、12a與形成晶體管T1電連接的金屬布線12d～12e的同時形成。
接著，如圖5所示，在熱電轉換元件8的P型半導體區(qū)域14的部分(區(qū)域C)和元件形成區(qū)域4的部分(區(qū)域D)(剖面線V-V)中，在區(qū)域C上P型半導體區(qū)域14形成在半導體襯底1的表面上。層間絕緣膜20形成在半導體襯底1上。在位于元件形成區(qū)域4近旁的層間絕緣膜20的部分上，形成使P型半導體區(qū)域14的表面露出的接觸孔21g。在位于發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁的層間絕緣膜20的部分上，形成使P型半導體區(qū)域14的表面露出的接觸孔21f。
在層間絕緣膜20上分別形成由例如鋁等組成的金屬布線12c、12a，將接觸孔21f、21g填埋。
另一方面，在區(qū)域D，通過柵絕緣膜17在半導體襯底1上形成柵電極18。在夾持柵電極18分別位于柵電極18一方的側面?zhèn)群退降膫让鎮(zhèn)鹊陌雽w襯底的表面上，形成p-雜質區(qū)域14a及P+雜質區(qū)域14b。在柵電極18的兩側面上分別形成側壁絕緣膜19。
由柵電極18及分別一對的P-雜質區(qū)域14a及P+雜質區(qū)域14b構成P溝MOS晶體管T2。形成層間絕緣膜20覆蓋其晶體管T2。
在層間絕緣膜20上，形成使P+雜質區(qū)域14b的表面露出的接觸孔21h、21j的同時，形成使柵電極18的表面露出的接觸孔21i。
在層間絕緣膜20上分別形成由例如鋁等組成的金屬布線12g～12i填埋接觸孔21h～21j。此外，在圖3中，在元件形成區(qū)域4由于晶體管T2簡單而沒有特別圖示。
這里，在熱電轉換元件8中的P型半導體區(qū)域14在形成晶體管T2的P-雜質區(qū)域14a及P+雜質區(qū)域14b的同時形成。還有，在熱電轉換元件8中的金屬布線12c、12a在形成與晶體管T2電連接的金屬布線12g～12i的同時形成。此外，該金屬布線12g～12i與電連接晶體管T1的金屬布線12d～12e同時形成。
接著，說明上述半導體裝置的制造方法。此外，因為圖4所示的剖面構造和圖5所示的剖面構造如上述那樣僅僅雜質區(qū)域的導電類型不同，在該制造方法的說明中，基于圖4所示的剖面構造說明其制造方法，省略了對應圖5所示剖面構造的制造方法的說明。
首先，如圖6所示那樣，在半導體襯底1的主表面上形成為設置元件形成區(qū)域的規(guī)定的元件隔離膜16。其次，如圖7所示，在位于區(qū)域B的半導體襯底1的表面上通過柵絕緣膜17形成柵電極18。然后，如圖8所示那樣，用柵電極18作掩膜注入n型雜質，形成n-雜質區(qū)域13a。
這時，同時在區(qū)域A上在成為熱電轉換元件中的N型半導體區(qū)域上也注入n型雜質。然后，在柵電極18的兩側面上形成側壁絕緣膜19。以其側壁絕緣膜及柵電極18作掩膜注入n型雜質，形成n+雜質區(qū)域13b。
這時，同時在區(qū)域A在成為熱電轉換元件中N型半導體區(qū)域的區(qū)域上也注入n型雜質。由此，在區(qū)域B上形成包含柵電極18、n-雜質區(qū)域13a及n+雜質區(qū)域13b的n溝MOS型晶體管T1。
另一方面，在區(qū)域A，形成在熱電轉換元件中的N型半導體區(qū)域13。在熱電轉換元件中的P型半導體區(qū)域同樣的在形成p溝MOS晶體管中的p-雜質區(qū)域14a及p+雜質區(qū)域14b的同時形成。
接著，如圖9所示，形成氧化硅膜等的層間絕緣膜20覆蓋柵電極18。接著，如圖10所示，以形成在層間絕緣膜20上的規(guī)定的光致抗蝕劑(圖中未顯示)作掩膜，在層間絕緣膜20上實施各向異性刻蝕，在區(qū)域B上分別形成使n+雜質區(qū)域13b的表面露出的接觸孔21c、21e及使柵電極18的表面露出的接觸孔21d。
另一方面，在區(qū)域A上，在位于發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁的層間絕緣膜20的部分上形成使N型半導體區(qū)域13的部分露出的接觸孔21a的同時，在位于元件形成區(qū)域4的近旁的層間絕緣膜20的部分上形成使N型半導體區(qū)域13的部分露出的接觸孔21b。
接著，如圖11所示，在層間絕緣膜20上形成鋁等金屬膜12填埋接觸孔21a～21e。在金屬膜12上形成規(guī)定的光致抗蝕劑圖形(圖中未顯示)、用光致抗蝕劑圖形作掩膜在金屬膜12上實施各向異性的刻蝕，如圖4所示那樣，形成規(guī)定的金屬布線12a～12e。由此完成具備熱電轉換元件8的半導體裝置的主要部分。
如上所述，在本半導體裝置中熱電轉換元件8由包含N型半導體區(qū)域13、P型半導體區(qū)域14及金屬布線12a～12c構成。N型半導體區(qū)域13與在元件形成區(qū)域4中形成n溝MOS晶體管T1的n-雜質區(qū)域13a及p+雜質區(qū)域13b的同時形成。
還有，P型半導體區(qū)域14與在元件形成區(qū)域4中形成p溝MOS晶體管T2的p-雜質區(qū)域14a及p+雜質區(qū)域14b的同時形成。
而且，金屬布線12a～12c與形成電連接n溝MOS晶體管T1和p溝MOS晶體管T2的金屬布線12d～12i的同時形成。
由此，熱電轉換元件8不附加新的工序，與在元件形成區(qū)域4上形成MOS晶體管T1、T2工序的同時形成。其結果是能夠不提高制造成本制造冷卻效果高的半導體裝置。
還有，將本發(fā)明與現有的半導體裝置比較，它不要設置散熱片、風扇等附加的部件，有利于半導體裝置的高集成化及高密度化、進而有利于將半導體裝置組裝的電化制品的小型化。
此外，如圖12所示那樣，由至少位置在元件形成區(qū)域6的近旁的層間絕緣膜20的部分上形成的接觸孔21b、21g分別設置多個，將金屬布線12a和N型半導體區(qū)域13及P型半導體區(qū)域的染色面積擴大，在元件形成區(qū)域4上產生的熱能夠有效的吸收。還有，也可以將這樣的多個接觸孔設置在發(fā)熱量比較少的區(qū)域的近旁，能高效率地進行放熱。
接著，說明與變形例相關的半導體裝置。在與變形例相關的半導體裝置中，如圖13所示那樣，設置了測量在熱電轉換元件上產生的電動勢的電動勢測量電路部24。設置了基于由電動勢測量電路部24檢測的電動勢調整流經熱電轉換元件8的電流，控制因熱電轉換元件8的熱吸收及放熱的溫度控制部23。
接著，說明該半導體裝置的工作。如圖14所示那樣，由于半導體裝置的工作(S1)在形成半導體元件T1、T2的元件形成區(qū)域4上產生熱(S2)。由于熱的發(fā)生，位于發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁的金屬布線12b和金屬布線12c間產生熱電動勢。由電動勢測量電路部24測量該熱電動勢，求出元件形成區(qū)域4的溫度和發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的溫度的溫度差(S3)。
由溫度控制部23判斷其溫度差比規(guī)定的溫度差高還是低(S4)。當判斷溫度差比規(guī)定的溫度差高的情況下，向電源部10輸出向熱電轉換元件8電源供給ON的命令(S5)。由此，進行形成了半導體元件的元件形成區(qū)域4的冷卻(S6)。
另一方面，當判斷溫度差比規(guī)定的溫度差低的情況下，向電源部10輸出向熱電轉換元件的電源供給OFF的命令(S7)。由此，不由熱電轉換元件進行冷卻節(jié)約電力消耗(S8)。
這樣，在與變形例相關的半導體裝置中，由使電動勢測量電路部24和具有溫度控制部23、基于溫度差驅動熱電轉換元件8的電源部10ON或者OFF，能夠一面節(jié)約電力消耗一面有效地冷卻半導體裝置中的發(fā)熱部分。
本半導體裝置中的熱電轉換元件的基本構成除了沒有設置電源部外與實施方式1說明過的構成相同。因此，如圖1所示那樣，在熱電轉換元件8中，金屬布線12a與分別位置在元件形成區(qū)域4的近旁的N型半導體區(qū)域13的部分和P型半導體區(qū)域14的部分電連接。
另一方面，金屬布線12b連接在位于發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁的N型半導體區(qū)域13的部分上，金屬布線12c連接在P型半導體區(qū)域14的部分上。金屬布線12b、12c與為驅動在同一半導體襯底1上形成的其他元件26的其它元件的電源部電連接。
還有，如上所述，由于本半導體裝置除沒有設置電源部這一點外與實施方式1說明過的構成相同，能夠經在實施方式1中說明過的制造方法實質上相同的工序形成本半導體裝置。
采用該半導體裝置，如圖16模式性所示那樣，金屬布線12a和N型半導體區(qū)域13的接合部分及金屬布線12a和P型半導體區(qū)域14的接合部分(接合部分A)配置在發(fā)熱量比較多的元件形成區(qū)域4的近旁。另一方面，金屬布線12b和N型半導體區(qū)域13的接合部分及金屬布線12c和P型半導體區(qū)域14的接合部分(接合部分B)配置在發(fā)熱量比較少的區(qū)域6的近旁。因此，在半導體裝置工作時，接合部分A成為高溫接合部分B成為低溫，其結果在金屬布線12b和金屬布線12c之間產生熱電動勢。
熱電動勢被送到用于驅動形成在半導體襯底1上的其他半導體元件的電源部25上消耗在其它元件26的驅動上。
因此，首先，由熱電轉換元件8將在元件形成區(qū)域6上產生的熱轉換成熱電動勢，能夠抑制在元件形成區(qū)域6的溫度的上升。
還有，產生的熱電動勢被使用來驅動其他元件能夠節(jié)減半導體裝置全體的消耗功率。
而且，那樣的熱電轉換元件8不附加新的工序，與在元件形成區(qū)域6上形成MOS晶體管T1、T2工序的同時形成。其結果，能夠不提高制造成本又能制造冷卻效果高的半導體裝置。
在這樣的MOS晶體管中，雖然由于要求微細化(柵長約從0.01μm到0.20μm)或要求高速工作容易發(fā)熱，然而由熱電轉換元件8能夠有效地冷卻。
還有，作為元件舉出了MOS晶體管的例子，如果是具有包含P型及N型的各自的導電型區(qū)域的元件和與那樣的元件連接的導電區(qū)域的半導體裝置的話，能夠不附加新的工序容易的在形成這樣的各導電型區(qū)域及導電區(qū)域的同時形成熱電轉換元件。
這次公布的實施方式在所有點上都是例示，不是限制性的。本發(fā)明不是上述的說明、而是意味著由專利的權利要求范圍所表示、包含在和專利權利要求范圍均等的意味及范圍內的所有的變更。
權利要求
1.一種半導體裝置，其具有形成在半導體襯底的主表面的規(guī)定的區(qū)域上、包含第1導電型雜質區(qū)域及第2導電型雜質區(qū)域的規(guī)定的元件；與上述規(guī)定的元件電連接的導電區(qū)域；形成在上述半導體襯底的主表面上、一端側配置在上述規(guī)定的區(qū)域的近旁吸收在上述規(guī)定的元件工作時產生的熱、他端側配置在上述半導體襯底的區(qū)域中發(fā)熱量比較少的區(qū)域上的熱電轉換元件，其中上述熱電轉換元件具備在上述半導體襯底的主表面上、從上述規(guī)定的區(qū)域的近旁跨過上述發(fā)熱量比較少的區(qū)域分別形成的第1導電型半導體區(qū)域及第2導電型半導體區(qū)域；在上述一端側與上述第1導電型半導體區(qū)域及上述第2導電型半導體區(qū)域電連接的第1布線部；在上述他端側與上述第1導電型半導體區(qū)域電連接的第2布線部；在上述他端側與上述第2導電型半導體區(qū)域電連接的第3布線部。
2.權利要求1記載的半導體裝置，其中在上述熱電轉換元件中，上述第1導電型半導體區(qū)域與上述第1導電型雜質區(qū)域同時形成，上述第2導電型半導體區(qū)域與上述第2導電型雜質區(qū)域同時形成，上述第1布線部、上述第2布線部及上述第3布線部與上述導電區(qū)域同時形成。
3.權利要求2記載的半導體裝置，其中上述規(guī)定的元件包含含有一對上述第1導電型雜質區(qū)域及第1電極部的第1晶體管；含有一對上述第2導電型雜質區(qū)域及第2電極部的第2晶體管。
4.權利要求1記載的半導體裝置，其中所述規(guī)定的元件包含含有一對上述第1導電型雜質區(qū)域及第1電極部的第1晶體管；含有一對上述第2導電型雜質區(qū)域及第2電極部的第2晶體管。
5.權利要求1記載的半導體裝置，其中具備對于上述熱電轉換元件，從上述第2布線部經上述第1導電型半導體區(qū)域、上述第1布線部及上述第2導電型半導體區(qū)域流向上述第3布線部的直流電流的電源部。
6.權利要求5記載的半導體裝置，其中具備連接于上述熱電轉換元件的上述他側端的電動勢測量部；連接于上述電源部、基于由上述電動勢測量部檢測出的電動勢來調整流經上述熱電轉換元件的電流、由此控制上述熱電轉換元件的熱的吸收的溫度控制部。
7.權利要求1記載的半導體裝置，具備上述規(guī)定的元件以外的其他元件；用于驅動上述其他元件的電源部，其中通過吸收上述熱在上述熱電轉換元件產生的電動勢被送到上述電源部并用來驅動上述其他元件。
8.權利要求1記載的半導體裝置，具備形成在上述半導體襯底上以覆蓋上述規(guī)定的元件及上述熱電轉換元件的層間絕緣膜；形成在位于上述一端側的上述層間絕緣膜的部分、使上述第1導電型半導體區(qū)域的表面分別露出的多個第1接觸孔；形成在位于上述一端側的上述層間絕緣膜的部分、使上述第2導電型半導體區(qū)域的表面分別露出的多個第2接觸孔，其中上述第1布線部通過上述多個第1接觸孔及上述多個第2接觸孔與上述第1導電型半導體區(qū)域及上述第2導電型半導體區(qū)域電連接。
全文摘要
熱電轉換元件(8)由N型半導體區(qū)域(13)、P型半導體區(qū)域(14)及金屬布線(12a～12c)構成。其N型半導體區(qū)域(13)與在元件形成區(qū)域(4)形成晶體管的n－雜質區(qū)域及n+雜質區(qū)域的同時形成。P型半導體區(qū)域(14)與形成其他晶體管的p－雜質區(qū)域及p+雜質區(qū)域的同時形成。還有，在熱電轉換元件(8)中的金屬布線(12a～12c)與形成連接于晶體管的金屬布線的同時形成。由此，能夠得到既不增加生產成本又能容易得到冷卻效果的半導體裝置。
文檔編號H01L23/38GK1411058SQ0214223
公開日2003年4月16日 申請日期2002年8月27日 優(yōu)先權日2001年9月27日
發(fā)明者印部貴之 申請人:三菱電機株式會社