專利名稱：形成介電質(zhì)層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于形成介電質(zhì)層的方法，特別是有關(guān)于可以形成高品質(zhì)且厚度均勻的薄介電質(zhì)層的方法。
背景技術(shù)：
介電質(zhì)層是半導(dǎo)體產(chǎn)品中重要不可或缺的一環(huán)，不論是用來(lái)提供隔離、絕緣、儲(chǔ)存電荷或支撐結(jié)構(gòu)等功能。也因此，如何形成高品質(zhì)、厚度均勻且缺陷少的介電質(zhì)層，是自有半導(dǎo)體工業(yè)以來(lái)，一個(gè)始終極其熱門(mén)的問(wèn)題。
針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，已知技術(shù)已有許多的解決之道，例如以高密度電漿化學(xué)氣相沉積、電漿增益化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積與低溫化學(xué)氣相沉積等來(lái)改善傳統(tǒng)使用的化學(xué)氣相沉積的不少缺點(diǎn)。又例如以四氧乙基硅、硼磷硅玻璃與高介電系數(shù)介電質(zhì)等來(lái)改善傳統(tǒng)使用的氧化物與氮化物等的缺點(diǎn)。
但隨著電子產(chǎn)品的輕薄短小的趨勢(shì)，半導(dǎo)體產(chǎn)品的大小一直在縮小，使得介電質(zhì)層的厚度也持續(xù)縮小。特別是對(duì)于諸如背端多晶硅-絕緣層-金屬電容器(backendpolysilicon-insulator-metal capacitor)、金屬-絕緣層-金屬電容器(metal-insulator-metal capacitor)、墊層(liner)與反保險(xiǎn)絲結(jié)構(gòu)(antifuse structure)等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)而言，由于介電質(zhì)層主要不是用來(lái)支撐結(jié)構(gòu)，因此所需要的介電質(zhì)層厚度是越來(lái)越薄，并且制程溫度要求越來(lái)越低。
顯然地，如同導(dǎo)管(pipeline)中的閥(valve)剛打開(kāi)時(shí)，導(dǎo)管中的流體流量會(huì)先經(jīng)過(guò)一段不穩(wěn)定的過(guò)渡時(shí)間然后才會(huì)穩(wěn)定一般。在介電質(zhì)層的形成過(guò)程中，一開(kāi)始的成長(zhǎng)也是不穩(wěn)定不均勻的，必須在成長(zhǎng)一些介電質(zhì)層后才能穩(wěn)定。因此，當(dāng)所需要形成的介電質(zhì)層的厚度持續(xù)降低時(shí)，介電質(zhì)層形成過(guò)程的不穩(wěn)定期間所占的比例會(huì)持續(xù)上升，而使得所形成的介電質(zhì)層出現(xiàn)諸如厚度不均勻與結(jié)構(gòu)缺陷(structure defect)多等毛病。而其結(jié)果便是往往不能形成厚度薄且均勻的高品質(zhì)介電質(zhì)層。
針對(duì)這個(gè)新問(wèn)題，已知技術(shù)也已陸續(xù)提出一些解決之道。例如，先形成厚度較所需厚度后的高品質(zhì)介電質(zhì)層，然后再蝕刻程序減少介電質(zhì)層的厚度。例如，以改良過(guò)的電漿增益化學(xué)氣相沉積或改進(jìn)過(guò)的低溫化學(xué)氣相沉積來(lái)形成介電質(zhì)層，藉由改善介電質(zhì)層形成過(guò)程以降低不穩(wěn)定期間所占的比例。
無(wú)論如何，這些解決之道都伴隨著不可忽略的缺點(diǎn)。例如，再蝕刻程序不只增加制程成本也難免會(huì)傷害介電質(zhì)層表面。例如，這些改進(jìn)過(guò)的程序往往有介電質(zhì)層成長(zhǎng)速率慢、介電成長(zhǎng)過(guò)程的熱處理引發(fā)已摻雜至底材中的雜質(zhì)的過(guò)渡擴(kuò)散、不容易精確控制、或長(zhǎng)出來(lái)的介電質(zhì)層品質(zhì)不好等缺點(diǎn)。因此，如何形成厚度薄且均勻的高品質(zhì)介電質(zhì)層，仍是半導(dǎo)體工業(yè)一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一主要目的是形成厚度薄且均勻的高品質(zhì)介電質(zhì)層，并以此為基礎(chǔ)來(lái)實(shí)現(xiàn)背端多晶硅-絕緣層-金屬電容器(backend PIM Capacitor)，或是金屬-絕緣層-金屬電容器(MIM Capacitor)的應(yīng)用。
本發(fā)明的另一主要目的是在不大幅修改形成高品質(zhì)介電質(zhì)層的各種已知技術(shù)的前提下，提出可以達(dá)上述目的的方法。
本發(fā)明的又一主要目的是在盡可能減少介電形成過(guò)程的熱處理對(duì)先前形成結(jié)構(gòu)的損傷的前提下，提出可以達(dá)上述目的的方法。
為達(dá)成上述各目的，本發(fā)明提出一種形成介電質(zhì)層的方法。首先，形成含硅層于底材上；然后，以低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序與反應(yīng)氣體處理含硅層，藉以形成介電質(zhì)層于底材上?？赡艿姆磻?yīng)氣體有氧氣、氮?dú)馀c氧化氮而低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的典型反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至750℃之間、壓力在2至12毫托耳之間、反應(yīng)氣體之流量在30sccm至150sccm之間、而電槳功率在1000瓦至6000瓦之間。當(dāng)然，若所要形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中介電質(zhì)層位于金屬層上，本發(fā)明可以先形成金屬層于底材上，然后再形成含硅層于金屬層上以及執(zhí)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序。


圖1A至圖1E顯示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的基本流程圖與一些可能修正流程圖圖2A至4B顯示本發(fā)明的相關(guān)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；和圖5顯示本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的基本流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的一較佳實(shí)施例為一種形成介電質(zhì)層的方法。如圖1A所示，至少包含下列基本步驟如底材方塊11所示，提供位于反應(yīng)室中的底材。
在此，反應(yīng)室為任何可以用電漿對(duì)底材(及任何位于底材的結(jié)構(gòu))進(jìn)行化學(xué)氣相沉積程序的反應(yīng)室，特別是可以精確地調(diào)整反應(yīng)室的溫度、壓力、電漿功率與輸入氣體流量的反應(yīng)室。舉例來(lái)說(shuō)，反應(yīng)室可以是化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室、高密度電漿化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室、或電漿增益化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室。
如含硅層方塊12所示，形成含硅層于底材上。
如低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積方塊13所示，以低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理含硅層，藉以形成介電質(zhì)層于底材上。
在此，介電質(zhì)層通常為下列各者之一或其組合氧化物層、氮化物層與氮氧化物層。
在此，介電質(zhì)層通常是在含硅層上，除非含硅層被完全耗盡或移除。而且，低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序通常是讓含硅層與反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體相互反應(yīng)，藉以形成所需要的介電質(zhì)層。此外，雖然本實(shí)施例是使用形成于反應(yīng)室內(nèi)的電漿來(lái)形成介電質(zhì)層，但是電漿偶而會(huì)與底材等發(fā)生不需要的反應(yīng)。因此本實(shí)施例較適合使用可以一形成電漿就開(kāi)始形成介電質(zhì)層的反應(yīng)室，或甚至可以一面形成電漿一面形成介電質(zhì)層的反應(yīng)室，而不適合電漿形成后會(huì)先經(jīng)歷一段電漿停滯(plasma idle)過(guò)程，然后才能開(kāi)始進(jìn)行反應(yīng)的反應(yīng)室。
一般而言，含硅層的材料只要是含有硅的材料即可，通常為下列各者之一或其組合多晶硅層、摻雜多晶硅層、硅層、摻雜硅層、磊晶硅層與摻雜磊晶硅層。無(wú)論如何，由于現(xiàn)有半導(dǎo)體技術(shù)所使用的介電質(zhì)層通常是含有大量硅之材，例如二氧化硅、氧化硅與氮化硅等等，因此含硅層的材料，通常為富含硅的材料。此外，由于本實(shí)施例僅是應(yīng)用含硅層而已，本實(shí)施例并不限制含硅層的形成方式，可以用濺鍍法、沉積法或熱氧化法菶來(lái)形成含硅層。
當(dāng)然，所形成的介電質(zhì)層總會(huì)被應(yīng)用在具特定功能的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。但在某些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，介電質(zhì)層并不是位于含硅層中而是位于金屬層(metal layer)或中介層(intermediate layer)上，因此本實(shí)施例還可以修正為圖1B或圖1C所示的基本流程。
圖1B與圖1A的主要差別，是在結(jié)束底材方塊11后，先進(jìn)行導(dǎo)體層方塊14的形成導(dǎo)體層于底材上的步驟，再進(jìn)行第一修正含硅層方塊121所示的形成含硅層于導(dǎo)體層上的步驟，最后才進(jìn)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積方塊13的內(nèi)容。在此，導(dǎo)體層通常為下列各者之一或其組合鋁層、銀層、銅層、鈦層、氮化鈦層、金層、過(guò)渡金屬層與金屬層。而且，低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序可以視需要將含硅層完全耗盡、完全移除或殘留在導(dǎo)體層上。
圖1C與圖1A的主要差別，是在結(jié)束底材方塊11后，先進(jìn)行中介層方塊15的形成中介層于底材上的步驟，再進(jìn)行第二修正含硅層方塊122所示的形成含硅層于導(dǎo)體層上的步驟，最后再進(jìn)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積方塊13的內(nèi)容。在此，中介層通常為下列各者之一或其組合氮化鈦層與氮化鉭層。而且，低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序可以視需要將含硅層完全耗盡、完全移除或殘留在中介層上。
顯然地，使用低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理含硅層以形成介電質(zhì)層，是本發(fā)明的一大基本特征。本實(shí)施例所提出的低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序大致上如圖1D所示如反應(yīng)氣體方塊16所示，將底材與含硅層置于含反應(yīng)氣體的反應(yīng)室中，亦即將反應(yīng)氣體輸入至底材所在的反應(yīng)室中。
在此，反應(yīng)氣體通常為下列各者之一或其組合氧氣、氮?dú)馀c氧化氮。此外，實(shí)際使用的反應(yīng)氣體，系至少取決于含硅層的材料與所要形成介電質(zhì)層的材料。
如電漿反應(yīng)方塊17所示，在低溫環(huán)境中使用電漿讓反應(yīng)氣體與含硅層反應(yīng)，藉以形成介電質(zhì)層于底材上。例如在剩余的含硅層上。
一方面，由于低溫環(huán)境是用來(lái)盡可能減少介電質(zhì)層形成過(guò)程對(duì)底材中已形成結(jié)構(gòu)(如場(chǎng)隔離、柵極與源/漏極)的不良影響，例如底材中已摻雜的源極與漏極的過(guò)度熱擴(kuò)散。因此，實(shí)際的溫度范圍，除取決于含硅層材料與所要形成介電質(zhì)層材料，還取決于底材的已形成結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)。
另一方面，由于電漿是用來(lái)加強(qiáng)介電質(zhì)層的形成，例如藉由電漿與含硅層的反應(yīng)，來(lái)使得含硅層容易與反應(yīng)氣體反應(yīng)；又例如利用電漿在某些環(huán)境下可以對(duì)底材表面進(jìn)行蝕刻的性質(zhì)，移除正在形成中介電質(zhì)層的凸出部份以增進(jìn)其厚度均勻性。因此，實(shí)際的電漿功率范圍，亦取決于含硅層材料與所要形成介電質(zhì)層材料。
但由于自反應(yīng)室外流入的反應(yīng)氣體僅是被用來(lái)補(bǔ)充被消耗掉的反應(yīng)氣體。反應(yīng)氣體的流量并不是本實(shí)施例的主要參數(shù)，只要能確保有足夠的反應(yīng)氣體可以進(jìn)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序即可。
因此，本實(shí)施例在此僅提出兩組常見(jiàn)的低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的反應(yīng)環(huán)境作為參考例。無(wú)論如何，本發(fā)明的應(yīng)用并不僅限于這二個(gè)參考例。
第一個(gè)參考例是溫度在200℃至450℃之間，壓力在2毫托耳(mtorr)至12毫托耳之間，反應(yīng)氣體流入反應(yīng)室的流量在30sccm至150sccm之間，而電槳功率在1000瓦至6000瓦之間。第二個(gè)參考例則是溫度在200℃至750℃之間，壓力在3毫托耳至10毫托耳之間，反應(yīng)氣體流入反應(yīng)室之流量在30sccm至150sccm之間，而電槳功率在1000瓦至5000瓦之間。
除此之外，由于含硅層很容易與氧氣反應(yīng)而形成一自然氧化層于其表面，例如在含硅層剛形成后便與反應(yīng)室內(nèi)的殘留氧氣反應(yīng)，或是在作為反應(yīng)氣體的氧氣剛輸入而尚未進(jìn)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序之前便發(fā)生反應(yīng)。也由于自然氧化層的結(jié)構(gòu)往往是松散而不能用來(lái)作為墊層、電容器等半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。因此，不論是圖1A、圖1B或圖1C所示的流程，都可以在如圖1E所示般(以圖1A為例子來(lái)修改)，在進(jìn)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積方塊13之前，先執(zhí)行預(yù)先清潔方塊18所示的執(zhí)行清潔程序去除位于含硅層表面的自然氧化層的步驟。
除此之外，本發(fā)明僅限制以反應(yīng)氣體與含硅層反應(yīng)以形成介電質(zhì)層，本發(fā)明并不排除同時(shí)對(duì)含硅層(或正形成中的介電質(zhì)層)進(jìn)行摻雜程序或回火程序等的可能性，也不排除在介電質(zhì)層形成后，再對(duì)介電質(zhì)層進(jìn)行摻雜程序或回火程序等的可能性。
圖2顯示三組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，定性地說(shuō)明介電質(zhì)層厚度與電漿功率及反應(yīng)時(shí)間二者間的關(guān)系。在此，所形成的介電質(zhì)層為氧硅化合物層，而所使用的反應(yīng)室為已知的高密度電漿化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室。顯然地，本發(fā)明可以讓氧硅化合物層的厚度在約30秒內(nèi)只改變約10埃(angstrom)，可以精確地控制氧硅化合物層的厚度，并利用其每分鐘約僅20埃的成長(zhǎng)速率，有效地形成厚度很薄的氧硅化合物層。當(dāng)然，電漿功率越大，氧硅化合物層厚度增長(zhǎng)的越快。
圖3A與3B顯示二組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，定性地說(shuō)明介電質(zhì)層厚度與介電質(zhì)層厚度起伏性二者與反應(yīng)時(shí)間之間的關(guān)系。在此，所形成的介電質(zhì)層為氧硅化合物層，而所使用的反應(yīng)室為已知的高密度電漿化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室。顯然地，隨著反應(yīng)時(shí)間的增加，不只氧硅化合物層的厚度是逐漸變慢，而且氧硅化合物層的厚度起伏性的增長(zhǎng)速率也是逐漸變慢。換句話說(shuō)，隨著氧硅化合物厚度的增加，氧硅化合物的厚度起伏性逐漸趨近一定值。
圖4A與4B顯示二組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，定性地說(shuō)明介電質(zhì)層厚度與介電質(zhì)層厚度起伏性二者在不同樣本(不同晶片)的關(guān)系。在此，所形成的介電質(zhì)層為氧硅化合物層，而所使用的反應(yīng)室為已知的高密度電漿化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室。顯然地，在不同的晶片，所形成的氧硅化合物層的厚度都幾乎是一定的；而且在不同的晶片，氧硅化合物層的厚度起伏性以都集中在1.70％至2.00％之間。換句話說(shuō)，本發(fā)明是一個(gè)可以精確控制且可以反復(fù)進(jìn)行的發(fā)明，在不同時(shí)候使用本發(fā)明處理不同的樣本，每個(gè)樣本都可以得到品質(zhì)良好的氧硅化合物層，而且不同樣本所得到的氧硅化叢都相當(dāng)相同，沒(méi)有不可忽略的不同。
本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例為前一個(gè)較佳實(shí)施例的一種應(yīng)用一種形成電容器的方法。如圖5所示，至少包含下列基本步驟如第一電極方塊51所示，提供底材并形成第一導(dǎo)體層于底材上。
如介電質(zhì)層方塊52所示，執(zhí)行低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序并使用反應(yīng)氣體，藉以形成介電質(zhì)層于第一導(dǎo)體層上。
其中當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體層為含硅層時(shí)，直接以低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理第一導(dǎo)體層而形成介電質(zhì)層；但當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)體層為金屬層時(shí)，先形成含硅層在金屬層上，然后再以低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理該含硅層以形成該介電質(zhì)層。同時(shí)，低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的一可能反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至450℃之間、壓力在2毫托耳至12毫托耳之間、反應(yīng)氣體的流量在30sccm至150sccm之間、電槳功率在1000瓦至6000瓦之間，而反應(yīng)氣體由下列所選出氧氣、氮?dú)馀c氧化氮。低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的另一可能反應(yīng)環(huán)境則為溫度在200℃至750℃之間、壓力在3毫托耳至10毫托耳之間、反應(yīng)氣體的流量在30sccm至150sccm之間、電槳功率在1000瓦至5000瓦之間，而反應(yīng)氣體系由下列所選出氧氣、氮?dú)馀c氧化氮。
如第二電極方塊53所示，形成第二導(dǎo)體層于介電質(zhì)層上。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用以限定本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述的申請(qǐng)專利范圍中。
權(quán)利要求
1.一種形成介電質(zhì)層的方法，包含提供一底材；形成一含硅層于該底材上；以及以一低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理該含硅層，藉以形成一介電質(zhì)層于該底材上。
2.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該含硅層選自下列所選出多晶硅層、摻雜多晶硅層、硅層、摻雜硅層、磊晶硅層與摻雜磊晶硅層。
3.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，以濺鍍法形成該含硅層。
4.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，先形成一導(dǎo)體層于該底材上，再形成該含硅層于該導(dǎo)體層上。
5.如權(quán)利要求4所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該導(dǎo)體層由下列所選出鋁層、銀層、銅層、鈦層、氮化鈦層、金層與過(guò)渡金屬層。
6.如權(quán)利要求4所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該導(dǎo)體層為一金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，先成一中介層于該底材上，然后才形成該含硅層于該中介層上。
8.如權(quán)利要求7所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該中介層由下列所選出氮化鈦層與氮化鉭層。
9.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該介電質(zhì)層由下列所選出氧化物層、氮化物層與氮氧化物層。
10.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序系先將該底材與該含硅層置于含一反應(yīng)氣體的一反應(yīng)室中，然后再在一低溫環(huán)境中使用一電漿讓該反應(yīng)氣體與該含硅層反應(yīng)而形成該介電質(zhì)層于該底材上。
11.如權(quán)利要求10所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該反應(yīng)氣體由下列所選出氧氣、氮?dú)馀c氧化氮。
12.如權(quán)利要求10所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的一反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至450℃之間、壓力在2毫托耳至12毫托耳之間、該反應(yīng)氣體之流量在30sccm至150sccm之間、而電槳功率在1000瓦至6000瓦之間。
13.如權(quán)利要求10所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的一反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至750℃之間、壓力在3毫托耳至10毫托耳之間、該反應(yīng)氣體之流量在30sccm至150sccm之間、而電槳功率在1000瓦至5000瓦之間。
14.如權(quán)利要求10所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，該反應(yīng)室由下列所選出化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室、高密度電漿化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室、和電漿增益化學(xué)氣相沉積反應(yīng)室。
15.如權(quán)利要求1所述的形成介電質(zhì)的方法工，其特征在于，尚可以在進(jìn)行該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序之前，執(zhí)行一清潔程序去除位于該含硅層表面的一自然氧化層。
16.一種形成電容器的方法，包含提供一底材；形成一第一導(dǎo)體層于該底材上；執(zhí)行一低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序并使用一反應(yīng)氣體，藉以形成一介電質(zhì)層于該第一導(dǎo)體層上；以及形成第二導(dǎo)體層于該介電質(zhì)層上。
17.如權(quán)利要求16所述的形成電容器的方法，其特征在于，當(dāng)該第一導(dǎo)體層為一含硅層時(shí)，直接以該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理該第一導(dǎo)體層而形成該介電質(zhì)層。
18.如權(quán)利要求16所述的形成電容器的方法，其特征在于，當(dāng)該第一導(dǎo)體層為一金屬層時(shí)，先形成一含硅層在該金屬層上，然后再以該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序處理該含硅層以形成該介電質(zhì)層。
19.如權(quán)利要求16所述的形成電容器的方法，其特征在于，該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的一反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至450℃之間、壓力在2毫托耳至12毫托耳之間、該反應(yīng)氣體的流量在30sccm至150sccm之間、電槳功率在1000瓦至6000瓦之間，而該反應(yīng)氣體由下列所選出氧氣、氮?dú)馀c氧化氮。
20.如權(quán)利要求16所述的形成電容器的方法，其特征在于，該低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的一反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至750℃之間、壓力在3毫托耳至10毫托耳之間、反應(yīng)氣體的流量在30sccm至150sccm之間、電槳功率在1000瓦至5000瓦之間，而該反應(yīng)氣體由下列所選出氧氣、氮?dú)馀c氧化氮。
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成介電質(zhì)層的方法。首先，形成含硅層于底材上；然后，以低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序與反應(yīng)氣體處理含硅層，藉以形成介電質(zhì)層于底材上。在此，可以先形成金屬層于底材上，然后再形成含硅層于金屬層上可能的反應(yīng)氣體有氧氣、氮?dú)馀c氧化氮而低溫電漿增益化學(xué)氣相沉積程序的典型反應(yīng)環(huán)境為溫度在200℃至750℃之間、壓力在2至12毫托耳之間、反應(yīng)氣體的流量在30sccm至150sccm之間、而電槳功率在1000瓦至6000瓦之間。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK1480997SQ0213684
公開(kāi)日2004年3月10日 申請(qǐng)日期2002年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月6日
發(fā)明者張開(kāi)軍, 鄧覺(jué)為, 馬可 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司, 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公