專利名稱：一種真空滅弧室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種真空滅弧室。
背景技術(shù)：
目前國內(nèi)、外生產(chǎn)的額定電壓在0.38kv～40.5kv的真空滅弧室的外殼不以高壓、低壓區(qū)分，均采用陶瓷、玻璃制作而成，且制造工藝復(fù)雜，抗震性差、成本高，

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一種真空滅弧室目的是提供一種適用于額定電壓6kv以下的、工藝簡單、抗震性能好、成本低的真空滅弧室，所述一種真空滅弧室的外殼用金屬材料和絕緣材料制成，由上端金屬蓋壁、絕緣材料隔層和下端金屬蓋壁所構(gòu)成。所述上端金屬蓋壁的上端蓋中心部可加工出動觸頭導(dǎo)向及定位裝置，所述下端金屬蓋壁的下部為散熱片，可根據(jù)不同需要作成不同形狀，也可作為安裝支座，所述絕緣材料隔層隔離上端金屬蓋壁和下端金屬蓋壁，考慮到動觸頭與靜觸頭之間產(chǎn)生的電弧，絕緣材料隔層在遠(yuǎn)離靜觸頭的一端。絕緣材料可作成不同形狀，根據(jù)額定電壓不同選用不同厚度，也可突出至金屬外殼以外與外絕緣材料連接。本發(fā)明一種真空滅弧室結(jié)構(gòu)簡單、工藝要求簡單、抗震性好，成本低，適用低電壓使用。


圖1為本發(fā)明一種真空滅弧室的正剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明一種真空滅弧室由動觸頭及導(dǎo)桿1，波紋管2，與動觸頭及導(dǎo)桿1垂直對接的靜觸頭3及外部的上端蓋壁4、絕緣材料隔層5、下端蓋壁6等構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.本發(fā)明一種真空滅弧室其特征是所述一種真空滅弧室的外殼由上端金屬蓋壁、絕緣材料隔層和下端金屬蓋壁所構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述外殼的絕緣材料，可根據(jù)真空滅弧室額定電壓不同選用不同厚度，也可突出至金屬外殼以外與外絕緣材料連接。
全文摘要
本發(fā)明一種真空滅弧室是由動觸頭及導(dǎo)桿、波紋管、靜觸頭和外殼等構(gòu)成。所述外殼由上端金屬蓋壁、絕緣材料隔層和下端金屬蓋壁所構(gòu)成。所述絕緣材料隔層隔離上端金屬蓋壁和下端金屬蓋壁。絕緣材料可作成不同形狀，根據(jù)額定電壓不同選用不同厚度，也可突出至金屬外殼以外與外絕緣材料連接。本發(fā)明一種真空滅弧室結(jié)構(gòu)簡單、工藝要求簡單、抗震性好，成本低，適用低電壓使用。
文檔編號H01H33/664GK1448973SQ0211565
公開日2003年10月15日 申請日期2002年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月28日
發(fā)明者張翼鵬 申請人:張翼鵬