專(zhuān)利名稱(chēng)：高頻肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。具體說(shuō)涉及肖特基二極管。
背景技術(shù)：
肖特基二極管是利用金屬與半導(dǎo)體之間接觸勢(shì)壘進(jìn)行工作的一種多數(shù)載流子器件，它包括由重?fù)诫s硅襯底和輕摻雜的硅外延層構(gòu)成的硅外延片，設(shè)在襯底背面的歐姆接觸電極，在硅外延層的上方有周邊圍了二氧化硅的勢(shì)壘金屬，勢(shì)壘金屬上方設(shè)置有金屬電極。在本發(fā)明作出前，傳統(tǒng)的硅基肖特基二極管的硅外延層厚度均在2μm以上，它的截止頻率較低，使應(yīng)用場(chǎng)合受到極大限制，已無(wú)法適應(yīng)通訊、微波技術(shù)的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高頻肖特基二極管。它包括由重?fù)诫s硅襯底和硅外延層構(gòu)成的硅外延片，歐姆接觸電極，周邊圍有二氧化硅的勢(shì)壘金屬和金屬電極，其特征是所說(shuō)的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3。
本發(fā)明采用了外延層厚度為亞微米的超薄硅外延片及合適的摻雜濃度，能有效降低器件的串聯(lián)電阻和結(jié)電容，大幅度提高截止頻率，試驗(yàn)表明，可使截止頻率高達(dá)40GHz～80GHz，本發(fā)明的高頻肖特基二極管拓寬了硅基器件在高頻領(lǐng)域的應(yīng)用，能廣泛用于微波混頻、檢波及超高速開(kāi)關(guān)電路中。


附圖是高頻肖特基二極管結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
參照附圖，高頻肖特基二極管包括重?fù)诫s硅襯底1和硅外延層3構(gòu)成的硅外延片，設(shè)在襯底背面的歐姆接觸電極2，硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，硅外延層的摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3，通常，用磷摻雜或砷摻雜，在硅外延層的上方有周邊圍了二氧化硅6的勢(shì)壘金屬4，在勢(shì)壘金屬的上方設(shè)置有金屬電極5。
權(quán)利要求
1.高頻肖特基二極管，包括由重?fù)诫s硅襯底(1)和硅外延層(3)構(gòu)成的硅外延片，歐姆接觸電極(2)，周邊圍有二氧化硅的勢(shì)壘金屬(4)和金屬電極(5)，其特征是所說(shuō)的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm，外延層摻雜濃度為1×1015cm-3～1×1017cm-3。
2.按權(quán)利要求1所述的高頻肖特基二極管，其特征是硅外延層的摻雜為磷或砷。
全文摘要
本發(fā)明的高頻肖特基二極管包括由重?fù)诫s硅襯底和硅外延層構(gòu)成的硅外延片,歐姆接觸電極,周邊圍有二氧化硅的勢(shì)壘金屬和金屬電極,其特征是所說(shuō)的硅外延層的厚度為0.4μm～1μm,外延層摻雜濃度為1×10
文檔編號(hào)H01L29/66GK1388592SQ0211232
公開(kāi)日2003年1月1日 申請(qǐng)日期2002年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月26日
發(fā)明者葉志鎮(zhèn), 張海燕, 黃靖云, 李蓓 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)