專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶有MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容器的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，已可以提供形成有金屬鑲嵌構(gòu)造的銅布線和MIM電容器的半導(dǎo)體器件。
圖38展示采用以往技術(shù)的半導(dǎo)體器件的斷面圖。如圖38所示，在低介電常數(shù)膜41以及高介電常數(shù)膜42內(nèi)，形成例如由銅組成的通孔43以及布線44。而后，在高介電常數(shù)膜42以及布線44上形成銅擴(kuò)散防止膜45，在該銅擴(kuò)散防止膜45上有選擇地形成電容器49。該電容器49，由下部電極46和介質(zhì)膜47和上部電極48組成。而后，在電容器49以及銅擴(kuò)散防止膜45上形成絕緣膜50，該絕緣膜的表面采用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)平坦化。
在這種以往的半導(dǎo)體器件中，希望在絕緣膜50中使用低介電常數(shù)膜，以降低布線間寄生電容量。
但是，因?yàn)榈徒殡姵?shù)膜是粗膜，所以在用CMP平坦化低介電常數(shù)膜的表面時(shí)有可能產(chǎn)生裂紋。因而，在絕緣膜50中使用低介電常數(shù)膜，并且用CMP平坦化是非常困難的。因此，考慮在絕緣膜50中使用高介電常數(shù)膜，該膜即使進(jìn)行CMP也難以產(chǎn)生裂紋。
但是，電容器49因?yàn)楸挥羞x擇地形成在銅擴(kuò)散防止膜45上，所以會(huì)在形成有電容器49的區(qū)域和未形成電容器的區(qū)域上產(chǎn)生相當(dāng)于電容器49的厚度高差。因而，為了不形成此電容器49的高差，必須用絕緣膜50填充銅擴(kuò)散膜45上沒(méi)有形成電容器49的區(qū)域。即，如上所述，用高介電常數(shù)膜充填電容器49的周?chē)Ｒ虼?，如果要用高介電常?shù)的絕緣膜50消除電容器49的高差，則會(huì)產(chǎn)生布線間的寄生電容增加的問(wèn)題。
如上所述，在以往的半導(dǎo)體器件中，用CMP平坦化電容器49上的絕緣膜50的表面是非常困難的。

發(fā)明內(nèi)容
采用本發(fā)明第1項(xiàng)的半導(dǎo)體器件包含第1絕緣膜，帶有開(kāi)口部分；電容器，被有選擇地形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)；第2絕緣膜，至少被形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)；第3絕緣膜，被形成在上述第2絕緣膜上。
采用本發(fā)明第2項(xiàng)的半導(dǎo)體器件的制造方法包含以下工序形成第1絕緣膜；有選擇地除去上述第1絕緣膜，形成開(kāi)口部分；被有選擇地形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)；至少在上述開(kāi)口部分內(nèi)形成第2絕緣膜；在上述第2絕緣膜上形成第3絕緣膜。


圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9是展示本發(fā)明的實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件各制造工序的斷面圖。
圖10是展示本發(fā)明的實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件的平面圖。
圖11、圖12、圖13是展示本發(fā)明的第1實(shí)施方案的另一半導(dǎo)體器件的各制造工序的斷面圖。
圖14、圖15、圖16、圖17、圖18、圖19、圖20、圖21、圖22是展示本發(fā)明的實(shí)施方案2的半導(dǎo)體器件各制造工序的斷面圖。
圖23、圖24、圖25是展示本發(fā)明的實(shí)施方案2的另一半導(dǎo)體器件各制造工序的斷面圖。
圖26、圖27、圖28、圖29、圖30、圖31、圖32、圖33是展示涉及本發(fā)明的實(shí)施方案3的半導(dǎo)體器件的制造工序的斷面圖。
圖34、圖35、圖36、圖37是展示本發(fā)明實(shí)施方案3的另一半導(dǎo)體器件各制造工序的斷面圖。
圖38是展示以往技術(shù)的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方案。在說(shuō)明時(shí)，在全部圖中對(duì)于共同的部分標(biāo)注相同的參照符號(hào)。
此外，在本發(fā)明的實(shí)施方案中，所謂低介電常數(shù)膜，是指介電常數(shù)在4.0以下的膜，所謂高介電常數(shù)膜，是指介電常數(shù)比該低介電常數(shù)膜的介電常數(shù)高的膜。
(實(shí)施方案1)在實(shí)施方案1中，在由低介電常數(shù)膜組成的絕緣膜內(nèi)形成有開(kāi)口，在該開(kāi)口部分內(nèi)形成有MIM電容器。
圖1～圖9示出了本發(fā)明實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件制造工序的斷面圖。下面對(duì)實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件的制造方法加以說(shuō)明。
首先，如圖1所示，在低介電常數(shù)膜11上形成介電常數(shù)比該低介電常數(shù)膜11高的高介電常數(shù)膜12。其后，通過(guò)金屬鑲嵌工序，在低介電常數(shù)膜11以及高介電常數(shù)膜12內(nèi)，形成例如由銅組成的通孔13以及第1布線14。接著，通過(guò)濺射，在第1布線14以及高介電常數(shù)膜12上，形成例如由SiN膜組成的銅擴(kuò)散防止膜15，在該銅擴(kuò)散防止膜15上形成低介電常數(shù)的絕緣膜16。在此，絕緣膜16的厚度例如是270nm。
以下，如圖2所示，在絕緣膜16上涂布抗蝕劑膜17，該抗蝕劑膜17通過(guò)光刻形成圖案。把形成有該光刻圖案的抗蝕劑膜17作為掩模，用RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)使絕緣膜16形成圖案，從而形成開(kāi)口部分18。其后，除去抗蝕劑膜17。
接著，如圖3所示，通過(guò)濺射，在開(kāi)口部分18內(nèi)以及絕緣膜16上，形成例如由TiN膜組成的下部電極膜19，在該下部電極膜19上，形成例如由Ta2O5組成的介質(zhì)20。在該介質(zhì)膜20上形成例如由TiN膜組成的上部電極膜21。在此，下部電極膜19的厚度例如是60nm，介質(zhì)膜20的厚度例如是50nm，上部電極膜21的厚度例如是50nm。
接著，如圖4所示，在上部電極膜21上涂布抗蝕劑膜22，通過(guò)光刻使該抗蝕劑膜22形成圖案。其后，把該形成有圖案的抗蝕劑膜22作為掩模，用RIE在上部電極膜21上形成圖案。在此，如此形成上部電極膜21，使其保留在開(kāi)口部分18內(nèi)。其后，除去抗蝕劑膜22。
以下，如圖5所示，在上部電極膜21以及介質(zhì)膜20上涂布抗蝕劑膜23，通過(guò)光刻使該抗蝕劑膜23形成圖案。其后，把形成有該圖案的抗蝕劑膜23作為掩模，用RIE形成介質(zhì)膜20以及下部電極膜19的圖案。在此，形成介質(zhì)膜20以及下部電極膜19的圖案，使得其表面積，例如比上部電極膜21表面積大，并且保留在開(kāi)口部分18內(nèi)。結(jié)果，在開(kāi)口部分18內(nèi)，形成由下部電極膜19和介質(zhì)膜20和上部電極膜21組成的MIM電容器24。其后，除去抗蝕劑膜23。
以下，如圖6所示，通過(guò)PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積)，在開(kāi)口部分18內(nèi)以及絕緣膜16上形成第1層間膜25。在此，第1層間膜25，由例如SiO2膜那樣的高介電常數(shù)膜組成，但只要是在低溫下形成并且可以CMP的絕緣膜，就沒(méi)有限制。
以下，如圖7所示，通過(guò)CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)，平坦化第1層間膜25，直至絕緣膜16的表面露出。在此，希望在電容器24上確保500至1000的余量X，使得電容器24的表面不露出。即，只要使由下部電極膜19、介質(zhì)膜20、上部電極膜21組成的電容器24的膜厚度比絕緣膜16的膜厚度薄即可。
以下，如圖8所示，在第1層間膜25以及絕緣膜16上形成第2層間膜26，在該第2層間膜26上形成第3層間膜27。在此，第2層間膜26由低介電常數(shù)膜，例如FSG(氟旋涂玻璃)膜組成，第3層間膜27由高介電常數(shù)膜，例如SiO2膜組成。
以下，如圖9所示，除去第1、第2、第3層間膜25、26、27等，形成通孔以及布線用的溝槽。接著，在通孔以及布線用的溝槽內(nèi)淀積勢(shì)壘金屬層(未圖示)，在該勢(shì)壘金屬層上通過(guò)電鍍淀積銅膜。接著，采用CMP平面化勢(shì)壘金屬層以及銅膜，形成通孔28a、28b、28c以及第2布線29a、29b、29c。在此，通孔28a以及第2布線29a與電容器24的下部電極膜19連接，通孔28b以及第2布線29b與電容器24的上部電極膜21連接，通孔28c以及第2布線29c與第1布線14連接。其后，在第3層間膜27以及第2布線29a、29b、29c上形成擴(kuò)散防止膜30。
圖10是展示本發(fā)明的實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件的平面圖。如圖10所示，在絕緣膜16內(nèi)形成開(kāi)口部分18，在該開(kāi)口部分18內(nèi)形成有電容器24。由此，電容器24被絕緣膜16包圍，在開(kāi)口部分18內(nèi)的間隙之間形成第1層間膜25。此外，圖7是沿著圖10所示的VII-VII線的半導(dǎo)體器件的斷面圖。
如果采用上述第1實(shí)施方案，則在形成于電容器24上的第1層間膜25中，使用即使采用CMP也難以產(chǎn)生裂紋的膜(例如高介電常數(shù)膜)。因此，用CMP，可以平坦化電容器24上的第1層間膜25的表面。
此外，在絕緣膜16內(nèi)形成開(kāi)口部分18，在該開(kāi)口部分18內(nèi)形成電容器24。因此，電容器24成為以絕緣膜16包圍的狀態(tài)。因而，因?yàn)橹辉陂_(kāi)口部分18內(nèi)形成高介電常數(shù)的第1層間膜25，所以可以降低布線間的寄生電容。
此外，在通孔28a、28b、28c以及第2布線29a、29b、29c周?chē)拇蟛糠稚?，設(shè)置有作為低介電常數(shù)膜的第2層間膜26。因而，可以進(jìn)一步降低布線間寄生電容。
此外，因?yàn)樵陔娙萜?4的周?chē)O(shè)置有絕緣膜16，所以可以減小由于電容器24而產(chǎn)生的高差。即，在電容器24上形成第1層間膜25時(shí)，難以在第1層間膜25上反映電容器24的形狀。因而，與以往相比，更容易平坦化電容器24上的第1層間膜25的表面。
此外，因?yàn)橛玫徒殡姵?shù)膜形成絕緣膜16，所以可以進(jìn)一步降低布線間電容。
此外，在電容器24之下形成有銅擴(kuò)散防止膜15。因此，可以防止從第2布線29a、29b、29c以及通孔28a、28b、28c，向形成于電容器24下的元件(未圖示)的銅污染。
此外，當(dāng)用CMP平坦化第1層間膜25時(shí)，通過(guò)確保余量X，可以防止電容器24表面的損壞，可以提高電容器24的性能。
此外，第1層間膜25，也可以是通過(guò)涂布形成的有機(jī)絕緣膜。這種情況下，因?yàn)榭梢栽谕扛矔r(shí)使有機(jī)絕緣膜較為平坦，所以可以省略圖7所示的CMP平坦化工序。因而，可以在第1層間膜25中，使用由于CMP的限制不能使用的低介電常數(shù)膜。如果在第1層間膜25中使用涂覆型的膜，則不僅可以減少工序數(shù)，而且可以進(jìn)一步降低布線間的電容。
此外，在圖7的工序中，如果通過(guò)CMP，第1層間膜25的表面已平坦，則也可以不進(jìn)行直至絕緣膜16的表面露出的，對(duì)該第1層間膜25的平坦化。但是，因?yàn)楦呓殡姵?shù)的第1層間膜25的殘留量的減少可以降低布線間的電容，所以希望通過(guò)平坦化第1層間膜25使絕緣膜16的表面露出。
此外，在實(shí)施方案1中，為了保護(hù)電容器24，可以在電容器24上形成銅擴(kuò)散防止膜如下。首先，如圖5所示，形成電容器24。接著，如圖11所示，在電容器24以及絕緣膜15上形成銅擴(kuò)散防止膜31，在該銅擴(kuò)散防止膜31上形成第1層間膜25。接著，如圖12所示，通過(guò)CMP，平坦化第1層間膜25直至絕緣膜16的表面露出。其后，經(jīng)過(guò)和實(shí)施方案1一樣的工序，形成圖13所示的構(gòu)造。如果采用此構(gòu)造，因?yàn)樵陔娙萜?4上形成有銅擴(kuò)散防止膜31，所以可以防止從第2布線29a、29b、29c以及通孔28a、28b、28c，向電容器24的介質(zhì)膜20的銅污染。
(實(shí)施方案2)實(shí)施方案2，是用銅擴(kuò)散防止膜形成帶有開(kāi)口部分的絕緣膜的例子。
圖14至圖22是展示本發(fā)明的實(shí)施方案2的半導(dǎo)體器件的制造工序的斷面圖。以下，說(shuō)明實(shí)施方案2的半導(dǎo)體器件的制造方法。在實(shí)施方案2的半導(dǎo)體器件制造方法中，省略說(shuō)明和上述實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件的制造方法一樣的工序，只說(shuō)明不同的工序。
首先，如圖14所示，和實(shí)施方案1一樣，在低介電常數(shù)膜11以及高介電常數(shù)膜12內(nèi)，形成例如由銅組成的通孔13以及第1布線14。接著，采用濺射，在第1布線14以及高介電常數(shù)膜12上，形成例如由SiN膜組成的銅擴(kuò)散防止膜15。在此，銅擴(kuò)散防止膜15的厚度例如是270nm。
接著，如圖15所示，在銅擴(kuò)散防止膜15上涂布抗蝕劑膜17，該抗蝕劑膜17通過(guò)光刻形成圖案。把形成有圖案的抗蝕劑膜17作為掩模，用RIE形成銅擴(kuò)散防止膜15圖案，由此形成開(kāi)口部分18。其后，除去抗蝕劑膜17。
接著，如圖16所示，通過(guò)濺射，在開(kāi)口部分18內(nèi)以及銅擴(kuò)散防止膜15上形成由例如TiN膜組成的下部電極膜19，在該下部電極膜19上形成由例如Ta2O5組成的介質(zhì)膜20，在該介質(zhì)膜20上形成例如由TiN組成的上部電極膜21。在此，下部電極膜19的膜厚度例如是60nm，介質(zhì)膜20的膜厚度例如是50nm，上部電極膜21的膜厚度例如是50nm。
接著，如圖17所示，在上部電極膜21上涂布抗蝕劑膜22，通過(guò)光刻使該抗蝕劑膜22形成圖案。其后，把形成有該圖案的抗蝕劑膜22作為掩模，用RIE形成上部電極膜21的圖案。在此，被形成的上部電極膜21的圖案只形成在開(kāi)口部分18內(nèi)。其后，除去抗蝕劑膜22。
接著，如圖18所示，在上部電極膜21以及介電常數(shù)膜22上涂布抗蝕劑膜23，通過(guò)光刻使該抗蝕劑膜23形成圖案。其后，把形成有該圖案的抗蝕劑膜23作為掩模，用RIE形成介質(zhì)膜20以及下部電極膜19的圖案。在此，形成介質(zhì)膜20以及下部電極膜19的圖案比上部電極21的面積大，并且只被保留在開(kāi)口部分18內(nèi)。結(jié)果，在開(kāi)口部分18上，形成由下部電極膜19和介質(zhì)膜20和上部電極膜21組成的MIM電容器24。其后，除去抗蝕劑膜23。
接著，如圖19所示，用PECVD，在開(kāi)口部分18內(nèi)以及銅擴(kuò)散防止膜15上形成第1層間膜25。在此，第1層間膜25，由例如SiO2那樣的高介電常數(shù)膜組成，但如果是可以在低溫下形成的CMP絕緣膜，則并沒(méi)有限定。
接著，如圖20所示，采用CMP，平坦化第1層間膜25，直至銅擴(kuò)散防止膜15的表面露出。在此，希望在電容器24上確保500至1000的余量X，使得電容器24的表面不露出。即，只要由下部電極膜19、介質(zhì)膜20、上部電極膜21組成的電容器24的膜厚度，比銅擴(kuò)散防止膜15的厚度薄即可。
接著，如圖21所示，在上述第1層間膜25以及銅擴(kuò)散防止膜15上形成第2層間膜26，在該第2層間膜26上形成第3層間膜27。在此，第2層間膜26由例如FSG膜那樣的低介電常數(shù)膜組成，第3層間膜27由例如SiO2膜那樣的高介電常數(shù)膜組成。
接著，如圖22所示，和實(shí)施方案1一樣，在形成通孔28a、28b、28c以及第2布線29a、29b、29c之后，形成銅擴(kuò)散防止膜30。
如果采用上述第2實(shí)施方案，則可以得到和實(shí)施方案1一樣的效果。
此外，在實(shí)施方案2中，在銅擴(kuò)散防止膜15上形成有開(kāi)口部分18。即，沒(méi)有設(shè)置新的用于形成開(kāi)口部分18的膜(在實(shí)施方案1中的絕緣膜16)，而是利用銅擴(kuò)散防止膜15。因此，與實(shí)施方案1相比還可以減少制造工序數(shù)。
此外，在上述第2實(shí)施方案中，為了保護(hù)電容器24，還可如以下那樣在電容器24上形成銅擴(kuò)散防止膜。首先，如圖18所示，形成電容器24。接著，如圖23所示，在電容器24以及銅擴(kuò)散防止膜15上形成銅擴(kuò)散防止膜31，在該銅擴(kuò)散防止膜31上形成第1層間膜25。接著，如圖24所示，通過(guò)CMP，平坦化第1層間膜25直至銅擴(kuò)散防止膜15的表面露出。其后，經(jīng)由和上述實(shí)施方案2一樣的工序，形成圖25所示的構(gòu)造。如果采用該構(gòu)造，因?yàn)樵陔娙萜?4上形成有銅擴(kuò)散防止膜31，所以可以防止從第2布線29a、29b、29c以及通孔28a、28b、28c對(duì)電容器24的介質(zhì)膜20的銅污染。
(實(shí)施方案3)第3實(shí)施方案，是用銅擴(kuò)散防止膜和低介電常數(shù)膜的疊層膜形成帶有開(kāi)口部分的絕緣膜。
圖26至圖34展示本發(fā)明的實(shí)施方案3的半導(dǎo)體器件的制造工序的斷面圖。以下，說(shuō)明實(shí)施方案3的半導(dǎo)體器件的制造方法。在實(shí)施方案3的半導(dǎo)體器件的制造方法中，省略說(shuō)明和上述實(shí)施方案1的半導(dǎo)體器件的制造方法一樣的工序，只說(shuō)明不同的工序。
首先，如圖26所示，和實(shí)施方案1一樣，在低介電常數(shù)膜11以及高介電常數(shù)膜12內(nèi)，形成例如由銅組成的通孔13以及第1布線14。接著，通過(guò)濺射，在第1布線14以及高介電常數(shù)膜12上，形成例如由SiN膜組成的銅擴(kuò)散防止膜15，在該銅擴(kuò)散防止膜15上形成作為低介電常數(shù)的絕緣膜16。在此，銅擴(kuò)散防止膜15和絕緣膜16的合計(jì)膜厚度例如是270nm。
接著，如圖27所示，在絕緣膜16上涂布抗蝕劑膜17，用光刻使抗蝕劑膜17形成圖案。把形成有圖案的抗蝕劑膜17作為掩模，用RIE形成銅擴(kuò)散防止膜15以及絕緣膜16的圖案，由此形成開(kāi)口部分18。其后，除去抗蝕劑膜17。
接著，如圖28所示，通過(guò)濺射，在開(kāi)口部分18內(nèi)以及絕緣膜16上形成例如由TiN膜組成的下部電極膜19，在該下部電極膜19上形成有例如由Ta2O5膜組成的介質(zhì)膜20，在該介質(zhì)膜20上形成例如由TiN膜組成的上部電極膜21。在此，下部電極膜19的厚度例如是60nm，介質(zhì)膜20的厚度例如是50nm，上部電極膜21的厚度例如是50nm。
接著，如圖29所示，在上部電極膜21上涂布抗蝕劑膜22，光刻該抗蝕劑膜22形成圖案。其后，把形成有圖案的抗蝕劑膜22作為掩模，用RIE形成上部電極膜21的圖案。在此，形成上部電極膜21的圖案，殘留在開(kāi)口部分18內(nèi)。其后，除去抗蝕劑膜22。
接著，如圖30所示，在上部電極膜21以及介質(zhì)膜20上涂布抗蝕劑膜23，通過(guò)光刻使該抗蝕劑膜23形成圖案。其后，把形成有圖案的抗蝕劑膜23作為掩模，用RIE形成介質(zhì)膜20以及下部電極膜19的圖案。在此，形成介質(zhì)膜20以及下部電極19的圖案，使得比上部電極膜21表面積大并且殘留在開(kāi)口部分18內(nèi)。其結(jié)果，在開(kāi)口部分18內(nèi)，形成由下部電極膜19和介質(zhì)膜20和上部電極膜21組成的MIM電容器24。其后，除去抗蝕劑膜23。
接著，如圖31所示，用PECVD，在開(kāi)口部分18內(nèi)以及絕緣膜16上形成第1層間膜25。在此，第1層間膜25，例如由SiO2膜那樣的高介電常數(shù)膜組成，但如果是可以在低溫下形成的CMP絕緣膜，則沒(méi)有限制。
接著，如圖32所示，用CMP平坦化第1層間膜25，直至絕緣膜16的表面露出。在此，希望在電容器24上確保500至1000的余量X，使得電容器24的表面不露出。即，只要使由下部電極膜19、介質(zhì)膜20、上部電極21組成的電容器24的膜厚度，比絕緣膜16和銅擴(kuò)散防止膜15的合計(jì)厚度還薄就行。
接著，如圖33所示，在第1層間膜25以及絕緣膜16上形成第2層間膜26，在該第2層間膜26上形成第3層間膜27。在此，第2層間膜26由例如FSG膜那樣的低介電常數(shù)膜組成，第3層間膜27例如由SiO2那樣的高介電常數(shù)膜組成。
接著，如圖34所示，和實(shí)施方案1一樣，在形成通孔28a、28b、28c以及第2布線29a、29b、29c后，形成銅擴(kuò)散防止膜30。
如果采用實(shí)施方案3，則可以得到和實(shí)施方案1一樣的效果。
此外，除去高介電常數(shù)膜的銅擴(kuò)散防止膜15和被形成在該銅擴(kuò)散防止膜上的低介電常數(shù)膜的絕緣膜16的疊層膜，形成開(kāi)口部分18。因此，在電容器24的周?chē)?，不僅存在高介電常數(shù)膜，而且存在低介電常數(shù)膜。因而，與實(shí)施方案2相比可以降低布線間的電容。
此外，在實(shí)施方案3中，為了保護(hù)電容器24，也可以如以下那樣在電容器24上形成銅擴(kuò)散防止膜。首先，如圖30所示，形成電容器24。接著，如圖35所示，在電容器24以及絕緣膜16上形成銅擴(kuò)散防止膜31，在該銅擴(kuò)散防止膜31上形成第1層間膜25。接著，如圖36所示，用CMP平坦化第1層間膜25，直至絕緣膜16的表面露出。其后，經(jīng)由和上述實(shí)施方案3一樣的工序，形成圖37所示的構(gòu)造。如果采用該構(gòu)造，因?yàn)榭梢栽陔娙萜?4上形成銅擴(kuò)散防止膜31，所以可以防止從第2布線29a、29b、29c以及通孔28a、28b、28c向電容器24的介質(zhì)膜20的銅污染。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能容易得出其他優(yōu)點(diǎn)和改進(jìn)。因此，本發(fā)明在其廣義方面不限于此處所敘述的具體細(xì)節(jié)和各實(shí)施方案。因而，可以對(duì)本發(fā)明作出各種改型而不會(huì)脫離后附權(quán)利要求書(shū)所限定的總的發(fā)明構(gòu)思的精神或范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包含第1絕緣膜，帶有開(kāi)口部分；電容器，被有選擇地形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)；第2絕緣膜，至少被形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)；第3絕緣膜，被形成在上述第2絕緣膜上。
2.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包含擴(kuò)散防止膜，被形成在上述第1絕緣膜以及上述電容器之下。
3.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包含擴(kuò)散防止膜，被形成在上述電容器和上述第2絕緣膜之間。
4.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包含第1擴(kuò)散防止膜，被形成在上述第1絕緣膜以及上述電容器之下；第2擴(kuò)散防止膜，被形成在上述電容器和上述第2絕緣膜之間。
5.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，上述第1絕緣膜，是低介電常數(shù)膜、擴(kuò)散防止膜、擴(kuò)散防止膜和低介電常數(shù)膜的疊層膜之一。
6.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，上述第3絕緣膜是低介電常數(shù)膜，上述第2絕緣膜是比上述第3絕緣膜介電常數(shù)高的膜。
7.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，上述第2絕緣膜是通過(guò)涂布形成的有機(jī)絕緣膜。
8.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，上述電容器的膜厚度，比上述第1絕緣膜的膜厚度還薄。
9.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，上述第2絕緣膜，只被形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)。
10.權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，上述第1絕緣膜，包圍上述電容器。
11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包含形成第1絕緣膜的工序；有選擇地除去上述第1絕緣膜，形成開(kāi)口部分的工序；有選擇地在上述開(kāi)口部分內(nèi)形成上述電容器的工序；至少在上述開(kāi)口部分內(nèi)形成第2絕緣膜的工序；在上述第2絕緣膜上形成第3絕緣膜的工序。
12.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述第1絕緣膜形成在擴(kuò)散防止膜上。
13.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，在上述電容器和上述第2絕緣膜之間形成擴(kuò)散防止膜。
14.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述第1絕緣膜形成在第1擴(kuò)散防止膜上，在上述電容器和上述第2絕緣膜之間形成第2擴(kuò)散防止膜。
15.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述第1絕緣膜，是低介電常數(shù)膜、擴(kuò)散防止膜、擴(kuò)散防止膜和低介電常數(shù)膜的疊層膜之一。
16.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述第3絕緣膜是低介電常數(shù)膜，上述第2絕緣膜是比上述第3絕緣膜介電常數(shù)高的膜。
17.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述第2絕緣膜，是通過(guò)涂布形成的有機(jī)絕緣膜。
18.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述電容器的膜厚度，比上述第1絕緣膜的厚度還薄。
19.權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，上述第2絕緣膜，只形成在上述開(kāi)口部分內(nèi)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件,包含:第1絕緣膜,帶有開(kāi)口部分;電容器,被有選擇地形成在上述開(kāi)口部分內(nèi);第2絕緣膜,至少被形成在上述開(kāi)口部分內(nèi);第3絕緣膜,被形成在上述第2絕緣膜上。
文檔編號(hào)H01L21/3205GK1374699SQ0210688
公開(kāi)日2002年10月16日 申請(qǐng)日期2002年3月7日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月8日
發(fā)明者吉富崇, 中島雄一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝