專利名稱：包含多孔絕緣材料的半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件及其制造方法，尤其是涉及在布線層之間配置多孔絕緣膜用作經(jīng)由層的半導體器件及其制造方法。
背景技術：
在半導體集成電路器件中，布線之間的寄生電容是信號傳輸速度降低的一個重要原因。當布線間的距離在1μm以上時，布線間的寄生電容對全部器件的處理速度只有小的影響。然而，當布線間的距離在0.2μm以下時，與上下布線間距離相比，在同一層形成的布線間距離變得極小，結果布線間寄生電容對器件的處理速度具有重要的影響。
通過半導體集成電路器件的多層布線的信號傳輸速度由導線電阻和寄生電容的結合來決定。當布線厚度減小時，可以減小寄生電容；然而，布線厚度減小時，導線電阻增大，由此，不能獲得較高的信號傳輸速度。為了實現(xiàn)寄生電容的減小，而不減小布線的厚度，有效的方法是降低層間絕緣膜的介電常數(shù)。
作為具有低介電常數(shù)的材料，涂敷型絕緣材料、聚四氟乙烯基(PTFE基)材料以及具有直鏈結構的烴基材料已經(jīng)被引起注意。作為涂敷型絕緣材料，舉例來說，可以提到聚酰亞胺或者硅酮樹脂。然而，即使使用上述材料，也難以獲得3或者以下的相對介電常數(shù)。當使用聚四氟乙烯基材料時，介電常數(shù)可以降低到2或者以下；然而，由于聚四氟乙烯基材料與其它材料的粘附差，所以實際上不能使用。具有直鏈結構的烴基材料對氧化敏感，當它被氧化時，由于吸濕性其介電常數(shù)很可能變化。
為了解決上述問題，通過形成多孔絕緣材料已經(jīng)開發(fā)了具有低介電常數(shù)的多孔材料。
然而，當多孔材料被用作絕緣材料時，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了過去沒有發(fā)生的以下問題，這些問題出現(xiàn)在制造半導體器件的工藝期間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于解決當多孔材料被用作半導體集成電路器件中所用的絕緣材料時出現(xiàn)的問題。
根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種半導體器件的制造方法，包括以下工序在襯底表面形成第一絕緣膜，半導體元件形成于襯底上，并且襯底具有暴露在其一部分表面上的導電區(qū)域；在第一絕緣膜上形成第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；在第三絕緣膜上形成第二層間絕緣膜；從第二層間絕緣膜的上表面到第三絕緣膜的上表面形成布線溝槽，從布線溝槽底部的一部分到第一絕緣膜的上表面形成通孔，其中，通孔配置在與導電區(qū)域一部分對應的位置，在相對于第三絕緣膜選擇性地腐蝕第二層間絕緣膜的條件下，通過腐蝕形成布線溝槽；通過在相對于第二絕緣膜選擇性地腐蝕第三絕緣膜的條件下，通過腐蝕去除在布線溝槽底部暴露的第三絕緣膜和在通孔底部暴露的第一絕緣膜；在通孔和布線溝槽中填充包含導電材料的布線。
當暴露在布線溝槽底部的第三絕緣膜被去除時，第二絕緣膜可以被用作腐蝕阻擋膜。因此，可以防止第一層間絕緣膜的上表面暴露在布線溝槽的底部。根據(jù)上述方法，可以獲得具有如下所述結構的半導體器件。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種半導體器件，包括設置在襯底表面上的第一絕緣膜，襯底具有在其一部分表面暴露的導電區(qū)域；設置在第一絕緣膜上的第一層間絕緣膜；設置在第一層間絕緣膜上的第二絕緣膜；從第二絕緣膜上表面到第一絕緣膜底表面形成的通孔；設置在第二絕緣膜上的第三絕緣膜，并且具有與第二絕緣膜不同的耐腐蝕性；設置在第三絕緣膜上的第二層間絕緣膜，并且具有與第三絕緣膜不同的耐腐蝕性；從第二層間絕緣膜上表面到第二絕緣膜上表面設置的布線溝槽，并且布線溝槽的一部分底部與通孔連接；包含導電材料并且填充在通孔和布線溝槽中的布線部件。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種半導體器件的制造方法，包括以下工序在半導體襯底表面上形成包含多孔絕緣材料的第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成包含絕緣材料的第一腐蝕阻擋膜；在第一腐蝕阻擋膜上形成第二腐蝕阻擋膜，第二腐蝕阻擋膜包含介電常數(shù)比第一腐蝕阻擋膜更高的另一絕緣材料；在第二腐蝕阻擋膜上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上形成具有開口的掩模圖形；在使用掩模圖形作為腐蝕掩模、相對于第二腐蝕阻擋膜選擇性地腐蝕第二絕緣膜的條件下，通過腐蝕第二絕緣膜形成凹槽，以使第二腐蝕阻擋膜暴露在凹槽底部；在相對于第一腐蝕阻擋膜選擇性地腐蝕第二腐蝕阻擋膜的條件下，腐蝕暴露在凹槽底部的第二腐蝕阻擋膜；在凹槽中填充包含導電材料的導電部件。
當腐蝕第二腐蝕阻擋膜時，由于第一腐蝕阻擋膜保護第一絕緣膜，所以能夠防止第一絕緣膜暴露于腐蝕氣氛。根據(jù)上述方法，可以獲得具有如下所述結構的半導體器件。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提供一種半導體器件，包括設置在半導體襯底表面上的包含多孔絕緣材料的第一絕緣膜；設置在第一絕緣膜上的包含絕緣材料的第一腐蝕阻擋膜；設置在第一腐蝕阻擋膜上的第二腐蝕阻擋膜，第二腐蝕阻擋膜包含介電常數(shù)比第一腐蝕阻擋膜更高的另一絕緣材料；設置在第二腐蝕阻擋膜上的第二絕緣膜；穿透第二絕緣膜和第二腐蝕阻擋膜的凹槽，第一腐蝕阻擋膜保留于所述凹槽的底部；包含導電材料并且填充在凹槽中的導電部件。
如上所述，在第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜之間的界面，配置兩個耐腐蝕性彼此不同的腐蝕阻擋膜。當在第二層間絕緣膜中形成布線溝槽時，腐蝕停止于上腐蝕阻擋膜。當暴露在布線溝槽底部的上腐蝕阻擋膜被腐蝕時，腐蝕被終止在下腐蝕阻擋膜。因此，能夠防止第一層間絕緣膜的上表面暴露于腐蝕氣氛。當包含多孔材料的絕緣膜暴露于腐蝕氣氛時，在絕緣膜表面上形成細微的不平整，導致問題的發(fā)生。因此，本發(fā)明有利于應用在多孔材料被用作絕緣膜的情況。


圖1A至1K是根據(jù)本發(fā)明實施例的制造方法工序中的半導體器件的剖面圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件的剖視圖。
具體實施例方式
參看圖1A到圖2，將說明根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件的制造方法。
如圖1A所示，在由硅構成的襯底1的表面上形成元件分隔絕緣區(qū)2。通過硅的局部氧化(LOCOS)或者淺溝槽隔離(STI)，形成元件分隔絕緣區(qū)2。在由元件分隔絕緣區(qū)2圍繞的有源區(qū)上，形成包含柵電極3G、源區(qū)3S和漏區(qū)3D的MOSFET3。通過重復膜形成、光刻、腐蝕、離子注入等已知工序，形成MOSFET3。
通過化學氣相淀積(CVD)，在襯底1表面上形成由磷硅酸鹽玻璃(PSG)構成的厚1000nm的層間絕緣膜10，以便覆蓋MOSFET3。在層間絕緣膜10上，通過等離子增強的CVD(PE-CVD)，形成由碳化硅(SiC)或者氮化硅(SiN)構成的厚50nm的腐蝕阻擋膜11(用作鈍化膜)。
以下將說明用于獲得圖1B所示狀態(tài)的工序。在腐蝕阻擋膜11和層間絕緣膜10中，分別形成到達源區(qū)3S和漏區(qū)3D的接觸孔12S和12D。
形成具有30nm厚度的阻擋金屬層13，覆蓋接觸孔12S和12D的內(nèi)表面和腐蝕阻擋膜11的上表面。該阻擋金屬層13由例如氮化鈦(TiN)或者氮化鉭(TaN)形成。在阻擋金屬層13的表面上，形成厚度足以填充接觸孔12S和12D的鎢(W)層。例如通過CVD完成阻擋金屬層和鎢層的形成。
通過化學機械拋光(CMP)去除過量的鎢層和阻擋金屬層，以便暴露腐蝕阻擋膜11。因此，在該接觸孔12S和12D中，形成各由阻擋金屬層13和鎢層組成的導電栓塞14。
如圖1C所示，在腐蝕阻擋膜11上形成厚度為150nm的層間絕緣膜20。層間絕緣膜20由多孔二氧化硅(由Catalysts&Chemical Ind.Co.，Ltd制造的IPS)形成。這種多孔二氧化硅的組成及其膜形成方法披露于＂SHOKUBAI KASEI GIHOU＂(Technical Report by Catalysts&Chemicals)vol.17，pages75-82,2000。以下，將簡要地說明該膜形成方法。
在襯底表面上施行溶液的旋涂，該溶液含有分散在溶劑中的有機低聚物和硅氧烷聚合物。該涂層干燥時，獲得有機低聚物和硅氧烷聚合物在其中精細地混合在一起的膜。對如此形成的這種膜進行焙燒，僅有機低聚物被熱分解，由此獲得由多孔硅氧烷聚合物組成的膜。
在層間絕緣膜20上，通過PE-CVD形成50nm厚的二氧化硅覆蓋膜21。在覆蓋膜21上形成抗蝕劑圖形24。在抗蝕劑圖形24中設置開口26，對應于層間絕緣膜20中形成的布線。通過普通的光刻方法形成開口26。
如圖1D所示，使用抗蝕劑圖形24作為掩模，腐蝕覆蓋膜21和層間絕緣膜20。使用由C3F8、O2和Ar組成的混合氣體作為腐蝕氣體，通過反應離子蝕刻(RIE)腐蝕覆蓋膜21和該層間絕緣膜20。因此，在層間絕緣膜20中形成對應于抗蝕劑圖形24中的開口26的布線溝槽25。導電栓塞14的上表面暴露在對應的布線溝槽25的底面。在形成布線溝槽25之后，去除抗蝕劑圖形24。
如圖1E所示，形成30nm厚的阻擋層金屬層22L，以便覆蓋布線溝槽25的內(nèi)表面和覆蓋膜21的上表面。通過CVD或者PVD，形成TiN或者TaN組成的阻擋金屬層22L。在阻擋金屬層22L的表面上，形成銅(Cu)組成的導電層23L。在用銅組成的籽晶層覆蓋阻擋金屬層22L的表面之后，通過電鍍銅形成導電層23L，以便具有足以填充布線溝槽25的厚度。
如圖1F所示，進行CMP以便暴露覆蓋膜21。因此，在布線溝槽25中，形成覆蓋其內(nèi)部的阻擋金屬層22和填充布線溝槽25的銅布線23。
如圖1G所示，在覆蓋膜21上，按以下順序形成50nm厚的由SiC組成的擴散阻擋膜30、250nm厚的由多孔二氧化硅組成的層間絕緣膜31、30nm厚的由SiO2組成的下腐蝕阻擋膜32、30nm厚的由SiC組成的上腐蝕阻擋膜33、150nm厚的由多孔二氧化硅組成的層間絕緣膜34、20nm厚的由SiO2組成的覆蓋膜35、和50nm厚的由SiN組成的硬掩模36。
通過使用四甲基硅烷作為源氣體和CO2作為載氣的CVD，形成擴散阻擋膜30和上腐蝕阻擋膜33。通過與形成層間絕緣膜20相同的方法，形成層間絕緣膜31和層間絕緣膜34。
通過使用硅烷(SiH4)和一氧化二氮(N2O)作為源氣體的PE-CVD，形成由SiO2組成的下腐蝕阻擋膜32和覆蓋膜35。通過使用SiH4和NH3作為源氣體的CVD形成硬掩模36。
如圖1H所示，對硬掩模36進行布圖，以便形成開口37。在層間絕緣膜34中形成對應于布線布圖的開口37。通過使用通用的光刻技術對硬掩模36進行布圖。
如圖11所示，在暴露于開口37底部的覆蓋膜35上和硬掩模36上形成抗蝕劑圖形40?？刮g劑圖形40具有開口41，對應于將在層間絕緣膜31中形成的通孔。當在與襯底法線平行的方向觀看時，開口41在硬掩模36中形成的開口37之內(nèi)。
使用抗蝕劑圖形40作為掩模，從覆蓋膜35到層間絕緣膜31的中間進行腐蝕，以便形成通孔42。通過使用C2F6、O2、N2和Ar的混合氣體的RIE，對SiO2組成的覆蓋膜35、下腐蝕阻擋膜32、多孔二氧化硅組成的層間絕緣膜34、和層間絕緣膜31進行腐蝕。通過使用CH2F2、O2和Ar的RIE，對SiC組成的上腐蝕阻擋膜33進行腐蝕。
在形成通孔42之后，通過灰化去除抗蝕劑圖形40。
如圖1J所示，使用硬掩模36作為掩模，腐蝕層間絕緣膜34。在上述工序中，使用上腐蝕阻擋膜33作為掩模，進一步腐蝕到達層間絕緣膜31中間的通孔42的底面，結果通孔42穿透層間絕緣膜31。通過使用含有C2F6、O2、N2和Ar的混合氣體的RIE，進行這種腐蝕。因為這種腐蝕氣體對于腐蝕SiC或者SiN具有低的腐蝕速度，由于存在上腐蝕阻擋膜33，所以腐蝕被終止于布線溝槽43的底部，并且由于存在擴散阻擋膜30，所以腐蝕還被終止于通孔的底部42。
如上所述，通過形成由耐腐蝕性彼此不同的材料組成的上腐蝕阻擋膜33和層間絕緣膜34，可以選擇性地腐蝕層間絕緣膜34，由此，可再生產(chǎn)地獲得上腐蝕阻擋膜33。此外，通過形成由耐腐蝕性彼此不同的材料組成的擴散阻擋膜30和層間絕緣膜31，可以選擇性地腐蝕層間絕緣膜31，由此，可再生產(chǎn)地獲得擴散阻擋膜30。在此實施例中，“在耐腐蝕性方面的差異”，并非是指在特定條件下使用特定蝕刻劑進行腐蝕時兩個層呈現(xiàn)不同的性質(zhì)(耐受性)，而是指兩個層具有相對不同的腐蝕性質(zhì)(耐受性)。
如圖1K所示，腐蝕了硬掩模36、暴露于布線溝槽43底部的上腐蝕阻擋膜33、以及暴露于通孔42底部的擴散阻擋膜30。通過使用CH2F2、O2和Ar的RIE，進行這種腐蝕。因為這種腐蝕氣體對于腐蝕SiO2具有緩慢的腐蝕速度，所以在布線溝槽43的底部可再生產(chǎn)地獲得下腐蝕阻擋膜32。因為這種腐蝕氣體對于腐蝕SiO2具有緩慢的腐蝕速度，所以在布線溝槽43的底部可再生產(chǎn)地獲得下腐蝕阻擋膜32。因此，層間絕緣膜31的上表面不暴露，也就是說它不暴露于腐蝕氣氛。
如圖2所示，通孔42和布線溝槽43的內(nèi)表面被TaN組成的阻擋金屬層50覆蓋，銅布線51填充在通孔42和布線溝槽43內(nèi)。按與制造用于第一布線層的阻擋金屬層22和Cu布線23的方法同等的方式，形成阻擋金屬層50和Cu布線51。
在上述實施例中，如圖1K所示，即使形成布線溝槽43之后，層間絕緣膜31的上表面也被下腐蝕阻擋膜32所覆蓋。因此，可以防止出現(xiàn)如下問題。
當由多孔二氧化硅組成的層間絕緣膜31的上表面暴露于腐蝕氣氛時，形成細微的不平整度。當在布線溝槽43底部上形成細微的不平整度時，阻擋金屬層50難以完全覆蓋布線溝槽43的底部。當布線溝槽43的底部覆蓋不完全時，不能令人滿意地獲得防止Cu布線51中含有的Cu原子擴散的功能。
為了完全覆蓋具有不平整度的布線溝槽43的底部，必須增大阻擋金屬層50的厚度。然而，增大阻擋金屬層50的厚度時，Cu布線51的橫截面積減少，結果導線電阻增大。
該層間絕緣膜34在布線溝槽43的側(cè)面暴露于腐蝕氣氛，而且層間絕緣膜31在通孔42的側(cè)面暴露于腐蝕氣氛。然而，由于這種腐蝕是各向異性地進行的，所以在幾乎垂直于襯底表面的側(cè)面上實質(zhì)上沒有形成不平整度。
在圖1K中，考慮這樣的情形，即層間絕緣膜31的上表面僅被上腐蝕阻擋膜33所覆蓋，而不配置下腐蝕阻擋膜32。在上述情形中，形成在通孔42底部的擴散阻擋膜30被完全去除時，上腐蝕阻擋膜33必須留在布線溝槽43的底部。為了防止擴散阻擋膜30產(chǎn)生不完全的去除，通常進行大約100％的過腐蝕。
由于擴散阻擋膜30和上腐蝕阻擋膜33由SiC組成，為了可再生產(chǎn)地獲得上腐蝕阻擋膜33，其厚度必須是擴散阻擋膜30的厚度的兩倍以上。然而，增大上腐蝕阻擋膜33的厚度，使用多孔二氧化硅作為絕緣材料所獲得的降低寄生電容的效果被降低。
在上述實施例中，在層間絕緣膜31的上表面配置耐腐蝕性不同于擴散阻擋膜30的下腐蝕阻擋膜32，并且可以在下腐蝕阻擋膜32上配置上腐蝕阻擋膜33，上腐蝕阻擋膜33可以在與用于擴散阻擋膜30的相同條件下進行腐蝕。對通孔42底部的擴散阻擋膜30進行腐蝕時，由于層間絕緣膜31的上表面被下腐蝕阻擋膜32覆蓋，所以可減小上腐蝕阻擋膜33的厚度。為了防止寄生電容增大，上腐蝕阻擋膜33的厚度最好小于擴散阻擋膜30的厚度。此外，形成下腐蝕阻擋膜32的SiO2具有的介電常數(shù)小于形成上腐蝕阻擋膜33的SiC的介電常數(shù)。因此，與在層間絕緣膜31和層間絕緣膜34之間界面配置一個SiC膜的情形相比，根據(jù)上述實施例的結構具有降低寄生電容的優(yōu)點。
在上述實施例中，層間絕緣膜31和層間絕緣膜34由多孔二氧化硅組成；然而，代之以使用其它多孔絕緣材料時也可以獲得相同的優(yōu)點。例如也可以使用多孔有機絕緣材料來形成層間絕緣膜31或者層間絕緣膜34。
在上述實施例中，通過例子說明了采用雙金屬鑲嵌法形成銅布線的情形，然而，除了銅之外也可以形成其他金屬線，例如鋁基(鋁合金)布線。適當?shù)馗淖冎圃旆椒〞r，可以形成銅合金布線層。除了雙金屬鑲嵌法之外，上述實施例也可以應用于另一布線形成方法。例如，在多孔絕緣膜(對應于圖1G所示層間絕緣膜31)上形成圖1G所示下腐蝕阻擋膜32和上腐蝕阻擋膜33的情形，和在采用金屬鑲嵌法在上腐蝕阻擋膜33上形成金屬線的情形，也可以獲得多孔絕緣膜上表面不暴露在布線溝槽底部的優(yōu)點。
至此，已經(jīng)參考實施例說明了本發(fā)明；然而，本發(fā)明并不限于此。例如，在不脫離本發(fā)明范圍的條件下，進行各種變型、改進、組合等等，對于本領域技術人員來說是顯而易見的。
權利要求
1.一種半導體器件的制造方法，包括以下工序在形成有半導體元件的襯底表面上形成第一絕緣膜，并且襯底具有暴露在其一部分表面上的導電區(qū)域；在第一絕緣膜上形成第一層間絕緣膜；在第一層間絕緣膜上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上形成第三絕緣膜；在第三絕緣膜上形成第二層間絕緣膜；從第二層間絕緣膜的上表面到第三絕緣膜的上表面形成布線溝槽，從布線溝槽底部的一部分到第一絕緣膜的上表面形成通孔，其中，通孔配置在與導電區(qū)域一部分對應的位置，在相對于第三絕緣膜選擇性地腐蝕第二層間絕緣膜的條件下，通過腐蝕形成布線溝槽；在相對于第二絕緣膜選擇性地腐蝕第三絕緣膜的條件下，通過腐蝕去除暴露在布線溝槽底部的第三絕緣膜和暴露在通孔底部的第一絕緣膜；在通孔和布線溝槽中填充包含導電材料的布線。
2.根據(jù)權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一層間絕緣膜包含多孔絕緣材料。
3.根據(jù)權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第一層間絕緣膜包含多孔二氧化硅，第一絕緣膜和第三絕緣膜各包含SiC和SiN之一，第二絕緣膜包含二氧化硅。
4.根據(jù)權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成布線溝槽和通孔的工序包括以下工序從第二層間絕緣膜的上表面形成凹槽，以便在形成通孔的位置腐蝕第一層間絕緣膜；在部分地對應于凹槽的位置形成到達第三絕緣膜的布線溝槽，同時使用第三絕緣膜作為掩模進一步地腐蝕凹槽的底部，以便形成到達第一絕緣膜的通孔。
5.根據(jù)權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第二絕緣膜的介電常數(shù)小于第三絕緣膜的介電常數(shù)。
6.根據(jù)權利要求1的半導體器件制造方法，其中，第三絕緣膜比第一絕緣膜更薄。
7.根據(jù)權利要求1的半導體器件制造方法，其中，暴露在襯底表面的導電區(qū)域包含銅布線。
8.一種半導體器件，包括設置在襯底表面上的第一絕緣膜，襯底具有在其一部分表面暴露的導電區(qū)域；設置在第一絕緣膜上的第一層間絕緣膜；設置在第一層間絕緣膜上的第二絕緣膜；從第二絕緣膜上表面到第一絕緣膜底表面形成的通孔；設置在第二絕緣膜上的第三絕緣膜，并且具有與第二絕緣膜不同的耐腐蝕性；設置在第三絕緣膜上的第二層間絕緣膜，并且具有與第三絕緣膜不同的耐腐蝕性；從第二層間絕緣膜上表面到第二絕緣膜上表面設置的布線溝槽，并且布線溝槽的一部分底部與通孔連接；包含導電材料并且填充在通孔和布線溝槽中的布線部件。
9.根據(jù)權利要求8的半導體器件，其中，第一層間絕緣膜包含多孔絕緣材料。
10.根據(jù)權利要求8的半導體器件，其中，第一層間絕緣膜包含多孔二氧化硅，第二絕緣膜包含SiO2，并且第一絕緣膜和第三絕緣膜各包含SiC或者SiN。
11.根據(jù)權利要求8的半導體器件，其中，第二絕緣膜的介電常數(shù)小于第三絕緣膜的介電常數(shù)。
12.根據(jù)權利要求8的半導體器件，其中，第三絕緣膜比第一絕緣膜更薄。
13.根據(jù)權利要求8的半導體器件，其中，暴露在一部分襯底表面的導電區(qū)域包含形成在襯底上的銅布線。
14.一種半導體器件的制造方法，包括以下工序在半導體襯底表面上形成包含多孔絕緣材料的第一絕緣膜；在第一絕緣膜上形成包含絕緣材料的第一腐蝕阻擋膜；在第一腐蝕阻擋膜上形成第二腐蝕阻擋膜，第二腐蝕阻擋膜包含介電常數(shù)比第一腐蝕阻擋膜更高的另一絕緣材料；在第二腐蝕阻擋膜上形成第二絕緣膜；在第二絕緣膜上形成具有開口的掩模圖形；在使用掩模圖形作為腐蝕掩模、相對于第二腐蝕阻擋膜選擇性地腐蝕第二絕緣膜的條件下，通過腐蝕第二絕緣膜形成凹槽，以使第二腐蝕阻擋膜暴露在凹槽底部；在相對于第一腐蝕阻擋膜選擇性地腐蝕第二腐蝕阻擋膜的條件下，腐蝕暴露在凹槽底部的第二腐蝕阻擋膜；在凹槽中填充包含導電材料的導電部件。
15.根據(jù)權利要求14的半導體器件制造方法，其中，第一絕緣膜和第二絕緣膜包含多孔二氧化硅，第一腐蝕阻擋膜包含SiO2，第二腐蝕阻擋膜包含SiC或者SiN。
16.一種半導體器件，包括設置在半導體襯底表面上的包含多孔絕緣材料的第一絕緣膜；設置在第一絕緣膜上的包含絕緣材料的第一腐蝕阻擋膜；設置在第一腐蝕阻擋膜上的第二腐蝕阻擋膜，第二腐蝕阻擋膜包含介電常數(shù)比第一腐蝕阻擋膜更高的另一絕緣材料；設置在第二腐蝕阻擋膜上的第二絕緣膜；穿透第二絕緣膜和第二腐蝕阻擋膜的凹槽，第一腐蝕阻擋膜保留于所述凹槽的底部；包含導電材料并且填充在凹槽中的導電部件。
17.根據(jù)權利要求16的半導體器件制造方法，其中，第一絕緣膜包含多孔二氧化硅，第一腐蝕阻擋膜包含SiO2，第二腐蝕阻擋膜包含SiC或者SiN。
全文摘要
在襯底上形成第一絕緣膜、第一層間絕緣膜、第二和第三絕緣膜以及第二層間絕緣膜。形成布線溝槽到達第三絕緣膜的上表面，并且從布線溝槽的底部到第一絕緣膜的上表面形成通孔。在選擇性地腐蝕第二層間絕緣膜的條件下，通過腐蝕第二層間絕緣膜，形成布線溝槽。在選擇性地腐蝕第三絕緣膜的條件下，通過腐蝕去除暴露在布線溝槽底部的第三絕緣膜和暴露在通孔底部的第一絕緣膜。在通孔和布線溝槽中填充布線。
文檔編號H01L21/768GK1411049SQ0210583
公開日2003年4月16日 申請日期2002年4月11日 優(yōu)先權日2001年9月25日
發(fā)明者福山俊一, 大和田保, 佐久間裕子 申請人:富士通株式會社