專利名稱：非互逆電路裝置和使用其的通信設備的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及非互逆電路裝置和使用其的通信設備。
相關(guān)技術(shù)說明通常，像集總常數(shù)絕緣體這樣的非互逆電路裝置用來只在傳輸方向中通過信號并且在相反方向中阻礙信號。將參考

圖13和14來描述這種類型的絕緣體。如所示，絕緣體200包括永磁體209，通過永磁體209將DC磁通量應用到其上的鐵氧體元件210，裝備在鐵氧體元件210上的多個中心電極220，和連接到中心電極220的各自末端的匹配電容元件C。絕緣體200還具有由磁性金屬構(gòu)成的并且容納永磁體209、鐵氧體元件210、中心電極220和匹配電容元件C的上部套管部件208和下部套管部件204。上部套管部件208和下部套管部件204被設定為具有相同厚度(典型地0.2mm)。
如圖15和16中所示，在絕緣體200中，永磁體209、鐵氧體元件210、上部套管部件208和下部套管部件204組成磁路。通過永磁體209將DC磁通量均勻地應用到鐵氧體元件210上。
當這樣的絕緣體200已經(jīng)成功地并入像便攜式電話這樣的移動通信設備中的時候，需要減少尺寸。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明提供了減少了尺寸尤其是高度的非互逆電路裝置。
為此，依據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供了非互逆電路裝置。非互逆電路裝置包括永磁體、通過永磁體將DC磁通量應用到其上的鐵氧體元件和裝備在鐵氧體元件上的多個中心電極。非互逆電路裝置還包括由鐵基金屬組成的并且容納永磁體、鐵氧體元件和中心電極的金屬套管。金屬套管包括第一套管部件和第二套管部件。第一套管部件和永磁體磁性的互相接觸。第二套管部件的厚度是在第一套管部件的厚度的50％到100％之間的范圍內(nèi)。
在這樣的布置下，永磁體的幾乎整個DC磁通量都流過與永磁體磁性接觸的第一套管部件。在這里術(shù)語“磁接觸”指的是永磁體與第一套管部件直接接觸的情況以及永磁體依靠粘合劑(非磁性材料)等粘在第一套管部件上的情況。另一方面，由于漏磁通的產(chǎn)生，只有一部分永磁體的DC磁通量流過沒有與永磁體磁接觸的第二套管部件。因此，第二套管部件的厚度能夠減少到第一套管部件的厚度的50％到100％之間的范圍中，也就是，在其中流過第二套管部件的DC磁通量是不飽和的范圍中。因此，這樣的布置能夠提供在尺寸尤其是高度上減少的非互逆電路裝置。
在本發(fā)明的一個形式中，第二套管部件具有一對彼此相對的第二套管側(cè)壁。在這樣的情況中，第一套管部件的端面對接并且安裝在第二套管部件的側(cè)壁上。由于第一套管不見沒有側(cè)壁，這樣的布置能夠降低非互逆電路裝置的寬度。
在本發(fā)明的另一個形式中，第一套管部件具有一對彼此相對的第一套管側(cè)壁，并且第二套管部件具有一對彼此相對的第二套管側(cè)壁。在這樣的情況中，第一套管側(cè)壁和第二套管側(cè)壁重疊并且彼此連接。這樣的布置能夠易于非互逆電路裝置的裝配并且能夠穩(wěn)定裝配之后的第一和第二套管部件的位置關(guān)系。因此，這樣的布置能夠提供具有改進的頻率特性的非互逆電路裝置。
更可取的，非互逆電路裝置還包括并入金屬套管中的并且容納鐵氧體元件和中心電極的樹脂套管部件。樹脂套管部件具有從那里擴展的防觸部分。每一個防觸部分都裝備在第一和第二套管側(cè)壁的內(nèi)表面和永磁體的外表面之間。因此，能夠防止金屬套管的側(cè)壁的內(nèi)表面和永磁體的外表面的接觸。因此，這樣的布置穩(wěn)定了由永磁體形成的磁場分布，也就是，應用到鐵氧體元件上的DC磁通量，這能夠提供具有穩(wěn)定的電場特性的非互逆電路裝置。
更可取的，第二套管部件和樹脂套管部件整體形成。這樣的布置能夠在相對于第二套管部件來定位樹脂套管部件方面提供增強的精確度，使得在非互逆電路裝置的裝配特性和裝配效率方面得到改進。
更可取的，第一套管部件和第二套管部件通過焊接連接在一起。這樣改進了在金屬套管中形成的磁路的效率，允許減少金屬套管的大小。因此，這樣的布置能夠提供減小尺寸的非互逆電路裝置。
更可取的，第一套管部件和第二套管部件的至少一個的表面鍍上了鎳和銅之一，并且鍍過表面還鍍上了銀。鍍鎳、鍍銅或者鍍銀改進了在第一套管部件和第二套管部件之間的連接強度。由于高的電導率，鍍銀還能夠減少由于高頻電流流過金屬套管帶來的損失。因此，這樣的布置能夠提供具有改進的頻率特性的非互逆電路裝置。
依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了通信設備。因為這個通信設備包括依據(jù)本發(fā)明的非互逆電路裝置，所以它具有與依據(jù)本發(fā)明的非互逆電路裝置相同的優(yōu)點。
附圖簡述圖1是依據(jù)本發(fā)明的第一個實施例的非互逆電路設備的分解透視圖。
圖2是第一個實施例的裝配以后的非互逆電路裝置的透視圖。
圖3是沿著圖2中的線3-3的第一個實施例的非互逆電路裝置的垂直剖面圖。
圖4是第一個實施例的非互逆電路裝置的等效電路圖。
圖5是圖解說明在套管厚度比例和非互逆電路裝置的插入損耗之間關(guān)系的圖。
圖6是圖解說明在具有50％的套管厚度比例的依據(jù)第一個實施例的非互逆電路裝置中的磁通量流動的垂直剖面圖。
圖7是圖解說明用于比較目的的在具有25％的套管厚度比例的非互逆電路裝置中的磁通量流動的垂直剖面圖。
圖8是依據(jù)本發(fā)明的第二個實施例的非互逆電路裝置的垂直剖面圖。
圖9是依據(jù)本發(fā)明的第三個實施例的非互逆電路裝置的垂直剖面圖。
圖10是依據(jù)本發(fā)明的第四個實施例的非互逆電路裝置的垂直剖面圖。
圖11是圖解說明在依據(jù)第四個實施例的非互逆電路裝置中的磁通量流動的垂直剖面圖。
圖12是依據(jù)本發(fā)明的一個實施例的通信設備的方框圖。
圖13是第一個已知非互逆電路裝置的垂直剖面圖。
圖14是第二個已知非互逆電路裝置的垂直剖面圖。
圖15是圖解說明在第一個已知非互逆電路裝置中的磁通量流動的垂直剖面圖。和圖16是圖解說明在第二個已知非互逆電路裝置中的磁通量流動的垂直剖面圖。
本發(fā)明實施例的說明參考附圖，將結(jié)合依據(jù)本發(fā)明的實施例在下面描述非互逆電路裝置和通信設備。貫穿實施例，用相同的參考數(shù)字表示相似的元件和部分，并且為了簡化將省略其描述。
將參考圖1到7在下面描述依據(jù)本發(fā)明的第一個實施例的非互逆電路裝置。圖1是依據(jù)第一個實施例的非互逆電路設備的分解透視圖，圖2是裝配以后的非互逆電路裝置的透視圖。在這里依據(jù)本發(fā)明的非互逆電路裝置將被解釋為集總常數(shù)絕緣體1。
首先參考圖1，集總常數(shù)絕緣體1(在下文稱為絕緣體)包括上部套管部件8，下部套管部件4，樹脂套管部件3，中心電極組件13，永磁體9，電阻元件R，匹配電容元件C1到C3，和樹脂部件30。絕緣體1類似于先前技術(shù)的絕緣體200，但是下部套管部件4具有比絕緣體200的下部套管部件204的厚度(參考圖13和14)更薄的厚度。
永磁體9在俯視圖中實質(zhì)上是矩形并且由磁化鐵氧體組成。由磁化鐵氧體組成的永磁體9在100MHz到3GHz的頻帶中具有很小的介電損耗和很小的磁損耗，并且能夠給絕緣體1提供充足的磁力，用于在這些頻帶中操作。永磁體9與上部套管部件8的頂板直接接觸。
以這樣的方式構(gòu)成中心電極組件13，即排列中心電極21到23以便于這些電極在俯視圖中通常是矩形的微波鐵氧體元件20的上表面上基本上相互交叉120度，在其間插入有絕緣薄片(沒有顯示)。在每個中心電極21到23的一個末端具有從此處水平延伸的各自的端口P1到P3。也就是，中心電極21到23和絕緣薄片層疊在鐵氧體元件20的上部中心部分。中心電極21到23的另一個末端連接到公共接地電極25，這些電極提供來覆蓋鐵氧體元件20的幾乎整個下表面。中心電極21到23和接地電極25由導電材料組成并且通過沖壓和蝕刻金屬板整體成型。
每個匹配電容元件C1到C3具有裝備在介電的陶瓷基底的上表面上的熱端端電極27和裝配在其下表面上的冷端(接地端)端電極28。
用插入其間的電阻部分將接地端端電極18和熱端端電極19分別裝配在絕緣基底的兩端來形成電阻元件R。
下部套管部件4具有下盤4b和一對相對的側(cè)壁4a。兩個接地端16在下部套管部件4的下盤4b上從兩個相對的邊緣中的每一個上延伸。因此，下部套管部件4的下盤4b和接地端16形成整體。上部套管部件8在俯視圖中是矩形并且具有從上盤8a延伸的兩個相對的側(cè)壁8b，因此實質(zhì)上具有倒轉(zhuǎn)的U型剖面。通過壓模來整體形成樹脂套管部件3、輸入端14和輸出端15和下部套管部件4。這樣在相對于下部套管部件4來定位樹脂套管部件3方面提供了增強的精確度，這能夠改進絕緣體1的裝配特性。
通過沖壓、彎曲和表面處理SPCC板來提供每個下部套管部件4和上部套管部件8。因為像SPCC這樣的鐵基金屬有很高的飽和磁通量密度并且因此改進了在套管部件4和8中形成的磁路的效率，它適于用來減少套管部件4和8的大小。因此，在本發(fā)明中，下部套管部件4的厚度t4設定為與永磁體9直接接觸的上部套管部件8的厚度t8的50％到100％之間的范圍。
套管部件4和8以這樣的方式進行表面處理，即其表面被鍍上了鎳或者銅(典型地鍍層厚度是1μm)并且還鍍上銀(典型的鍍層厚度是4μm)。銀鍍層提供了高的電導率并且提供了減少絕緣體1的插入損耗以及防止生銹的優(yōu)點。鎳或銅鍍層具有增加在銀鍍層和套管部件4和8的鐵基之間的連接強度的優(yōu)點。特別的，因為鎳是磁性材料，所以它具有比銅更高的飽和磁通量密度。因此，改進了在套管部件4和8中形成的磁路的效率，這能夠減小套管部件4和8的大小。
樹脂套管部件3具有箱狀形狀的下盤3a和側(cè)壁3b。在實際上是下盤3a的中心處形成用于容納中心電極組件13的開孔3c。在開孔3c的外圍形成用于分別容納匹配電容元件C1到C3和電阻元件R的開孔3d。用下部套管部件4的下盤4b來限定開孔3c和3d的下表面。每個輸入端14和輸出端15具有從樹脂套管部件3的外表面露出的一端。輸入端14和輸出端15的另一端從樹臘套管部件3的下盤3a中露出以便于分別用作輸入導線電極14a和輸出導線電極15a。
防觸部分3e從樹脂套管部件3的側(cè)壁3b的邊緣中延伸。參考圖3，更可取的，防觸部分3e的厚度大于上部套管部件8的厚度，并且當永磁體9并入樹脂套管部件3的時候，將防觸部分3e的上表面放置得高于永磁體9得下表面9b。不用這樣的布置，如果永磁體9的外表面9a接觸到上部套管部件8的側(cè)壁8b，則在接觸點磁路短路，因此導致永磁體9的DC磁通量干擾和/或者衰減。因此，這樣的布置打算用于避免這樣的不便。
樹脂部件30在俯視圖中實質(zhì)上是矩形，并且其下表面30b裝備有用于容納中心電極組件13以便于減小絕緣體1的高度的凹槽32。在凹槽32的中心部分，形成用于容納層疊的中心電極21到23和相關(guān)元件的通孔31。最好將液晶聚合物或者聚苯硫樹脂用作用于樹脂部件30和樹脂套管部件3的材料，因為它們展示了很高的抗熱性能和低損耗性能。
上面描述的元件以下列方式來裝配。匹配電容元件C1到C3，電阻元件R和中心電極組件13容納在用下部套管部件4整體形成的樹脂套管部件3的相應的開孔3c和3d中。
中心電極組件13通過焊接連接到例如限定開孔3c的下表面的下部套管部件4的下盤4b，并且接地。中心電極21的端口P1和中心電極22的端口P2分別被焊接到輸入導線電極14a和輸出導線電極15a。電阻元件R的熱端端電極19被焊接到端口P3，并且接地端端電極18被焊接到限定樹脂套管部件3的開孔3d的下表面的下部套管部件4的下盤4b。因此，如圖4中所示，匹配電容元件C3和電阻元件R在中心電極23的端口P3和接地端16之間并行的電連接。
另外，樹脂部件30容納在樹脂套管部件3中，永磁體9布置在樹脂部件30的上表面30a上，然后在其上裝配上部套管部件8。永磁體9和上部套管部件8的上盤8a彼此直接接觸并且磁接觸。在這樣的情況中，如圖3中所示，防觸部分3e分別位于永磁體9的外表面9a和下部套管部件4的側(cè)壁4a之間，以便于防止永磁體9和側(cè)壁8b的接觸。如圖6中所示，永磁體9將DC磁通量應用到中心電極組件13上。下部套管部件4和上部套管部件8連接到單個金屬套管中，它組成磁路并且還用作磁軛。另外，金屬套管電連接到接地端16，以便于它具有地電位并且還用作用于防止電磁波發(fā)射的屏蔽。
裝配下部套管部件4和上部套管部件8以便于各自的側(cè)壁4a和8b重疊并且連接。這樣易于絕緣體1的裝配，并且穩(wěn)定在裝配以后下部套管部件4和上部套管部件8之間的位置關(guān)系。電阻焊接、激光焊接、電弧焊、軟焊焊接等用于連接側(cè)壁4a和8b。當焊料或者粘合用樹脂用于連接它們的時候，在結(jié)合部分處產(chǎn)生由于焊料或者粘合用樹脂所帶來的磁路缺口。相反，當焊接用于連接側(cè)壁4a和8b的時候，在結(jié)合部分沒有產(chǎn)生磁路缺口。因此，焊接的使用能夠減少套管部件4和8的結(jié)合部分的磁阻。這樣改進了磁路的效率，使得有可能減小永磁體9的高度。
以這樣的方式，裝配如圖2到4中所示的絕緣體1。圖3是沿著圖2中線3-3的絕緣體1的垂直剖面圖，圖4是絕緣體1的等價電路圖。
當在2Ghz頻帶中使用絕緣體1的時候插入損耗的測量如表1所示，在其中上部套管部件8的厚度t8(見圖3)定為0.20mm，下部套管部件4的厚度t4變化為許多值。在表1中，“套管厚度比例”表示下部套管部件4的厚度t4與上部套管部件8的厚度t8的比例，也就是，(厚度t4)/(厚度t8)的百分比。“容積比”表示各自絕緣體的容積與先前技術(shù)的絕緣體200的容積的比例，也就是相對寬度w(4.00mm)×長度L(4.00mm)×高度h(1.90mm)的容積的比例。換句話說，“容積比”表示(每個絕緣體的容積)/(先前技術(shù)的絕緣體的容積)的百分比。圖5圖解說明在如表1中所示的套管厚度比例和插入損耗之間的關(guān)系。
表1
用星號(*)指示的例子超出了本發(fā)明的范圍。
如從表1和圖5中已經(jīng)看出的，當套管厚度比例在50％到100％之間的范圍中的時候，絕緣體1的插入損耗最類似于先前技術(shù)的絕緣體200的插入損耗，而高度h和容積比例比絕緣體200的更小。相反，當套管厚度比例低于50％的時候，絕緣體的插入損耗變大。因此，當套管厚度比例在50％到100％之間的范圍中的時候，有可能減少絕緣體的大小和高度而不用犧牲插入損耗。
現(xiàn)在將描述為什么當套管厚度比例在50％到100％之間的范圍中的時候不用犧牲插入損耗的原因。圖6圖解說明在具有如表1中所示的50％的套管厚度比例的實例2的絕緣體1中的磁通量的流動。圖7圖解說明在具有如表1中所示的25％的套管厚度比例的比較實例1中的磁通量的流動。圖15和16圖解說明在具有如表1所示的100％的套管厚度比例的先前技術(shù)的絕緣體200中的磁通量的流動。
如圖15和16中所示的，在先前技術(shù)的絕緣體200中，永磁體209的幾乎全部磁通量都流過與永磁體109直接接觸的上部套管部件208。另一方面，由于漏磁通φ9的產(chǎn)生而導致只有永磁體209的一部分磁通量流過不與永磁體209直接接觸的下部套管部件204。因此，下部套管部件204的厚度能夠減小，直到流過下部套管部件204的磁通量的密度達到飽和密度。
因此，如在實例2的絕緣體中，下部套管部件4的厚度t4減小到0.1mm，也就是，在套管厚度比例中減小到50％。即使在這樣的情況中，如圖6中所示，流過下部套管部件4的磁通量的密度沒有達到它的飽和密度；因此，由永磁體9形成的磁場分布與在絕緣體200中的一樣(見圖15)。因此，實例2的絕緣體1和先前技術(shù)的絕緣體200具有相同的插入損耗。
然而，如在表1中所示的比較實例1的絕緣體中，當下部套管部件4的厚度t4進一步減少到0.05mm以便于套管厚度比例變成25％的時候，如圖7中所示，流過下部套管部件4的磁通量飽和。因此，增加了漏磁通φ9，以至于改變了由永磁體9形成的磁場分布。這樣導致了在鐵氧體元件20的中心部分處在較高的磁通量密度中而在其外部部分處在較低的磁通量密度中，以至于應用在鐵氧體元件20上的磁通量的密度變得不均勻。因此，通過鐵氧體元件20的在中心電極21到23之中的磁耦合變?nèi)醪⑶以黾恿私^緣體的插入損耗。
在依據(jù)第一個實施例的絕緣體1中，永磁體9的幾乎全部DC磁通量流過與永磁體9進行磁接觸的上部套管部件8。在另一方面，由于漏磁通φ9的產(chǎn)生而導致只有永磁體9的一部分磁通量流過不與永磁體9進行磁接觸的下部套管部件4。因此，下部套管部件4的厚度t4能夠減小到在流過下部套管部件4的磁通量沒有飽和的范圍中，也就是在上部套管部件8的厚度t8的50％到100％之間的范圍中。因此，本發(fā)明能夠提供在尺寸上尤其是在高度上減小的絕緣體。
現(xiàn)在將參考圖8描述依據(jù)第二個實施例的絕緣體。如圖所示，在絕緣體1a中，除去了上部套管部件8的側(cè)壁8b。因此，上部套管部件8具有平板形狀并且沒有側(cè)壁。上部套管部件8的兩個相對端和下部套管部件4的兩個相對端4a彼此連接來構(gòu)成金屬套管。
這個絕緣體1a提供了與在第一個實施例中相同的優(yōu)點。另外，因為上部套管部件8沒有與下部套管部件4的側(cè)壁4a重疊的側(cè)壁，厚度等于兩個側(cè)壁8b，也就是能夠存儲上部套管部件8的兩倍厚度t8。因此，能夠依據(jù)存儲的空間減小寬度w，這能提供減小尺寸的絕緣體。
現(xiàn)在將參考圖9描述依據(jù)第三個實施例的絕緣體1b。如所示，在絕緣體1b中，上部套管部件8的側(cè)壁8b布置在下部套管部件4的側(cè)壁4a之外，并且側(cè)壁4a和8b相連接。因此，上部套管部件8的側(cè)壁8b不必布置在下部套管部件4的側(cè)壁4a以內(nèi)。這樣的絕緣體1b提供了與在第一個實施例中相同的優(yōu)點。另外，這樣的絕緣體1b能夠具有增加的重疊面積，也就是，側(cè)壁4a和側(cè)壁8b的連接面積。這樣允許磁阻的減少，因此增加了在下部和上部套管部件4和8中形成的磁路的效率。因此有可能減小套管部件4和8的尺寸并且提供了減小尺寸的絕緣體。
防觸部分3e從樹脂套管部件3的側(cè)壁3b延伸到基本上與下部套管部件4的側(cè)壁4a相同的高度以便于基本上覆蓋側(cè)壁4a的整個內(nèi)表面。因此，在上部和下部套管部件8和4的側(cè)壁8b和4a的內(nèi)表面和永磁體9的外表面9a之間分別布置防觸部分3e。這樣的布置能夠防止在側(cè)壁4a和8b的內(nèi)表面和永磁體9的外表面9a之間的接觸。
現(xiàn)在將參考圖10和11描述依據(jù)第四個實施例的絕緣體1c。在絕緣體1c中，在上部套管部件8的上盤8a的全部四邊上形成側(cè)壁8b。也就是，上部套管部件8不局限于倒轉(zhuǎn)的U型或者平面形狀。將上部套管部件8布置并且固定在布置在下部套管部件4的樹脂套管部件3上。下部套管部件4包括下盤4b和接地端16。
如圖11中所示，即使由永磁體9形成的磁通量流入下部套管部件4，均勻的DC磁通量通過永磁體9應用到鐵氧體元件20上，因為在下部套管部件4中磁通量沒有飽和。這樣的絕緣體1c提供了如在第一個實施例中相同的優(yōu)點。
下面將參考圖12在便攜式電話的語境中描述依據(jù)本發(fā)明的第五個實施例的通信設備。
圖12是便攜式電話120的RF部分的電子電路方框圖。如所示，便攜式電話120包括天線元件122，雙工器123，發(fā)送端絕緣體131，發(fā)送端放大器132，發(fā)送端級間帶通濾波器133，發(fā)送端混頻器134，接收端放大器135，接收端級間帶通濾波器136，接收端混頻器137，壓控振蕩器(VCO)138，和本機帶通濾波器139。
第一到第四個實施例的任何一個絕緣體1、1a、1b、1c能夠用作發(fā)送端絕緣體131。作為發(fā)送端絕緣體131實現(xiàn)絕緣體1、1a、1b、1c中的一個能夠?qū)崿F(xiàn)具有型面高度不大的更小的便攜式電話。
當下部套管部件4和樹脂套管部件3已經(jīng)被描述為被整體形成的時候，本發(fā)明不局限于此。例如，下部套管部件4和下部套管部件3可以分別形成，然后結(jié)合。
盡管在上述的實施例中本發(fā)明已經(jīng)應用到絕緣體上，本發(fā)明還自然的適用于循環(huán)器。另外，在各自的中心電極21到23之間的交叉角可以在110度和140度之間的范圍中。另外，鐵氧體元件20、永磁體9和樹脂部件30不局限于俯視圖中的矩形，但能夠采用像圓形、具有圓角的三角形、不規(guī)則多邊形等這樣的任意形狀。
盡管結(jié)合特定的實施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于此，并且能夠采用在本發(fā)明的相當?shù)木窈头秶械母鞣N形式。
權(quán)利要求
1.非互逆電路裝置包括永磁體；通過上述永磁體將DC磁通量應用到其上的鐵氧體元件；裝備在上述鐵氧體元件上的多個中心電極；和由鐵基金屬組成并且容納上述永磁體、上述鐵氧體元件和上述中心電極的金屬套管，其中上述金屬套管包括第一套管部件和第二套管部件，第一套管部件和上述永磁體彼此磁接觸，第二套管部件的厚度為第一套管部件的厚度的50％到100％之間。
2.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中第二套管部件包括一對彼此相對的第二套管側(cè)壁。
3.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中第二套管部件包括彼此相對的第一對第二套管側(cè)壁，和彼此相對的第二對第二套管側(cè)壁。
4.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中第一套管部件包括一對彼此相對的第一套管側(cè)壁，并且第二套管部件包括一對彼此相對的第二套管側(cè)壁，第一套管側(cè)壁和第二套管側(cè)壁彼此重疊并且連接。
5.依據(jù)權(quán)利要求4的非互逆電路裝置，還包括并入上述金屬套管中并且容納上述鐵氧體元件和上述中心電極的樹脂套管部件，上述樹脂套管部件具有裝備在第一和第二套管側(cè)壁的各自內(nèi)表面和上述永磁體的外表面之間的防觸部分。
6.依據(jù)權(quán)利要求5的非互逆電路裝置，其中上述防觸部分具有比上部套管部件更大的厚度，并且具有延伸到高于磁鐵的底面的位置的頂面。
7.依據(jù)權(quán)利要求5的非互逆電路裝置，其中上述樹脂套管部件在上述第二套管部件中壓模以便于整體連接。
8.依據(jù)權(quán)利要求4的非互逆電路裝置，其中上述第二套管側(cè)壁分別重疊第一套管側(cè)壁的外表面。
9.依據(jù)權(quán)利要求4的非互逆電路裝置，其中上述第二套管側(cè)壁分別重疊第一套管側(cè)壁的內(nèi)表面。
10.依據(jù)權(quán)利要求9的非互逆電路裝置，還包括并入上述金屬套管并且容納上述鐵氧體元件和上述中心電極的樹脂套管部件，上述樹脂套管部件具有裝備在第一和第二套管側(cè)壁的各自內(nèi)表面和上述永磁體的外表面之間的防觸部分。
11.依據(jù)權(quán)利要求10的非互逆電路裝置，其中上述防觸部分具有比上部套管部件更大的厚度，并且具有延伸到高于磁鐵的底面的位置的頂面。
12.依據(jù)權(quán)利要求10的非互逆電路裝置，其中上述樹脂套管部件在上述第二套管部件中壓模以便于整體連接。
13.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中第一套管部件和第二套管部件通過焊接來連接。
14.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中第一套管部件和第二套管部件的至少一個具有包括鎳和銅的一種的鍍層表面，并且上述鍍層表面還鍍了銀。
15.依據(jù)權(quán)利要求14的非互逆電路裝置，其中上述鍍層表面基本上由鍍了銀的鎳組成。
16.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中上述DC磁通量在上述第二套管部件中是不飽和的。
17.依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置，其中上述金屬套管包括SPCC。
18.依據(jù)權(quán)利要求5的非互逆電路裝置，其中上述防觸部分具有延伸到高于磁鐵的底面的位置的頂面。
19.依據(jù)權(quán)利要求18的非互逆電路裝置，其中上述防觸部分基本上覆蓋了每個第一套管側(cè)壁的全部內(nèi)表面。
20.包括傳輸電路和接收電路中的至少一個的通信設備，上述電路包括依據(jù)權(quán)利要求1的非互逆電路裝置。
全文摘要
非互逆電路裝置包括永磁體,通過上述永磁體將DC磁通量應用到其上的鐵氧體元件,裝備在鐵氧體元件上的多個中心電極,上部套管部件和下部套管部件。上部和下部套管部件容納永磁體,鐵氧體元件和中心電極。下部套管部件的厚度設定在上部套管部件厚度的50%到100%之間的范圍。上部和下部套管部件由鐵基金屬組成。
文檔編號H01P1/383GK1371229SQ0210329
公開日2002年9月25日 申請日期2002年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月16日
發(fā)明者長谷川隆 申請人:株式會社村田制作所