專(zhuān)利名稱(chēng)：校正在三色調(diào)衰減相移掩模中鄰近效應(yīng)的結(jié)構(gòu)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及相移掩模，更具體地說(shuō)，涉及校正在三色調(diào)衰減相移掩模中的鄰近效應(yīng)的結(jié)構(gòu)和方法。
背景技術(shù)：
照相制版技術(shù)是在半導(dǎo)體工業(yè)中眾所周知的工藝，它用于制成集成電路(IC)中的線，觸點(diǎn)和其它已知結(jié)構(gòu)。在常規(guī)的照相制版技術(shù)中，照明掩模(或刻度片)，該掩模(或刻度片)具有表示一個(gè)IC層結(jié)構(gòu)的透明和不透明的區(qū)域的圖形。隨后，將透過(guò)掩模的光聚焦在晶片上的光刻膠層上。在隨后的顯影沖洗處理工藝中，去除由圖形所定義的部分光刻膠層。這樣，掩模的圖形就轉(zhuǎn)移到或者印刷到了光刻膠層上。
然而，在透明區(qū)域到不透明區(qū)域的過(guò)渡處的衍射效應(yīng)能夠是這些邊緣變得很模糊，從而對(duì)照相制版工藝的分辨率產(chǎn)生不利的影響。為了提高該分辨率已經(jīng)提出了各種技術(shù)。一種這類(lèi)技術(shù)稱(chēng)之為相移，它利用入射光波的相位破壞性干涉。具體地說(shuō)，相移將入射光波的第一區(qū)域的相位相對(duì)于入射光波鄰近區(qū)域的第二區(qū)域的相位移動(dòng)了大約180度，從而在第一和第二區(qū)域之間產(chǎn)生更加清晰的界面。于是，在通過(guò)半導(dǎo)體掩模(或刻度片)照明的光刻膠的曝光和未曝光部分之間的邊界就可以采用相移來(lái)更加準(zhǔn)確地確定，從而允許IC具有更大的結(jié)構(gòu)密度。
圖1說(shuō)明了簡(jiǎn)化的相移掩模100，它是采用衰減、相移區(qū)域101形成在清潔區(qū)域102上的方法制成的，其中經(jīng)衰減的、相移區(qū)域101的邊界103定義了單片IC結(jié)構(gòu)。清潔區(qū)域102是透明的，即，該區(qū)域的光密度傳輸系數(shù)T＞0.9。相反，衰減的相移區(qū)域101是半透明區(qū)域，即，該區(qū)域具有低的光密度傳輸系數(shù)0.03＜T＜0.1。相對(duì)于通過(guò)清潔區(qū)域102的光，通過(guò)衰減相移區(qū)域101的光的相移大約為180度。
正如本領(lǐng)域中的技術(shù)人員所熟悉的，增加衰減相移區(qū)域101的密度傳輸系數(shù)就能夠提高由照相制版工藝所制成結(jié)構(gòu)的性能。事實(shí)上，理論上所能獲得最佳性能是衰減相移區(qū)域具有的光密度傳輸系數(shù)接近于T＝1(換句話說(shuō)，該區(qū)域是透明的)并還具有相對(duì)于清潔區(qū)域102的180度相移。這樣，假定部分相干照明，就能夠消除掉各個(gè)區(qū)域的幅度邊緣臺(tái)階，從而在這兩個(gè)區(qū)域之間過(guò)渡部分產(chǎn)生基本為零密度的線。目前，材料技術(shù)已經(jīng)能夠提供這類(lèi)具有衰減特性的相移，該相移區(qū)域可具有大約T＝0.4的光密度傳輸系數(shù)，盡管更高的傳輸在理論上是可能的和期望的。
不幸的是，這種更高傳輸特性的相移材料的使用會(huì)增加印刷衰減相移區(qū)域102一些部分的風(fēng)險(xiǎn)。特別是，為了能確保完全去除掉剩余的光刻膠，實(shí)際用于去除光刻膠的步驟一般都至少是理論所需去除光刻膠的兩倍。這過(guò)渡曝光會(huì)導(dǎo)致增加印刷衰減相移區(qū)域101的一些較大部分的風(fēng)險(xiǎn)。
為了能解決這個(gè)問(wèn)題，某些稱(chēng)之為三色調(diào)衰減相移掩模的掩模，它在較大部分的衰減相移區(qū)域中包括了一個(gè)不透明區(qū)域，其中，不透明區(qū)域阻擋了衰減相移區(qū)域所傳輸?shù)娜魏尾灰墓?。圖2說(shuō)明了簡(jiǎn)化的相移掩模200，它是采用在清潔區(qū)域202上面形成衰減相移區(qū)域201以及不透明區(qū)域204形成在衰減相移區(qū)域201上面方式制成的，其中，衰減相移區(qū)域201的邊界203定義了單一IC的結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施例中，清潔區(qū)域202具有光密度傳輸系數(shù)T＞0.9，衰減相移區(qū)域201具有光密度傳輸系數(shù)0.3＜T＜0.9，而不透明區(qū)域204典型地具有光密度傳輸系數(shù)T＜0.01。值得注意的是，相對(duì)于通過(guò)清潔區(qū)域202的光，通過(guò)衰減相移區(qū)域201的光的相移保持著約180度。
于是，在衰減相移區(qū)域上形成不透明區(qū)域有利于允許明顯高的光密度傳輸系數(shù)用于絕緣結(jié)構(gòu)。不幸的是，三色調(diào)相移掩模呈現(xiàn)出強(qiáng)烈的光鄰近效應(yīng)，從而使得它難以將該掩模應(yīng)用于絕緣和聚集圖形的單次共同曝光。
因此，就需要能校正三色調(diào)調(diào)衰減相移掩模的光鄰近效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
提供了一種適用于校正三色調(diào)相移掩模的光鄰近效應(yīng)的結(jié)構(gòu)和方法。三色調(diào)相移掩模一般可包括多個(gè)在透明層上形成的衰減相移區(qū)域以及在衰減相移區(qū)域的更大部分上形成的不透明區(qū)域，該不透明的區(qū)域可以阻擋衰減相移區(qū)域所傳輸?shù)娜魏尾恍枰墓狻Ｒ赃@樣的方法，不透明的區(qū)域使得在顯影沖洗處理中能避免印刷這些衰減相移區(qū)域中的大部分。
根據(jù)本發(fā)明，由不透明區(qū)域和衰減相移區(qū)域所形成的邊，對(duì)某些類(lèi)型的所有結(jié)構(gòu)或者跨越掩模的所有結(jié)構(gòu)都保持著預(yù)定的寬度。典型的是，該邊應(yīng)制作得盡可能地大，以便于使得衰減相移區(qū)域的效應(yīng)最大化，同時(shí)還能避免在顯影沖洗工藝中印刷衰減相移區(qū)域的較大部分。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特性，照相制版掩模包括多種結(jié)構(gòu)。一些結(jié)構(gòu)是采用透明區(qū)域、不透明區(qū)域和衰減區(qū)域制成的。不透明區(qū)域和衰減區(qū)域形成了具有預(yù)定寬度的衰減邊。在本發(fā)明中，該邊的寬度在結(jié)構(gòu)的子集中基本相同的。
在一個(gè)實(shí)施例中，透明的區(qū)域提供了大約0度的相移且具有大于約0.9的光密度傳輸系數(shù)，而衰減區(qū)域提供了大約180度的相移并具有在約0.3至約1.0之間的光密度傳輸系數(shù)。在本實(shí)施例中，不透明區(qū)域具有的光密度傳輸系數(shù)小于約0.01。
根據(jù)本發(fā)明的另一特性，提供了利用三色調(diào)衰減相移掩模形成多個(gè)結(jié)構(gòu)的方法。采用第一區(qū)域和第二區(qū)域形成結(jié)構(gòu)的子集，其中，第一區(qū)域具有相對(duì)于第二區(qū)域180度的相移。該方法包括在第二區(qū)域的邊界內(nèi)定位第三區(qū)域，從而形成第二區(qū)域的邊。該第三區(qū)域可以使第二區(qū)域在顯影沖洗中避免印刷。根據(jù)本發(fā)明，為了對(duì)光鄰近的校正，提供了結(jié)構(gòu)子集的預(yù)定邊的寬度。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域包括透明區(qū)域、第二區(qū)域包括衰減區(qū)域，以及第三區(qū)域包括不透明區(qū)域。在該實(shí)施例中，該方法還包括了將第二區(qū)域的邊界分成若干第一小段，各個(gè)第一小段都包括了兩個(gè)斷開(kāi)的點(diǎn)。斷開(kāi)點(diǎn)的子集投影在第三區(qū)域的邊界上，從而形成若干第二小段。在這點(diǎn)上，就對(duì)結(jié)構(gòu)的子集提供了光的鄰近校正，其中，如果光的鄰近校正移動(dòng)了第一小段，則也會(huì)移動(dòng)對(duì)應(yīng)的第二小段。根據(jù)在光的鄰近校正后所形成的變化第二區(qū)域來(lái)確定第三區(qū)域的變化邊界。
在一個(gè)實(shí)施例中，所確定的第三區(qū)域的變化邊界包括減小第二區(qū)域的尺寸以及隨后再增建減小尺寸的第二區(qū)域。例如，變化第二區(qū)域可以減小尺寸到預(yù)定邊寬度的兩倍，以及隨后增建到預(yù)定的邊寬度。在另一實(shí)例中，變化的第二區(qū)域減小尺寸到預(yù)定的邊寬度并且隨后消除在減小尺寸的第二區(qū)域中任何產(chǎn)生的鼠牙狀凸起。在另一實(shí)施例中，減小尺寸和后續(xù)放大尺寸的量可以作為所應(yīng)用的光鄰近校正函數(shù)來(lái)調(diào)整(即，錐頭形，斜線、截線等等)。在還有一個(gè)實(shí)施例中，減小尺寸和后續(xù)放大尺寸的量考慮到了在結(jié)構(gòu)中可能印刷所產(chǎn)生的任何邊緣臺(tái)階。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供了適用于結(jié)構(gòu)子集的光鄰近校正，然而，在該校正中第三區(qū)域的邊界并沒(méi)有變化。再一次，就可以根據(jù)在光鄰近校正之后所形成的變化第二區(qū)域來(lái)確定第三區(qū)域的變化邊界。在一個(gè)實(shí)施例中，第三區(qū)域的變化邊界是通過(guò)減小變化第二區(qū)域的尺寸且隨后再放大減小尺寸的第二區(qū)域的方法來(lái)確定的。例如，變化第二區(qū)域的尺寸可以減小到預(yù)定邊寬度的兩倍，且隨后再放大至預(yù)定邊的寬度。在另一實(shí)施例中，減小尺寸和后續(xù)放大尺寸的量可以作為所應(yīng)用的光鄰近校正的函數(shù)(即，錐頭形，斜線、截線等等)來(lái)調(diào)整。在還有一個(gè)實(shí)施例中，減小尺寸和后續(xù)放大尺寸的量考慮到了在結(jié)構(gòu)中可能印刷所產(chǎn)生的任何邊緣臺(tái)階。在另外一個(gè)實(shí)施例中，將變化第二區(qū)域的尺寸減小到預(yù)定的邊寬度，且隨后消除掉在減小尺寸的第二區(qū)域中任何產(chǎn)生的鼠牙狀凸起。
根據(jù)本發(fā)明的另一特性，制成三色調(diào)衰減相移掩模的方法包括形成透明層和衰減層的步驟，其中，衰減層的相移相對(duì)應(yīng)透明層大約180度。衰減層是圖形化的，其中從透明層到衰減層的過(guò)渡定義了在掩模上的結(jié)構(gòu)邊緣。形成不透明層且圖形化，其中掩模上的各個(gè)結(jié)構(gòu)都包括了不透明的部分，不透明的部分與邊緣具有預(yù)定的距離。
衰減層和不透明層的圖形是通過(guò)仿真對(duì)結(jié)構(gòu)的光鄰近校正來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在一個(gè)實(shí)施例中，從不透明部分到衰減部分的過(guò)渡定義了邊的邊緣，其中仿真光鄰近校正包括去除邊的邊緣的小段，如果去除了結(jié)構(gòu)邊緣所對(duì)應(yīng)的小段。在這點(diǎn)上，衰減部分可以減小尺寸且隨后再放大尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，衰減的部分可以減小尺寸到預(yù)定距離的兩倍，且隨后再放大至預(yù)定的距離。在另一實(shí)施例中，衰減部分可減小至預(yù)定的距離。在另外一個(gè)實(shí)施例中，減小尺寸和隨后放大尺寸的量都可以作為所使用的光鄰近校正的函數(shù)(即，錐頭形，斜線、截線等等)來(lái)調(diào)整。在還有一個(gè)實(shí)施例中，減小尺寸和后續(xù)放大尺寸的量考慮到了在結(jié)構(gòu)中可能印刷所產(chǎn)生的任何邊緣臺(tái)階。
在另一實(shí)施例中，仿真光鄰近校正包括移動(dòng)結(jié)構(gòu)邊緣的小段且同時(shí)固定邊的邊緣。衰減部分可以減小尺寸且隨后再放大尺寸。正如以上所討論的，減小尺寸和放大尺寸都基于預(yù)定的距離、光鄰近校正的函數(shù)、或者調(diào)整來(lái)減小所印刷的任何內(nèi)部邊緣的臺(tái)階。
根據(jù)本發(fā)明的另一特性，半導(dǎo)體掩模是由多個(gè)結(jié)構(gòu)所組成的。結(jié)構(gòu)的一個(gè)子集可以包括光密度傳輸系數(shù)大于0.9的第一區(qū)域，光密度傳輸系數(shù)小于0.01的第二區(qū)域，和光密度傳輸系數(shù)為大約0.3和大約1.0之間的第三區(qū)域。在本發(fā)明中，第二區(qū)域和第三區(qū)域形成了具有預(yù)定寬度的邊，其中，該寬度在結(jié)構(gòu)的子集中基本上是相同的。
根據(jù)本發(fā)明的另一特性，提供了用于仿真三色調(diào)衰減相移掩模的計(jì)算機(jī)軟件。該掩模包括了多個(gè)結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的子集又包括了透明區(qū)域、不透明區(qū)域、和衰減區(qū)域。不透明區(qū)域和衰減區(qū)域形成了邊。該計(jì)算機(jī)軟件包括了用于分析結(jié)構(gòu)子集的光鄰近校正的模塊和用于提供在結(jié)構(gòu)子集中基本類(lèi)似邊的模塊。在一個(gè)實(shí)施例中，所提供的模塊包括將衰減區(qū)域的第一邊緣分成為若干第一小段的模塊，將不透明區(qū)域的第二邊緣分成為若干第二小段的模塊，其中，每個(gè)第二小段對(duì)應(yīng)于某些第一小段；以及用于在光鄰近校正過(guò)程中確定第二小段是否與它所對(duì)應(yīng)的第一小段一起移動(dòng)的模塊。所提供的模塊也可以包括用于減小衰減區(qū)域的尺寸和隨后再放大衰減區(qū)域尺寸以產(chǎn)生基本上類(lèi)似邊的寬度的模塊。另外一種選擇是，所提供的模塊可以包括用于減小衰減區(qū)域尺寸以產(chǎn)生基本類(lèi)似邊的寬度的模塊。


圖1說(shuō)明了采用在清潔區(qū)域上形成衰減相移區(qū)域的方法所制成簡(jiǎn)化的、相移掩模，其中，衰減相移區(qū)域的邊定義了單一IC的結(jié)構(gòu)。
圖2說(shuō)明了采用在清潔區(qū)域上形成衰減相移區(qū)域以及在衰減相移區(qū)域上形成不透明區(qū)域的方法所制成的簡(jiǎn)化的、相移掩模，其中，衰減相移區(qū)域的邊界就定義單一IC的結(jié)構(gòu)。
圖3說(shuō)明了具有若干定義衰減相移區(qū)域的邊緣的結(jié)構(gòu)，其中，各個(gè)邊緣包括根據(jù)本發(fā)明的斷開(kāi)點(diǎn)和測(cè)定點(diǎn)。
圖4A說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的一系列步驟，這些步驟提供在集成電路的整個(gè)表面層上基本恒定的衰減邊的寬度。
圖4B說(shuō)明了在衰減相移區(qū)域的邊緣投影到不透明區(qū)域的邊緣上的各種斷開(kāi)和測(cè)定點(diǎn)。
圖4C說(shuō)明了在進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)光鄰近校正之后所產(chǎn)生的邊緣改進(jìn)以及附加于衰減相移區(qū)域和不透明區(qū)域的OPC特性。
圖4D說(shuō)明了適用于衰減相移區(qū)域和不透明區(qū)域的改進(jìn)層。
圖5A說(shuō)明了根據(jù)本發(fā)明的另一系列步驟，以在集成電路的整個(gè)表面層上提供基本恒定的衰減邊的寬度。
圖5B說(shuō)明了在進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)光鄰近校正之后所產(chǎn)生的邊緣改進(jìn)以及附加于衰減相移區(qū)域的OPC特性。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明，一個(gè)衰減邊是由衰減相移區(qū)域減去不透明區(qū)域所定義的范圍，它在正三色調(diào)衰減相移掩模上保持著預(yù)定的寬度，從而校正光鄰近效應(yīng)。一般來(lái)說(shuō)，所制成的衰減邊應(yīng)盡可能的大，以便于減小衰減相移區(qū)域的效應(yīng)，同時(shí)還能避免在顯影沖洗中衰減相移區(qū)域的更大部分印刷。
為了能創(chuàng)建所要求的衰減邊，各個(gè)與在衰減相移區(qū)域和清潔區(qū)域之間過(guò)渡有關(guān)的邊緣都分成小段，其中各個(gè)小段包括至少一個(gè)測(cè)定點(diǎn)。例如，圖3說(shuō)明了結(jié)構(gòu)300具有定義在衰減、相移區(qū)域302和清潔區(qū)域(未顯示)之間過(guò)渡的六個(gè)邊緣301A-301F。各邊緣301都可包括若干斷開(kāi)的點(diǎn)303，其中，兩個(gè)相鄰的斷開(kāi)點(diǎn)303定義了小段。值得注意的是，每一個(gè)角304都具有兩個(gè)重疊的斷開(kāi)點(diǎn)，其中一個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)是水平設(shè)置的，而另一個(gè)是垂直設(shè)置的。在本發(fā)明的該實(shí)施例中，斷開(kāi)點(diǎn)303定義了兩個(gè)長(zhǎng)度的小段。然而，在另一實(shí)施例中，斷開(kāi)點(diǎn)可以定義成相同長(zhǎng)度的小段或者具有三個(gè)和更多長(zhǎng)度的小段。
測(cè)定點(diǎn)305可以設(shè)置在兩個(gè)相鄰斷開(kāi)點(diǎn)之間，即，在小段的中間或者在一些其它所設(shè)計(jì)的位置上(例如，離開(kāi)位于角上的斷開(kāi)點(diǎn)的距離2/3)。值得注意的是，每個(gè)小段上的多個(gè)測(cè)定點(diǎn)能夠提高校正處理的精度，但是會(huì)增加處理的復(fù)雜性。因此，為了便于解釋?zhuān)诒疚乃懻搶?shí)施例中的各個(gè)小段只包括單個(gè)的測(cè)定點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)特性，如果移動(dòng)測(cè)定點(diǎn)來(lái)校正光鄰近效應(yīng)，則可以同時(shí)移動(dòng)與測(cè)定點(diǎn)有關(guān)的小段。在2000年8月29日提出的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)(序列號(hào)No.09/675,582)“在適用于校正鄰近效應(yīng)所制成的層中角的斷開(kāi)”；在2000年8月29日提出的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)(序列號(hào)No.09/675,197)“在適用于校正鄰近效應(yīng)所制成的層中具有投影點(diǎn)邊緣的斷開(kāi)”；在2000年8月29日提出的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)(序列號(hào)No.09/675,397)“在適用于校正鄰近效應(yīng)所制成的層中印刷邊緣的斷開(kāi)”；和在2000年8月29日提出的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)(序列號(hào)No.09/675,356)“在適用于校正制成層中鄰近效應(yīng)根據(jù)鄰近效應(yīng)模型幅度選擇測(cè)定點(diǎn)的位置”中詳細(xì)討論了該項(xiàng)技術(shù)以及斷開(kāi)和測(cè)定點(diǎn)的位置，上述專(zhuān)利引用在此供參考。
結(jié)構(gòu)300還包括形成在衰減相移區(qū)域302上的不透明區(qū)域306。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，衰減相移區(qū)域302可以由50至200納米厚度的硅化鉬制成，不透明區(qū)域306可以由50至200納米厚度的鉻制成。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，衰減相移區(qū)域302可以由氮氧化鉻，二氟二氧化鉻，二氧化鋯，氮化硅，以及氧化鋁制成。更重要的是，不透明區(qū)域306不需要它本身是不透明的，但應(yīng)該具有與衰減相移區(qū)域302的厚度相結(jié)合的厚度，該厚度的密度傳輸系數(shù)大約為T(mén)＜0.01。不透明區(qū)域306的另一種材料包括，例如，硅，氮氧化鉻，鋁，鎢，和鈦。值得注意的是，在清潔區(qū)域(在圖3中未顯示)上形成了衰減相移區(qū)域302和不透明區(qū)域306，該清潔區(qū)域可以由熔融的二氧化硅，硼硅玻璃(用于波長(zhǎng)大于365納米)，或者具有類(lèi)似熱膨脹和密度傳輸系數(shù)的任何其它材料。包括上述討論材料的層的半成品可以由許多供應(yīng)商提供，包括但并不局限于，Dupont，Photomask，Hoya，Ulcost，Dai Nippon，Printing，以及Toppan。
圖3指出了適用于衰減邊307的所要求(即，預(yù)定的)寬度W。該預(yù)定寬度W是由下列公式所確定的W＝k×λ/NA，式中λ是步進(jìn)器的波長(zhǎng)，NA是步進(jìn)器投影光學(xué)的數(shù)值孔徑，以及k是常數(shù)，它適用于所使用的光刻抗蝕工藝、步進(jìn)器光源的相干性(包括照明是否同軸或非同軸進(jìn)行的)以及衰減相移區(qū)域的傳輸所確定的給定處理。
圖4A說(shuō)明了本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中為了確保結(jié)構(gòu)300在光鄰近校正之后達(dá)到寬度W的各種步驟。在本發(fā)明中，這些步驟都是采用軟件在布局結(jié)構(gòu)上進(jìn)行的，直至形成最佳的結(jié)構(gòu)。然而，實(shí)際的掩模可以形成具有適當(dāng)?shù)膮^(qū)域，例如，衰減相移區(qū)域302和不透明區(qū)域306。
在本實(shí)施例中，正如參照?qǐng)D3的上述討論，在步驟410，邊緣301可以分成具有測(cè)定點(diǎn)的小段。在步驟420，且也可參照?qǐng)D4B，衰減相移區(qū)域的邊緣301B-301E上的斷開(kāi)點(diǎn)和測(cè)定點(diǎn)分別投影到不透明區(qū)域306的邊緣401A-401D上。這樣，在邊緣401上的各個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)402和測(cè)定點(diǎn)403都在邊緣301上具有相對(duì)應(yīng)的斷開(kāi)點(diǎn)303和測(cè)定點(diǎn)305。兩個(gè)相鄰斷開(kāi)點(diǎn)402定義了具有一個(gè)測(cè)定點(diǎn)403的小段。值得注意的是，因?yàn)檫吘?01A、301F以及邊緣301E的上部分定義了衰減相移區(qū)域302的充分小的部分，因此就不存在任何所對(duì)應(yīng)的不透明區(qū)域。(換句話說(shuō)，已經(jīng)確定該部分在以后顯影沖洗中不會(huì)具有印刷的風(fēng)險(xiǎn)。)因此，在這些邊緣(或部分)上的斷開(kāi)點(diǎn)和測(cè)定點(diǎn)都不再投影到其它邊緣上。
這時(shí)，在步驟430對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行光鄰近的校正。根據(jù)本實(shí)施例，如果是因?yàn)楣馀R近校正而移動(dòng)邊緣301的小段，則也可以移動(dòng)邊緣401的對(duì)應(yīng)小段(由投影的斷開(kāi)點(diǎn)和測(cè)定點(diǎn)所標(biāo)識(shí)的)。更重要的是，可以采用多次疊代來(lái)優(yōu)化結(jié)構(gòu)光鄰近的校正。換句話說(shuō)，在每一次疊代之后，可以對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行印刷模擬，以確定測(cè)定點(diǎn)的位置(圖4B)是否可以進(jìn)一步優(yōu)化來(lái)達(dá)到所要求的布局。于是，可以在該光鄰近校正步驟中改進(jìn)邊緣301和401的許多小段的位置。同樣，光臨近校正(OPC)特性，例如，錐頭形、截線、斜線等等，都可以在步驟430增加到結(jié)構(gòu)中。
圖4C說(shuō)明了在進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)光鄰近校正之后引起邊緣改進(jìn)和附加衰減相移區(qū)域302和不透明區(qū)域306的OPC特性。特別是，在對(duì)衰減相移區(qū)域302進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)光鄰近校正之后，一個(gè)錐頭形406，一個(gè)內(nèi)部截線408(如虛線框所示)，以及三個(gè)外部截線405都已經(jīng)加到原始的結(jié)構(gòu)中。此外，邊緣301的各小段位置都已經(jīng)變化(箭頭表示從邊緣301(圖4A)原始小段的移動(dòng)方向)。值得注意的是，如果沒(méi)有采用測(cè)定點(diǎn)來(lái)標(biāo)識(shí)邊緣401的部分407(見(jiàn)圖4A)，那么在光鄰近校正的過(guò)程中就不能移動(dòng)該部分407(由它所對(duì)應(yīng)的斷開(kāi)點(diǎn)來(lái)定義的)。這時(shí)，在步驟440，衰減相移區(qū)域302A的布局可以用于產(chǎn)生適用于不透明區(qū)域306A所要求的布局。在一個(gè)實(shí)施例中，衰減相移區(qū)域302A的層的尺寸可以減小以及隨后放大。根據(jù)所減小和放大的尺寸，該操作可以消除OPC的特性，例如，錐頭形406和外部截線405，以及不具有相關(guān)不透明區(qū)域306A的人互部分的衰減相移區(qū)域302A(例如，在錐頭形406和內(nèi)部截線408之間的部分衰減相移區(qū)域302A)。更有利的是，該操作也可以確保最終的不透明層是沒(méi)有任何“鼠牙狀凸起”的，例如，部分407(圖4C)。
在一個(gè)說(shuō)明減小尺寸和放大尺寸的操作中，衰減區(qū)域302A可以減小至2X邊寬度W以及放大至1X邊寬度W。然而，如果光鄰近校正提供了大的錐頭形(或其它OPC特性)，則減小的尺寸可以是3X邊寬度W且放大的尺寸可以是2X邊寬度。于是，在另一操作中，可以根據(jù)所采用的光鄰近校正的函數(shù)來(lái)調(diào)整減小和放大的尺寸。在還有一個(gè)實(shí)施例中，上述所討論的減小和放大尺寸的操作可以采取減小至1X邊寬度W且隨后消除任何鼠牙狀凸起的步驟來(lái)取代。最終，在另一實(shí)施例中，任何尺寸的校正都要考慮到在特性中所產(chǎn)生印刷的邊緣臺(tái)階。圖4D顯示所說(shuō)明的適用于衰減相移區(qū)域302A和不透明層306的改進(jìn)布局。
在一個(gè)實(shí)施例中，步驟430和440可以重復(fù)，直至衰減邊409的寬度W處于容差的范圍之內(nèi)(+/-預(yù)定距離d，其中，d基于布局和正在使用的層和工具)。步驟410-430能夠采用任何光鄰近校正(OPC)的工具來(lái)完成(目前，OPC工具包括，但并不局限于，Numerical Technologies有限公司的Photolynx，iN Tandem，和SiVL工具，Cadence Design System有限公司的Dracula工具，Avant！公司的Herculea工具，或者M(jìn)entorGraphics公司的Calibre工具)。這些OPC工具可以是基于規(guī)則的，基于模型的，或者兩者的組合(即，某些部分采用規(guī)則，而另一些部分則采用模型)。步驟440可以采用任何標(biāo)準(zhǔn)DRC(設(shè)計(jì)規(guī)則校驗(yàn))工具來(lái)完成(目前，DRC工具包括，但并不局限于，DesignWorkshop的dw-2000，Avant！公司的Herculea工具，Cadence Design System有限公司的Dracula、Vampire、或Assura工具，或者M(jìn)entorGraphics公司的Calibre工具)。
圖5A說(shuō)明了在本發(fā)明另一實(shí)施例中的各個(gè)步驟，以確保在結(jié)構(gòu)300經(jīng)過(guò)光鄰近校正之后能達(dá)到寬度W。正如以上實(shí)施例，這些步驟一般是采用軟件針對(duì)布局的結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行的，直至形成最佳的結(jié)構(gòu)。隨后，在該結(jié)構(gòu)上形成具有適當(dāng)區(qū)域的實(shí)際掩模，例如，適當(dāng)?shù)膮^(qū)域包括衰減相移區(qū)域302和不透明區(qū)域306。
在本實(shí)施例中，正如參考圖3的上述討論，在步驟510，將邊緣301分成具有測(cè)定點(diǎn)的小段。這時(shí)，在步驟520，對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行光鄰近校正。根據(jù)本實(shí)施例，邊緣301沒(méi)有移動(dòng)，而移動(dòng)了邊緣301的小段，以便于進(jìn)行光鄰近的校正。再一次，對(duì)結(jié)構(gòu)的優(yōu)化光鄰近校正可以采用多次疊代。因此，在各次疊代之后，可以對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行印刷仿真，以確定測(cè)定點(diǎn)305(圖3)的位置是否需要進(jìn)一步優(yōu)化來(lái)獲得所要求的布局。于是，在該優(yōu)化鄰近校正的步驟中可以改進(jìn)邊緣301的許多小段的位置。在步驟520，光鄰近校正(OPC)特性，例如，錐頭形，截線和斜線，都可以加到結(jié)構(gòu)上。
圖5B說(shuō)明了在進(jìn)行了標(biāo)準(zhǔn)光鄰近校正之后最終的邊緣改進(jìn)和附加在衰減相移區(qū)域302的OPC特性。特別是，在對(duì)衰減相移區(qū)域302進(jìn)行了光鄰近校正之后，錐頭形506、內(nèi)部截線508(如虛線框所示)以及三個(gè)外部截線505已經(jīng)附加在原始結(jié)構(gòu)上。此外，各個(gè)小段的位置已經(jīng)發(fā)生了變化(箭頭表示了原始小段離開(kāi)邊緣301的移動(dòng)方向(圖3))。
然而，值得注意的是，這些小段的移動(dòng)并不需要像圖4C中所對(duì)應(yīng)小段移動(dòng)的那么多(應(yīng)該記住的是，該附圖并沒(méi)有標(biāo)注刻度，這只是本發(fā)明基本概念的說(shuō)明)。還值得注意的是，圖5B的一些OPC特性可以明顯大于或者類(lèi)似于圖4C中所對(duì)應(yīng)的OPC特性。通過(guò)從本實(shí)施例中的原始布局中了解所保持的不透明區(qū)域的尺寸就能解釋這些結(jié)果，而在前述的實(shí)施例中，減小了該不透明區(qū)域的整體尺寸。換句話說(shuō)，因?yàn)樵贠PC仿真步驟中考慮了不透明區(qū)域，所以根據(jù)不透明區(qū)域的尺寸和形狀，最終的OPC特性和衰減相移區(qū)域的相關(guān)布局可以不同。
這時(shí)，在步驟530，衰減相移區(qū)域302B的布局可以用于產(chǎn)生適用于不透明區(qū)域306B的所要求的布局。在一個(gè)實(shí)施例中，衰減相移區(qū)域302B的層可以減小尺寸且隨后放大尺寸。該減小和放大尺寸的操作消除了任何OPC特性且確保最終的不透明層是沒(méi)有任何“鼠牙狀凸起”的。在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)布局和所使用的工具，步驟520和530可以重復(fù)，直至衰減邊的寬度W在容差的范圍之內(nèi)。值得注意的是，圖5所示的衰減相移區(qū)域302B和不透明區(qū)域306B的層或許接近于圖4D所示的層。
步驟510-520可以采用任何光鄰近校正(OPC)工具來(lái)完成(目前，OPC工具包括，但并不局限于，Numerical Technologies有限公司的Photolynx，iNTandem，和SiVL工具，Cadence Design System有限公司的Dracula工具，Avant！公司的Herculea工具，或者M(jìn)entorGraphics公司的Calibre工具)。這些OPC工具可以是基于規(guī)則的，基于模型的，或者兩者的組合(即，某些部分采用規(guī)則，而另一些部分則采用模型)。步驟530可以采用任何標(biāo)準(zhǔn)DRC(設(shè)計(jì)規(guī)則校驗(yàn))工具來(lái)完成(目前，DRC工具包括，但并不局限于，DesignWorkshop的dw-2000，Avant！公司的Herculea工具，Cadence Design System有限公司的Dracula、Vampire、或Assura工具，或者M(jìn)entorGraphics公司的Calibre工具)。
值得注意的是，在一個(gè)說(shuō)明減小尺寸和放大尺寸的操作中，衰減區(qū)域302B可以減小至2X邊寬度W以及放大至1X邊寬度W。然而，如果光鄰近校正提供了大的錐頭形(或其它OPC特性)，則減小的尺寸可以是3X邊寬度W且放大的尺寸可以是2X邊寬度。于是，可以根據(jù)所采用的光鄰近校正的函數(shù)來(lái)調(diào)整減小和放大的尺寸。在本發(fā)明的還有一個(gè)實(shí)施例中，上述所討論的減小和放大尺寸的操作可以采取減小1X邊寬度W且隨后消除任何鼠牙狀凸起的步驟來(lái)取代。最終，在另一實(shí)施例中，任何大小的校正都要考慮到在特性中所產(chǎn)生印刷的邊緣臺(tái)階。
實(shí)施例的改進(jìn)上述所討論的實(shí)施例只是為了解釋本發(fā)明而不是限制本發(fā)明。對(duì)業(yè)內(nèi)的技術(shù)人士來(lái)說(shuō)，這些實(shí)施例的改進(jìn)、變更和變化都是很顯然的。例如，根據(jù)本發(fā)明所制成的掩模不僅可以采用光照相制版工藝，而且還可以采用基于其它輻射類(lèi)型的制版工藝，例如，硬X射線(典型的波長(zhǎng)約為1納米，其中，該掩?？梢栽趥鬏斈Ｊ街惺褂?或者軟X射線(也稱(chēng)之為EUV，或超紫外線，其典型波長(zhǎng)約為10納米，其中，該掩?？梢栽诜瓷淠Ｊ街惺褂?(值得注意的是，部分反射材料也能夠移動(dòng)光線的相位180度，這取決于材料高度的差異或材料成份的差異)。
在光照相制版工藝中，本發(fā)明的掩?？梢杂糜诟鞣N波長(zhǎng)，包括，例如，436納米，365納米，248納米，193納米，157納米，和126納米。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，步進(jìn)器照明的設(shè)置可以對(duì)給定的圖形類(lèi)型/尺寸進(jìn)行優(yōu)化。例如，同軸照明可以用于絕緣的接觸，而非同軸的照明可以用于密集的圖形(從而改變計(jì)算邊寬度W公式的常數(shù)k)。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，對(duì)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，邊寬度是一個(gè)常數(shù)，但對(duì)不同的結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，邊寬度就不一定是常數(shù)。例如，對(duì)一類(lèi)結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，第一邊寬度可以認(rèn)為是最佳的，例如，線；而對(duì)另一類(lèi)結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，第二邊寬度可以認(rèn)為是最佳的，例如，接觸點(diǎn)。在整個(gè)集成電路中，可以局部或全局保持這些不同的邊寬度。
最后，盡管上述實(shí)施例一般至適用于具有傳輸系數(shù)在約0.3和約0.9之間的衰減相移區(qū)域，但另一些實(shí)施例可以包括比0.9大得多的衰減相移區(qū)域。因此，本發(fā)明試圖包括所有在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的這類(lèi)改進(jìn)、變更和變化。
權(quán)利要求
1.一種照相制版掩模包括多個(gè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，結(jié)構(gòu)的子集包括透明區(qū)域，不透明區(qū)域，和衰減區(qū)域，其特征在于，不透明區(qū)域和衰減區(qū)域形成具有預(yù)定寬度的衰減邊，以及，其特征在于，該寬度在結(jié)構(gòu)的子集中是基本相同的。
2.如權(quán)利要求1所述照相制版掩模，其特征在于，透明區(qū)域具有約為0度的相移。
3.如權(quán)利要求2所述照相制版掩模，其特征在于，衰減區(qū)域具有約為180度的相移。
4.如權(quán)利要求1所述照相制版掩模，其特征在于，透明區(qū)域具有大于0.9的光密度傳輸系數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述照相制版掩模，其特征在于，衰減區(qū)域具有大在約為0.3和約為1.0之間的光密度傳輸系數(shù)。
6.如權(quán)利要求1所述照相制版掩模，其特征在于，不透明區(qū)域具有小于約0.01的光密度傳輸系數(shù)。
7.在三色調(diào)衰減相移掩模中形成多個(gè)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，結(jié)構(gòu)的子集是由第一區(qū)域和第二區(qū)域所組成，其特征在于，第一區(qū)域具有相對(duì)于第二區(qū)域的相移位180度，該方法包括在第二區(qū)域的邊界內(nèi)定位第三區(qū)域，從而形成第二區(qū)域的邊，其特征在于，第三區(qū)域使得第二區(qū)域避免印刷；以及，對(duì)結(jié)構(gòu)子集提供了預(yù)定的邊寬度。
8.如權(quán)利要求7所述方法，其特征在于，第一區(qū)域包括透明區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述方法，其特征在于，第二區(qū)域包括一衰減區(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述方法，其特征在于，第三區(qū)域包括一不透明區(qū)域。
11.如權(quán)利要求10所述方法，還包括將第二區(qū)域的邊界分成若干第一小段，各個(gè)第一小段包括兩個(gè)斷開(kāi)點(diǎn)。
12.如權(quán)利要求11所述方法，還包括將斷開(kāi)點(diǎn)的子集投影到第三區(qū)域的邊界上，從而形成若干第二小段。
13.如權(quán)利要求12所述方法，還包括提供適用于結(jié)構(gòu)子集的光鄰近校正，其特征在于，如果光鄰近校正移動(dòng)第一小段，則也移動(dòng)對(duì)應(yīng)的第二小段。
14.如權(quán)利要求13所述方法，還包括根據(jù)在光鄰近校正之后所形成的變化了的第二區(qū)域來(lái)確定第三區(qū)域的變化邊界。
15.如權(quán)利要求14所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括減小變化的第二區(qū)域的尺寸以及隨后再放大減小了尺寸的第二區(qū)域。
16.如權(quán)利要求15所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括將變化的第二區(qū)域的尺寸減小至預(yù)定邊寬度的N倍，以及再將減小尺寸的第二區(qū)域放大至預(yù)定邊寬度的M倍，其中N＞M。
17.如權(quán)利要求14所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括將變化的第二區(qū)域的尺寸減小預(yù)定的邊寬度，并且隨后消除在減小尺寸的第二區(qū)域中的任何產(chǎn)生的鼠牙狀凸起。
18.如權(quán)利要求15所述方法，其特征在于，減小尺寸和放大尺寸是光鄰近校正的函數(shù)。
19.如權(quán)利要求14所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括調(diào)整變化的邊界，以減小任何內(nèi)部邊緣的臺(tái)階印刷。
20.如權(quán)利要求11所述方法，還包括提供適用于結(jié)構(gòu)子集的光鄰近校正，其特征在于，光鄰近校正移動(dòng)至少一個(gè)第一小段，同時(shí)保持著第三區(qū)域的邊界。
21.如權(quán)利要求20所述方法，還包括根據(jù)在光鄰近校正之后所形成的變化了的第二區(qū)域來(lái)確定第三區(qū)域的變化邊界。
22.如權(quán)利要求21所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括減小變化的第二區(qū)域的尺寸以及隨后再放大減小了尺寸的第二區(qū)域。
23.如權(quán)利要求22所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括將變化的第二區(qū)域的尺寸減小預(yù)定邊寬度的N倍，以及再將減小了尺寸的第二區(qū)域放大預(yù)定邊寬度的M倍，其中N＞M。
24.如權(quán)利要求21所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括將變化的第二區(qū)域的尺寸減小預(yù)定邊寬度，以及隨后消除在所減小尺寸的第二區(qū)域中的任何最終的造成的鼠牙狀凸起。25.如權(quán)利要求22所述方法，其特征在于，減小尺寸和放大尺寸是光鄰近校正的函數(shù)。
26.如權(quán)利要求21所述方法，其特征在于，確定第三區(qū)域的變化邊界包括調(diào)整變化的邊界，以最小化任何內(nèi)部邊緣的臺(tái)階印刷。
27.制成三色調(diào)衰減相移掩模的方法，該方法包括形成透明層；形成衰減層，其特征在于，衰減層相對(duì)于透明層的相移大約為180度；圖形化衰減層，其特征在于，從透明層的透明部分到衰減層的衰減部分的過(guò)渡定義了在掩模上的結(jié)構(gòu)邊緣；形成不透明層；圖形化不透明層，其特征在于，各類(lèi)結(jié)構(gòu)都包括不透明部分，該不透明部分的位置離結(jié)構(gòu)邊緣具有預(yù)定的距離。
28.如權(quán)利要求27所述方法，其特征在于，衰減層的圖形化和不透明層的圖形化都是通過(guò)仿真對(duì)結(jié)構(gòu)的光鄰近校正來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
29.如權(quán)利要求28所述方法，其特征在于，從不透明部分到衰減部分的過(guò)渡定義了邊的邊緣，其特征在于，仿真光鄰近校正包括如果結(jié)構(gòu)邊緣所對(duì)應(yīng)的小段移動(dòng)，則移動(dòng)邊的邊緣的小段。
30.如權(quán)利要求29所述方法，還包括減小衰減部分的尺寸以及隨后再放大衰減部分的尺寸，該減小尺寸和放大尺寸在仿真之后進(jìn)行。
31.如權(quán)利要求29所述方法，還包括將衰減部分的尺寸減小預(yù)定距離的N倍，以及隨后再將衰減部分的尺寸放大預(yù)定距離的M倍，該減小尺寸和放大尺寸在仿真之后進(jìn)行，其中，N＞M。
32.如權(quán)利要求29所述方法，還包括在仿真之后將衰減部分的尺寸減小預(yù)定距離。
33.如權(quán)利要求32所述方法，還包括在減小尺寸之后從衰減部分消除任何鼠牙狀凸起。
34.如權(quán)利要求30所述方法，其特征在于，減小尺寸和放大尺寸是光鄰近校正的函數(shù)。
35.如權(quán)利要求30所述方法，其特征在于，減小尺寸和放大尺寸包括最小化衰減部分的任何內(nèi)部邊緣臺(tái)階印刷。
36.如權(quán)利要求28所述方法，其特征在于，從不透明部分到衰減部分的過(guò)渡定義了邊的邊緣，其特征在于，仿真光鄰近校正包括移動(dòng)結(jié)構(gòu)邊緣的小段而固定邊的邊緣。
37.如權(quán)利要求36所述方法，還包括減小衰減部分的尺寸以及隨后再放大衰減部分的尺寸，該減小尺寸和放大尺寸在仿真之后進(jìn)行。
38.如權(quán)利要求36所述方法，還包括將衰減部分的尺寸減小預(yù)定距離的N倍，以及隨后再將衰減部分的尺寸放大預(yù)定距離的M倍，該減小尺寸和放大尺寸在仿真之后進(jìn)行，其中，N＞M。
39.如權(quán)利要求36所述方法，還包括在仿真之后將衰減部分的尺寸減小預(yù)定距離。
40.如權(quán)利要求39所述方法，還包括在減小尺寸之后從衰減部分消除任何鼠牙狀凸起。
41.如權(quán)利要求28所述方法，其特征在于，仿真光鄰近校正包括向結(jié)構(gòu)增加光鄰近校正特性。
42.如權(quán)利要求37所述方法，其特征在于，減小尺寸和放大尺寸是光鄰近校正的函數(shù)。
43.如權(quán)利要求37所述方法，其特征在于，減小尺寸和放大尺寸包括減少衰減部分的任何內(nèi)部邊緣臺(tái)階印刷。
44.一種半導(dǎo)體掩模包括多個(gè)結(jié)構(gòu)；其特征在于，結(jié)構(gòu)的子集包括具有光密度傳輸系數(shù)大于0.9的第一區(qū)域，具有光密度傳輸系數(shù)小于約0.01的第二區(qū)域，以及具有光密度傳輸系數(shù)在約0.3和約1.0之間的第三區(qū)域；其特征在于，第二區(qū)域和第三區(qū)域形成了具有預(yù)定寬度的邊；以及，其特征在于，該寬度在結(jié)構(gòu)子集中是基本相同的。
45.如權(quán)利要求44所述半導(dǎo)體掩模，其特征在于，第一區(qū)域具有約為0度的相移。
46.如權(quán)利要求44所述半導(dǎo)體掩模，其特征在于，第三區(qū)域具有約為180度的相移。
47.如權(quán)利要求44所述半導(dǎo)體掩模，其特征在于，第三區(qū)域相對(duì)于第一區(qū)域具有約180度的相移。
48.適用于模擬三色調(diào)衰減相移掩模的計(jì)算機(jī)軟件，該掩模包括多個(gè)結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的子集包括透明區(qū)域、不透明區(qū)域和衰減區(qū)域，其特征在于，不透明區(qū)域和衰減區(qū)域形成邊，該軟件包括用于為結(jié)構(gòu)子集分析光鄰近校正的裝置；用于在結(jié)構(gòu)子集中提供基本相似的邊寬度的裝置。
49.如權(quán)利要求48所述計(jì)算機(jī)軟件，其特征在于，所提供的裝置包括適用于將衰減區(qū)域的第一邊緣分成多個(gè)第一小段的裝置；適用于將不透明區(qū)域的第二邊緣分成多個(gè)第二小段的裝置，其特征在于，各個(gè)第二小段對(duì)應(yīng)于某個(gè)第一小段；以及，適用于在光鄰近校正過(guò)程中確定第二小段是否與所對(duì)應(yīng)的第一小段一起移動(dòng)的裝置。
50.如權(quán)利要求48所述計(jì)算機(jī)軟件，其特征在于，所提供的裝置包括適用于減小衰減區(qū)域的尺寸以及再放大衰減區(qū)域尺寸以產(chǎn)生基本相似邊寬度的裝置。
51.如權(quán)利要求48所述計(jì)算機(jī)軟件，其特征在于，所提供的裝置包括適用于減小衰減區(qū)域的尺寸以產(chǎn)生基本相似邊寬度的裝置。
52.將集成電路布局轉(zhuǎn)換成衰減相移掩模布局用于制成集成電路的計(jì)算機(jī)軟件，該軟件包括適用于識(shí)別集成電路布局中結(jié)構(gòu)子集的裝置；適用于將結(jié)構(gòu)子集轉(zhuǎn)換成掩模布局的裝置，其特征在于，各個(gè)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括透明區(qū)域、不透明區(qū)域和衰減區(qū)域，其特征在于，不透明區(qū)域和衰減區(qū)域形成邊；適用于分析多個(gè)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)的光鄰近校正的裝置，以及，適用于向多個(gè)轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)提供基本相似的邊寬度的裝置。
53.如權(quán)利要求52所述計(jì)算機(jī)軟件，其特征在于，所提供的裝置包括適用于將衰減區(qū)域的第一邊緣分成多個(gè)第一小段的裝置；適用于將不透明區(qū)域的第二邊緣分成多個(gè)第二小段的裝置，其特征在于，各個(gè)第二小段對(duì)應(yīng)于某個(gè)第一小段；以及，適用于在光鄰近校正過(guò)程中確定第二小段是否與所對(duì)應(yīng)的第一小段一起移動(dòng)的裝置。
54.如權(quán)利要求52所述計(jì)算機(jī)軟件，其特征在于，所提供的裝置包括適用于減小衰減區(qū)域的尺寸以及再放大衰減區(qū)域尺寸以產(chǎn)生基本相似邊寬度的裝置。
55.如權(quán)利要求52所述計(jì)算機(jī)軟件，其特征在于，所提供的裝置包括適用于減小衰減區(qū)域的尺寸以產(chǎn)生基本相似邊寬度的裝置。
56.一種制成集成電路的方法，該方法包括照明多個(gè)照相制版的掩模，至少一個(gè)掩模包括多個(gè)結(jié)構(gòu)；其特征在于，結(jié)構(gòu)的子集包括透明區(qū)域、不透明區(qū)域和衰減區(qū)域；其特征在于，不透明區(qū)域和衰減區(qū)域形成具有預(yù)定寬度的衰減邊，以及，其特征在于，該寬度在結(jié)構(gòu)子集中是基本相同的；將來(lái)自至少一個(gè)掩模的入射光聚焦在晶片所提供的光刻層上；以及，顯影光刻層，以形成集成電路。
57.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，透明區(qū)域具有約為0度的相移。
58.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，衰減區(qū)域具有約為180度的相移。
59.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，透明區(qū)域具有大于0.9的光密度傳輸系數(shù)。
60.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，衰減區(qū)域具有大在約為0.3和約為1.0之間的光密度傳輸系數(shù)。
61.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，不透明區(qū)域具有小于約0.01的光密度傳輸系數(shù)。
62.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，照明包括發(fā)射硬X射線。
63.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，照明包括發(fā)射軟X射線。
64.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，照明包括發(fā)射下列波長(zhǎng)中的一種436納米，365納米，248納米，193納米，157納米，和126納米。
65.如權(quán)利要求56所述方法，其特征在于，照明包括使用適用于孤立結(jié)構(gòu)的同軸照明和適用于密集圖形化結(jié)構(gòu)的非同軸照明。
全文摘要
提供了適用于校正三色調(diào)衰減相移掩模中的光鄰近效應(yīng)的結(jié)構(gòu)和方法。衰減邊由不透明區(qū)域和衰減相移區(qū)域形成，它可以在整個(gè)掩模中和對(duì)某些類(lèi)型的結(jié)構(gòu)保持著預(yù)定的寬度。典型的是，衰減邊盡可能大地制成，以最大化衰減相移區(qū)域的效果，同時(shí)也能在顯影沖洗過(guò)程中避免更大部分衰減相移區(qū)域的印刷。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1633626SQ01820942
公開(kāi)日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2001年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月20日
發(fā)明者C·皮埃拉特, Y·張 申請(qǐng)人:數(shù)字技術(shù)股份有限公司