專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于依次迭層復(fù)數(shù)片搭載IC、電容器、電阻、線圈等的芯片零件等的電子零件的絕緣基板所成的半導(dǎo)體裝置。
而且，比這種BGA更小型化的半導(dǎo)體裝置，例如在作為由陶瓷所構(gòu)成的絕緣基板的剛性(Rigid)基板等，利用覆晶(Flip chip)封裝法等的手法封裝電子零件之半導(dǎo)體芯片(Chip)而成的CSP(芯片尺寸封裝，Chip Size Package)等受到注目。
但是，如果依照如上述的習(xí)知半導(dǎo)體裝置，伴隨著藉由小型化封裝，對(duì)可縮小主基板上的這種半導(dǎo)體裝置一個(gè)部分的占有面積之近年來(lái)的電子機(jī)器的新功能追加，由于安裝于主基板上的半導(dǎo)體裝置的安裝數(shù)目持續(xù)增加，故有對(duì)應(yīng)于此主基板大型化的問(wèn)題。
而且，相關(guān)的半導(dǎo)體裝置不僅主基板變大，就連自主要的半導(dǎo)體裝置到其它的半導(dǎo)體裝置為止的導(dǎo)線端子的長(zhǎng)度也變的極長(zhǎng)，或者伴隨于此招致訊號(hào)的延遲、訊號(hào)的失真、消耗功率(Consumption power)的增大等，造成獲得預(yù)定的電性能產(chǎn)生困難的不妥當(dāng)之結(jié)果。特別是關(guān)于電路系統(tǒng)為高速化、大容量化的媒體(Media)機(jī)器，此導(dǎo)線端子長(zhǎng)度的縮短為重要的課題。
再者，即使使主基板小型化，因可在主基板上的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)部分的安裝區(qū)域安裝的半導(dǎo)體裝置的數(shù)目只有一個(gè)，故相反地有限定在此主基板上可安裝的半導(dǎo)體裝置的數(shù)目之虞。
解決相關(guān)問(wèn)題的一個(gè)方法習(xí)知例如如日本特開(kāi)平10-223683號(hào)公報(bào)、實(shí)開(kāi)昭63-61150號(hào)公報(bào)以及特開(kāi)平7-106509號(hào)公報(bào)等所揭示的，在搭載半導(dǎo)體芯片的絕緣薄膜(Film)或絕緣性薄片(Sheet)設(shè)置配線、錫球(Solderballs)、內(nèi)引腳(Inner lead)、介層孔(Via hole)以及貫通孔(Through hole)等，依次迭層此絕緣薄膜或絕緣性薄片，該絕緣薄膜或絕緣性薄片間中介配線、錫球、內(nèi)引腳、介層孔以及貫通孔等而導(dǎo)通連接的方法被提出。
可是，以此方法很難目視確認(rèn)絕緣薄膜或絕緣性薄片間的連接狀態(tài)，而且，因需要以樹(shù)脂密封迭層的絕緣薄膜或絕緣性薄片的一部分或全體，故即使一部分發(fā)生不良修理仍很困難，還有不充分的問(wèn)題。
而且，如專利第3033315號(hào)公報(bào)等所揭示者，在由聚醯亞胺(Polyimide)等所構(gòu)成的絕緣基板，迭層IC等的電子零件于內(nèi)引腳接合(Inner lead bonding)的裝置，如此藉由延伸于迭層的絕緣基板的周緣部之導(dǎo)電性配線的外引腳(Outer lead)，依次導(dǎo)通連接上層的外引腳與其下一層的外引腳而成的迭層多芯片(Multi-chip)半導(dǎo)體裝置被提出。
但是，這種情形為了絕緣基板的內(nèi)引腳與電子零件的電極中的接合部的強(qiáng)度確保，必須以預(yù)定的大小來(lái)確保絕緣基板，而且，當(dāng)進(jìn)行迭層時(shí)為了避免上層的電子零件與其下一層的內(nèi)引腳的接觸，必須在外引腳部分配設(shè)預(yù)定厚度的間隔物(Spacer)，在半導(dǎo)體裝置的小型化或薄壁化中仍有不充分的問(wèn)題。
而目，如日本特開(kāi)平7-14979號(hào)公報(bào)等所揭示者，將搭載半導(dǎo)體內(nèi)存(Memory)的無(wú)導(dǎo)線(Leadless)的芯片承載體(Chip carrier)，依次中介絕緣薄片迭層于封裝外殼(Case)中，令這些迭層的芯片承載體與形成于其側(cè)面的端面貫通孔電極與封裝外殼內(nèi)的訊號(hào)線接觸，而導(dǎo)通連接的裝置也被提出。
但是即使以此裝置，目視確認(rèn)迭層的芯片承載體間的連接狀態(tài)仍有困難，而且，為了連接各芯片承載體彼此，封裝外殼或其內(nèi)部的訊號(hào)線等變成特例需要的部分，零件數(shù)目增加構(gòu)成變的繁雜，仍有不充分的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的第二目的為在半導(dǎo)體裝置中，容易目視確認(rèn)檢查迭層的半導(dǎo)體裝置間的連接狀態(tài)，而且，藉由減少半導(dǎo)體裝置的零件數(shù)目使構(gòu)成簡(jiǎn)略化，以簡(jiǎn)便且確實(shí)地導(dǎo)通連接迭層的絕緣基板間。
第三目的為當(dāng)連接導(dǎo)電性配線的一端部與電子零件的電極時(shí)，防止其導(dǎo)電性配線彎曲。
第四目的為穩(wěn)定迭層搭載電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板。
第五目的為防止這些迭層的絕緣基板在導(dǎo)通連接前崩潰于未然。
第六目的為防止復(fù)數(shù)條導(dǎo)電性配線散開(kāi)。
第七目的為當(dāng)?shù)鼘哟钶d電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板時(shí)，使這些絕緣基板的定位簡(jiǎn)便。
第八目的為可禁得起起因于導(dǎo)通連接時(shí)的熱所產(chǎn)生的內(nèi)部失真，各絕緣基板中的角部的導(dǎo)電性配線間所發(fā)生的應(yīng)力集中。
第九目的為不增加零件數(shù)目，形成定位用的定位標(biāo)記(Alignment mark)。
第十目的為簡(jiǎn)單地形成其定位用的定位標(biāo)記。
因此，第一發(fā)明是依次迭層搭載IC、電容器、電阻、線圈等的芯片零件等的電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板所成的半導(dǎo)體裝置，其特征為上述迭層的各絕緣基板之中，以最下層的基板為第一絕緣基板、以其它基板為第二絕緣基板時(shí)，配設(shè)第二導(dǎo)電性配線俾自其第二絕緣基板的周緣突出，令該第二導(dǎo)電性配線朝各該第二絕緣基板的他面?zhèn)葟澢?，以?dǎo)通連接該彎曲的第二導(dǎo)電性配線與比該第二絕緣基板還下一層的絕緣基板上的導(dǎo)電性配線。
據(jù)此，藉由在絕緣基板的周緣部連接各絕緣基板的導(dǎo)電性配線，可自外部目視確認(rèn)半導(dǎo)體裝置的連接位置，可使連接位置的檢查極為容易，如此，可簡(jiǎn)便且確實(shí)地進(jìn)行絕緣基板間的導(dǎo)通連接。再者，因在迭層的絕緣基板側(cè)面進(jìn)行連接，故即使萬(wàn)一在迭層的絕緣基板的一部分發(fā)生不良，也能容易實(shí)施修理(Repair)。而且，因連接用的導(dǎo)電性配線突出于絕緣基板的側(cè)面而形成，故可使用焊錫浸漬、焊錫回焊(Reflow)等的簡(jiǎn)便工程，總括地連接，如此，可實(shí)現(xiàn)低成本的模塊(Module)。
第二以及第三發(fā)明為依次迭層搭載IC、電容器、電阻、線圈等的芯片零件等的電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板所成的半導(dǎo)體裝置，其特征包含第二導(dǎo)電性配線，上述迭層的各絕緣基板之中，以最下層或最上層的基板為第一絕緣基板、以其它基板為第二絕緣基板時(shí)，自其第二絕緣基板的周緣突出，分別彎曲形成預(yù)定形狀；以及第一導(dǎo)電性配線，自該第一絕緣基板的周緣突出，延伸到最上層或最下層的絕緣基板而形成，其中導(dǎo)通連接其第一導(dǎo)電性配線到該第二導(dǎo)電性配線而成。
據(jù)此，藉由在絕緣基板的周緣連接各絕緣基板間的導(dǎo)電性配線，可自外部目視確認(rèn)連接位置，可使連接位置的檢查極為容易，并且，可確實(shí)地進(jìn)行絕緣基板間的導(dǎo)通連接。而且，藉由透過(guò)自最下層或最上層的絕緣基板的周緣突出延伸的導(dǎo)電性配線，在這些迭層的絕緣基板的周緣連接各絕緣基板間的導(dǎo)電性配線，可不追加新的連接用零件來(lái)連接，可自外部目視確認(rèn)半導(dǎo)體裝置的連接位置，可使連接位置的檢查極為容易，如此，可簡(jiǎn)便且確實(shí)地進(jìn)行絕緣基板間的導(dǎo)通連接。再者，因在迭層的絕緣基板側(cè)面進(jìn)行連接，即使萬(wàn)一在迭層的絕緣基板的一部分發(fā)生不良，也能容易實(shí)施修理。而且，因連接用的導(dǎo)電性配線突出于絕緣基板的側(cè)面而形成，故可使用焊錫浸漬、焊錫回焊等的簡(jiǎn)便工程，總括且確實(shí)地實(shí)現(xiàn)連接，如此，可實(shí)現(xiàn)低成本的模塊。
在如上述第一至第三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，分別將電子零件覆晶安裝于各上述絕緣基板的一面上較佳。據(jù)此，加入上述第一至第三各發(fā)明的功效，連接導(dǎo)電性配線的一端部與電子零件的電極時(shí)，可防止由于絕緣基板使其導(dǎo)電性配線彎曲變形。
而且，在如上述第一至第三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，將迭層的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板載置于搭載于依次相鄰的下層絕緣基板的電子零件上也可以。據(jù)此，加入上述第一至第三各發(fā)明的功效，可提高迭層復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板時(shí)的穩(wěn)定感。而且，此時(shí)在絕緣基板與電子零件之間中介黏著劑也可以。據(jù)此，可防止迭層的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板在導(dǎo)通連接前崩潰于未然。
再者，在如上述第一至第三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，將上述第一以及第二導(dǎo)電性配線復(fù)數(shù)并排排列于各個(gè)上述絕緣基板上，并且用以在其第二導(dǎo)電性配線的前端部，配沒(méi)捆扎其第二導(dǎo)電性配線的散開(kāi)防止構(gòu)件也可以。據(jù)此，同樣地加入上述第一至第三各發(fā)明的功效，導(dǎo)電性配線可防止散開(kāi)，并且各導(dǎo)電性配線可固定以分別保持一定的間距(Pitch)精度。
而且，更在如上述第一至第三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，于各上述絕緣基板的角部，配設(shè)迭層這些絕緣基板時(shí)的定位用突起也可以。據(jù)此，同樣地加入上述第一至第三各發(fā)明的功效，使用突起可使上下絕緣基板的迭層時(shí)的對(duì)位更容易，可獲得高對(duì)位精度。而且，成為封裝體的樹(shù)脂成形時(shí)的外形基準(zhǔn)，也能進(jìn)行正確的樹(shù)脂成形。再者，因比迭層的絕緣基板間的導(dǎo)電性配線還突出來(lái)配設(shè)突起，故可防止當(dāng)該導(dǎo)電性配線被施加外力，這些導(dǎo)電性配線變形或破損于未然。
再者，在如上述第一至第三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，令端部的導(dǎo)電性配線比端部以外的導(dǎo)電性配線還寬幅也可以。據(jù)此，同樣地加入上述第一至第三各發(fā)明的功效，藉由電子零件與絕緣基板的膨脹差，可防止當(dāng)應(yīng)力施加于導(dǎo)電性配線時(shí)的破斷，在連接上可提高可靠度。
在寬幅的導(dǎo)電性配線形成定位用的定位標(biāo)記也可以。據(jù)此，同樣地加入上述第一至第三各發(fā)明的功效，當(dāng)?shù)鼘訌?fù)數(shù)個(gè)絕緣基板時(shí)，使用定位標(biāo)記藉由光學(xué)的手段來(lái)定位，可更簡(jiǎn)單地進(jìn)行上下絕緣基板間的對(duì)位。而且，此時(shí)若上述定位標(biāo)記為圓孔的話，可以其它工程總括簡(jiǎn)單地形成定位標(biāo)記。
圖2是該半導(dǎo)體裝置的縱剖面圖。
圖3是顯示自絕緣基板突出的導(dǎo)電性配線被治具折曲的順序之略剖面圖，(a)為折曲前、(b)為折曲后。
圖4是顯示在絕緣基板的四角形成突起，并且導(dǎo)電性配線之中的角部以寬幅形成的絕緣基板之俯視圖。
圖5是依照本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的他例的略斜視圖。
圖6是該半導(dǎo)體裝置的縱剖面圖。
圖7是顯示其最下層的模塊之略斜視圖。
圖8是顯示他例所使用的最上層的模塊之略斜視圖。


圖1是顯示依照本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的外觀。圖2是顯示其縱剖面。
圖標(biāo)的半導(dǎo)體裝置依次迭層四個(gè)模塊MO1～MO4。在各模塊MO1～MO4配設(shè)復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板101～104、導(dǎo)電性配線111～114、半導(dǎo)體芯片(電子零件)12、密封樹(shù)脂F(xiàn)J。
在最下層的模塊MO1，于由玻璃環(huán)氧/聚醯亞胺等所構(gòu)成的第一絕緣基板101的一面上，復(fù)數(shù)并排排列第一導(dǎo)電性配線111。
在其它模塊MO2～MO4，于同樣由玻璃環(huán)氧/聚醯亞胺等所構(gòu)成的第二絕緣基板102～104，分別復(fù)數(shù)并排排列第二導(dǎo)電性配線112～114。第二導(dǎo)電性配線112～114其一端部11a是形成于第二絕緣基板102～104的一面上，他端部11b是自其第二絕緣基板102～104的周緣突出而形成。
用以突出而形成的他端部11b例如如圖3(a)所示，藉由令治具20在箭頭方向移動(dòng)，如同圖(b)所示，被彎曲于第二絕緣基板102～104的他面?zhèn)取?br> 此例他端部11b大致被折曲成直角，惟例如藉由折曲而彎曲，可防止起因于折曲他端部11b時(shí)的應(yīng)力所發(fā)生的破裂(Crack)等的導(dǎo)電性配線112～114的損傷、斷線。
圖標(biāo)的例子如圖1以及圖2所示，在各第二導(dǎo)電性配線112～114的他端部11b的前端部，安裝例如由與絕緣基板同一材料所構(gòu)成，捆扎這些第二導(dǎo)電性配線112～114的散開(kāi)防止構(gòu)件13，各第二導(dǎo)電性配線112～114分別被保持成一定的間距。
在各絕緣基板101～104上，于導(dǎo)電性配線111～114的一端部11a連接半導(dǎo)體芯片12的電極12A，利用覆晶封裝法或TAB方式搭載IC、LSI等的半導(dǎo)體芯片12。
此處，令絕緣基板10以及半導(dǎo)體芯片12的厚度為數(shù)10μm～數(shù)100μm的厚度。半導(dǎo)體芯片12是在晶圓(Wafer)狀態(tài)或芯片(Chip)狀態(tài)下，藉由研磨(Grinding)或拋光(Polishing)等的機(jī)械的研磨法、以HF液為主體的蝕刻液來(lái)溶解的方法等的化學(xué)的研磨法、或者并用這些手法的CMP(化學(xué)機(jī)械研磨，Chemical Mechanical Polish)方法等，將未形成組件的背面研磨成所希望的厚度。
此外，各絕緣基板101～104上的導(dǎo)電性配線111～114未必需要為同一配線圖案，例如當(dāng)搭載的半導(dǎo)體芯片12不同時(shí)，為了處理非共通的半導(dǎo)體芯片12的電極12A，當(dāng)然要成為不同的配線構(gòu)成。
但是，如上述由絕緣材料所構(gòu)成的密封樹(shù)脂F(xiàn)J流入搭載半導(dǎo)體芯片12的各絕緣基板101～104上。據(jù)此，各導(dǎo)電性配線111～114的一端部11a與各半導(dǎo)體芯片12的電極12A之接合部被密封。
而且，在各模塊MO1～MO3的半導(dǎo)體芯片12上，中介黏著劑14以重迭上層的模塊MO2～MO4的絕緣基板102～104。然后，被折曲的上層導(dǎo)電性配線112～114的他端部11b前端，依次藉由焊錫、導(dǎo)電性漿糊(Paste)的附著、焊接等連接于下層導(dǎo)電性配線111～113的一端部11a。
例如在其導(dǎo)電性配線112～114的前端安裝焊錫材料，藉由使此焊錫材料回焊，使折曲的導(dǎo)電性配線112～114與位于其下層的絕緣基板101～103上的導(dǎo)電性配線111～113接觸。如圖2所示，藉由使焊錫16熔融可容易地連接。
而且，在例如具備加熱器(Heater)的焊錫槽內(nèi)熔融焊錫，也能在此熔融的焊錫中浸漬迭層的模塊MO1～MO4而連接。
如此，浸漬于在焊錫槽內(nèi)熔融的焊錫中的工程，當(dāng)自熔融的焊錫提起半導(dǎo)體裝置時(shí)，若令六方體的半導(dǎo)體裝置之至少一個(gè)角(Corner)與熔融的焊錫面之夾角θ為30°～60°的話，可防止連接絕緣基板10間的導(dǎo)電性配線112～114的相鄰間的短路。
關(guān)于此半導(dǎo)體裝置，在最下層的模塊MO1中的第一絕緣基板101的另一面，以預(yù)定圖案形成用以導(dǎo)通連接于主基板等的外部連接用電極10A。此電極10A，圖1以及圖2所示的例子是顯示形成錫球，所謂CSP(芯片尺寸封裝，Chip Size Package)、BGA(球柵數(shù)組封裝，Ball Grid Array)的構(gòu)造。
而且，此圖標(biāo)例的半導(dǎo)體裝置如圖4所示，在各絕緣基板101～104的四個(gè)角部，迭層這些絕緣基板101～104時(shí)的定位用突起15是超出絕緣基板101～104的外形尺寸而配設(shè)。
據(jù)此，定位用突起15可在迭層絕緣基板101～104時(shí)使用于這些基板的定位，可使迭層的絕緣基板101～104的對(duì)位容易。
而且不僅是定位，藉由配設(shè)定位用突起15因這些突起15成為配設(shè)于導(dǎo)電性配線111～114的外側(cè)，故自絕緣基板102～104的周緣折曲的導(dǎo)電性配線112～114可防止與外部零件接觸或操作中使導(dǎo)電性配線112～114損傷于未然。
而且如圖4所示，圖標(biāo)的半導(dǎo)體裝置位于絕緣基板101～104上的復(fù)數(shù)并排排列的導(dǎo)電性配線111～114中的至少端部(最接近角部的位置)之導(dǎo)電性配線111～114，是比位于其內(nèi)側(cè)的其它導(dǎo)電性配線111～114還寬幅來(lái)形成。
據(jù)此，起因于半導(dǎo)體芯片12與絕緣基板101～104之間的膨脹差，在導(dǎo)電性配線111～114發(fā)生應(yīng)力集中時(shí)，可防止導(dǎo)電性配線111～114破段、可獲得高可靠度。此外，端部的導(dǎo)電性配線111～114之寬度因絕緣基板101～104的尺寸或環(huán)境條件而不同，惟最好比內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電性配線111～114的寬度還大1.2倍以上。
如圖4所示，圖標(biāo)例的半導(dǎo)體裝置在寬幅的導(dǎo)電性配線111～114開(kāi)圓孔，形成定位用的定位標(biāo)記11C。若形成這種定位用的定位標(biāo)記11C的話，當(dāng)?shù)鼘訌?fù)數(shù)個(gè)絕緣基板101～104時(shí)，使用該定位標(biāo)記11C藉由光學(xué)的手段來(lái)定位，可更簡(jiǎn)單地進(jìn)行上下絕緣基板101～104間的對(duì)位。而且，若此定位標(biāo)記11C為圓孔的話，可在其它制作工程時(shí)一起開(kāi)孔簡(jiǎn)單地形成。
可是，上述的例子各絕緣基板102～104的第二導(dǎo)電性配線112～114是分別導(dǎo)通連接于下一層的模塊MO1～MO3中的絕緣基板101～103的導(dǎo)電性配線111～113。但是，也能制作成圖5以及圖6所示的構(gòu)成。
這些圖5以及圖6所示的半導(dǎo)體裝置是同樣地依次迭層于復(fù)數(shù)個(gè)模塊MO1～MO4，在各模塊MO1～MO4配設(shè)復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板101～104、導(dǎo)電性配線111～114、半導(dǎo)體芯片(電子零件)12、密封樹(shù)脂F(xiàn)J。
在最下層的模塊MO1也如圖7所示，在第一絕緣基板101復(fù)數(shù)并排排列第一導(dǎo)電性配線111。第一導(dǎo)電性配線111其一端部11a是形成于第一絕緣基板101的一面上，他端部11b是自其第一絕緣基板101的周緣突出，朝上折曲延伸于最上層的絕緣基板104而形成。
其它的模塊MO2～MO4于第二絕緣基板102～104分別復(fù)數(shù)并排排列第二導(dǎo)電性配線112～114。第二導(dǎo)電性配線112～114其一端部11a是形成于第二絕緣基板102～104的一面上，他端部11b是自其第二絕緣基板102～104的周緣突出，分別被彎曲成預(yù)定形狀，例如沿著第二絕緣基板102～104的端面而形成。
并且朝上折曲的第一導(dǎo)電性配線111的他端部11b依次導(dǎo)通連接于第二導(dǎo)電性配線112～114的各他端部11b。
此外，此圖標(biāo)的例子在第一導(dǎo)電性配線111的他端部11b的前端部，安裝例如由與絕緣基板同一材料所構(gòu)成，捆扎這些第一導(dǎo)電性配線111的散開(kāi)防止構(gòu)件13，各第一導(dǎo)電性配線111分別被保持成一定的間距。
此圖5以及圖6所示的半導(dǎo)體裝置，是以迭層的各絕緣基板101～104之中最下層的基板為第一絕緣基板101、以其它基板為第二絕緣基板102～104，排列于第一絕緣基板101的第一導(dǎo)電性配線111的他端部11b自第一絕緣基板101的周緣突出，朝上折曲延伸于最上層的絕緣基板104而形成，俾依次導(dǎo)通連接于第二導(dǎo)電性配線112～114的各他端部11b來(lái)形成。
但是，以迭層的各絕緣基板101～104之中最上層的基板為第一絕緣基板104、以其它基板為第二絕緣基板101～103，如圖8所示，排列于第一絕緣基板104的第一導(dǎo)電性配線114的他端部11b自第一絕緣基板104的周緣突出，朝下折曲延伸于最下層的絕緣基板101而形成，俾依次導(dǎo)通連接于第二導(dǎo)電性配線111～113的各他端部11b來(lái)形成也可以。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性本發(fā)明是搭載IC、電容器、電阻、線圈等的芯片零件等的電子零件于絕緣基板以形成模塊，依次迭層這種模塊而構(gòu)成，連接于主基板等而設(shè)置的半導(dǎo)體裝置可安裝于電子機(jī)器來(lái)利用。
符號(hào)說(shuō)明MO1～MO4模塊FJ密封樹(shù)脂10、101～104絕緣基板10A外部連接用電極111～114導(dǎo)電性配線11a一端部11b他端部11C定位標(biāo)記12半導(dǎo)體芯片(電子零件)12A電極13散開(kāi)防止構(gòu)件14黏著劑15定位用突起16焊錫20治具
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，系依次迭層搭載電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板所成，其中該迭層的各絕緣基板之中，以最下層的基板為第一絕緣基板、以其它基板為第二絕緣基板時(shí)，配設(shè)第二導(dǎo)電性配線俾自其第二絕緣基板的周緣突出，令該第二導(dǎo)電性配線朝各該第二絕緣基板的他面?zhèn)葟澢?，以?dǎo)通連接該彎曲的第二導(dǎo)電性配線與比該第二絕緣基板還下一層的絕緣基板上的導(dǎo)電性配線。
2.一種半導(dǎo)體裝置，系依次迭層搭載電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板所成，其中該迭層的各絕緣基板之中，以最下層的基板為第一絕緣基板、以其它基板為第二絕緣基板時(shí)，具備第二導(dǎo)電性配線，自其第二絕緣基板的周緣突出，分別彎曲成預(yù)定形狀而形成；以及第一導(dǎo)電性配線，自該第一絕緣基板的周緣突出，延伸到最上層的絕緣基板而形成，其中導(dǎo)通連接其第一導(dǎo)電性配線到該第二導(dǎo)電性配線而成。
3.一種半導(dǎo)體裝置，系依次迭層搭載電子零件的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板所成，其中該迭層的各絕緣基板之中，以最下層或最上層的基板為第一絕緣基板、以其它基板為第二絕緣基板時(shí)，具備第二導(dǎo)電性配線，自其第二絕緣基板的周緣突出，分別彎曲成預(yù)定形狀而形成；以及第一導(dǎo)電性配線，自該第一絕緣基板的周緣突出，延伸到最下層的絕緣基板而形成，其中導(dǎo)通連接其第一導(dǎo)電性配線到該第二導(dǎo)電性配線而成。
4.如權(quán)利要求第1項(xiàng)、第2項(xiàng)或第3項(xiàng)中任一項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中分別將該電子零件覆晶安裝于各該絕緣基板的一面上。
5.如權(quán)利要求第1項(xiàng)、第2項(xiàng)或第3項(xiàng)中任一項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中將該迭層的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板載置于搭載于依次相鄰的下層絕緣基板的電子零件上。
6.如權(quán)利要求第5項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中在該相鄰的絕緣基板與電子零件之間中介黏著劑。
7.如權(quán)利要求第1項(xiàng)、第2項(xiàng)或第3項(xiàng)中任一項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中將該第一以及第二導(dǎo)電性配線復(fù)數(shù)并排排列于各個(gè)該絕緣基板上，并且用以在其第二導(dǎo)電性配線的前端部，配設(shè)捆扎其第二導(dǎo)電性配線的散開(kāi)防止構(gòu)件。
8.如權(quán)利要求第1項(xiàng)、第2項(xiàng)或第3項(xiàng)中任一項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中于各該絕緣基板的角部，配設(shè)迭層這些絕緣基板時(shí)的定位用突起。
9.如權(quán)利要求第1項(xiàng)、第2項(xiàng)或第3項(xiàng)中任一項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中令復(fù)數(shù)并排排列的該第一以及第二導(dǎo)電性配線之中的端部的導(dǎo)電性配線比端部以外的導(dǎo)電性配線還寬幅。
10.如權(quán)利要求第9項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中在該寬幅的導(dǎo)電性配線形成定位用的定位標(biāo)記。
11.如權(quán)利要求第10項(xiàng)所述之半導(dǎo)體裝置，其中該定位標(biāo)記為圓孔。
全文摘要
在依次迭層搭載半導(dǎo)體芯片(電子零件)12的復(fù)數(shù)個(gè)絕緣基板10
文檔編號(hào)H01L21/56GK1443370SQ01813021
公開(kāi)日2003年9月17日 申請(qǐng)日期2001年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月19日
發(fā)明者畑田賢造, 佐藤浩三 申請(qǐng)人:新藤電子工業(yè)株式會(huì)社