專利名稱：半導體器件的制備方法
背景技術：
1、發(fā)明領域本發(fā)明涉及半導體器件的制備方法。更具體地，本發(fā)明涉及半導體器件的制備方法，該方法包括在包括在半導體元件表面形成作為有機保護膜的有機聚合物樹脂圖案和通過氧等離子處理來清洗圖案開放部分的導電層的方法中，將氧等離子處理的溫度調節(jié)到100℃或更高，從而通過降低有機保護層的模量和提高有機保護層與密封樹脂間的粘結性以避免形成裂紋。
2、相關技術描述迄今為止，作為半導體元件的表面保護膜和中間層絕緣膜，已使用了具有優(yōu)異耐熱性、導電性和機械性能的聚酰亞胺樹脂。然而，由于半導體元件的高度集成和更大的尺寸，封裝變得更薄和更小，且表面安裝通過焊料回流進行，因此要求這些膜在耐熱循環(huán)和耐熱沖擊上有顯著改善。因此，需要表現出更優(yōu)異性能的樹脂。
另一方面，給聚酰亞胺樹脂本身提供光敏性的技術也引人注意。例如，嘗試使用了包含通式[1]表示的結構單元的負性光敏樹脂 以及包含聚苯并噁唑前體和帶有醌二疊氮基的化合物的正性光敏樹脂(日本專利申請公開平1(1989)-46862)。
當有機聚合物樹脂用于半導體器件時，通常將有機聚合物樹脂層布置在半導體器件的最外層，對布置的該層進行形成圖案和固化處理，以形成機械穩(wěn)定和熱穩(wěn)定的有機保護膜，通過蝕刻除去在開放部分覆蓋著一層導電層的無機保護膜，如氧化硅膜和氮化硅膜，使導電層(焊接區(qū))暴露，通過氧等離子處理來清洗暴露的導電層。然而，在上述處理中，由于來自外部的灰塵(浮塵)污染了有機保護膜或半導體元件表面上的階梯拐角部分，因而在氧等離子處理過程中頻繁發(fā)生有機保護膜上出現裂紋的不希望現象。
半導體器件通常用作封裝件。從半導體器件可靠性觀點看，要求半導體表現出與密封樹脂間優(yōu)異的粘結性。
發(fā)明概述本發(fā)明的目的是提供半導體器件的制備方法，其中當以布置在半導體元件上的有機樹脂圖案作為有機保護膜，且通過氧等離子處理來清洗開放部分的導電層時，能抑制有機保護膜上形成裂紋，并提高有機保護膜與密封樹脂間的粘結性。
作為本發(fā)明人為達到上述目的所進行的深入研究的結果，發(fā)現當在100℃或更高的溫度下進行氧等離子處理時，由于能降低有機保護膜的模量并提高保護膜與密封樹脂間的粘結性，因而抑制了裂紋的形成。本發(fā)明基于這種認識完成。
本發(fā)明提供了(1)半導體器件的制備方法，該方法包括在半導體元件表面形成有機聚合物樹脂層，對形成的樹脂層進行形成圖案和固化處理，用形成了圖案并已固化了的樹脂層作為掩模對半導體元件進行蝕刻，從而使導電層在開放部分暴露，在100℃或更高的溫度下用氧等離子體處理該元件，并清洗開放部分的導電層；(2)(1)中描述的方法，其中半導體元件的氧等離子處理在150～250℃溫度范圍內進行；(3)(1)和(2)中任一項描述的方法，其中有機聚合物樹脂層是包含光敏樹脂組合物的層，所述光敏樹脂組合物含有至少一種選自聚酰亞胺前體樹脂和聚苯并噁唑前體樹脂的樹脂；(4)(3)中描述的方法，其中光敏樹脂是含有聚苯并噁唑前體樹脂的正性光敏樹脂；和(5)(4)中描述的方法，其中光敏樹脂是含有聚苯并噁唑前體樹脂和帶有醌二疊氮基的化合物的正性光敏樹脂。
附圖簡述

圖1(a)、圖1(b)、圖1(c)和圖1(d)是本發(fā)明半導體器件制備方法的實施方案的過程示意圖。
在圖1(a)、圖1(b)、圖1(c)和圖1(d)中，數字具有以下意義1半導體元件2導電層3無機保護膜4有機聚合物樹脂層4′固化了的有機聚合物樹脂圖案5開放部分優(yōu)選實施方案的描述在本發(fā)明方法中，用于在半導體元件表面上形成有機聚合物樹脂層的樹脂組合物的實例包括借助酯鍵將光敏基團引入到普通聚酰亞胺前體(聚酰胺酸)樹脂中或無光敏性的聚酰胺酸中、或借助離子鍵將光敏基團引入到聚酰亞胺酸中所得到的負性光敏樹脂組合物；向聚苯并噁唑前體中加入帶有醌二疊氮基的化合物如醌二疊氮基磺酸的酯所得到的正性光敏樹脂組合物；和向帶有酚羥基的閉環(huán)型聚酰亞胺中加入帶有醌二疊氮基的化合物如醌二疊氮基磺酸的酯所得到的正性光敏樹脂組合物。
在這些樹脂組合物中，含有至少一種選自聚酰亞胺前體樹脂和聚苯并噁唑前體樹脂的前體樹脂的光敏樹脂組合物由于其固化后的應力較大因而是優(yōu)選的。更優(yōu)選的是正性光敏樹脂組合物。正性光敏樹脂組合物由于含有大量以醌二疊氮基作為光敏基的化合物，往往在固化后表現出較大的應力，因此對降低模量的作用就更大。
正性光敏樹脂組合物中，優(yōu)選的是含有聚苯并噁唑前體樹脂的樹脂組合物，更優(yōu)選的是含有聚苯并噁唑前體樹脂和帶有醌二疊氮基的化合物的樹脂組合物，因為它既顯示出與密封樹脂間具有優(yōu)異粘結性的效果，同時又顯示出上述模量降低的效果。由于固化消耗了聚苯并噁唑前體中的羥基，因而在耐濕處理后明顯表現出與密封樹脂間的粘結性提高。
以上所述的帶有醌二疊氮基的化合物的實例包括帶有一個或多個羥基或氨基的芳族化合物與帶有醌二疊氮基的有機磺酸的完全酯化、部分酯化或酰胺化的產物，如萘醌-1，2-二疊氮-5-磺酸、萘醌-1，2-二疊氮-4-磺酸、鄰苯醌二疊氮磺酸和鄰蒽醌二疊氮磺酸。
本發(fā)明半導體器件的制備方法將參照以下附圖進行闡述。
圖1(a)、圖1(b)、圖1(c)和圖1(d)是本發(fā)明半導體器件制備方法的實施方案的過程示意圖。在本發(fā)明方法中，如圖1(a)和圖1(b)所示，有機聚合物樹脂層4[圖1(b)]形成在布置了導電層2(如鋁導線)和無機保護膜3(如氮化硅膜和氧化硅膜)[圖1(a)]的半導體元件1的表面上形成有機聚合物樹脂層4的方法不具體限制。例如根據傳統(tǒng)方法如采用旋涂器的旋涂法、采用噴涂器的噴涂法、浸涂法、印刷法和輥涂法，用含有有機聚合物樹脂的溶液涂覆半導體元件。在60-130℃下使涂層干燥，形成了有機聚合物樹脂層。有機聚合物樹脂層厚度通常在5-20μm范圍內，優(yōu)選7-10μm范圍內選擇。
對以上形成的有機聚合物樹脂層4進行圖案形成處理，然后進行固化處理[圖1(c)]。
圖案形成方法不具體限制。例如在含有無光敏性聚酰亞胺前體樹脂的有機聚合物樹脂層上形成合適的光致抗蝕劑膜，用經過適當選擇的化學射線照射以進行成像曝光處理，并進行顯影處理。然后，除去光致抗蝕劑膜，形成了有機聚合物樹脂圖案。在另一個實例中，形成一層上述光敏樹脂組合物層作為有機聚合物樹脂層，用經過適當選擇的化學射線照射以進行成像曝光處理，并進行顯影處理，形成了預定的有機聚合物樹脂圖案。優(yōu)選的是第二種方法。
上述化學射線的實例包括X射線、電子束、紫外光或可見光。優(yōu)選的是具有200-500nm范圍內的波長的射線。在第二種方法中用于顯影處理的顯影液是以下這些。當使用正性光敏樹脂組合物時，可使用堿的水溶液，或使用含有水溶性有機溶劑(如醇)或適量表面活性劑的堿的水溶液。堿的實例包括無機堿如氫氧化鈉、氫氧化鉀、硅酸鈉、偏硅酸鈉和氨；伯胺如乙胺和正丙胺；仲胺如二乙胺和二正丙胺；叔胺如三乙胺和甲基二乙胺；醇胺如二甲基乙醇胺和三乙醇胺；以及季銨鹽如四甲基氫氧化銨和四乙基氫氧化銨。醇的實例包括甲醇和乙醇。當使用負性光敏樹脂組合物時，使用諸如N-甲基吡咯烷酮和N，N-二甲基乙酰胺的有機溶劑作為顯影溶液。
作為顯影方法，可使用噴射法、攪拌法或浸漬法。以上形成的有機聚合物樹脂圖案通常用諸如純水的沖洗液沖洗并進行固化處理?？梢栽诟鶕嫵捎袡C聚合物樹脂圖案的樹脂類型進行了適當選擇的溫度下加熱以進行固化處理。加熱使構成有機聚合物樹脂圖案的樹脂中發(fā)生環(huán)閉合，可以得到具有優(yōu)異耐熱性的有機保護膜。
用上述形成的已固化有機聚合物樹脂圖案4’作為掩模進行蝕刻處理。除去在開放部分5的無機保護膜3，暴露出導電層2。然后，進行氧等離子處理，清洗在開放部分5的導電層2[圖1(d)]。
作為蝕刻方法，合適的是干蝕刻法。作為干蝕刻法，可使用各種方法。優(yōu)選方法的實例包括等離子蝕刻法和反應性離子蝕刻法(RIE法)。在這些方法中，通常用氟基氣體如四氟甲烷作為蝕刻氣體。然而，蝕刻氣體的種類和蝕刻條件可根據要被蝕刻的無機保護膜3的類型適當選擇。位于開放部分5的導電層2通過蝕刻處理暴露出來。
在開放部分的導電層用氧等離子體灰化處理(ashing)并清洗。在本發(fā)明中，氧等離子處理在100℃或更高的溫度下進行。
在傳統(tǒng)方法中，在高溫下用氧等離子處理進行灰化不是優(yōu)選的，因為用作掩模的有機保護膜的厚度在高溫下顯著減小。因此，在有機保護膜存在下進行氧等離子處理時，在傳統(tǒng)方法中就用溫和的低溫條件如室溫。
然而，在半導體器件的制備方法中，在有機聚合物樹脂使用期間，有機聚合物樹脂不可避免地會被灰塵(浮塵)和由于干燥而在分配噴嘴端部形成的固體物質污染。當對被灰塵和固體物質污染的有機聚合物樹脂層進行圖象形成和固化處理時，由于有機聚合物樹脂固化收縮，在帶有灰塵和固體物質的部分就應力集中。半導體器件表面具有高度不連續(xù)變化的臺階部分。因有機聚合物樹脂固化收縮而產生的應力集中在臺階的突出角部分。當在上述有機保護膜存在下進行氧等離子處理時，有機保護膜中應力集中的部分就容易形成裂紋。
本發(fā)明中，通過在100℃或更高的溫度下進行氧等離子處理，能有效抑制裂紋形成。有機聚合物樹脂固化膜的模量在溫度升高時緩慢減小，在達到玻璃化轉變溫度(Tg)時迅速減小。因此，保護膜的模量能調節(jié)到較低值，通過在100℃或更高的溫度下進行氧等離子處理可使應力松弛，從而抑制了裂紋形成。
當氧等離子處理溫度低于100℃時，降低有機保護膜模量的效果就小，就不能充分實現本發(fā)明的目的。當氧等離子處理溫度過高時，有機保護膜厚度的降低就顯著增加，控制厚度變得困難。從有機保護膜模量降低和厚度減小的觀點看，優(yōu)選的是氧等離子處理溫度在150-250℃范圍內。
通過在100℃或更高的溫度下進行氧等離子處理，可提高有機保護膜與密封樹脂間的粘結性。當在有機保護膜存在下進行氧等離子處理時，通常膜表面會變得粗糙，因為在膜表面的某些部分該樹脂具有較容易蝕刻的組成，而在其他部分具有不太容易蝕刻的組成。在高溫下進行氧等離子處理時這種現象發(fā)生的程度更大，且表面粗糙度增加。結果，由于錨接作用而提高了與密封樹脂的粘結性，且半導體器件的可靠性顯著提高。
氧等離子處理通常用灰化設備進行。作為灰化設備，可使用單膜片(single-wafer)處理系統(tǒng)裝置或批處理型裝置。優(yōu)選的是單膜片處理系統(tǒng)裝置，因為處理溫度更容易控制。
總結本發(fā)明的優(yōu)點，當以形成在半導體元件上的有機聚合物樹脂圖案作為有機保護膜，而且是在100℃或更高的溫度下通過氧等離子處理對開放部分的導電層進行清洗時，可以通過降低有機保護層的模量來抑制裂紋形成，而且能容易地制備有機保護層與密封樹脂間的粘結性得到提高的半導體器件。
實施例本發(fā)明將參照以下實施例更具體地描述。然而本發(fā)明不限于這些實施例。
將147.7g(0.3mol)以上得到的二羧酸衍生物(A)和120.9g(0.33mol)六氟-2，2-雙(3-氨基-4-羥基苯基)丙烷溶解在1000.0g N-甲基-2-吡咯烷酮中。將反應體系的溫度調節(jié)到75℃，使反應進行12小時。向所得反應混合物中加入由11.5g(0.07mol)5-降冰片烯-2，3-二羧酸酐溶解在50.0g N-甲基-2-吡咯烷酮中而制備的溶液，使反應在所得反應混合物中進行12小時。將所得反應混合物加入到以3/1的重量比含有水和甲醇的混合溶劑中。回收形成的沉淀物，用純水充分清洗并真空干燥，得到聚苯并噁唑前體(P-1)。(2)正性光敏樹脂組合物的制備將100g上述(1)中制備的聚苯并噁唑前體(P-1)和25g通式[2]表示的帶有醌二疊氮基(Q-1)的化合物溶解在200g N-甲基-2-吡咯烷酮中。用0.2μm的Teflon過濾器過濾所得溶液，制成了正性光敏樹脂組合物(W-1)。 其中Q代表以下通式表示的基團或氫原子， 75％的由Q代表的基團和原子是上述通式表示的基團，25％的由Q代表的基團和原子是氫原子。(3)氧等離子處理中抗裂紋的評價將0.1％(重量)直徑30μm的球形二氧化硅均勻混合到上述(2)中制備的正性光敏樹脂組合物(W-1)中，作為模擬浮塵物質。用旋涂機將所得組合物涂覆在半導體元件表面。將涂層在120℃熱板上干燥4分鐘，形成厚度約12μm的抗蝕劑膜。用g-射線步進曝光儀NSR-1505G3A(NIKON Co.，Ltd.制造)以400mJ/cm2的量通過光線網對所形成的抗蝕劑膜進行曝光。
將已曝光元件浸入1.40％(重量)的四甲基氫氧化銨水溶液中40秒，溶解除去已曝光部分的膜后，用純水沖洗元件30秒。結果形成抗蝕劑圖案。
將以上獲得的膜片在氮氣氣氛下在150℃烘箱中加熱30分鐘，然后在320℃加熱30分鐘，使抗蝕劑圖案固化。
將這樣處理的膜片置于干蝕刻裝置(TOKYO OKA Co.，Ltd.制造)中，在CF4氣體中對無機保護膜(等離子體SiN)進行185秒干蝕刻處理。
然后，采用200SCCM氧氣，在壓力為2.4Torr、溫度為200℃和輸出功率為400W的條件下，用灰化裝置OPM-EM1000(TOKYO OKA Co.，Ltd.制造)對干蝕刻處理后的膜片進行3分鐘氧等離子處理。觀察抗蝕劑圖案表面，發(fā)現未形成裂紋，厚度降低了0.66μm。(4)與密封樹脂的粘結性的評價用旋涂機將上述(2)中制備的正性光敏樹脂組合物(W-1)涂覆在硅膜片上。在120℃熱板上干燥涂層4分鐘，形成厚度約12μm的涂膜。在150℃氮氣氣氛的烘箱中加熱以上所得膜片30分鐘，然后在350℃加熱30分鐘，固化涂膜。
按照與上述(3)中相同的方法用CF4對所得膜片進行干蝕刻處理，然后進行氧等離子處理。
將所得膜片用切割鋸切成10×20mm的片。在所得片上形成尺寸2×2×2mm的、含有密封半導體用環(huán)氧樹脂組合物(SUMITOMO BAKELITE Co.，Ltd.制造)的密封樹脂層。在185℃進行8小時的后固化后，在125℃和23atm壓力下進行24小時的加壓蒸煮處理(PCT)。用TENSIRON剝離涂膜上形成的密封樹脂層，并測量剪切強度。發(fā)現剪切強度為3.7kg/mm2。
將已曝光元件浸入2.38％(重量)的四甲基氫氧化銨水溶液中30秒后，溶解除去已曝光部分的膜。然后用純水沖洗元件30秒。結果形成抗蝕劑圖案。
此后使抗蝕劑圖案固化，并進行干蝕刻處理和氧等離子處理。觀察抗蝕劑圖案表面，發(fā)現未形成裂紋，厚度降低了0.73μm。(4)與密封樹脂的粘結性的評價使用上述(2)中制備的正性光敏樹脂組合物的清漆(W-2)，在硅膜片上形成厚度約10μm的涂膜，根據與實施例1(4)中相同的方法固化并進行干蝕刻處理和氧等離子處理。
除了片尺寸為10×10mm之外，按照與實施例1(4)中相同的方法，測量密封樹脂層剝離的剪切強度，發(fā)現其為3.0kg/mm2。
用環(huán)戊酮作為顯影劑進行顯影，用丙二醇甲基醚乙酸酯沖洗已顯影的元件。膜厚度的剩余百分數為90.2％，結果形成了抗蝕劑圖案。
此后根據與實施例1(3)相同的方法使抗蝕劑圖案固化并進行干蝕刻處理和氧等離子處理。觀察抗蝕劑圖案表面，發(fā)現未形成裂紋，厚度降低了0.56μm。(4)與密封樹脂的粘結性的評價用旋涂機將上述(2)中制備的光敏樹脂組合物清漆(W-3)涂覆在硅膜片表面。在100℃熱板上干燥4分鐘后，形成厚度約12μm的涂膜。
根據與實施例1(4)中相同的方法，使涂膜固化并進行干蝕刻處理和氧等離子處理。測量密封樹脂層剝離的剪切強度，發(fā)現其為2.3kg/mm2。實施例4在裝有溫度計、攪拌器、原料入口和氮氣入口的四頸燒瓶中，將200.2g(1.00mol)4，4′-二氨基二苯基醚和12.4g(0.05mol)1，3-雙(3-氨基丙基)-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷溶解在2441g N-甲基-2-吡咯烷酮中。向所得溶液中加入218.1g(1.00mol)1，2，4，5-苯四酸二酐，同時用冰冷卻保持溶液在20℃或更低溫度。反應進行5小時，得到目標化合物聚酰胺酸清漆(P-4)。
(2)樹脂組合物的制備用0.2μm過濾器過濾上述(1)中制備的聚酰胺酸清漆(P-4)，制成了樹脂組合物清漆(W-4)。
(3)氧等離子處理中抗裂紋的評價將0.1％(重量)直徑30μm的球形二氧化硅均勻混合到上述(2)中制備的光敏樹脂組合物清漆(W-4)中，作為模擬浮塵的物質。用旋涂機將所得組合物涂覆在半導體元件表面。將涂層在135℃熱板上干燥1分鐘，形成厚度約10μm的涂膜。然后用正性抗蝕劑[OFPR-800；TOKYO OKA Co.，Ltd.制造]涂覆上述涂膜，用g-射線步進曝光儀NSR-1505G3A(NIKON Co.，Ltd.制造)以300mJ/cm2的量通過光線網對所形成的抗蝕劑膜進行曝光。
將已曝光元件浸入2.38％(重量)的四甲基氫氧化銨中45秒，溶解除去已曝光部分的膜。然后用純水沖洗元件30秒，用乙酸丁酯除去上述抗蝕劑膜。
將以上得到的膜片在氮氣氣氛下在150℃烘箱中加熱30分鐘，然后在320℃加熱30分鐘，使涂膜固化。
此后根據與實施例1(3)相同的方法對膜片進行干蝕刻處理和氧等離子處理。觀察所得抗蝕劑圖案的表面，發(fā)現未形成裂紋，厚度降低了0.34μm。(4)與密封樹脂的粘結性的評價用旋涂機將上述(2)中制備的樹脂組合物清漆(W-4)涂覆在硅膜片上。將形成的涂層在135℃熱板上干燥1分鐘，形成厚度約10μm的涂膜。將形成的涂膜在150℃氮氣氣氛中加熱30分鐘，在350℃加熱30分鐘固化。
根據與實施例1(3)中相同的方法，對所得膜片進行CF4干蝕刻處理和氧等離子處理。
除了尺寸為10×10mm之外，用與實施例1(4)中相同的方法測量密封樹脂層剝離的剪切強度，發(fā)現其為2.3kg/mm2。實施例5實施與實施例1相同的方法，不同的是在(3)氧等離子處理中抗裂紋的評價和(4)與密封樹脂的粘結性的評價中氧等離子處理溫度為150℃、輸出功率為400W、時間為3分鐘。結果和氧等離子處理條件一起示于表1中。實施例1到4中的氧等離子處理結果也示于表1中。
實施與實施例2相同的方法，不同的是在(3)氧等離子處理中抗裂紋的評價和(4)與密封樹脂的粘結性的評價中氧等離子處理溫度為25℃、輸出功率為400W、時間為10分鐘。結果與氧等離子處理條件一起示于表1中。比較例3實施與實施例3相同的方法，不同的是在(3)氧等離子處理中抗裂紋的評價和(4)與密封樹脂的粘結性的評價中氧等離子處理溫度為25℃、輸出功率為400W、時間為10分鐘。結果與氧等離子處理條件一起示于表1中。比較例4實施與實施例1相同的方法，不同的是在(3)氧等離子處理中抗裂紋的評價和(4)與密封樹脂的粘結性的評價中氧等離子處理溫度為25℃、輸出功率為400W、時間為3分鐘。結果與氧等離子處理條件一起示于表1中。
表1
*由于氧等離子處理過程中的生熱所引起的溫度升高。
權利要求
1.半導體器件的制備方法，包括在半導體元件表面上形成一層有機聚合物樹脂層，對形成的層進行圖案形成和固化處理，用已形成了圖案并固化了的層作為掩模而對元件進行蝕刻以暴露出位于開放部分的導電層，在100℃或更高的溫度下用氧等離子體處理元件并清洗位于開放部分的導電層。
2.權利要求1的方法，其中半導體元件的氧等離子處理在150-250℃的溫度范圍內進行。
3.權利要求1的方法，其中有機聚合物樹脂層是一種包含下述光敏樹脂組合物的層，所述的光敏樹脂組合物含有至少一種選自聚酰亞胺前體樹脂和聚苯并噁唑前體樹脂的樹脂。
4.權利要求2的方法，其中有機聚合物樹脂層是一種包含下述光敏樹脂組合物的層，所述的光敏樹脂組合物含有至少一種選自聚酰亞胺前體樹脂和聚苯并噁唑前體樹脂的樹脂。
5.權利要求3的方法，其中光敏樹脂是含有聚苯并噁唑前體樹脂的正性光敏樹脂。
6.權利要求4的方法，其中光敏樹脂是含有聚苯并噁唑前體樹脂的正性光敏樹脂。
7.權利要求5的方法，其中光敏樹脂是含有聚苯并噁唑前體樹脂和帶有醌二疊氮基的化合物的正性光敏樹脂。
8.權利要求6的方法，其中光敏樹脂是含有聚苯并噁唑前體樹脂和帶有醌二疊氮基的化合物的正性光敏樹脂。
全文摘要
一種半導體器件的制備方法,包括:在半導體元件表面上形成一層有機聚合物樹脂層,對形成的層進行圖案形成和固化處理,用已形成了圖案并固化了的層作為掩模而對元件進行蝕刻以暴露出位于開放部分的導電層,在100℃或更高的溫度下用氧等離子體處理元件并清洗位于開放部分的導電層。當通過氧等離子處理來清洗開放部分的導電層時,有機保護層上的裂紋形成得到抑制,有機保護層與密封樹脂間的粘結性得到提高。
文檔編號H01L21/3065GK1367527SQ01145759
公開日2002年9月4日 申請日期2001年12月30日 優(yōu)先權日2001年1月5日
發(fā)明者番場敏夫, 平野孝, 篠原正英 申請人:住友電木株式會社, 日本電氣株式會社