專利名稱：具有同軸諧振器和陷波圖形的介質濾波器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般地涉及具有多個四分之一波長型同軸諧振器的介質濾波器，更具體地說，本發(fā)明涉及具有用于改善高頻帶衰減特性的陷波圖形的介質濾波器。


圖1A至圖1C示出了傳統(tǒng)介質濾波器、圖1A所示的傳統(tǒng)介質濾波器的等效電路以及圖1A所示的介質濾波器的典型特性曲線圖。圖1A所示的介質濾波器10包括介質塊，其具有上表面、與上表面分離并平行的下表面以及與上表面和下表面垂直的四壁。多個同軸諧振器10a、10b、10c包括在介質塊內(nèi)形成的各通孔11a、11b、11c。為了對高頻通帶提供衰減特性，將被用作分離的獨立陷波孔的通孔11d形成在與外部同軸諧振器10a、10c之一平行并相鄰的介質塊內(nèi)。在兩個側表面之間從一個端面到另一個端面按順序排列通孔11a、11b、11c、11d。
將導電材料涂敷到下表面、側壁以及上表面的周邊部分。作為加載電容器圖形，涂敷有導電材料的各上表面涂層區(qū)域13a、13b、13c、13d被形成在暴露在介質塊上表面的各通孔11a、11b、11c、11d的周圍，在上表面涂層周邊部分與諧振器10a、10b、10c以及陷波孔10d的上表面涂層區(qū)域之間形成各上表面無涂層區(qū)域。
與各外部諧振器對應，臨近上表面設置在一個側壁22a上形成的輸入衰減器(pad)13a和輸出衰減器13b。側面無涂層區(qū)域12a和側面無涂層區(qū)域12b分別將輸入衰減器13a和輸出衰減器13b與涂敷在一個側壁22a上的導電材料隔開。側壁22a上的側面無涂層區(qū)域12a與外部諧振器10a、10c之一的上表面無涂層區(qū)域14a相連，而一個側壁22a的側面無涂層區(qū)域12b與外部諧振器10a、10b、10c、10d中的另一個的上表面無涂層區(qū)域14c相連。
圖1A所示的介質濾波器的等效電路示于圖1B。輸入端(In)和輸出端(Out)表示輸入衰減器13a和輸出衰減器13b。由陷波孔的直徑和長度定義NR。由加載電容器圖形與輸入衰減器和輸出衰減器之間的距離定義CN1，而由陷波孔的加載電容器圖形與上表面的周邊涂層部分之間的距離定義CN2。圖1C示出了介質濾波器10的反射損耗S11和傳播特性或衰減特性S21。形成高頻帶插入損耗P1，并建立高頻帶衰減極點AP。
然而，因為這種介質濾波器需要為陷波孔提供附加空間，所以傳統(tǒng)介質濾波器不能減小尺寸。與安裝介質濾波器10的最小設備比較，傳統(tǒng)介質濾波器的尺寸相對龐大。因此本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)傳統(tǒng)介質濾波器的尺寸不能減小，并且考慮到最近開發(fā)的最小化的設備，所以難于而且通常不便于將傳統(tǒng)介質濾波器安裝到相對小的設備內(nèi)。
本發(fā)明的另一個目的是提供可以減小尺寸并具有改進的要求高頻通帶衰減特性的改進型介質濾波器。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種可以節(jié)省陷波孔在該介質濾波器內(nèi)占用的附加空間的改進型介質濾波器。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種可以安裝到安裝介質濾波器的相對小型設備內(nèi)的改進型介質濾波器。
本發(fā)明的進一步目的是提供一種可以降低制造成本的改進型介質濾波器。
本發(fā)明還有一個目的是提供一種可以縮短制造過程的改進型介質濾波器。
通過提供一種具有根據(jù)本發(fā)明原理構建的陷波圖形的介質濾波器可以實現(xiàn)上述以及其它目的。該介質濾波器包括諸如介電陶瓷塊的介質塊，介質塊定義上表面、與上表面隔開并平行的下表面、兩個互相隔開并與上表面和下表面都垂直的縱向側表面以及兩個設置在側表面之間并與側表面垂直的端面。側表面和端面形成上表面與下表面之間的介質塊的外側。側表面、端面、下表面以及上表面的周邊外側區(qū)域均涂敷有導電材料。三個諧振器，例如第一外側諧振器和第二外側諧振器以及設置在兩個外側諧振器之間的中間諧振器，包括在介質塊中形成的通孔，它們互相平行、從一個端面到另一個端面按順序排列在側表面之間并且各開口暴露在上表面上。
將導電材料涂敷到通孔的周邊內(nèi)壁。此外，為了對各諧振器提供加載電容圖形，在各通孔開口周圍涂敷導電材料以形成上表面涂層區(qū)域。將上表面涂層區(qū)域連接到通孔周邊內(nèi)壁上的導電材料。在諧振器的各上表面涂層區(qū)域周圍以及在諧振器的周邊外側區(qū)域和各上表面涂層區(qū)域之間形成上表面無涂層區(qū)域。
在與上表面相鄰并與上表面的各上表面無涂層區(qū)域相連的一個側表面上形成兩個側面無涂層區(qū)域。在位于與第一諧振器對應的第一位置和與第二諧振器對應的第二位置，將輸入衰減器和輸出衰減器分別設置到側表面的各側面無涂層區(qū)域內(nèi)。輸入衰減器和輸出衰減器與涂敷在側表面的導電材料隔開并分別通過側表面的各側面無涂層區(qū)域和上表面的上表面無涂層區(qū)域電連接到第一諧振器和第二諧振器。
側表面的兩個側面無涂層區(qū)域之一沿側表面向兩個側面無涂層區(qū)域中的另一個連續(xù)延伸，并為了在輸入衰減器與中間諧振器之間提供電容，將延伸的側面無涂層區(qū)域的一端設置到與中間諧振器對應的側表面的第三位置。覆蓋在側表面的延伸側面無涂層區(qū)域與上表面的上表面無涂層區(qū)域之間的導電材料將延伸側面無涂層區(qū)域與中間諧振器上表面無涂層區(qū)域隔開。
為了提供連接在中間諧振器與輸入衰減器之間的電容，由導電材料制成并設置在側表面之一的側面無涂層區(qū)域和延伸側面無涂層區(qū)域內(nèi)的陷波圖形從輸入衰減器沿側表面在與上表面平行的方向連續(xù)延伸到與中間諧振器的中間通孔對應的中間位置。
利用存在的陷波圖形，在中間諧振器與輸入衰減器或輸出衰減器之間形成電場。由于根據(jù)與在輸入衰減器與中間諧振器之間形成的電場等效的電容，在要求的高頻帶形成衰減極點，所以在要求的高頻帶建立衰減特性。
介質濾波器200設置有兩個外側諧振器201、203以及中間諧振器202，它們分別具有在介質塊200a中形成的通孔211a、211c、211b，這些通孔互相平行，從一個端面220b到另一個端面220b按順序排列在側表面220a之間并且各開口暴露在上表面210上。將導電材料涂敷到通孔211a、211b、211c的周邊內(nèi)壁。圍繞通孔211a、211b、211c的各開口形成涂敷有導電材料的上表面涂層區(qū)域213a、213b、213c，并將涂敷導電材料的上表面涂層區(qū)域213a、213b、213c連接到涂敷到通孔211a、211b、211c的周邊內(nèi)壁上的導電材料以為各個諧振器201、202、203提供加載電容圖形。分別在諧振器201、202、203的上表面涂層區(qū)域213a、213b、213c周圍和周邊外側區(qū)域210a與諧振器201、202、203的上表面涂層區(qū)域213a、213b、213c之間形成上表面無涂層區(qū)域212a、212b、212c。圍繞中間諧振器202的上表面無涂層區(qū)域212b形成第二上表面導電區(qū)域210b。
在側表面220a上形成與上表面210相鄰的兩個側面無涂層區(qū)域221a、221b并將它們分別連接到上表面210的上表面無涂層區(qū)域212a、212c。將輸入衰減器222a和輸出衰減器221b分別設置到位于與第一外側諧振器201對應的側表面220a的第一位置和與第二外側諧振器203對應的側表面220a的第二位置的側表面220a的各側面無涂層區(qū)域221a、221b內(nèi)。涂敷在側表面220a上的導電材料將輸入衰減器222a和側面無涂層區(qū)域221a與外側衰減器222b和側面無涂層區(qū)域221b隔開。通過側表面220a的側面無涂層區(qū)域221a和上表面210的上表面無涂層區(qū)域212a，將輸入衰減器222a電連接到第一外側諧振器201。而通過側表面220a的側面無涂層區(qū)域221c和上表面210的上表面無涂層區(qū)域212c，將輸出衰減器222b電連接到第二外側諧振器203。
側表面220a的側面無涂層區(qū)域221a的延伸側面無涂層區(qū)域221c從側表面220a的側面無涂層區(qū)域221a沿側表面220a向側面無涂層區(qū)域221b連續(xù)延伸，并且為了在輸入衰減器222a與中間諧振器202之間提供電容，將延伸側面無涂層區(qū)域221c的一端設置到中間諧振器202與第二外側諧振器203之間的側表面220a的第三位置。利用設置在側表面220a的延伸側面無涂層區(qū)域221c與上表面210的上表面無涂層區(qū)域212b之間的第二上表面導電涂層區(qū)域210b，將延伸側面無涂層區(qū)域221c與中間諧振器202的上表面無涂層區(qū)域212b隔開。
將導電材料制成的陷波圖形225設置在側面無涂層區(qū)域221a和側表面220a的延伸側面無涂層區(qū)域221c內(nèi)。陷波圖形225的延伸衰減器225a從輸入衰減器222a向與中間諧振器202的通孔211b對應的第三中間位置沿側表面220a在與上表面210平行的方向連續(xù)延伸，并且為了形成連接在中間諧振器202與輸入衰減器222a之間的電容，將端部226設置到與中間諧振器202的通孔211b對應的第三位置。將延伸衰減器225a和輸入衰減器222a一體形成在單片結構內(nèi)。虛線示出了重疊在介質濾波器200的側表面前視圖內(nèi)的中間諧振器202的通孔211b與陷波圖形225之間的關系。
如圖2B所示，符號D1表示第一通孔211a的中心軸與中間通孔211b的中心軸之間的第一距離。輸入衰減器221a與陷波圖形225之間的第二長度D2大于第一外側諧振器201與之間諧振器202的通孔211a、211b的中心軸之間的第一距離D1。陷波圖形225的延伸衰減器225a與上表面210隔開第一高度H1，并且陷波圖形225的延伸衰減器225a具有第二統(tǒng)一厚度H2，并且陷波圖形225的端部226具有第三厚度H3，第三厚度H3大于延伸衰減器225a的第二厚度H2。陷波圖形225的端部226的第三厚度H3可以等于延伸衰減器225a的第二厚度H2。利用可以等于或小于端部226的第三厚度H3或延伸衰減器225a與上表面210之間的第一厚度H1的第四厚度H4，將端部226與上表面210隔開。延伸衰減器225a具有第五長度D5，第五長度D5小于或大于或等于端部226的第四長度D4。陷波圖形225的第三長度D3小于第二長度D2。端部226的第四長度D4可以等于延伸衰減器225a的第三長度D3。
圖2C示出了圖1A所示的介質濾波器的等效電路圖。IN端和OUT端表示輸入衰減器222a和輸出衰減器222b。由輸入衰減器222a與外部諧振器201之間的距離定義電容器Cin，而由輸出衰減器222b與外部諧振器203之間的距離定義電容器Cout。各通孔211a、211b、211c的長度和直徑分別定義分別與各節(jié)點n1、n2、n3相連的電感DR1、DR2、DR3。電容CR1、CR2、CR3均是外部導體228與諧振器201、202、203的加載電容器圖形213a、213b、213c之間距離的函數(shù)。標號C1、C2表示在諧振器201、202、203之間形成的電場的等效電容。在諧振器201、202、203之間形成的磁場的等效電感分別定義電感L1、L2。根據(jù)陷波圖形225，中間諧振器202與輸入衰減器222a之間的等效電場定義連接在節(jié)點n2與輸入衰減器222a的IN端之間的電容器C225。如果將陷波圖形225連接到輸出衰減器222b，則電容器C225連接到節(jié)點2與輸出衰減器222b的OUT端之間。根據(jù)陷波圖形225，由在中間諧振器202與輸出衰減器222b形成的等效電場定義連接到節(jié)點n2與輸出衰減器222b的輸出端之間的電容器C225。
參考圖2D，根據(jù)中間諧振器202和在中間諧振器202與連接到輸入衰減器222a的陷波圖形225之間形成的電場的等效電容，在高頻通帶形成衰減極點AP。根據(jù)存在的衰減極點AP，在高頻通帶的位置P1附近形成理想的插入損耗和衰減比。與圖1C所示的插入損耗P1比較，位置P1處的插入損耗相對較低。
如上所述，利用根據(jù)本發(fā)明原理構建的陷波圖形225可以建立更理想的高頻通帶衰減特性，并經(jīng)過重復實驗獲得的圖2D示出的高頻通帶衰減特性。例如，陷波圖形225從輸入衰減器222a開始延伸或與輸入衰減器222a隔開。延伸輸入衰減器225a可以具有一致的高度或非一致的高度，并且可以是線性的或非線性的。陷波圖形225的形狀根據(jù)要求的介質濾波器200的高頻通帶的衰減極點和插入損耗而變化。
圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明原理構建的介質濾波器200的第二實施例。側面無涂層區(qū)域221a沿側表面220a向中間諧振器202與第二外側諧振器203中間的相應第三位置延伸。延伸衰減器225a在側面無涂層區(qū)域221a和延伸無涂層區(qū)域221c內(nèi)沿從輸入衰減器222a到與中間諧振器202的通孔211b的中間位置的側表面220a延伸。在介質濾波器的側表面220a的前視圖中，陷波圖形225與中間諧振器202的通孔211b重疊。
在與輸入衰減器222a相連的陷波圖形225與圍繞上表面210內(nèi)的中間諧振器202的通孔211a的開口形成的加載電容器圖形213b之間形成電容。如上所述，介質濾波器200的第二實施例包括具有從輸入衰減器221a延伸的延伸衰減器225a的陷波圖形225。如圖3B所示，延伸衰減器225a可以從設置在側表面220a的延伸側面無涂層區(qū)域222c內(nèi)的輸出衰減器222b開始延伸。
在圖4和圖5中，可以將從主陷波圖形225和輸入衰減器222a延伸的并被設置到上表面無涂層區(qū)域212b上的子陷波圖形215連接到中間諧振器202的上表面涂層區(qū)域213b的加載電容器圖形，并且還可以將它與中間諧振器202的上表面涂層區(qū)域212b的加載電容器圖形隔開預定距離。將子陷波圖形215設置到上表面210上，而將輸入衰減器225a和陷波圖形225設置到側表面220a上。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明原理構建的第三實施例。將延伸無涂層側表面221c不間斷地連接到上表面無涂層區(qū)域。子陷波圖形215從陷波圖形225的端部226和延伸衰減器225a延伸并設置到上表面210的上表面無涂層區(qū)域212b內(nèi)。延伸衰減器225a具有預定長度和預定高度，而陷波圖形225的端部226與延伸輸入衰減器225a不同或大于延伸輸入衰減器225a。
子陷波圖形215還從陷波圖形225的端部226延伸到上表面無涂層區(qū)域212b，上表面無涂層區(qū)域212b向延伸側面無涂層區(qū)域221c延伸并連接到延伸側面無涂層區(qū)域221c。上表面無涂層區(qū)域212b向延伸側面無涂層區(qū)域221c延伸并連接到延伸側面無涂層區(qū)域221c。將導電材料無間斷地涂敷到子陷波圖形215、端部226、延伸輸入衰減器225a以及輸入衰減器222a上，并將它與上表面210內(nèi)的中間諧振器202的加載電容器圖形213b隔開。
如圖5所示，側面無涂層區(qū)域221a將陷波圖形225與輸入衰減器222a隔開。陷波圖形225的兩個端部225a、225b的高度高于連接在兩端部225a、225b之間的中間部分225c的高度。將上表面無涂層區(qū)域212b向延伸側面無涂層區(qū)域221c延伸并將它連接到延伸側面無涂層區(qū)域221c。將從陷波圖形225的一個端部225a延伸的子陷波圖形215a設置到待連接到通過上表面無涂層區(qū)域212b設置在上表面210上的上表面涂層區(qū)域213b的加載電容器圖形的上表面無涂層區(qū)域212b上。將導電材料無間斷地涂敷到中間部分225c、端部225a、225b、子陷波圖形215以及中間諧振器202的加載電容器圖形213b。將陷波圖形225與輸入衰減器222a隔開，并將它連接到中間諧振器202的加載電容器圖形213b。由陷波圖形225的形狀和輸入衰減器222a與陷波圖形225之間的距離定義電容C225。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明原理構建的介質濾波器的衰減極點AP的頻率響應特性。由于存在陷波圖形，所以在中間諧振器與設置在側表面的側面無涂層區(qū)域內(nèi)的輸入衰減器或輸出衰減器之間產(chǎn)生電場。由于根據(jù)與在輸入衰減器與中間諧振器之間形成的電場等效的電容，在要求的高頻帶形成衰減極點，所以在要求的高頻帶建立衰減特性。根據(jù)中間諧振器202以及由陷波圖形225的區(qū)域和加載電容器圖形213b與陷波圖形225之間的距離形成的電場的電容，對衰減極點進行調節(jié)。一對曲線S11′、S11″示出了對電容C225和諧振器頻率進行調諧前后的頻率特性。一對曲線S21′、S21″示出了對電容C225進行的調節(jié)在AR方向向高頻通帶漂移的頻率特性。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明原理，對介質濾波器設置在介質塊的側表面上形成的陷波圖形非常具有優(yōu)勢，因為陷波圖形提供連接在中間諧振器與輸入衰減器或輸出衰減器之間的直接電容器。利用在作為外部導體的同一側表面上形成的陷波圖形，可以去除傳統(tǒng)陷波孔。此外，還可以減小介質濾波器的尺寸。不僅如此，無需傳統(tǒng)陷波孔，仍可以獲得更理想的通帶衰減特性。
雖然已經(jīng)利用典型優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了說明，但是顯然本發(fā)明范圍并不局限于所披露的實施例。相反，本發(fā)明希望概括各種變換方案和類似排列。因此，為了包括所有變換方案和類似排列，權利要求所述的范圍對本發(fā)明給予最廣泛解釋。
權利要求
1.一種介質濾波器，該介質濾波器包括介質塊，定義上表面、與所述上表面隔開的下表面以及兩個側表面和兩個端面，所述兩個側表面和兩個端面均設置在所述上表面與下表面之間以形成所述介質塊的外壁，所述介質塊包括三個諧振器，具有在所述介質塊內(nèi)按順序形成并與所述上表面垂直的第一通孔、中間通孔以及第二通孔；外部導體，由涂敷在所述上表面的周邊部分、所述下表面以及所述側表面和端面的導電材料制成；第一上表面涂層區(qū)域、中間上表面涂層區(qū)域以及第二上表面涂層區(qū)域，形成在所述上表面上，涂敷有導電材料，圍繞各通孔設置；第一上表面無涂層區(qū)域、中間上表面無涂層區(qū)域以及第二上表面無涂層區(qū)域，形成在所述上表面上，并圍繞所述各上表面導電區(qū)域設置；無涂層輸入?yún)^(qū)域和無涂層輸出區(qū)域，形成在一個所述側表面上，并通過涂敷在所述無涂層輸入?yún)^(qū)域與所述輸出區(qū)域之間預定距離的外部導體互相隔開，它們被分別設置在分別與所述第一通孔和第二通孔對應的一個側表面的第一位置和第二位置；以及輸入衰減器，涂敷有導電材料，并將它設置到所述無涂層輸入?yún)^(qū)域內(nèi)；以及輸出衰減器，涂敷有導電材料，并將它設置到所述無涂層輸出區(qū)域內(nèi)；延伸無涂層區(qū)域，形成在與設置在所述第一通孔與所述第二通孔之間的所述中間通孔對應的一個側表面的中間位置上，從所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述無涂層輸出區(qū)域之一開始沿所述側表面之一向所述中間位置延伸；以及延伸衰減器，涂敷有導電材料，設置在所述延伸無涂層區(qū)域內(nèi)并設置在所述中間位置。
2.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域與所述上表面的第一上表面無涂層區(qū)域和第二上表面無涂層區(qū)域之一相連。
3.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域與無涂層輸入?yún)^(qū)域和無涂層輸出區(qū)域之一和所述上表面的第一上表面無涂層區(qū)域和第二上表面無涂層區(qū)域之一相連。
4.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域的高度比所述延伸衰減器的高度高。
5.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域的長度大于第一通孔與中間通孔之間的距離。
6.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域的高度高于所述延伸衰減器的高度。
7.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器電連接到所述輸入衰減器和所述輸出衰減器之一。
8.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器具有一致的高度。
9.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的預定長度長于所述輸入衰減器的長度。
10.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的端部設置在所述側表面之一的所述中間位置，而所述延伸衰減器的主要部分設置在所述第一位置與所述第二位置之間并電連接到所述端部與所述輸入衰減器之間。
11.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的主要部分連接到所述輸入衰減器，而其端部連接到所述主要部分，所述端部的高度高于所述主要部分，而所述主要部分的高度低于所述輸入衰減器。
12.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的端部的長度大于所述中間通孔的直徑。
13.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的主要部分的長度長于所述第一通孔與所述中間通孔之間的距離。
14.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，其中在平行于上表面方向上所述輸入衰減器的長度和所述延伸衰減器的長度之和大于所述第一通孔的一個外端與在平行于所述上表面方向上與所述第一通孔的所述一個外端相對的所述第二通孔另一端之間的第二長度。
15.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述中間無涂層區(qū)域與所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域隔開，而所述第一無涂層區(qū)域連接到所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域。
16.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器與所述輸入衰減器隔開預定距離，將所述延伸衰減器和所述輸入衰減器分別設置到所述延伸輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域。
17.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述中間無涂層區(qū)域與所述延伸無涂層區(qū)域相連，同時所述第一無涂層區(qū)域與所述無涂層輸入?yún)^(qū)域相連。
18.根據(jù)權利要求17所述的介質濾波器，所述延伸衰減器與所述中間涂層區(qū)域相連。
19.根據(jù)權利要求1所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的端部設置在一個所述側表面的延伸無涂層輸入?yún)^(qū)域的第二位置上，并且其末端連接到所述端部并設置到所述上表面的所述無涂層區(qū)域。
20.一種介質濾波器，該介質濾波器包括介質塊，包括三個具有第一通孔、第二通孔以及設置在所述第一通孔和所述第二通孔之間的中間通孔的諧振器；外部導體，具有與所述通孔平行并涂敷有導電材料的所述介質塊的一個側表面；無涂層輸入?yún)^(qū)域和無涂層輸出區(qū)域，形成在與所述通孔的縱軸平行的所述介質塊的所述側表面上，由預定距離的所述外部導體互相隔開，所述無涂層輸入?yún)^(qū)域設置在與所述第一通孔對應的所述側表面的第一位置，所述無涂層輸出區(qū)域設置在所述側表面的第二位置；輸入衰減器和輸出衰減器，由導電材料制成，并設置在所述側表面的所述各無涂層輸入?yún)^(qū)域和各無涂層輸出區(qū)域內(nèi)；延伸無涂層區(qū)域，形成在與所述中間通孔對應的所述側表面的中間位置，從所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述無涂層輸出區(qū)域之一開始沿所述側表面延伸到所述中間位置；以及延伸衰減器，涂敷有導電材料，并設置在所述側表面的所述延伸無涂層區(qū)域內(nèi)。
21.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，該介質濾波器進一步包括所述介質塊，包括上表面、與所述上表面隔開的下表面以及設置在所述上表面和所述下表面之間以形成所述介質塊的外壁的三個端面和側表面；所述外部導體，具有所述上表面的周邊部分、所述下表面以及所述端面；涂敷有導電材料的第一上表面涂層區(qū)域、中間上表面涂層區(qū)域以及第二上表面涂層區(qū)域，形成在所述上表面上，涂敷有導電材料，并設置在各通孔周圍；以及第一上表面無涂層區(qū)域以及第二上表面無涂層區(qū)域，形成在所述上表面上并設置在所述各上表面導電區(qū)域周圍。
22.根據(jù)權利要求21所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域與所述上表面的所述第一上表面無涂層區(qū)域和第二上表面無涂層區(qū)域之一相連。
23.根據(jù)權利要求21所述的介質濾波器，所述上表面的延伸無涂層區(qū)域與所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述無涂層輸出區(qū)域之一和所述上表面的所述第一上表面無涂層區(qū)域和第二上表面無涂層區(qū)域之一相連。
24.根據(jù)權利要求21所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的端部設置在所述一個所述側表面的所述延伸無涂層輸入?yún)^(qū)域的所述第二位置上，并且其末端連接到所述端部并設置到所述上表面的所述無涂層區(qū)域。
25.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述延伸衰減器的端部設置在所述側表面之一的所述中間位置，而所述延伸衰減器的主要部分設置在所述第一位置與所述第二位置之間，所述端部電連接到所述主要部分。
26.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述延伸衰減器電連接到所述輸入衰減器和所述輸出衰減器之一。
27.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述延伸衰減器具有一致的高度。
28.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述延伸衰減器具有長于所述輸入衰減器的長度的預定長度。
29.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述中間無涂層區(qū)域與所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域隔開，而所述第一無涂層區(qū)域連接到所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域。
30.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述延伸衰減器與所述輸入衰減器隔開預定距離，將所述延伸衰減器和所述輸入衰減器分別設置到所述延伸輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域。
31.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述中間無涂層區(qū)域與所述無涂層輸入?yún)^(qū)域和所述延伸無涂層區(qū)域相連。
32.根據(jù)權利要求20所述的介質濾波器，所述延伸衰減器與所述中間涂層區(qū)域相連。
33.一種介質濾波器，該介質濾波器包括導體，連接到輸入端與輸出端之間，所述導體具有按順序排列的第一節(jié)點、中間節(jié)點以及第二節(jié)點，將所述中間節(jié)點設置在所述第一節(jié)點與所述第二節(jié)點之間；第一諧振器、中間諧振器以及第二諧振器，連接到外部導體的地線端，將所述諧振器分別按順序連接到所述導體的所述第一外側節(jié)點、所述中間節(jié)點以及所述第二外側節(jié)點；所述輸入端和所述輸出端，形成在所述介質濾波器的介質塊的側表面上，并分別設置與所述第一諧振器和所述第二諧振器之一對應的所述側表面的第一位置和與所述中間位置對應的所述側表面的第二位置；等效電容器和等效電感器，均連接在所述第一節(jié)點與所述中間節(jié)點之間和所述中間節(jié)點與所述第二節(jié)點之間；第一電容器，連接在所述輸入端與所述第一節(jié)點之間和所述輸出端與所述第二節(jié)點之間；以及第二電容器，連接在所述輸入端與所述輸出端之一與所述中間節(jié)點之間，所述第二電容器具有在所述中間諧振器與陷波圖形之間形成的電容，將所述陷波圖形設置在與所述中間諧振器對應的所述側表面的中間位置，將所述陷波圖形連接到所述輸入端和所述輸出端之一。
34.根據(jù)權利要求33所述的介質濾波器，所述中間諧振器與所述第一諧振器和第二諧振器隔開。
35.根據(jù)權利要求34所述的介質濾波器，所述中間位置與所述第一位置和所述第二位置隔開。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種介質濾波器,該介質濾波器具有兩個外側諧振器、一個設置在兩個外側諧振器之間的中間諧振器,并設置陷波圖形。在與外側諧振器對應的側表面的各側面無涂層區(qū)域內(nèi)分別形成輸入衰減器和輸出衰減器。將陷波圖形形成在側表面的一個延伸側面無涂層區(qū)域內(nèi),該延伸側面無涂層區(qū)域連接到一個側面無涂層區(qū)域,上述側面無涂層區(qū)域對應于與中間諧振器和一個外側諧振器對應的側表面的第三位置。陷波濾波器沿側表面從輸入衰減器或輸出衰減器開始向與中間諧振器對應的中間位置延伸。陷波濾波器形成中間諧振器與輸入衰減器或輸出衰減器之間的電容器。
文檔編號H01P1/20GK1388608SQ01120650
公開日2003年1月1日 申請日期2001年7月20日 優(yōu)先權日2001年5月30日
發(fā)明者任炳俊 申請人:三星電機株式會社