專利名稱：多晶半導(dǎo)體薄膜襯底及其制造方法、半導(dǎo)體器件和電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶半導(dǎo)體薄膜襯底及其制造方法、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件和電子器件的制造方法，特別是涉及能有效地用于在多晶膜(多晶半導(dǎo)體薄膜)的表面層中制造晶體管(薄膜晶體管TFT)的技術(shù)、用于制造薄膜晶體管的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底的制造技術(shù)以及包含薄膜晶體管的電子裝置例如液晶顯示器和數(shù)據(jù)處理器。
下面將參考

圖17(a)至(d)描述先有技術(shù)中的半導(dǎo)體器件(TFT)及其制造方法。如圖17(a)所示，在玻璃襯底201的表面上淀積非晶硅薄膜202。
然后，如圖17(b)所示，當(dāng)利用線性準(zhǔn)分子激光束204在箭頭203的方向上掃描非晶硅薄膜202的表面時(shí)，非晶硅薄膜202通過準(zhǔn)分子激光束204被加熱并且從非晶結(jié)構(gòu)變到多晶結(jié)構(gòu)。當(dāng)在掃描下由準(zhǔn)分子激光束204加熱了整個(gè)非晶硅膜202的表面時(shí)，就形成了多晶硅薄膜205，如圖17(c)所示。在圖17(c)中，多晶硅薄膜205由硅晶粒制成，在晶粒之間形成了晶界206。
上述工藝稱為激光加熱工藝。當(dāng)在包括低熔融材料如玻璃的襯底上制備高質(zhì)量的多晶硅薄膜時(shí)采用此工藝。更具體地說，例如在“1996 Societyfor Information Display International Symposium Digest of TechnicalPaper，pp17-29”和“IEEE Transactions on ElectronDevice，vol.43，No.9，1996，pp1454 to 1458”等中有詳細(xì)的描述。
圖17(d)顯示了利用圖17(c)中的多晶硅薄膜形成的晶體管(TFT)。
柵絕緣膜208例如氧化硅膜設(shè)置在多晶硅薄膜205上。此外，在多晶硅薄膜205上形成源雜質(zhì)注入?yún)^(qū)207和漏雜質(zhì)注入?yún)^(qū)206。通過在源雜質(zhì)注入?yún)^(qū)207和209以及柵絕緣膜208上設(shè)置柵極形成薄膜晶體管。
圖18顯示了在先有技術(shù)中硅晶粒的尺寸和多晶硅薄膜的粗糙度與照射激光能量之間的關(guān)系曲線(晶粒尺寸與激光能量密度的關(guān)系曲線301)。在200mJ/cm2或更低的激光能量密度的能量下，不能使硅結(jié)晶，但當(dāng)能量密度超過200mJ/cm2時(shí)開始結(jié)晶，晶粒尺寸隨著激光能量密度的增加而增加。
然而，當(dāng)激光能量密度超過250mJ/cm2時(shí)，硅晶粒變得更小。由于通過增加硅晶粒的尺寸可以制造具有良好特性的多晶硅薄膜晶體管，因此將激光的能量密度設(shè)為250mJ/cm2。
在先有技術(shù)中，激光能量密度的值有時(shí)可以隨著非晶硅膜的特性(例如，生長方法、膜厚)而變化。例如在“Applied PhysicsLetters，Vol.63，No.14，1993，pp1969-1971”中具體描述的。
此外，為了增加晶粒的粒徑，最好通過在400℃加熱襯底進(jìn)行激光照射。這是因?yàn)橥ㄟ^加熱襯底降低了固化速度，粒徑增加到大約500nm。此外，由于在激光束的端部引起溫度梯度，因此晶粒尺寸顯著變化。為了防止這些缺陷，最好在重疊的狀態(tài)下照射激光。這些在“Proceedings ofThe Institute of Electronics，Information and Communication EngineersC-II Vol.J76-C-II，1993，pp241-248”中報(bào)道了。
此外，為了使晶粒的尺寸均勻，首先以低能量密度施加第一激光照射，接著，以結(jié)晶所需要的高能量密度施加第二激光照射。為了通過第一激光照射形成籽晶和通過第二激光照射使其結(jié)晶，施加上述兩個(gè)步驟的激光照射。在這種情況下，在提高均勻度的同時(shí)，也減小了粒徑。上述內(nèi)容在“Proceedings of 42th Laser Materials ProcessingConference，1997，pp.121-130”中報(bào)道了。
本發(fā)明的公開已經(jīng)發(fā)現(xiàn)上述先有技術(shù)包含以下問題。
例如，當(dāng)在柵極下面的硅溝道區(qū)中存在許多晶界時(shí)，由于傳導(dǎo)載流子的變化，其非均勻性有時(shí)會(huì)降低載流子遷移率μ到幾個(gè)cm2/V.s。
此外，當(dāng)存在于柵極下面的硅溝道區(qū)中的晶界密度變化時(shí)，在各個(gè)晶體管中，閾電壓Vth變化到幾伏。
另外，當(dāng)柵極下面的硅溝道區(qū)中的晶粒尺寸變化時(shí)，各個(gè)晶體管的載流子遷移率μ也變化。
此外，當(dāng)晶界的粗糙度存在于柵極下面的硅溝道區(qū)中時(shí)，各個(gè)晶體管的性能也變化并降低。
此外，當(dāng)在多晶區(qū)中注入雜質(zhì)時(shí)，由于雜質(zhì)偏集在晶界中，因此難以控制載流子濃度。
本發(fā)明人已經(jīng)觀察并研究了先有技術(shù)中制造的多晶半導(dǎo)體薄膜的晶粒的分布。圖19顯示了在用于制造薄膜晶體管的現(xiàn)有的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底中，多晶半導(dǎo)體薄膜的晶粒的排列。
此圖基于顯微照片，晶粒250具有各種形狀例如三角形、四角形、五角形、六角形、七角形和八角形，其中六角形晶粒251占主流。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)六角形晶粒251的數(shù)量大約是30-40％。取邊長10μm的正方形區(qū)作為評(píng)估區(qū)，在優(yōu)選位置進(jìn)行觀察。
本發(fā)明人已經(jīng)考慮可以在多晶半導(dǎo)體薄膜中使晶粒均勻，即，通過減少三角形、矩形和五角形的數(shù)量并且增加六角晶粒的數(shù)量等可以提高薄膜晶體管的性能并使薄膜晶體管的性能一致。
然后，當(dāng)檢查照射到非晶硅膜上的激光能量密度和晶粒形狀之間的關(guān)系時(shí)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)對于每一種形狀來說存在使每種形狀的形成數(shù)量最多的激光能量密度(適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec)。即，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)存在使四角形的形成數(shù)量最多的激光能量密度，使五角形的形成數(shù)量最多的激光能量密度和使七角形的形成數(shù)量最多的激光能量密度。
本發(fā)明是采用通過上述發(fā)現(xiàn)的基于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的結(jié)晶法的發(fā)明，在多晶半導(dǎo)體薄膜中將晶粒限定為六角形，并且限定六角形的比例為50-100％。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種多晶半導(dǎo)體薄膜，其中晶粒尺寸和載流子濃度是均勻的，并且具有平整的表面。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種半導(dǎo)體器件，此器件具有薄膜晶體管，該晶體管具有良好的特性并且特性的變化很小。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有良好特性的電子裝置，此電子裝置包括具有薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件。
通過參考說明書的描述和附圖，本發(fā)明的上述和其它目的以及新的特性將變得顯而易見。
下面將簡單描述在本申請中公開的發(fā)明中的典型發(fā)明的概要。
上述技術(shù)方案(1)提供了一種多晶半導(dǎo)體薄膜襯底，包括絕緣襯底和設(shè)置在絕緣襯底的一個(gè)表面上的多晶半導(dǎo)體薄膜，其中形成多晶半導(dǎo)體薄膜的晶粒的50-100％是六角形。多晶半導(dǎo)體薄膜表面處和內(nèi)部的晶粒的電子軌道彼此鍵合。多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度為5nm和更小。絕緣襯底是玻璃襯底，多晶半導(dǎo)體薄膜是多晶硅膜。
通過下列方法來制造這種多晶半導(dǎo)體薄膜襯底。在通過在絕緣襯底的表面上形成非晶半導(dǎo)體膜，然后用激光束照射非晶半導(dǎo)體膜，使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶，以形成多晶半導(dǎo)體薄膜的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底的制造方法中，將UV射線照射絕緣襯底的背面或照射非晶半導(dǎo)體膜，從而將非晶半導(dǎo)體膜加熱到熔融溫度或更低的溫度，以使六角晶粒形成最多的適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光束反復(fù)照射非晶半導(dǎo)體膜的表面，從而將其轉(zhuǎn)化為多晶半導(dǎo)體薄膜。
以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec重復(fù)照射非晶半導(dǎo)體薄膜的表面，即重復(fù)第一激光照射多個(gè)循環(huán)之后，以低于激光能量密度Ec的能量密度重復(fù)第二激光照射多個(gè)循環(huán)。在沿著非晶半導(dǎo)體膜的表面掃描激光束的同時(shí)，進(jìn)行第一激光照射和第二激光照射。在協(xié)調(diào)激光束照射周期和UV射線加熱周期的同時(shí)進(jìn)行照射。由準(zhǔn)分子激光進(jìn)行激光束照射，并且通過光學(xué)元件將從準(zhǔn)分子激光發(fā)射的激光束分為兩個(gè)光路，使得其中之一延遲到達(dá)激光束照射位置，經(jīng)過更短的光路長度的激光束通過使其經(jīng)過光學(xué)衰減器而衰減并且使其到達(dá)激光束照射位置，從而形成多晶半導(dǎo)體薄膜。
(2)一種半導(dǎo)體器件，其中多個(gè)晶體管形成到多晶半導(dǎo)體薄膜中，其中晶體管(薄膜晶體管)形成到上述結(jié)構(gòu)(1)的多晶半導(dǎo)體薄膜中。
上述半導(dǎo)體器件是通過下列方法制造的。它是通過制造半導(dǎo)體器件的方法，即通過在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成多個(gè)晶體管而制造的，其中多晶半導(dǎo)體薄膜具有上述的結(jié)構(gòu)(1)。
(3)一種電子裝置，將其中形成了多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體器件形成到多晶半導(dǎo)體薄膜中，其中所述半導(dǎo)體器件是由上述結(jié)構(gòu)(2)的半導(dǎo)體器件構(gòu)成的。例如，電子裝置的液晶顯示器，半導(dǎo)體器件具有用于控制液晶顯示面板的每個(gè)像素的晶體管和構(gòu)成外圍驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管，配裝的半導(dǎo)體器件與液晶顯示器的液晶顯示面板疊加。
(4)一種電子裝置，將其中形成了多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體器件形成到多晶半導(dǎo)體薄膜中，例如，其中的電子裝置是數(shù)據(jù)處理器，在數(shù)據(jù)處理器中，用半導(dǎo)體器件的每個(gè)晶體管形成中央處理單元、cash電路、存儲(chǔ)電路、外圍電路、輸入/輸出電路和總線電路。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(1)，(a)由于多晶半導(dǎo)體薄膜中的50-100％的晶粒包括六角晶粒，并且粒徑是均勻的，從0.2μm到0.3μm，因此可以提供一種襯底，該襯底在每個(gè)區(qū)中具有改進(jìn)的載流子遷移率μ，并且的載流子遷移率μ的變化很小。
(b)由于多晶半導(dǎo)體薄膜表面和內(nèi)部的晶界的電子軌道彼此鍵合，因此能夠使載流子遷移率恒定，并且提高各個(gè)晶體管的可靠性。
(c)由于在形成多晶半導(dǎo)體薄膜時(shí)反復(fù)照射激光束，因此可以減小多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的粗糙度，以提供平整的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底。
(d)由于以最有利于形成六角形的適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，因此在非晶半導(dǎo)體膜中陸續(xù)形成了六角形晶粒，相鄰的六角晶粒彼此移動(dòng)并逐漸與相鄰的六角晶粒緊密接觸。接著，由于以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇能量密度Ec的激光能量密度反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，雜質(zhì)很少偏集于晶界，使晶粒的載流子濃度恒定。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(2)，(a)由于在多晶半導(dǎo)體薄膜中50-100％的晶粒包括六角晶粒，其粒徑是均勻的，為0.2μm到0.3μm，因此當(dāng)形成晶體管(TFT)時(shí)，在柵極下面的硅溝道區(qū)中減少了晶界，提高了每個(gè)晶體管中的載流子遷移率μ，降低了載流子遷移率的變化。
(b)在每個(gè)晶體管中，存在于柵極下面的硅溝道區(qū)中的晶界密度變化很小，使每個(gè)晶體管中的閾電壓Vth是一致的。
(c)由于在形成多晶半導(dǎo)體薄膜時(shí)反復(fù)照射激光束，減小了多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的粗糙度，很少出現(xiàn)劣化，使晶體管具有更長的壽命。
(d)在多晶半導(dǎo)體薄膜的形成中，由于以最有利于形成六角形的適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，因此在非晶半導(dǎo)體膜中陸續(xù)形成了六角籽晶，相鄰的六角晶粒彼此移動(dòng)并逐漸與相鄰的六角晶粒緊密接觸。接著，由于以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇能量密度Ec的激光能量密度反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，雜質(zhì)很少偏集于晶界，使晶粒的載流子濃度恒定。結(jié)果，晶體管的特性變得穩(wěn)定。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(3)，由于使用于控制液晶顯示面板上的每個(gè)像素的每個(gè)晶體管特性一致，可以得到高質(zhì)量的圖像。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)(4)，由于用形成在玻璃襯底表面上的薄膜晶體管形成了中央處理單元、cash電路、存儲(chǔ)電路、外圍電路、輸入/輸出電路和總線電路，能夠提供一種數(shù)據(jù)處理器，具有減小的厚度和更高的性能。
圖2是說明實(shí)施例1的制造多晶半導(dǎo)體薄膜的方法的截面示意圖。
圖3是實(shí)施例1的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底的透視圖。
圖4是實(shí)施例1的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底局部截面圖。
圖5是說明在實(shí)施例1的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底中的晶粒構(gòu)成的平面示意圖。
圖6說明了曲線圖組，顯示了對例如晶粒特性和在多晶半導(dǎo)體薄膜的制造中制造條件的差別進(jìn)行分析的結(jié)果。
圖7是顯示在多晶半導(dǎo)體薄膜的制造中，六角晶粒和激光束照射的循環(huán)次數(shù)之間相互關(guān)系的曲線圖，以及說明激光束照射的循環(huán)次數(shù)和多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的粗糙度之間相互關(guān)系的曲線圖。
圖8是說明隨著激光能量密度的不同而導(dǎo)致的晶粒的差別的示意圖。
圖9是說明通過反復(fù)施加激光束照射，晶粒的生長過程的示意圖。
圖10是說明根據(jù)實(shí)施例1制造的晶體管(薄膜晶體管)的截面示意圖。
圖11是說明根據(jù)實(shí)施例1的薄膜晶體管的制造方法的截面示意圖。
圖12是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例2)的制造多晶半導(dǎo)體薄膜的情況的截面示意圖。
圖13是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例3)的制造多晶半導(dǎo)體薄膜的情況的截面示意圖。
圖14是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例)的液晶顯示器的一部分的透視示意圖。
圖15是說明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例5)的數(shù)據(jù)處理器的一部分的透視示意圖。
圖16是圖15中用點(diǎn)劃線圍繞的部分的擴(kuò)大示意圖。
圖17是顯示現(xiàn)有的薄膜晶體管的制造方法的截面示意圖。
圖18是說明先有技術(shù)中激光能量密度和晶粒直徑之間的相互關(guān)系圖。
圖19是說明在現(xiàn)有的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底中，多晶半導(dǎo)體薄膜的晶粒構(gòu)成的示意圖。
圖2(a)-(d)說明了形成實(shí)施例1的多晶半導(dǎo)體薄膜的方法(工藝)。
首先如圖2a所示，在加熱板606(例如碳電阻加熱器)上放置絕緣襯底602(例如玻璃、熔凝石英、藍(lán)寶石、塑料和聚酰亞胺)。接著，通過在絕緣襯底602上的化學(xué)汽相淀積法或?yàn)R射淀積法，在絕緣襯底602上淀積非晶半導(dǎo)體膜601(例如Si、Ge和SiGe)。非晶半導(dǎo)體膜601的厚度最好為60nm或更薄。
然后，如圖2(b)所示，將加熱板606加熱到100℃或更高的預(yù)定溫度。在這種情況下，應(yīng)注意不要引起絕緣襯底602和非晶半導(dǎo)體膜601溫度的不均勻。
然后，通過第一激光照射(第一準(zhǔn)分子激光照射)604(例如KrF或XeCl)在箭頭603的方向上掃描非晶半導(dǎo)體膜601的表面。以在下面的描述中將要設(shè)定的適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec(360mJ/cm2)反復(fù)施加第一準(zhǔn)分子激光照射604多次。此外，在第一準(zhǔn)分子激光照射604之后，以比適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec(例如320mJ/cm2)低的激光能量密度施加第二激光照射(第二準(zhǔn)分子激光照射)605。例如第一準(zhǔn)分子激光照射604和第二準(zhǔn)分子激光照射605都循環(huán)施加30-60次。
現(xiàn)在，將說明由本發(fā)明人設(shè)定了適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec和通過激光束照射形成的多晶半導(dǎo)體薄膜。
圖6顯示了對例如晶粒的性能和在多晶半導(dǎo)體薄膜的制造中不同的制造條件進(jìn)行分析的結(jié)果曲線圖組，其中圖6(a)是顯示形狀(N)和晶粒數(shù)量密度之間相互關(guān)系的曲線圖，圖6(b)是顯示(N)和最大值的一半的全部寬度之間相互關(guān)系的曲線圖，圖6(c)是顯示激光能量密度和形成的形狀(N)之間相互關(guān)系的曲線圖。圖7是顯示在多晶半導(dǎo)體薄膜制造中，六角晶粒和激光照射循環(huán)數(shù)之間相互關(guān)系的曲線圖，以及激光照射循環(huán)數(shù)和多晶半導(dǎo)體薄膜表面上粗糙度之間相互關(guān)系的曲線圖。根據(jù)原有的多晶半導(dǎo)體薄膜制造方法即通過由激光加熱使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶的方法，晶粒的例子包含三角形、四角形、五角形、六角形、七角形和八角形，它們的分布如圖6(a)所示。在曲線圖中，取N為橫坐標(biāo)，數(shù)量密度為縱坐標(biāo)。
對于任意的晶粒來說，N是最接近的晶粒數(shù)量。當(dāng)檢查N的統(tǒng)計(jì)分布時(shí)，形成了圖6(a)所示的正態(tài)分布。正態(tài)分布的最大值的一半處的全部寬度對應(yīng)于多晶膜的均勻性。最大值的一半處的全部寬度越窄，制造的多晶膜越均勻。
圖6(b)顯示了最大值的一半處的全部寬度和N之間的關(guān)系。在N＝6處，最大值的一半處的全部寬度達(dá)到最小值。N＝6與晶粒(任意晶粒)的表面形狀為六角形等效。
圖6(c)說明了當(dāng)在100℃或更高的溫度激光加熱非晶半導(dǎo)體膜時(shí)，激光能量密度和N之間的關(guān)系。當(dāng)能量密度是Ec時(shí)，N為6。即，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當(dāng)激光能量密度是Ec時(shí)，晶粒趨向于形成六角晶粒。因此，將Ec定義為適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec。
圖7(a)說明了當(dāng)在Ec或更低的激光能量密度、100℃或更高的非晶半導(dǎo)體膜的溫度下施加激光束照射時(shí)，激光照射的最佳循環(huán)次數(shù)M是Mc。
圖7(b)說明了當(dāng)在Ec或更低的激光能量密度、100℃或更高的非晶半導(dǎo)體膜的溫度下施加激光照射(第二激光照射)時(shí)，激光束照射循環(huán)M和多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的粗糙度之間的關(guān)系。粗糙度定義為頂對底的最大長度。具體地說，在晶界的角處的頂對底的長度與此對應(yīng)。隨著M的增加，粗糙度減小到5nm或更低。此外，晶界中的化學(xué)鍵重新鍵合。
圖8(a)-(c)是說明在多晶半導(dǎo)體膜中由于激光束密度的不同而導(dǎo)致的晶粒形狀的不同的圖。該圖是基于顯微攝影而得到的。
圖8(a)說明了當(dāng)激光能量密度低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec時(shí)，多晶半導(dǎo)體膜中晶粒狀態(tài)。從圖中可以看出，在晶粒包含許多六角形的同時(shí)，也存在三角形、四角形或五角形。六角晶粒大約占30％-40％或更低。
圖8(b)是以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec反復(fù)施加激光束照射形成多晶半導(dǎo)體薄膜的例子。這是以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec施加第一激光照射多個(gè)循環(huán)、然后以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光能量密度反復(fù)施加第二激光照射的例子。例如，第一激光照射中的激光能量密度為360mJ/cm2(適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec)，第二激光照射的激光能量密度為320mJ/cm2。在此例中，可以通過增加反復(fù)照射的循環(huán)次數(shù)形成大約50％-100％的六角晶粒。此外，制造了直徑大約為0.2-0.3μm的均勻的六角晶粒。
例如，當(dāng)在包含多晶半導(dǎo)體薄膜中心的一面上取10μm大小的正方形評(píng)估區(qū)時(shí)，通過掃描電子顯微鏡觀察，確信在構(gòu)成多晶半導(dǎo)體薄膜的晶粒中，表面形狀的50％-100％是六角形。評(píng)估區(qū)的觀察結(jié)果反應(yīng)了多晶半導(dǎo)體薄膜整個(gè)表面的晶粒狀態(tài)。
在第一激光照射中，當(dāng)反復(fù)施加激光束照射一次或預(yù)定的循環(huán)次數(shù)時(shí)，作為晶粒陸續(xù)形成六角晶粒，接著它們?nèi)鐖D9(a)所示連續(xù)的旋轉(zhuǎn)或移動(dòng)，然后相鄰六角晶粒的各個(gè)側(cè)面如圖9(b)所示彼此會(huì)合。此外，根據(jù)激光束照射，雜質(zhì)很少偏集到晶粒的邊界處，每個(gè)晶粒的載流子濃度變得恒定。
如圖9(a)所示，即使在六角晶粒251之間形成了更小的晶粒1001，在反復(fù)施加的第一激光照射步驟合第二照射步驟中，晶粒1001在邊界處與的的晶粒251結(jié)合并被消除。
此外，在第二激光照射步驟中，可以以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec接連施加激光束照射。
圖8(c)是以高于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光能量密度施加激光束照射的例子，其中出現(xiàn)晶體的再熔，并且晶界被重新鍵合為島形的大的晶粒。
第一激光束照射之后，在多晶半導(dǎo)體薄膜640的表面上形成波浪形610以形成晶界611。晶界611包含懸掛鍵。此外，如圖2(b)-(d)所示，隨著激光束照射循環(huán)次數(shù)的增加，晶界逐漸變窄為611、621和631，并且使表面粗糙度也依次平整化為610、620和630。
通過如上所述的方法，可以制造如圖3所示的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260。圖4是顯示部分多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260的截面圖。
從圖中還可以看出，形成了具有平的表面的多晶半導(dǎo)體薄膜640。此外，多晶半導(dǎo)體薄膜640中的大部分晶粒也是如圖5所示的六角晶粒251。根據(jù)制造方法，六角晶粒251可以是50％-100％。
下面將參考圖1說明準(zhǔn)分子激光照射。準(zhǔn)分子激光裝置在下部具有UV燈加熱器106，在相應(yīng)的上部具有準(zhǔn)分子激光(準(zhǔn)分子激光發(fā)生器)101。通過控制器107控制UV燈加熱器106和準(zhǔn)分子激光101。
將在上表面具有非晶半導(dǎo)體膜(非晶硅膜)601的絕緣襯底(玻璃襯底)602設(shè)置在UV燈加熱器106上，并且通過UV燈加熱器106預(yù)加熱。此外，從準(zhǔn)分子激光101照射激光束(準(zhǔn)分子激光束)660。由于沒有示出的、用于支撐絕緣襯底602的工作臺(tái)相對于準(zhǔn)分子激光101移動(dòng)，準(zhǔn)分子激光束660可以照射非晶半導(dǎo)體膜601的整個(gè)區(qū)域，以將其形成為多晶半導(dǎo)體薄膜，所述非晶半導(dǎo)體膜601位于絕緣襯底602的上表面上。
在此實(shí)施例1中，分第一準(zhǔn)分子激光照射604和第二準(zhǔn)分子激光照射605兩個(gè)步驟施加激光束照射。在每個(gè)步驟中，反復(fù)施加激光束照射大約30-60個(gè)循環(huán)。此外，以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec在第一準(zhǔn)分子激光照射604中施加激光束照射，以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光能量密度在第二準(zhǔn)分子激光照射605中施加激光束照射。在第二準(zhǔn)分子激光照射605中，可以以恒定的激光能量密度施加激光束照射，或者在照射過程中逐漸降低激光能量密度施加激光束照射。
根據(jù)本實(shí)施例1的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底的制造方法，多晶半導(dǎo)體薄膜640的50％-100％的晶粒250包括六角晶粒251，并且粒徑是均勻的，為0.2-0.3μm，使得能夠提供一種多晶半導(dǎo)體薄膜襯底，該襯底具有改進(jìn)的載流子遷移率μ，并且在每個(gè)區(qū)中載流子遷移率μ變化很小。例如，可以將載流子遷移率μ增強(qiáng)到大約200-300cm2/V.S。
此外，由于在表面上的晶界中和多晶半導(dǎo)體薄膜內(nèi)部的電子軌道鍵合，能夠達(dá)到使載流子遷移率恒定并且提高各個(gè)晶體管可靠性的效果。
此外，當(dāng)形成了多晶半導(dǎo)體薄膜640時(shí)，由于激光束反復(fù)照射，因此減小了多晶半導(dǎo)體薄膜640表面上的粗糙度，可以提供平的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底。例如，可以將粗糙度限制為5nm或更小。
此外，當(dāng)形成了多晶半導(dǎo)體薄膜640時(shí)，為了形成六角形，最好以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec反復(fù)施加激光束照射多個(gè)循環(huán)，陸續(xù)在非晶半導(dǎo)體膜中形成六角籽晶，相鄰的六角晶粒彼此移動(dòng)并且陸續(xù)與相鄰的六角晶粒251緊密接觸。接著，由于以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光能量密度反復(fù)施加激光束照射多個(gè)循環(huán)，雜質(zhì)很少偏集到晶界處，使對于每個(gè)晶粒來說，載流子濃度都是恒定的。
在本實(shí)施例中，UV燈加熱和激光加熱時(shí)的氣氛可以是真空、惰性氣體(例如氬、氪或氦)或氮?dú)狻?br> 然后，將說明薄膜晶體管的制造方法。例如，如圖11(a)所示，提供在表面處具有多晶半導(dǎo)體薄膜(多晶硅膜)640的絕緣襯底(玻璃襯底)602。圖11的例子具有與圖3所示的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260不同的結(jié)構(gòu)，即其中在絕緣襯底602和多晶半導(dǎo)體薄膜640之間放置了作為緩沖層的氧化硅膜651。但另一方面可以省去緩沖層，下面將作為在具有緩存層的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260中制造薄膜晶體管的方法來闡明此實(shí)施例1。
如圖11(a)所示，有選擇地設(shè)置光致抗蝕劑膜670，用于形成晶體管的溝道區(qū)672，接著，將磷(P)注入多晶半導(dǎo)體薄膜640，并且進(jìn)行退火以形成n形雜質(zhì)區(qū)671。雜質(zhì)區(qū)671形成源區(qū)或漏區(qū)。如果需要，在形成多晶半導(dǎo)體薄膜的步驟中將預(yù)定雜質(zhì)摻雜到多晶半導(dǎo)體薄膜640中。
然后，如圖11(b)所示，進(jìn)行選擇蝕刻以便使在溝道區(qū)672兩側(cè)的雜質(zhì)區(qū)671延伸預(yù)定的長度。
然后，如圖11(b)所示，在絕緣襯底602上表面上的整個(gè)區(qū)域上形成氧化硅膜，以便形成柵絕緣膜673。
然后，如圖11(b)所示，在溝道區(qū)672的上方形成柵674。
可以選擇的是，形成源區(qū)和漏區(qū)的雜質(zhì)區(qū)671可以通過如下方式形成設(shè)置柵絕緣膜673，形成柵電極674，然后利用柵電極674作為掩模，在不進(jìn)行如上所述的雜質(zhì)擴(kuò)散的情況下，將磷注入到多晶半導(dǎo)體薄膜640中。
然后，在絕緣襯底602的上表面的整個(gè)區(qū)域上形成層間絕緣膜675之后，開接觸孔以便形成將與雜質(zhì)區(qū)671或未示出的柵布線電極連接的電極(源極、漏極)676。此外，盡管未示出，晶體管用鈍化膜覆蓋，并且除去部分鈍化膜以露出外電極。
雖然圖中僅示出了一個(gè)晶體管，但實(shí)際上形成了多個(gè)。
在根據(jù)此實(shí)施例1的晶體管中，由于多晶半導(dǎo)體薄膜640的50％-100％的晶粒包括六角晶粒251，粒徑是均勻的，為0.2-0.3μm。據(jù)此，當(dāng)形成了晶體管(TFT)時(shí)，對于每個(gè)晶體管來說，減小了硅的溝道區(qū)中的晶界，所述硅的溝道區(qū)位于柵極的下面，并且提高載流子的遷移率μ，降低了載流子的變化。例如可以將載流子遷移率μ增加到大約200-300cm2/V.s。
此外，在每個(gè)晶體管中，減小了存在于硅的溝道區(qū)中的晶界密度的變化，所述溝道區(qū)位于柵極的下面，并且對于每個(gè)晶體管來說，使閾電壓Vth一致?？梢詫㈤撾妷篤th的變化抑制到0.1V或更低。
此外，當(dāng)多晶半導(dǎo)體薄膜640形成時(shí)，由于反復(fù)照射激光束，減小了多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的粗糙度，降低了各個(gè)晶體管的性能的變化，并且很少出現(xiàn)劣化，使晶體管的壽命更長。
此外，當(dāng)形成多晶半導(dǎo)體薄膜時(shí)，由于為了形成六角形以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，因此陸續(xù)形成了六角籽晶，相鄰的六角晶粒彼此移動(dòng)并與陸續(xù)相鄰的六角晶粒緊密接觸。接著，以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光能量密度反復(fù)進(jìn)行激光束照射。據(jù)此，雜質(zhì)很少偏集于晶界中，使對于每個(gè)晶粒來說載流子濃度都是恒定的。結(jié)果，晶體管的特性變得穩(wěn)定。
此外，由于在晶體管溝道區(qū)中形成了均勻形狀和尺寸的晶粒，并且晶界的化學(xué)鍵重新鍵合以提供具有更小粗糙度的表面，因此，可以將半導(dǎo)體和柵絕緣膜之間的狀態(tài)的界面密度降低而降低閾電壓Vth。
在本實(shí)施例中，由于多晶半導(dǎo)體薄膜中的晶粒形成為均勻尺寸的六角晶粒，因此載流子遷移率高并且變化小，以及閾電壓Vth變化也很小。據(jù)此，當(dāng)制造多個(gè)晶體管時(shí)，對于每個(gè)晶體管來說，特性分散度減小，并且提高了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。結(jié)果，可以減少半導(dǎo)體器件的制造費(fèi)用。
如圖12所示，在實(shí)施例2的準(zhǔn)分子激光器中，在上表面上具有非晶半導(dǎo)體膜(非晶硅膜)的絕緣襯底602位于在下部的UV燈加熱器106和在上部的準(zhǔn)分子激光(準(zhǔn)分子激光發(fā)生器)101之間，通過控制器107控制UV燈加熱器106和準(zhǔn)分子激光101。通過UV燈加熱器106進(jìn)行預(yù)加熱，通過從準(zhǔn)分子激光101發(fā)射的激光束160使非晶半導(dǎo)體膜601形成為多晶半導(dǎo)體薄膜。
在實(shí)施例2中，利用控制器107控制UV燈加熱器106和準(zhǔn)分子激光101，同步化UV射線和準(zhǔn)分子激光照射的光發(fā)射間隔。在這種情況下，可以控制由于熱而導(dǎo)致的在絕緣襯底602和非晶半導(dǎo)體膜601之間產(chǎn)生的應(yīng)變。
將從準(zhǔn)分子激光101發(fā)射的激光束110照射到絕緣襯底602上表面上的非晶半導(dǎo)體膜601上，所述絕緣襯底602放置在樣品平臺(tái)122上。在此實(shí)施例3中，通過光學(xué)元件將從準(zhǔn)分子激光101發(fā)射的激光束110分為兩個(gè)光路，使得其中之一延遲到達(dá)激光束照射位置。
即，通過半透明反射鏡102將從準(zhǔn)分子激光101發(fā)射的激光束110分為兩個(gè)光路，其中之一經(jīng)過反射鏡103和反射鏡105到達(dá)激光束照射位置，而另一個(gè)光路在半透明反射鏡102處反射，然后直接到達(dá)激光束照射位置。
具有此構(gòu)造，經(jīng)過更短光路長度的激光束112可以預(yù)加熱非晶半導(dǎo)體膜601，并且與激光束111一起使非晶半導(dǎo)體膜601熔融，激光束111經(jīng)過了更長的光路長度，比激光束112延遲到達(dá)。
然后，作為第一激光照射步驟，以適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，接著，作為第二激光照射步驟，以低于適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光能量密度反復(fù)進(jìn)行激光束照射多個(gè)循環(huán)，從而能夠以與前面的實(shí)施例一樣的方式制造高質(zhì)量的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底。
圖14是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例(實(shí)施例4)說明液晶顯示器的一部分的透視示意圖。
在此實(shí)施例中將描述將半導(dǎo)體器件40引入圖像顯示裝置(電子裝置)的例子，用多個(gè)晶體管(薄膜晶體管)18形成的所述半導(dǎo)體器件40形成到多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260(在絕緣襯底602的上表面上形成的非晶半導(dǎo)體膜601)中。
圖14是分解態(tài)的透視圖，說明圖像顯示裝置的一部分。如圖14所示，其構(gòu)成是使液晶設(shè)置在半導(dǎo)體器件40上，在半導(dǎo)體器件40中，將晶體管組形成到多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260的上表面上，堆疊構(gòu)成像素23的顯示面板22并且玻璃密封。作為像素驅(qū)動(dòng)器的晶體管18與每個(gè)像素23對應(yīng)，晶體管18的源極和像素23的像素電極通過堆疊彼此連接。
將外圍驅(qū)動(dòng)電路19例如地址解碼器、數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換電路和控制器設(shè)置到排列像素23的區(qū)域的外圍。參考標(biāo)號(hào)10和21顯示了晶體管形成區(qū)。
在上述電子裝置中，由于在與像素23對應(yīng)的每個(gè)晶體管18的溝道區(qū)中，晶粒的尺寸是均勻的，載流子遷移率是恒定的，并且閾電壓Vth也是如實(shí)施例1所描述的是恒定的，因此高性能圖像顯示是可能的，并且可以提高大面積圖像顯示中的可靠性。
在此實(shí)施例5中，將要使用的晶粒形成在絕緣襯底602即玻璃襯底的表面上，以便通過與實(shí)施例1一樣的方法形成多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260。
數(shù)據(jù)處理器30包括形成在多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260表面上的每個(gè)電路。即，如圖15所示，未示出的晶體管18和無源元件形成在多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260的表面上。此外，每個(gè)電路用未示出的布線連接，并且具有這樣的結(jié)構(gòu)其中將外端子設(shè)置在多晶半導(dǎo)體薄膜襯底260的表面上，或?qū)⑦B接器附加到其邊緣上。
此外，用鈍化膜覆蓋和保護(hù)多晶半導(dǎo)體薄膜襯底表面上的每個(gè)電路部分和布線。參考標(biāo)號(hào)10代表晶體管膜區(qū)。
例如，數(shù)據(jù)處理器30包括中央處理單元24、存儲(chǔ)電路26、輸入/輸出控制器28和利用數(shù)據(jù)總線電路29分別與中央處理單元24連接的外圍電路27以及用中央處理單元24連接的cash電路25。
在數(shù)據(jù)處理器30中，將每個(gè)晶體管形成到多晶半導(dǎo)體薄膜中。由于將每個(gè)晶體管形成為在溝道區(qū)中具有均勻的晶粒尺寸和均勻晶界的多晶半導(dǎo)體薄膜，因此載流子遷移率μ是高的，并且變化小，而且閾電壓Vth的變化也很小。
因此，電場效應(yīng)遷移率比形成在現(xiàn)有多晶半導(dǎo)體薄膜中的更高，還可以降低數(shù)據(jù)處理器30的制造費(fèi)用。
已經(jīng)參考最佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了具體說明，但很顯然本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，可以在不離開其要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改。
此外，在上面的說明中，盡管已經(jīng)描述了將本發(fā)明應(yīng)用于作為本發(fā)明背景的領(lǐng)域中的圖像顯示器和數(shù)據(jù)處理器的情況，但并不限于此，還可以用于其它的電子器件。
至少這些發(fā)明可用于利用多晶半導(dǎo)體薄膜制造的電子器件。
通過本申請所公開的發(fā)明中的一些典型發(fā)明可以簡單說明如下。
(1)在多晶半導(dǎo)體薄膜襯底中，多晶半導(dǎo)體薄膜的晶?？梢孕纬蔀榫鶆虺叽绲牧蔷Я?，六角晶粒的比例達(dá)到50-100％。
(2)在多晶半導(dǎo)體薄膜襯底中，能夠提供一種其中尺寸和載流子濃度均勻和表面平整的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底。
(3)可以提供一種具有薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件，薄膜晶體管具有良好的特性，并且特性的變化很小。
(4)可以提供一種具有薄膜晶體管的半導(dǎo)體器件，薄膜晶體管具有高的載流子遷移率，并且特性的變化很小。
(5)可以提高半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率，減少半導(dǎo)體器件的制造費(fèi)用。
(6)可以提供電子裝置，例如液晶顯示器和很好地高速運(yùn)行的數(shù)據(jù)處理單元。
權(quán)利要求
1.一種多晶半導(dǎo)體薄膜襯底，包括絕緣襯底和形成在絕緣襯底表面上的多晶半導(dǎo)體薄膜，其特征在于，其中在形成多晶半導(dǎo)體薄膜的多個(gè)晶粒中，具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒數(shù)是最多的。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
3.一種半導(dǎo)體器件，包括形成在多晶半導(dǎo)體薄膜中的多個(gè)晶體管，其特征在于，在形成多晶半導(dǎo)體薄膜的多個(gè)晶粒中，具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒數(shù)是最多的。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
5.一種半導(dǎo)體器件，包括形成在多晶半導(dǎo)體薄膜中的多個(gè)晶體管，其特征在于，存在一個(gè)邊長為10μm并且其中50-100％的晶粒具有數(shù)字6的最接近晶粒的正方形區(qū)，以便包含多晶半導(dǎo)體薄膜中多晶半導(dǎo)體薄膜的中心。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
7.一種電子裝置，包括其中在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成了多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體器件，其特征在于，多個(gè)晶體管的閾電壓的變化為0.1V或更小。
8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，在形成多晶半導(dǎo)體薄膜的多個(gè)晶粒中，具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒數(shù)是最多的。
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
10.一種電子裝置，包括其中在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成了多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體器件，其特征在于，存在一個(gè)邊長為10μm并且其中50-100％的晶粒具有數(shù)字6的最接近晶粒的正方形區(qū)，以便包含多晶半導(dǎo)體薄膜中多晶半導(dǎo)體薄膜的中心。
11.如權(quán)利要求10所述的電子裝置，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
12.如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，該電子裝置是液晶顯示器，半導(dǎo)體器件具有用于控制液晶顯示面板的每個(gè)像素的晶體管和構(gòu)成外圍驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管，將半導(dǎo)體器件疊加并附著到液晶顯示器的液晶顯示面板上。
13.如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述電子器件是數(shù)據(jù)處理器，用半導(dǎo)體器件的每個(gè)晶體管形成了中央處理單元、cash電路、存儲(chǔ)電路、外圍電路、輸入/輸出電路和總線電路。
14.一種多晶半導(dǎo)體薄膜襯底的制造方法，通過在絕緣襯底的表面上形成非晶半導(dǎo)體薄膜，然后用激光束照射非晶半導(dǎo)體膜，從而使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶，形成多晶半導(dǎo)體薄膜，其特征在于，該方法包括利用UV射線照射絕緣襯底的背面或照射非晶半導(dǎo)體膜，從而將非晶半導(dǎo)體膜加熱到熔融溫度或更低的溫度，用適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec的激光束反復(fù)照射非晶半導(dǎo)體膜的表面，以形成最多數(shù)目的具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒，同步化激光束照射周期和UV射線加熱周期，利用光學(xué)元件將激光束分為兩個(gè)光路，使其中之一的光路長度更長，使其延遲到達(dá)激光束照射位置，從而形成多晶半導(dǎo)體薄膜。
15.如權(quán)利要求14所述的多晶半導(dǎo)體薄膜襯底的制造方法，其特征在于，分為兩個(gè)光路的激光束之一經(jīng)過更短的光波長通路，并且經(jīng)過光學(xué)衰減器衰減，使其到達(dá)激光束照射位置，從而形成多晶半導(dǎo)體薄膜。
16.一種電子器件，其中在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成了晶體管，其特征在于，在形成晶體管的溝道區(qū)的多個(gè)晶粒中，具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒數(shù)最多。
17.一種半導(dǎo)體器件，其中在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成了多個(gè)晶體管，其特征在于，存在一個(gè)邊長為10μm并且其中50-100％的晶粒具有數(shù)字6的最接近晶粒的正方形區(qū)，以便包含多晶半導(dǎo)體薄膜中多晶半導(dǎo)體薄膜的中心。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
19.一種電子裝置，具有在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成的多個(gè)晶體管，其特征在于，在形成多晶半導(dǎo)體薄膜的多個(gè)晶粒中，具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒數(shù)最多。
20.如權(quán)利要求19所述的電子裝置，其特征在于，多晶半導(dǎo)體薄膜表面上的晶界的粗糙度是5nm或更小。
全文摘要
一種通過在絕緣襯底的表面上形成非晶半導(dǎo)體膜、然后用激光束照射非晶半導(dǎo)體使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶、從而形成多晶半導(dǎo)體薄膜、然后在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成晶體管的制造半導(dǎo)體器件的方法,其特征在于,將UV射線照射到絕緣襯底的背面和非晶半導(dǎo)體膜以將非晶半導(dǎo)體膜加熱到熔融溫度或更低的溫度,以形成大多數(shù)具有數(shù)字6的最接近晶粒的晶粒的適當(dāng)?shù)男螤钸x擇激光能量密度Ec照射非晶半導(dǎo)體的表面,將其轉(zhuǎn)化為多晶半導(dǎo)體薄膜,然后在多晶半導(dǎo)體薄膜中形成晶體管?？梢灾圃炷芨咚龠\(yùn)行的高生產(chǎn)率的薄膜晶體管。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1365513SQ00810925
公開日2002年8月21日 申請日期2000年6月23日 優(yōu)先權(quán)日1999年6月28日
發(fā)明者木村嘉伸, 賀茂尚廣, 金子好之 申請人:株式會(huì)社日立制作所