專利名稱：半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件，尤其是涉及一種加強(qiáng)散熱功能的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
對半導(dǎo)體封裝技術(shù)而言，如何妥善地解決晶片散熱問題是一件非常重要的課題。不良散熱機(jī)構(gòu)的封裝件不僅可能造成晶片的誤動(dòng)作，降低產(chǎn)品的可靠度(reliability)，還可能增加許多制作成本。


圖1是習(xí)知的一內(nèi)藏式置入型散熱片(Drop-in Heat Sink；DHS)的封裝件，揭示于美國專利號(hào)5,225,710的專利說明書中。該封裝件包含一晶片(die)12，該晶片12以一晶片粘著劑(die attachadhesive)15，例如銀膠(silver paste)，固著于一晶片座(die pad)14的第一面141；多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13以多數(shù)個(gè)打線(bonding wire)17，例如金線，電氣連接至該晶片12的一主動(dòng)面(active surface)121上；該晶片座14和該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13均為一導(dǎo)線架(laeadframe)的一部分；一散熱片(heatsind)16位于下模19的內(nèi)部，其與該晶片座的第二面142接觸，且在該下模19的底面上設(shè)有多數(shù)個(gè)接觸點(diǎn)161及162；一封裝膠體(encapsulant)11，于上模18與下模19合模后被注入，以充填該封裝件的模穴。該習(xí)知技術(shù)的封裝件的技術(shù)特征是該晶片12所產(chǎn)生的熱量可經(jīng)由該晶片座14，再經(jīng)由貼合至該晶片座14的該散熱片16而散逸于大氣，圖2是習(xí)知的一外露式置入型散熱片(Exposed Drop-in HeatSink；EDHS)的封裝件，揭示于美國專利號(hào)5,381,042的專利說明書中。和圖1的內(nèi)藏式置入型散熱片封裝件不同的是該外露式置入型散熱片的封裝件是使用一底面平坦的散熱片21直接外露于該半導(dǎo)體封裝件的底面，取代前述的以多數(shù)個(gè)接觸點(diǎn)161及162接觸該半導(dǎo)體封裝件底面的散熱片16。該外露式置入型散熱片21，因熱量在散逸時(shí)的空氣接觸面積較該內(nèi)藏式置入型散熱片16大，因此散熱效果也相對較佳。
但無論是內(nèi)藏式置入型散熱片或外露式置入型散熱片的封裝件均有如下的缺點(diǎn)1.在制造過程中必須先將該散熱片置入下模19內(nèi)后，再將該晶片座14對準(zhǔn)(align)于該散熱片上，等于增加了一道制作的步驟，因此增加了整個(gè)生產(chǎn)過程的循環(huán)周期(cycle time)，且降低了單位時(shí)間的生產(chǎn)量(throughput)。
2.該內(nèi)藏式置入型散熱片16或該外露式置入型散熱片21被該封裝膠體11包覆，因兩者具有不同的材質(zhì)，亦即具有不同的熱膨脹系數(shù)(Coefficient Thermal Expansion；CTE)。在熱脹冷縮后在兩者的接觸面會(huì)產(chǎn)生一熱應(yīng)力(thermal stress)效應(yīng)，而導(dǎo)致該封裝膠體11與該散熱片16或21有脫層(delamination)的現(xiàn)象發(fā)生。且因該封裝膠體11，因上模18與下模19的膠量不相等，在冷卻后的收縮力量不同，因此導(dǎo)致整個(gè)封裝件有變形(warpage)的現(xiàn)象發(fā)生。外界的水氣將由該脫層或變形后的縫隙滲入，而影響該半導(dǎo)體封裝件在日后使用上的可靠度。
3.此外，在注入該封裝膠體11時(shí)，該散熱片21是由該導(dǎo)線架的四個(gè)位于對角線的支撐條(tie bar)所固定(圖未示出)。該四個(gè)支撐條的夾持力未必足夠壓迫且固定該散熱片21，因此在完成注膠的過程后，在該封裝件的底面會(huì)殘留溢膠(falsh-over)，而需進(jìn)行一清除溢膠(defalsh)的動(dòng)作。因此需另增加一道制作的步驟，使制造成本增加。
4.上述兩種習(xí)知技術(shù)的散熱路徑均由該晶片12，經(jīng)由該晶片座14，再經(jīng)由該散熱片16或21，最后由大氣而散逸出去。由于散熱路徑有限，例如不能利用該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的散熱路徑，因此影響了散熱的效率。
5.對于一些薄形產(chǎn)品，例如半導(dǎo)體封裝件的厚度P在1.0mm以下(即該封裝件的下模被限定于0.45mm)的消費(fèi)性集成電路，因其厚度太小而無法置入該散熱片16或21于該封裝件的內(nèi)部。
本發(fā)明的第一目的是提供一種加強(qiáng)散熱功能的、在注膠前不需置入一散熱片的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
本發(fā)明的第二目的是提供一種不因該封裝膠體和該散熱片具有不同的熱膨脹系數(shù)而導(dǎo)致脫層現(xiàn)象的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
本發(fā)明的第三目的是提供一種在制作上不需另進(jìn)行一清除溢膠動(dòng)作的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
本發(fā)明的第四目的是提供一種可利用多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳作為散熱路徑的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
本發(fā)明的第五目的是提供一種可通用于薄型產(chǎn)品，例如TQFP或TSOP的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包含一晶片，具有一主動(dòng)面；一導(dǎo)線架，包含一晶片座，具有第一面及第二面，該第一面固著該晶片，及多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳，是經(jīng)由多數(shù)個(gè)打線電氣連接至該晶片的主動(dòng)面；一用于密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體；以及一散熱片，以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該散熱片的材料是銅、銅合金、鋁及鋁合金中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該粘著劑的材料是環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂及硅膠中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架的型式為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架的型式為晶片向下型式時(shí)，該散熱片的上方還包含一功率散熱片。
本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體封裝件制造方法，包含以下步驟(a)將晶片固著于導(dǎo)線架的晶片座的第一面，且以多數(shù)個(gè)打線電氣連接該晶片的主動(dòng)面及導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳；(b)僅對于包含該晶片及導(dǎo)線架的上模注入封裝膠體；(c)將散熱片通過導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分；以及(d)對該導(dǎo)線架進(jìn)行成型和切單的動(dòng)作。
所述的半導(dǎo)體封裝件制造方法，其特征在于在步驟(d)中，該導(dǎo)線架是成型為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
本發(fā)明又提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包含一晶片，具有一主動(dòng)面及一第二面；一導(dǎo)線架，包含一開孔洞型的晶片座，具有第一面及第二面，該第一面固著該晶片；及多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳，經(jīng)由多數(shù)個(gè)打線電氣連接至該晶片的主動(dòng)面；一用于密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體；以及一散熱片，為一T型機(jī)構(gòu)，且以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片的第二面、該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該散熱片的材料是銅、銅合金、鋁及鋁合金中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該粘著劑的材料是環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂及硅膠中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于在成型后的該導(dǎo)線架為一晶片向下型式時(shí)，該散熱片的上方還包含一功率散熱片。
本發(fā)明另提供了一種半導(dǎo)體封裝件制造方法，包含如下步驟(a)將晶片固著于導(dǎo)線架的晶片座的第一面，且以多數(shù)個(gè)打線電氣連接于該晶片的主動(dòng)面及該導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳；(b)僅對于包含該晶片及該導(dǎo)線架的上模注入封裝膠體；(c)將散熱片通過該導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片的第二面、該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分；以及(d)對該導(dǎo)線架進(jìn)行成型和切單的動(dòng)作。
所述的半導(dǎo)體封裝件制造方法，其特征在于在步驟(d)中，該導(dǎo)線架是成型為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
本發(fā)明另提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包含一晶片，具有一主動(dòng)面；一導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳用于固著該晶片且經(jīng)由多數(shù)個(gè)打線電氣連接至該晶片的主動(dòng)面；一用于密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體；以及一散熱片，以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該散熱片的材料是銅、銅合金、鋁及鋁合金中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該粘著劑的材料是環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂及硅膠中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于在成型后的該導(dǎo)線架為一晶片向下型式時(shí)，該散熱片的上方還包含一功率散熱片。
本發(fā)明另提供了一種半導(dǎo)體封裝件制造方法，包含如下步驟
(a)將晶片固著于導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳，且以多數(shù)個(gè)打線電氣連接于該晶片的主動(dòng)面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳；(b)僅對于包含該晶片及該導(dǎo)線架的上模注入封裝膠體；(c)將散熱片通過導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分；以及(d)對該導(dǎo)線架進(jìn)行成型和切單的動(dòng)作。
采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，該半導(dǎo)體封裝件僅注入封裝膠體于包含一晶片及一導(dǎo)線架的上模部分，且利用一厚度可隨需求而選取的散熱片以一導(dǎo)熱但不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片座及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分。由于該散熱片的厚度可隨需求而調(diào)整，而且不受限于習(xí)知技術(shù)的下模厚度的規(guī)格，因此非常適合于薄形產(chǎn)品的制作。該散熱片的寬度可涵蓋該晶片座及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分，因此該晶片所產(chǎn)生的熱量除了可由該散熱片排放至大氣外，還可通過傳導(dǎo)的方式將熱量經(jīng)由該導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳所連接的印刷電路板排出。本發(fā)明的加強(qiáng)散熱功能的半導(dǎo)體封裝件在制作的過程中不需在該晶片座及該散熱片間作精確的對準(zhǔn)動(dòng)作，也不需通過該導(dǎo)線架的支撐條壓擠該散熱片，因此整個(gè)制作的循環(huán)周期可以縮短，而產(chǎn)品的單位時(shí)間生產(chǎn)量也可以提高。此外，本發(fā)明的散熱片并非包含于下模之內(nèi)，而僅是通過一粘著劑和該晶片座及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分貼合，因此使該散熱片及該封裝膠體或?qū)Ь€架的熱膨脹系數(shù)不相等，也不會(huì)在熱脹冷縮后造成封裝膠體的龜裂或脫層而影響該封裝件的可靠度。最后，既使因上模在注膠過程所產(chǎn)生的溢膠現(xiàn)象，在和該散熱片貼合后將被掩蓋，但也不影響功能亦不妨礙美觀，還可避免習(xí)知技術(shù)需另進(jìn)行一清除溢膠的步驟。
下面，結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
圖1是習(xí)知的一內(nèi)藏式置入型散熱片的半導(dǎo)體封裝件示意圖。
圖2是習(xí)知的一外露式置入型散熱片的半導(dǎo)體封裝件示意圖。
圖3A至3D是本發(fā)明的制作各流程示意圖。
圖4是本發(fā)明的一晶片向下的半導(dǎo)體封裝件的實(shí)施例示意圖。
圖5是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的一實(shí)施例示意圖。
圖6是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的另一實(shí)施例示意圖。
圖3A至3D是本發(fā)明的制作流程示意圖。如圖3A所示，本發(fā)明首先是將一晶片12粘合至該晶片座14的第一面141，且進(jìn)行該晶片12的主動(dòng)面121和該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13的打線(wire bonding)。之后，僅進(jìn)行該上模18的注膠動(dòng)作。
如圖3B所示，在進(jìn)行完該上模18的注膠動(dòng)作后，將一散熱片31通過一粘著劑32貼合于該晶片座的第二面142及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分。該散熱片31的厚度可依據(jù)所需的薄形產(chǎn)品的厚度限制而選擇適合的規(guī)格，因此可避免習(xí)知技術(shù)因下模的厚度限制而無法通用于薄形產(chǎn)品的缺點(diǎn)。該粘著劑32需選擇可導(dǎo)熱但不導(dǎo)電的材料，例如習(xí)知的環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂或硅膠等均可適用，本發(fā)明對此并未有任何限制。若使用習(xí)知的B階環(huán)氧樹脂作為粘著劑，在約50℃時(shí)是處于半干的狀態(tài)，但在經(jīng)加壓加熱后可改變其內(nèi)部鍵結(jié)，從而穩(wěn)固地粘合該晶片座、該封裝膠體及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分于該散熱片31。該散熱片31的材料可選擇習(xí)知的鋁、鋁合全、銅或銅合金，本發(fā)明對此并未有任何限制。
如圖3C所示，在經(jīng)粘合該散熱片31于該上模18后，再經(jīng)由一成型(forming)的步驟彎折該多數(shù)個(gè)導(dǎo)線13向該散熱片31的方向，及經(jīng)由一切單(singulation)的步驟而切割該導(dǎo)線架的四個(gè)支撐條(圖未示出)。
圖3C的結(jié)構(gòu)是在進(jìn)行成型的步驟時(shí)將該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳折向該散熱片31的方向，可稱為一晶片向上(cavity-up)的型式。而圖3D的結(jié)構(gòu)是在成型的步驟時(shí)將該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳彎折向該上模18的方向，可稱為一晶片向下(cavity-down)的型式。
圖4是本發(fā)明的一晶片向下的封裝件的實(shí)施例。在圖4的結(jié)構(gòu)中另于該散熱片31的上方加入一功率散熱片41，利用對流(convection)及輻射(radiation)的方式將該晶片12所產(chǎn)生的熱量排放至大氣中。
圖5是本發(fā)明中封裝件的一實(shí)施例。和前述的實(shí)施例不同的是該晶片座14為一開孔洞型，亦即該晶片座14可分為左右兩側(cè)的分部，而留下一中空的空間。該設(shè)計(jì)的好處是能夠減少該晶片12及該晶片座14的脫層現(xiàn)象的幾率。該散熱片31可采用一下型機(jī)構(gòu)，在進(jìn)行完該上模的注膠動(dòng)作后，以該粘著劑32貼合于該晶片的第二面122、該晶片座14及該導(dǎo)腳13，且將該導(dǎo)線架經(jīng)由一成型及切單的步驟而完成。
圖6是本發(fā)明中封裝件的另一實(shí)施例。和前述的實(shí)施例不同的是該封裝件沒有晶片座，該晶片12是以該晶片粘著劑15設(shè)于該導(dǎo)腳13之上。該設(shè)計(jì)可通用于多種大小不同的晶片尺寸的導(dǎo)線架。如同圖3B至圖3C的步驟，在進(jìn)行完該上模的注膠動(dòng)作后，則將該散熱片31通過該粘著劑32貼合于該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13的部分，且將該導(dǎo)線架經(jīng)由一成型及切單的步驟而完成。
本發(fā)明的散熱片31并非位于封裝膠體之內(nèi)，因此即使該散熱片31和該封裝膠體具有不相等的熱膨脹系數(shù)，因彼此間的粘著劑為彈性緩沖式(Buffering)的介層，因此不會(huì)有脫層的問題，也不會(huì)因熱應(yīng)力的作用而導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)構(gòu)龜裂，所以能確保本發(fā)明的封裝件的可靠度。此外，本發(fā)明僅進(jìn)行該上模18的注膠，并不及于下模，因此下模沒有溢膠的問題，故不象習(xí)知技術(shù)一樣需增加一清除溢膠的步驟。該上模18的底面雖然可能有溢膠的問題，但在和該散熱片31經(jīng)由該粘著劑32貼合后將被隱藏，因此不影響本發(fā)明的封裝件的外觀和功能。此外，因該晶片12及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13是以一具導(dǎo)熱功能的粘著劑32貼合于該散熱片31上，該晶片31的散熱路徑除了習(xí)知的散熱路徑，即熱量由該晶片12、該晶片座14及該散熱片31而散逸至大氣的路徑外，還可由該晶片12經(jīng)由該晶片座14、該散熱片31及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13的路徑，以傳導(dǎo)的方式由連接該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳13的一印刷電路板(圖未示出)排出。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)并未限制于任何一種封裝型式，但以通用于QFP及TSOP的封裝型式的效果最佳。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件，包含一晶片，具有一主動(dòng)面；一導(dǎo)線架，包含一晶片座，具有第一面及第二面，該第一面固著該晶片，及多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳，是經(jīng)由多數(shù)個(gè)打線電氣連接至該晶片的主動(dòng)面；一用于密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體；以及一散熱片，以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該散熱片的材料是銅、銅合金、鋁及鋁合金中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該粘著劑的材料是環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂及硅膠中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架的型式為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架的型式為晶片向下型式時(shí)，該散熱片的上方還包含一功率散熱片。
6.一種半導(dǎo)體封裝件制造方法，包含以下步驟(a)將晶片固著于導(dǎo)線架的晶片座的第一面，且以多數(shù)個(gè)打線電氣連接該晶片的主動(dòng)面及導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳；(b)僅對于包含該晶片及導(dǎo)線架的上模注入封裝膠體；(c)將散熱片通過導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分；以及(d)對該導(dǎo)線架進(jìn)行成型和切單的動(dòng)作。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件制造方法，其特征在于在步驟(d)中，該導(dǎo)線架是成型為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
8.一種半導(dǎo)體封裝件，包含一晶片，具有一主動(dòng)面及一第二面；一導(dǎo)線架，包含一開孔洞型的晶片座，具有第一面及第二面，該第一面固著該晶片；及多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳，經(jīng)由多數(shù)個(gè)打線電氣連接至該晶片的主動(dòng)面；一用于密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體；以及一散熱片，為一T型機(jī)構(gòu)，且以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片的第二面、該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該散熱片的材料是銅、銅合金、鋁及鋁合金中之一。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該粘著劑的材料是環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂及硅膠中之一。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于在成型后的該導(dǎo)線架為一晶片向下型式時(shí)，該散熱片的上方還包含一功率散熱片。
13.一種半導(dǎo)體封裝件制造方法，包含如下步驟(a)將晶片固著于導(dǎo)線架的晶片座的第一面，且以多數(shù)個(gè)打線電氣連接于該晶片的主動(dòng)面及該導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳；(b)僅對于包含該晶片及該導(dǎo)線架的上模注入封裝膠體；(c)將散熱片通過該導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片的第二面、該晶片座的第二面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分；以及(d)對該導(dǎo)線架進(jìn)行成型和切單的動(dòng)作。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件制造方法，其特征在于在步驟(d)中，該導(dǎo)線架是成型為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
15.一種半導(dǎo)體封裝件，包含一晶片，具有一主動(dòng)面；一導(dǎo)線架，包含多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳用于固著該晶片且經(jīng)由多數(shù)個(gè)打線電氣連接至該晶片的主動(dòng)面；一用于密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體；以及一散熱片，以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該散熱片的材料是銅、銅合金、鋁及鋁合金中之一。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于該粘著劑的材料是環(huán)氧樹脂、B階環(huán)氧樹脂及硅膠中之一。
18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于成型后的該導(dǎo)線架為晶片向上型式及晶片向下型式中之一。
19.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于在成型后的該導(dǎo)線架為一晶片向下型式時(shí)，該散熱片的上方還包含一功率散熱片。
20.一種半導(dǎo)體封裝件制造方法，包含如下步驟(a)將晶片固著于導(dǎo)線架的多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳，且以多數(shù)個(gè)打線電氣連接于該晶片的主動(dòng)面及該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳；(b)僅對于包含該晶片及該導(dǎo)線架的上模注入封裝膠體；(c)將散熱片通過導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳的部分；以及(d)對該導(dǎo)線架進(jìn)行成型和切單的動(dòng)作。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法,該半導(dǎo)體封裝件包含:一具有一主動(dòng)面的晶片;一導(dǎo)線架,包含:一晶片座,具有第一面及第二面,該第一面固著該晶片,及多數(shù)個(gè)導(dǎo)腳,是經(jīng)由打線電連接至該主動(dòng)面;一以密封該晶片及該導(dǎo)線架的封裝膠體;以及一散熱片,以一導(dǎo)熱不導(dǎo)電的粘著劑貼合于該晶片座的第二面及該導(dǎo)腳。本實(shí)用新型適合于薄形產(chǎn)品的制作,該晶片所產(chǎn)生的熱量可由該散熱片排放于大氣外,也可通過該導(dǎo)腳并經(jīng)由所連接的印刷電路板排出。
文檔編號(hào)H01L23/495GK1355564SQ0013254
公開日2002年6月26日 申請日期2000年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月24日
發(fā)明者黃建屏 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司