專利名稱：有機電致發(fā)光顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種具有一個基于其中使用一種單晶半導(dǎo)體作有源層的絕緣柵場效應(yīng)晶體管的電路的半導(dǎo)體器件以及一種制作該半導(dǎo)體器件的方法。更特別地，本發(fā)明很好地適用于以一種其中同一襯底上覆蓋有一個像素單元以及部署在該像素單元周圍的驅(qū)動器電路的有機電致發(fā)光顯示器件為代表的電光器件，以及其中安裝了該電光器件的電子裝置。附帶地，在本說明書中，術(shù)語“半導(dǎo)體器件”用來表示利用半導(dǎo)體特性來工作的普通器件，它應(yīng)該覆蓋包括這種電光器件在內(nèi)的電光器件和電子設(shè)備。
在以液晶顯示器件，有機EL(電致發(fā)光)顯示器件等為代表的平板顯示器件(平面顯示)領(lǐng)域中，采用形成于單晶半導(dǎo)體襯底上的絕緣柵場效應(yīng)晶體管(以下“場效應(yīng)晶體管”簡稱為“FET”)制作有源矩陣型顯示器件的技術(shù)是已知的。與通過在玻璃襯底或石英襯底上形成薄膜晶體管(以下簡稱“TFT”)來制作有源矩陣型顯示器件的情況不同，該技術(shù)具有可利用大規(guī)模集成電路(LSI)領(lǐng)域中發(fā)展的技術(shù)以及可將在高速下可用低電壓驅(qū)動的高性能FET高密度地集成和形成于硅襯底上的優(yōu)點。不過另一方面，也已考慮了該技術(shù)的缺點由于襯底對可見光不透明，因此顯示器件局限于一種反射型或自發(fā)發(fā)光型，或者單晶半導(dǎo)體襯底只能局限于可從市場上得到的尺寸。
在顯示器件領(lǐng)域的趨向更高圖像質(zhì)量和完全數(shù)字化的技術(shù)趨勢中，不可避免地會凸現(xiàn)有源矩陣型顯示器件所需性能的增強。有源矩陣型顯示器件的結(jié)構(gòu)為數(shù)目為幾十到幾百萬的晶體管(如TFT或FET)排列在一個用于顯示一幅圖像的像素單元內(nèi)，而且像素電極分別與晶體管相連接。在運行中，圖像的顯示方法為加在每個像素上的電壓由對應(yīng)的晶體管的開關(guān)功能控制，從而使一些EL元件發(fā)光。在有機EL顯示器件中，當(dāng)部署在每個像素中的開關(guān)晶體管接通時，根據(jù)圖像數(shù)據(jù)產(chǎn)生的信號引起的電流流經(jīng)電流控制晶體管，從而使EL元件自發(fā)發(fā)光。
不過，作為有機EL顯示器件的基本部分的有機EL層是極易氧化的，在有少量氧存在的情況下，它易于退化。另外，它具有低的熱導(dǎo)，成為引入電阻從而導(dǎo)致發(fā)熱的起因，而且這也是促進(jìn)氧化的一個因素。易于氧化是有機EL元件短壽命的原因，并且成為將這種元件投入實際應(yīng)用的一個嚴(yán)重障礙。
本發(fā)明的目的是克服上述問題，并提供一種具有高的可靠性的有機EL顯示器件。
本發(fā)明的另一個目的是通過采用這樣一種有機EL顯示器件作為顯示單元來提供一種其顯示單元高度可靠的電子器件。
本發(fā)明完成這些目的的設(shè)計在于一種有源矩陣型有機EL顯示器件，其中形成于單晶半導(dǎo)體襯底上的絕緣柵場效應(yīng)晶體管用一個有機EL層覆蓋；其特征在于單晶半導(dǎo)體襯底夾持在由一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板以及用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料確定的空余空間內(nèi)；而且該空余空間內(nèi)填充有不活潑氣體和干燥劑。
而且，本發(fā)明的設(shè)計在于一種有源矩陣型有機EL顯示器件，其具有一個像素單元，其中形成于單晶半導(dǎo)體襯底上的絕緣柵場效應(yīng)晶體管用一個有機EL層覆蓋；其特征在于單晶半導(dǎo)體襯底夾持在由一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板以及用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料確定的空余空間內(nèi)；而且蓋板在其位于像素單元之上的區(qū)域內(nèi)形成為一個透明部分；而且所述的空余空間內(nèi)填充有不活潑氣體和干燥劑。
采用單晶硅襯底作單晶半導(dǎo)體襯底是有利的。另外，空余空間內(nèi)最好填充一種從由氦氣，氬氣，氪氣，氙氣和氮氣構(gòu)成的組內(nèi)選擇的不活潑氣體，以及一種從由氧化鋇和硅膠構(gòu)成的組內(nèi)選擇的干燥劑。


圖1是一個有源矩陣型有機EL顯示器件的剖視圖。
圖2(A)和2(B)分別是有機EL顯示器件中像素單元的頂部平面結(jié)構(gòu)和電路裝置圖。
圖3是有源矩陣型有機EL顯示器件的頂部平面圖。
圖4是有機EL顯示器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖5是一種其中安裝了有機EL顯示器件的墨鏡式顯示器件的結(jié)構(gòu)透視圖。
圖6(A)和6(B)是其中安裝了有機EL顯示器件的墨鏡式顯示器件的剖視圖。
首先，結(jié)合圖1描述一種依據(jù)本發(fā)明的有機EL顯示器件。依據(jù)本發(fā)明的該有機EL顯示器件具有這樣一種結(jié)構(gòu)使用形成于單晶半導(dǎo)體襯底(例如，單晶硅襯底)上的絕緣柵型的場效應(yīng)晶體管(FET)部署像素單元和像素單元周圍的驅(qū)動電路。
襯底101是用具有相當(dāng)高的電阻的單晶硅(例如，大約10Ωcm的N型單晶硅)制成的，P型阱102和N型阱103-105自對準(zhǔn)地形成于其中。相鄰FET由場氧化物膜106隔離。在形成場氧化物膜106時，采用離子注入在襯底101的選擇部分引入硼(B)便可形成溝道截斷環(huán)。
柵極絕緣膜110，116，122和128用熱氧化形成。柵111，117，123和129由利用CVD沉積的厚度為100～300nm的多晶硅膜形成的多晶硅層111a，117a，123a和129a構(gòu)成，其上分別形成厚度為50～300nm的硅化物層111b，117b，123b和129b。多晶硅層可事先用磷(P)摻雜到大約1021／cm3的濃度以降低其電阻，或者在形成多晶硅膜后擴散一種高濃度的N型雜質(zhì)。可用作硅化物層的材料可以是硅化鉬(MoSix)，硅化鎢(WSix)，硅化鉭(TaSix)，硅化鈦(TiSix)等中的任何一種，可以使用已知方法很好地形成硅化物層。
P溝道FET201的輕摻雜漏(LDD)區(qū)107是用硼(B)作為一種提供P型導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素以劑量1×1013-1×1014／cm2摻雜的。另一方面，N溝道FET202的LDD區(qū)113以及由N溝道FET構(gòu)成的開關(guān)FET203和電流控制FET204的LDD區(qū)119和125是用磷(P)或砷(As)作為提供N型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素?fù)诫s的，劑量類似于P型的劑量。這些LDD區(qū)是采用對應(yīng)的柵極作掩膜，使用離子注入或離子摻雜分別自對準(zhǔn)形成的。
側(cè)壁間隔層112，118，124和130的形成方法為在形成LDD區(qū)之后，利用CVD在整個襯底表面上形成一層絕緣膜，如氧化硅膜或氮化硅膜，然后用各向異性干法腐蝕在整個區(qū)域內(nèi)均勻地腐蝕絕緣膜，便可留下位于對應(yīng)柵極側(cè)壁上的絕緣膜。每個FET的源區(qū)和漏區(qū)是采用對應(yīng)的側(cè)壁間隔層作掩膜形成的。更明確地，P溝道FET201的源區(qū)108和漏區(qū)109是用離子注入劑量為5×1014-1×1016／cm2的硼(B)形成的。N溝道FET202以及由這些N溝道FET構(gòu)成的開關(guān)FET203和電流控制FET204是用離子注入劑量為5×1014-1×1016／cm2的砷(As)分別由源區(qū)114，120和126以及漏區(qū)115，121和127形成的。
第一個層間絕緣膜131最好是采用等離子體CVD或低壓CVD準(zhǔn)備的，厚度為100-2000nm，由氧化硅膜或氧化的氮化硅膜或其它類似的膜形成。更進(jìn)一步，第一個層間絕緣膜131被由磷硅玻璃(PSG)，硼硅玻璃(BSG)或磷硼硅玻璃(PBSG)構(gòu)成的第二個層間絕緣膜132覆蓋。第二個層間絕緣膜132是用旋涂或常壓CVD準(zhǔn)備的。準(zhǔn)備好的膜通過700-900℃的熱活化處理而引起回流，熱處理是在準(zhǔn)備工作完成后進(jìn)行的，并且也起熱處理的作用，從而平化了第二個層間絕緣膜132。
在第一個層間絕緣膜131和平化膜132中形成達(dá)到對應(yīng)的FET的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔之后，分別形成源極引線133，135，137和139以及漏極引線134，136，138和140。引線可采用常常用作低電阻材料的鋁(Al)。作為一種替代方法，每個引線可采用包括一個鋁(Al)層和一個鈦(Ti)層的多層結(jié)構(gòu)。
鈍化膜141是用等離子體CVD形成的氮化硅膜，氧化硅膜或硝化的氧化硅膜。更進(jìn)一步，第三個層間絕緣膜142是用厚度為1μm-2μm的有機樹脂材料形成的。有機樹脂材料可選用聚酰胺樹脂，聚酰亞胺樹脂，丙烯酸類樹脂，苯并環(huán)丁烯(BCB)等中的任何一種。使用有機樹脂材料的優(yōu)點是膜的形成方法簡單，由于有低的相對介電常數(shù)，因此可以降低寄生電容，以及材料適于平化等等。當(dāng)然，也可采用除上述材料之外的其他任何有機樹脂膜。這里采用的是聚酰胺樹脂，它首先涂在襯底上，然后經(jīng)過熱聚合處理，并且在干凈的爐子中在300℃下烘烤。
像素電極143與電流控制FET204的漏極引線相連接。像素電極143是用以鋁(Al)為代表的低電阻材料形成的。用已知的膜形成方法，如真空沉積或濺射，可以容易地形成Al膜。為了改善對比度，像素電極143的表面可以被粗糙成漫反射面。
在形成像素電極143之后，在所有的像素電極的上面形成包括一種具有低的功函數(shù)的金屬的陰極層144。由于陰極層144薄得只有大約幾個nm，因此尚不清楚它是形成了一個真正的層還是以島的形式分散存在的，所以，它的輪廓用短劃線標(biāo)記。
可用作包括具有低的功函數(shù)的金屬的陰極層144的材料是氟化鋰(LiF)，氧化鋰(LiO2)，氟化鋇(BaF2)，氧化鋇(BaO)，氟化鈣(CaF2)，氧化鈣(CaO)，氧化鍶(SrO)或氧化銫(SeO)。由于材料是絕緣的，因此即使在陰極層144是起連接作用的層的情況下，也不會引起像素電極之間的短路。當(dāng)然，該陰極層可以為一個使用具有導(dǎo)電性的已知材料制作的陰極層，如MgAg電極。不過，需要使陰極選擇地形成或進(jìn)行構(gòu)圖，以防止像素電極之間短路。
在包括具有低的功函數(shù)的金屬的陰極層144上形成有機EL(電致發(fā)光)層145。盡管有機EL層145可采用已知材料或結(jié)構(gòu)，但在本發(fā)明中使用了一種可以發(fā)白光的材料。從結(jié)構(gòu)上看，有機EL層145可以只是提供復(fù)合場所的發(fā)光層。如有必要，也允許在它上面堆積一個電子注入層，一個電子輸運層，一個空穴輸運層，一個電子阻隔層，一個空穴阻隔層或一個空穴注入層。在這個說明中，所有在其中注入載流子，輸運載流子或發(fā)生載流子復(fù)合的層都應(yīng)廣義地稱為“有機EL層”。
另外，有機EL層145使用的有機EL材料是基于一種聚合物的一種高分子材料。例如，形成有機EL層145方法可以是將PVK(聚乙烯咔唑)，Bu-PBD(2-(4’-叔丁基苯基)-5-(4”-二苯基)-1，3，4-惡二唑)，香豆素6，DCM1(4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-對-二甲基苯乙烯基-4H-吡喃)，TPB(四苯基丁二烯)和尼羅紅(Nile red)溶解在1，2-二氯甲烷或氯仿中，然后用旋涂方法涂敷得到的溶液。覆蓋有該溶液的襯底以大約500-1000rpm的旋轉(zhuǎn)頻率旋轉(zhuǎn)20-60秒，便會在襯底上形成一層均勻的涂層膜。
當(dāng)然，涂層膜是在至少三次，最好5次或更多次提純(典型地，用滲析方法)有機EL材料后形成的，以便將這種材料中鈉的含量降低到0．1ppm或更低(最好0．01ppm或更低)，而且其體電阻變?yōu)?×1011-1×1012Ωcm(最好1×1012-1×1013Ωcm)。
按照這種方法形成的有機EL層145被作為陽極層146的一層透明導(dǎo)電膜覆蓋。透明導(dǎo)電膜可使用一種由氧化銦和氧化錫產(chǎn)生的化合物(稱為“ITO”)，一種由氧化銦和氧化鋅產(chǎn)生的化合物，氧化錫(SnO2)，氧化鋅(ZnO)或其他類似物質(zhì)。
另外，用一層作為鈍化膜147的絕緣膜覆蓋陽極層146。鈍化膜147最好是一層氮化硅膜或一層硝化的氧化硅膜(用“SiOxNy”表示)。
到本說明中此處完成的襯底結(jié)構(gòu)應(yīng)稱作“有源矩陣襯底”。這意味著，“有源矩陣襯底”是由FET，與FET電連接的像素電極和包括作為陰極(由陰極層，有機EL層和陽極構(gòu)成的電容器)的像素電極的有機EL元件構(gòu)成的襯底。
圖2(A)是有源矩陣襯底的像素單元的頂部平面圖，而圖2(B)是該像素單元的電路裝置連線圖。精確地，像素單元(圖像顯示單元)的結(jié)構(gòu)使得多個像素單元排列為矩陣的形狀。順便說一句，圖2(A)中沿A-A’的剖視圖與如圖1所示的像素單元的剖視圖對應(yīng)。相應(yīng)地，圖1和圖2(A)中標(biāo)記的是共同的參考數(shù)字，兩幅圖指的都是同一種情況。另外，在圖2(A)的頂部平面圖中顯示有兩個像素，它們具有同樣的結(jié)構(gòu)。正如圖2(B)所示，有機EL元件205中每個像素部署有兩個FET。兩個FET都是N溝道類型，而且它們分別用作開關(guān)FET203和電流控制FET204。
按照以上方法，在單晶硅襯底上可形成多個驅(qū)動電路和多個像素單元，其中每個驅(qū)動電路都基于一個配備有P溝道FET201和N溝道FET202的CMOS電路，每個像素單元都包括由N溝道FET形成的開關(guān)FET203和電流控制FET204。基于CMOS電路的驅(qū)動電路可形成，舉例來說，移位寄存器電路，緩沖電路，取樣電路，DA轉(zhuǎn)換器以及鎖存電路。由于這種電路是由絕緣柵FET構(gòu)成的，而其中絕緣柵FET的有源層又是由單晶硅構(gòu)成的，因此它們能夠高速運行，并且通過將它們的驅(qū)動電壓設(shè)置為3-5V便可達(dá)到較低的能耗。另外，在這個具體實施例中解釋的FET的結(jié)構(gòu)僅僅是個例子，不需要將FET限制于如圖1所示的結(jié)構(gòu)。
圖3是一個有源矩陣襯底的頂部平面圖。參看該圖，有源矩陣襯底包括襯底1000，像素單元1001，數(shù)據(jù)線側(cè)驅(qū)動電路1003和掃描線側(cè)驅(qū)動電路1002。每個驅(qū)動電路的輸入端是部署在靠近襯底1000邊緣的用于引線鍵合的焊盤1006，而且它們通過引線1004-1005與驅(qū)動電路相連接。尺寸為0．5英寸級到2．5英寸級的像素單元是很適合于制作的。
用有機EL層形成的有源矩陣襯底密封在一個外殼中，以便將之與外部震動以及諸如灰塵和潮濕等外部環(huán)境隔絕。外殼的形狀和示意圖示范在圖4中。用一種絕緣材料，如陶瓷，形成基板401，其上使用低熔點玻璃或金屬化的層402固定了用有機EL層形成的有源矩陣襯底。有源矩陣襯底413通過引線框404與一個外部電路相連接，而引線框404通過用于引線焊接的焊接點410并用金(Au)引線片412與有源矩陣襯底413相連接。
用陶瓷蓋板405密封有源矩陣襯底413。粘合劑層404將陶瓷蓋板405與基板粘合在一起。粘合劑層404可使用微晶玻璃粘合劑，基于氧化鉍的玻璃，基于氧化鉛的玻璃或其他類似物質(zhì)。將用透明石英板，透明玻璃板或其他類似物質(zhì)制作的窗口構(gòu)件406安裝并用粘合劑407固定在由陶瓷或類似于基板401的其他絕緣材料形成的蓋板405位于有源矩陣襯底413的像素單元之上的區(qū)域中。按照這種方法，可以將用有機EL層形成的有源矩陣襯底413圍住，并形成空余空間414。更進(jìn)一步，希望空余空間414填充有一種不活潑氣體(如氬氣，氦氣，氪氣，氙氣或氮氣)，或者其中放置一種干燥劑(如氧化鋇)。按照這種方法可以抑制由于潮濕等原因引起的EL元件的退化。
盡管在圖中沒有顯示出來，但在有機EL層上部署與由有源矩陣襯底的有機EL層形成的分立像素對應(yīng)的顏色濾波器或黑色矩陣層(光截斷層)就能構(gòu)成一臺彩色顯示裝置。作為一種替代方法，顏色濾波器也可以部署在圖4中所示的窗口406上。
在如圖4所示的上述情況下，引線框403與可將圖像信號等輸入其中以便在像素單元上顯示一幅圖像的外設(shè)的終端相連接。在本說明中，一個可利用在外部電路中附屬一個引線框的方法便能夠顯示一幅圖像的物品，定義為一個“有機EL顯示器件”。
現(xiàn)在描述一個實用具體實施例，在該具體實施例中，在一個墨鏡式顯示器件中應(yīng)用了有源矩陣型的有機EL顯示器件。圖5顯示的是這個具體實施例中的墨鏡式顯示器件的示意圖。墨鏡式顯示器件主體安裝有由有機EL顯示器件3602R，3602L，電路板3603R，3603L和鏡子3601R和3601L構(gòu)成的兩個，左和右顯示單元。
圖6(A)顯示的是圖5中標(biāo)記的A部分的剖視圖，而圖6(B)顯示的是圖6(A)中標(biāo)記的B部分的放大視圖。正如圖6(A)和圖6(B)所示，在這個具體實施例中的墨鏡式顯示器件3600中，安裝在鏡子3601R上的有機EL顯示器件3602R通過引線框3606R與裝備有一個信號控制電路等的電路板3603R相連接。從有機EL顯示器件3602R中發(fā)出的光經(jīng)過圖6(A)中的箭頭標(biāo)記的光路到達(dá)用戶的眼球3604R，用戶從而可以看到圖像。
由于是自發(fā)發(fā)光，因此有機EL顯示器件具有寬的視角。當(dāng)應(yīng)用于墨鏡式顯示器件時，既使該顯示器件與觀察者眼睛的相對位置發(fā)生了變化，也不會破壞有機EL顯示。
本發(fā)明帶來了下述效應(yīng)用絕緣柵場效應(yīng)管和一個EL層形成的單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個用一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板以及一種用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料確定的空余空間中，空余空間中充有一種惰性氣體和一種干燥劑，從而防止EL層的氧化以便提供一種具有高的可靠性的有機EL顯示器件。
權(quán)利要求
1．一種有源矩陣型有機EL顯示器件，包括一個位于在單晶半導(dǎo)體襯底上的絕緣柵場效應(yīng)晶體管；一個位于上述絕緣柵場效應(yīng)晶體管之上的有機EL層；用一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板；一種用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料，其中單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個由基板和蓋板以及封裝材料確定的空余空間中，和其中該空余空間中充有一種不活潑氣體和一種干燥劑。
2．權(quán)利要求1所述的器件，其中上述有機EL顯示器件用于一種墨鏡式顯示器件的顯示部分。
3．一種有源矩陣型有機EL顯示器件，包括一個位于在單晶半導(dǎo)體襯底上的一個像素部分中的絕緣柵場效應(yīng)晶體管；一個位于上述絕緣柵場效應(yīng)晶體管之上的有機EL層；用一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板；一種用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料，其中單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個由基板和蓋板以及封裝材料確定的空余空間中，其中蓋板包括一種位于蓋板與像素部分重疊的區(qū)域中的透明材料，和其中該空余空間中充有一種不活潑氣體和一種干燥劑。
4．權(quán)利要求3所述的器件，其中上述有機EL顯示器件用于一種墨鏡式顯示器件的顯示部分。
5．一種有源矩陣型有機EL顯示器件，包括一個位于在單晶半導(dǎo)體襯底上的一個像素部分中的絕緣柵場效應(yīng)晶體管；一個位于上述絕緣柵場效應(yīng)晶體管之上的有機EL層；用一種陶瓷材料形成的一個基板和一個蓋板；一種用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料，其中單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個由基板和蓋板以及封裝材料確定的空余空間中，其中蓋板包括一種位于蓋板中與像素部分重疊的區(qū)域中的透明材料，和其中空余空間內(nèi)填充有一種從由氦氣，氬氣，氪氣，氙氣和氮氣構(gòu)成的組內(nèi)選擇的一種不活潑氣體，并放置有一種從由氧化鋇和硅膠構(gòu)成的組內(nèi)選擇的干燥劑。
6．權(quán)利要求5所述的器件，其中上述有機EL顯示器件用于一種墨鏡式顯示器件的顯示部分。
7．一種有源矩陣型有機EL顯示器件，包括一個位于在單晶半導(dǎo)體襯底上的絕緣柵場效應(yīng)晶體管；一個位于上述絕緣柵場效應(yīng)晶體管之上的有機EL層；用一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板；一個用于將基板和蓋板粘合在一起的粘合劑層；其中單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個由基板和蓋板以及粘合劑層確定的空余空間中，而且其中該空余空間中充有一種不活潑氣體和一種干燥劑。
8．權(quán)利要求7所述的器件，其中上述有機EL顯示器件用于一種墨鏡式顯示器件的顯示部分。
9．一種有源矩陣型有機EL顯示器件，包括一個位于在單晶半導(dǎo)體襯底上的一個像素部分中的絕緣柵場效應(yīng)晶體管；一個位于上述絕緣柵場效應(yīng)晶體管之上的有機EL層；用一種絕緣材料形成的一個基板和一個蓋板；一個用于將基板和蓋板粘合在一起的粘合劑層；其中單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個由基板和蓋板以及粘合劑層確定的空余空間中，而且其中蓋板包括一種位于蓋板與像素部分重疊的區(qū)域中的透明材料，和其中該空余空間中充有一種不活潑氣體和一種干燥劑。
10．權(quán)利要求9所述的器件，其中上述有機EL顯示器件用于一種墨鏡式顯示器件的顯示部分。
11．一種有源矩陣型有機EL顯示器件，包括一個位于在單晶半導(dǎo)體襯底上的一個像素部分中的絕緣柵場效應(yīng)晶體管；一個位于上述絕緣柵場效應(yīng)晶體管之上的有機EL層；用一種陶瓷材料形成的一個基板和一個蓋板；一個用于將基板和蓋板粘合在一起的粘合劑層；其中單晶半導(dǎo)體襯底夾持在一個由基板和蓋板以及粘合劑層確定的空余空間中，而且其中蓋板包括一種位于蓋板與像素部分重疊的區(qū)域中的透明材料，和其中空余空間內(nèi)填充有一種從由氦氣，氬氣，氪氣，氙氣和氮氣構(gòu)成的組內(nèi)選擇的不活潑氣體，并放置有一種從由氧化鋇和硅膠構(gòu)成的組內(nèi)選擇的干燥劑。
12．權(quán)利要求11所述的器件，其中上述有機EL顯示器件用于一種墨鏡式顯示器件的顯示部分。
全文摘要
一種有源矩陣型有機EL顯示器件,其中形成于單晶半導(dǎo)體襯底上的絕緣柵場效應(yīng)晶體管被一個有機EL層覆蓋;其特征在于單晶半導(dǎo)體襯底(圖4中的413)夾持在一個由用一種絕緣材料形成的一個基板(401)和一個蓋板(405)以及一種用于將基板和蓋板粘合在一起的封裝材料(404)確定的空余空間(414)中,而且該空余空間(414)中充有一種不活潑氣體和一種干燥劑,從而防止有機EL層的氧化。
文檔編號H01L51/52GK1290966SQ0012908
公開日2001年4月11日 申請日期2000年9月29日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月30日
發(fā)明者山崎舜平, 荒井康行 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所