專利名稱：制冷晶體的封裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶體的封裝方法，尤指一種特殊銻鉍IC致冷晶體的封裝方法。
現(xiàn)知的特殊銻鉍IC其有兩端極性溫差的特性，因此常應用于太空科技上(如太空梭的隔熱晶片)，但隨著其技術轉移于一般工業(yè)產(chǎn)品上，要如何達到現(xiàn)今產(chǎn)品自動化大量生產(chǎn)的需求，是目前產(chǎn)業(yè)上面臨的重要課題。
特殊銻鉍IC制成致冷晶體的封裝方法，以目前技術層面而言，采用人工封裝方法雖可達成，但其制造成本高、浪費人力，生產(chǎn)品質不易控制造成合格率偏低，無法大量生產(chǎn)等缺弊。
本發(fā)明的主要目的在于提供一種制程時間短，可大量生產(chǎn)、品質合格率高的致冷晶體封裝方法。
本發(fā)明的上述目的是由如下技術方案來實現(xiàn)的。
一種致冷晶體的封裝方法，是包括下列步驟(1)由陶瓷與樹脂材料合制形成上、下基板；(2)該上、下基板予以網(wǎng)版印刷制成多個等距分布的導電膠；(3)以金屬導片排置于預設排置盤中導引貼附定位于該導電膠上，且金屬導片上并施以涂布一層助焊劑；(4)分別取不同極性的銻鉍晶粒排置于預設排置盤中導引排置接著定位于下基板上貼附的金屬導片兩端，以形成各相鄰的金屬導片上接著的銻鉍晶粒呈現(xiàn)不同極性對應排置(5)下基板上排置定位的銻鉍晶粒實施探針極性測試，以辨識及篩選正確銻鉍晶粒排置位置；(6)取上基板對合下基板壓制成共結的致冷晶體；(7)共結的致冷晶體予以烘乾處理制成成品。
藉此上述步驟程序，使上基板及下基板間以形成多個銻鉍晶粒正、負極交錯排置串聯(lián)橋接導通的致冷晶體。
本發(fā)明的優(yōu)點在于本發(fā)明所提供的晶粒組配方法，以網(wǎng)版印刷能一次完成導電膠多工作業(yè)，及以預設排置盤引導金屬導片快速定位，能有效縮短制程時間，且銻鉍晶粒預設排置盤快速引導排置上板及有效辨識及篩選正確銻鉍晶粒排置位置的方式，亦可避免人工誤辨視的錯誤，杜絕后制程無法返工的問題，大幅提升封裝合格率，具有降低制造成本的功效。
茲就本發(fā)明的致冷晶體的封裝方法，結合附圖及實施例詳加說明如下


圖1所示為本發(fā)明致冷晶體的封裝方法流程圖。
圖2所示為本發(fā)明致冷晶體的上基板及下基板展開示意圖。
圖3所示為本發(fā)明致冷晶體的部份組件分解示意圖。
圖4所示為本發(fā)明致冷晶體的部份組件剖面示意圖。
圖5所示為本發(fā)明致冷晶體成品狀態(tài)的立體示意圖。
本發(fā)明封裝方法的步驟(1)由陶瓷與樹脂材料合制形成上、下基板；(2)該上、下基板予以網(wǎng)版印刷制成多個等距分布的導電膠；(3)以金屬導片排置于預設排置盤中導引貼附定位于該導電膠上，且金屬導片上并施以涂布一層助焊劑；(4)分別取不同極性的銻鉍晶粒排置于預設排置盤中導引排置接著定位于下基板上貼附的金屬導片兩端，以形成各相鄰的金屬導片上接著的銻鉍晶粒也呈不同極性對應排置(5)下基板上排置定位的銻鉍晶粒實施探針極性測試，以辨識及篩選正確銻鉍晶粒極性排置位置；(6)取上基板對合下基板壓制成共結的致冷晶體；(7)共結的致冷晶體予以烘乾處理制成成品。
如圖1所示是本發(fā)明致冷晶體的封裝方法流程圖。
于步驟701中，是以由陶瓷與樹脂材料合制成上基板2及下基板3。
于步驟702中，是以上基板2及下基板3內(nèi)面予網(wǎng)版印刷形成多個等距預設位置分布的導電膠5，由圖2及圖3所示得知，該上基板2上導電膠5位置與下基板3上導電膠5位置是呈橋接交錯對應分布。
于步驟703中，是將金屬導片4利用振動自動進料裝置導進暫存排置盤中，以令排置盤中金屬導片4得快速排置對應安置于上基板2及下基板3的導電膠5位置上貼附定位，同時將上基板2及下基板3上粘固的每片金屬導片4表面涂布一層助焊劑6。
于步驟704中，是將不同極性的正、負極銻鉍晶粒1、1’分別利用振動自動進料裝置導進暫存排置盤中，使該排置盤中存放不同極性的正、負極銻鉍晶粒1、1’得快速分別排置接著定位于下基板3貼附金屬導片4兩端上，形成各相鄰的金屬導片4上接著的正、負極銻鉍晶粒1、1’呈現(xiàn)不同極性對應排置(如圖2所示)。
于步驟705中，是下基板3上排置定位的正、負極銻鉍晶粒1、1’利用裸露的端面進行探針測試極性作業(yè)，以辨識及篩選正確銻鉍晶粒極性排置位置，若測試不同于預設位置極性的正、負極銻鉍晶粒1、1’，測試裝置便會將其移至另外的排置盤上暫存，再吸附正確極性的正、負極銻鉍晶粒1、1’予以補正，以完成正確正、負極交錯排序銻鉍晶粒的排置。
于步驟706中，是取上基板2對合下基板1壓著，并藉金屬導片4表面涂布助焊劑6介質，使正、負極銻鉍晶粒1、1’得與上基板2對合下基板1相互粘著定位壓制成共結的致冷晶體。
于步驟707中，是共結的致冷晶體置于烤箱予以烘乾處理，以制成上基板2及下基板3間能穩(wěn)固接著形成多個正、負極銻鉍晶粒1、1’等間距交錯排置串聯(lián)橋接導通的致冷晶體成品(如圖3至圖5所示)。
由上述得知，本發(fā)明在制程上能將金屬導片的定位，以最快速、簡單的組配接著方式，一次作業(yè)即可完成多工作業(yè)定位，有效縮短制程時間，而銻鉍晶粒組配定位方式，亦采取自動化測試組配作業(yè)，可避免人工誤辨視的錯誤，杜絕后制程無法返工的問題，不會有因單一晶粒組配錯誤而影響整體組成晶體功能失效，浪費其他晶粒的成本缺弊，故本發(fā)明方法不僅可大幅提升封裝合格率及生產(chǎn)效率，且具有降低制造成本的產(chǎn)業(yè)利用價值。
權利要求
1.一種致冷晶體的封裝方法，是包括下列步驟(1)由陶瓷與樹脂材料合制形成上、下基板；(2)該上、下基板予以網(wǎng)版印刷制成多個等距分布的導電膠；(3)以金屬導片排置于預設排置盤中導引貼附定位于該導電膠上，且金屬導片上并施以涂布一層助焊劑；(4)分別取不同極性的銻鉍晶粒排置于預設排置盤中導引排置接著定位于下基板上貼附的金屬導片兩端，以形成各相鄰的金屬導片上接著的銻鉍晶粒呈現(xiàn)不同極性對應排置；(5)下基板上排置定位的銻鉍晶粒實施探針極性測試，以辨識及篩選正確銻鉍晶粒排置位置；(6)取上基板對合下基板壓制成共結的致冷晶體；(7)共結的致冷晶體予以烘乾處理制成成品；藉此上述步驟程序，使上基板及下基板間以形成多個銻鉍晶粒正、負極交錯排置串聯(lián)橋接導通的致冷晶體。
全文摘要
一種致冷晶體的封裝方法,步驟是:由陶瓷與樹脂材料合制形成上、下基板;該上、下基板予網(wǎng)版印刷多個導電膠;該導電膠上排置貼附定位金屬導片,金屬導片上涂布一層助焊劑;下基板上貼附金屬導片兩端取不同極性的銻鉍晶粒排置接著定位,用探針極性測試;上基板對合下基板壓制成致冷晶體;烘干處理制成成品;在晶粒組裝上能一次完成多工作業(yè),有效縮短制程時間,避免人工排置晶粒的誤辨組配,大幅提升封裝合格率,達快速大量生產(chǎn)。
文檔編號H01L35/12GK1337748SQ0012152
公開日2002年2月27日 申請日期2000年8月9日 優(yōu)先權日2000年8月9日
發(fā)明者陳聰智 申請人:陳聰智