專利名稱：減少存儲節(jié)點和晶體管之間相互影響的存儲單元布局的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體布局，特別涉及在半導體存儲單元中減少存儲節(jié)點和晶體管之間相互影響的布局。
如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)等的半導體存儲器通常包括帶存儲節(jié)點的存儲單元。通常這些存儲節(jié)點形成在腐蝕到半導體存儲芯片的襯底內(nèi)的深溝槽中?？梢允褂迷L問晶體管訪問存儲節(jié)點，訪問晶體管可以根據(jù)需要的操作是讀還是寫功能使電荷存儲在存儲節(jié)點或從存儲節(jié)點中取回電荷。
在埋置條型溝槽電容器，向外擴散接近字線的摻雜劑會在訪問晶體管的溝道產(chǎn)生如短溝道效應(yīng)等的問題。
參考

圖1，顯示的布局為常規(guī)的深溝槽電容器。深溝槽電容器10設(shè)置在通行(passing)字線12下面。訪問晶體管14通過可以是訪問晶體管14的源或漏的擴散區(qū)18電連接到溝槽電容器10的存儲節(jié)點16。也包括電連接到接觸22的擴散區(qū)域20。接觸22通過訪問晶體管14連接到位線(未示出)讀取和寫入到存儲節(jié)點16。訪問晶體管14通過字線12激活。當電壓施加到字線12時，字線12下面的溝道導通，使電流在擴散區(qū)域18和20之間流動，并流入或流出存儲節(jié)點16。
字線12優(yōu)選以最小的可能距離d間隔開以節(jié)約布局面積。最小的可能距離通常為通過該技術(shù)可獲取的最小特征尺寸F。
現(xiàn)在參考圖2，該圖示出了圖1布局的截面圖。圖2的元件與圖1中的標識相同。存儲節(jié)點16通過介質(zhì)軸環(huán)26與摻雜的阱24隔離。淺溝槽隔離28提供在存儲節(jié)點16上，以與形成在存儲節(jié)點16上的通行字線12電隔離。訪問晶體管14的擴散區(qū)18通過到達埋置的條32的節(jié)點擴散區(qū)域30連接到存儲節(jié)點16。節(jié)點擴散區(qū)30和埋置條32通常通過向外擴散的摻雜劑連接，摻雜劑混合在兩者之間產(chǎn)生導電區(qū)域(節(jié)點區(qū)域30)。
在常規(guī)的布局中，字線12和埋置條32之間的距離通常為1F。但是，如果考慮重疊公差，由埋置條32向外擴散的摻雜劑會向外擴散遠到足以影響柵極36(字線12)下面的溝道34，在訪問晶體管14中產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。在典型的布局中，重疊公差為F/2，即，最差的情況中距離為F/2。溝道34的長度為擴散區(qū)域18和20以及向外擴散的埋置條32的函數(shù)。此外，它是字線12和深溝槽10之間重疊公差的函數(shù)。如果摻雜劑由埋置條32向外擴散的長度大于F/2，那么溝道34的長度小于1F。然而，埋置條32的向外擴散通常必須足夠遠(約F/2)，以在擴散區(qū)18和埋置條32之間形成連接。
如圖2中的虛線所示，顯示了溝槽10’和字線12之間的未對準的最差情況。此外，由埋置條32’的向外擴散使溝道34的溝道長度減少，由此在訪問晶體管14中產(chǎn)生短溝道效應(yīng)。
因此，需要一種能減少埋置條和訪問晶體管的溝道之間相互影響的半導體存儲器的布局。
根據(jù)本發(fā)明的存儲單元包括在襯底中形成的溝槽，以及在襯底中柵極下面形成并延伸到溝槽的有源區(qū)域。有源區(qū)域包括用于形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域，晶體管由柵極激活。柵極定義了第一軸，其中部分有源區(qū)域由那里橫向延伸，該部分有源區(qū)域延伸到溝槽。溝槽具有最接近上述部分有源區(qū)域的側(cè)面，溝槽的上述側(cè)面相對于柵極有角度地設(shè)置，由此柵極和溝槽側(cè)面之間的距離大于最小特征尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的存儲芯片布局包括在襯底內(nèi)形成的溝槽，以及在襯底內(nèi)形成的有源區(qū)域。有源區(qū)域包括用于形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域。多個字線相互基本上平行地設(shè)置，字線具有一寬度，并以基本上相同的距離相互間隔開。每個晶體管包括由字線形成的柵極，字線定義了第一軸，其中每個有源區(qū)域的第一部分由字線下面橫向地延伸到相鄰字線下面設(shè)置的溝槽。溝槽具有最接近有源區(qū)域的第一部分的側(cè)面，溝槽的最接近側(cè)面相對于字線有角度地設(shè)置，由此字線和設(shè)置在相鄰字線下面溝槽的最接近第一部分的側(cè)面之間的距離大于字線之間基本上相等的距離。
另一存儲器芯片的布局包括溝槽和在襯底內(nèi)形成的有源區(qū)域，有源區(qū)域包括形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域。多個字線相互基本上平行地設(shè)置，字線具有一寬度，并以基本上相同的距離相互間隔開。每個晶體管包括由字線形成的柵極，字線定義了第一軸，其中每個有源區(qū)域的第一部分由字線下面橫向地延伸到相鄰字線下面設(shè)置的溝槽。溝槽具有最接近有源區(qū)域的第一部分的側(cè)面，溝槽的最接近側(cè)面相對于字線有角度地設(shè)置，由此字線和設(shè)置在相鄰字線下面溝槽的最接近第一部分的側(cè)面之間的距離大于字線之間基本上相等的距離。有源區(qū)域定義了第二軸，第二軸與字線形成有一角度，并在兩個相鄰的字線下面延伸，在有源區(qū)域的端部連接到溝槽。設(shè)置在兩個相鄰字線下面的溝槽具有至少一個與基本上平行于第二軸的方向?qū)实膫?cè)面。
在另一實施例中，有源區(qū)域與第一軸形成有一角度，由此設(shè)置在柵極下面的訪問晶體管的溝道長度大于柵極或字線的寬度。溝槽有包括矩形、梯形、平行四邊形和/或彎曲的矩形中的一種形狀。有源區(qū)域的一部分(或第一部分)包括一個彎曲以進一步延伸柵極和溝槽的側(cè)面之間的距離。柵極和/或字線可以包括大于最小特征尺寸的寬度，以提供更長的溝道長度。柵極可以包括僅在訪問晶體管的溝道上面大于最小特征尺寸的寬度。柵極可以包括最小特征尺寸的寬度。相鄰字線下面的溝槽相隔至少一個最小特征尺寸。在兩個字線的每個側(cè)面上相鄰的成對字線有形成的角度與兩個字線上的有源區(qū)域形成的角度旋轉(zhuǎn)相反的有源區(qū)域，相鄰對下面的溝槽的至少一個側(cè)面基本上平行于相鄰對字線的有源區(qū)，形成的角度與兩個字線上的有源區(qū)域形成的角度旋轉(zhuǎn)相反。
結(jié)合附圖閱讀以上示例性實施例的詳細說明，本發(fā)明的這些和其它目的、特性及優(yōu)點將變得很顯然。
下面參考附圖詳細地介紹優(yōu)選實施例，其中圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)常規(guī)存儲器件的存儲單元布局的俯視圖；圖2為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)沿圖1存儲單元的剖面線A-A截取的剖面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的矩形溝槽和有源區(qū)域；圖4為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的另一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的平行四邊形溝槽和有源區(qū)域；圖5為圖4存儲器件的存儲單元的布局的俯視圖，示出了有角度的平行四邊形溝槽和有源區(qū)域，其中有源區(qū)域包括邊角；圖6根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的又一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度彎曲的矩形溝槽和有角度的有源區(qū)域；圖7為圖6存儲器件的存儲單元的布局的俯視圖，示出了有角度彎曲的矩形溝槽和有角度的有源區(qū)域，其中有源區(qū)域包括邊角；圖8為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的又一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度彎曲的矩形溝槽和有角度的有源區(qū)域以及提供較大溝槽的較寬字線；圖9為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的另一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的平行四邊形溝槽和有角度的有源區(qū)域以及提供較大溝槽的較寬字線；圖10為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的又一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的矩形溝槽和有角度的有源區(qū)域以及僅位于晶體管溝道上以延伸溝道的較寬字線；圖11為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的再一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的平行四邊形溝槽和有角度的有源區(qū)域以及僅位于晶體管溝道上以延伸溝道的較寬字線；圖12為根據(jù)本發(fā)明的存儲器件的另一存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的梯形溝槽和有源區(qū)域；圖13為圖12存儲器件的存儲單元布局的俯視圖，示出了有角度的梯形溝槽和有源區(qū)域，其中有源區(qū)域包括邊角；圖14為根據(jù)本發(fā)明的存儲單元沿圖3的剖面線D-D截取的剖面圖。
本發(fā)明涉及半導體布局，特別涉及減少半導體存儲單元中存儲節(jié)點和晶體管之間相互影響的布局。本發(fā)明包括深溝槽電容器和有源區(qū)域的布局，由此可以實現(xiàn)存儲節(jié)點和下面存在晶體管溝道的字線之間較大的距離。通過提供埋置條和字線之間的附加距離，可以防止從埋置條到溝道內(nèi)的向外擴散，并避免了短溝道效應(yīng)。本發(fā)明還包括埋置條和字線之間距離增加的附加實施例。本發(fā)明適用于存儲單元，特別適合于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)單元。本發(fā)明也適用于其它的存儲器件。
現(xiàn)在參考圖中的具體內(nèi)容，其中在幾個圖中類似的參考數(shù)字標識類似或相同的元件，從圖3開始，顯示的布局為半導體存儲器100。存儲器100包括深溝槽102和字線(柵)104。字線104優(yōu)選間隔距離d，例如最小的特征尺寸F。此外，字線優(yōu)選也具有約F的厚度。有源區(qū)域106包括每個字線104相對側(cè)上的源區(qū)和漏區(qū)。應(yīng)該理解圖中包括重疊元件的布局的繪制。這些元件提供在多個不同級上。例如，溝槽形成在半導體襯底中，有源區(qū)域擴散到襯底內(nèi)，接觸和柵/字線形成在襯底上。
根據(jù)本發(fā)明，設(shè)置溝槽102，在溝槽102和字線104之間形成有角度A。該角度取向提供了溝槽102和字線104之間的附加長度。圖3示出了表示字線104和溝槽電容器102最接近側(cè)面之間距離的尺寸d2。根據(jù)本發(fā)明，d2大于d。在優(yōu)選實施例中，d2大于F。類似地與字線104成一定角度地設(shè)置有源區(qū)域106。在一個實施例中，有源區(qū)域106有角度部分108和基本上垂直于字線104的部分110。根據(jù)所述布局，溝槽102之間的最小距離和溝槽102的相同寬度顯示為d1，d1優(yōu)選基本上等于F。
如圖3所示，通過在字線的給定對112上重復有源區(qū)域104的有角度部分108的有角度圖形，布局獲得了空間上的效率。相鄰對114提供了類似的圖形。然而，圖形在與字線對112上有源區(qū)域104的有角度部分108相反的方向中旋轉(zhuǎn)。與每個字線對(112和114)相關(guān)連的溝槽102沿相關(guān)字線對(112和114)的有角度部分108對準。在優(yōu)選實施例中，溝槽102與字線104形成大于0度到約45度的角度A。有源區(qū)域106的有角度部分108形成人字形圖形，以有效地設(shè)置如溝槽102和接觸116等的部件。
有源區(qū)域106的部分110延伸到大于F的值。這樣通過溝槽102的埋置條(圖2的32)和字線104之間的平均距離較長，減少了兩者之間的摻雜劑的相互影響。有利的是，溝槽102和位線接觸116之間實現(xiàn)了較大的距離(大于F)。此外，即使在F/2的重疊裕度(公差)的最差情況中，本發(fā)明仍可以在溝槽102的埋置條(圖2的32)和字線104之間提供充裕的距離。字線104下面的溝槽區(qū)域107也由于有角度部分108增加，由此減少了訪問晶體管中的短溝道效應(yīng)。
參考圖4，示出了根據(jù)本發(fā)明的另一布局。溝槽202的形狀為平行四邊形。這樣可保持溝槽202與有源區(qū)域206的有角度部分208基本上平行對準。字線204如前所述以基本上平行的方式定位。溝槽202的平行四邊形增加了存儲芯片200上的存儲單元的密度。在所述實施例中，有角度部分208在字線204之間形成角度B。角度B可以為大于0度到約60度。溝槽202形成的平行四邊形的角度可以相對于有源區(qū)域206的取向適當?shù)仄?。有源區(qū)域206的有角度部分208連接到基本上垂直于字線204的部分210。部分210(通過埋置條)連接到溝槽202。根據(jù)本發(fā)明字線204和溝槽202之間的距離d3大于或等于最小特征尺寸F。部分210上的平均距離大于F。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明，字線204和溝槽202之間的距離d4大于最小特征尺寸F。部分210上的平均距離大于F，溝槽202和字線204的所有點之間的距離大于F。通過保持使有源區(qū)域206中的溝槽202和字線204之間所有點的距離大于F的有源區(qū)域206的邊角彎曲220獲得。在圖4和5中，在有源區(qū)域206相對側(cè)面上的溝槽202相距約F。位線接觸122顯示在圖4和5中。字線204下面的溝道區(qū)域207由于角度部分208也增加，由此減少了訪問晶體管中的短溝道效應(yīng)。
參考圖6和7，本發(fā)明的另一實施例使用了具有彎曲或拱形邊301的溝槽302，以及基本上平行于有源區(qū)域306的角度部分308的直邊303。通過使用所述形狀的溝槽302，對于字線304和溝槽302之間的部分310的所有點，距離d5保持大于F。此外，通過使用具有圖6和7所示形狀的溝槽302，在字線304和溝槽302之間可以得到更大的距離，由此增加了重疊裕度(公差)。字線304下面的溝道區(qū)域307由于角度部分308也增加了，由此減少了訪問晶體管中的短溝道效應(yīng)。在圖6和7中，在有源區(qū)域306相對側(cè)上的溝槽302相距約F。同樣顯示出位線接觸322。圖7包括有利的有源區(qū)域306的部分310的邊角320。
如圖8所示，溝槽402可以傾斜以優(yōu)化或增加溝槽的面積，即提供更大的溝槽。如圖9所示，溝槽403傾斜以提供更有效和更大的布局面積。對于圖8和9，字線404可以更厚以增加溝槽的面積，并提供字線404下面晶體管溝道406更大的溝道長度。要進一步增加溝道406的溝道長度，字線407在適當?shù)奈恢每梢宰儗?，如圖10和11所示。字線407有波形或“鋸齒形”外形，以在溝道406上形成延伸部分409來增加溝道長度。
參考圖12和13，本發(fā)明也適用其它的溝道形狀。例如，溝槽502可以使用梯形及有源區(qū)域506的角度部分508。部分510包括如上所述的邊角512。字線標識為504。
現(xiàn)在參考圖14，示出了圖3布局的剖面圖。存儲節(jié)點516通過介質(zhì)軸環(huán)526與摻雜阱524隔離。淺溝槽隔離528提供在存儲節(jié)點516上，電隔離在存儲節(jié)點516上形成的通行字線104。訪問晶體管514的擴散區(qū)域518(有源區(qū)域106的部分110)通過到達埋置條532的節(jié)點擴散區(qū)域530連接到存儲節(jié)點516。通過混合以產(chǎn)生導電區(qū)域(節(jié)點區(qū)域530)的向外擴散的摻雜劑連接節(jié)點擴散區(qū)530和埋置條532。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，字線104和埋置條532之間的距離大于F。從埋置條532向外擴散的摻雜劑不會擴散得很遠，影響柵極536(字線104)下面的溝道534，由此防止了訪問晶體管514中的短溝道效應(yīng)。對于dof＝F/2的最大的重疊公差和當dod＝F/2的向外擴散長度，本發(fā)明有利地在字線104和擴散區(qū)域518和520以及向外擴散的埋置條532之間留出裕度。d1保持在F。如果由埋置條532摻雜劑向外擴散的長度大于F/2，那么由于根據(jù)本發(fā)明距離d2增加的事實，溝道534仍有裕度。根據(jù)各實施例及其組合中介紹的，d2可以更大。
現(xiàn)已介紹了減少存儲節(jié)點和晶體管之間相互影響的存儲單元布局(意在說明而不是限定)，應(yīng)該注意，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)以上教導進行修改和變形。因此應(yīng)該理解可以在本發(fā)明的特定實施例中進行修改而不脫離附帶的權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的范圍和精神?，F(xiàn)已根據(jù)專利法的要求具體和特定地介紹了本發(fā)明，由專利文字所要求保護的陳述在附帶的權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.一種存儲單元，包括在襯底中形成的溝槽；在襯底中柵極下面形成并延伸到溝槽的有源區(qū)域，有源區(qū)域包括用于形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域，晶體管由柵極激活；定義了第一軸的柵極，其中部分有源區(qū)域由那里橫向延伸，所述部分有源區(qū)域延伸到溝槽；以及具有最接近所述部分有源區(qū)域的側(cè)面的溝槽，所述溝槽的側(cè)面相對于柵極有角度地設(shè)置，由此柵極和溝槽側(cè)面之間的距離大于最小特征尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲單元，其中有源區(qū)域與第一軸形成有一角度，由此設(shè)置在柵極下面的訪問晶體管的溝道長度大于柵極的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲單元，其中溝道具有矩形、梯形、平行四邊形和彎曲的矩形中的一種形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲單元，其中部分所述有源區(qū)域包括一個彎曲，以進一步延伸柵極和溝槽的側(cè)面之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲單元，其中柵極包括大于最小特征尺寸的寬度，以提供更長的溝道長度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的存儲單元，其中柵極僅在訪問晶體管的溝道上包括大于最小特征尺寸的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的存儲單元，其中柵極包括最小特征尺寸的寬度。
8.一種存儲芯片布局，包括在襯底內(nèi)形成的溝槽；在襯底內(nèi)形成的有源區(qū)域，有源區(qū)域包括形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域；多個基本上相互平行地設(shè)置的字線，字線具有一寬度，并以基本上相同的距離相互間隔開，每個晶體管包括由字線形成的柵極，字線定義了第一軸，其中每個有源區(qū)域的第一部分從字線下面橫向地延伸到相鄰字線下面設(shè)置的溝槽；以及溝槽具有最接近有源區(qū)域的第一部分的側(cè)面，最接近溝槽的側(cè)面相對于字線有角度地設(shè)置，由此字線和設(shè)置在相鄰字線下面溝槽的最接近溝槽的側(cè)面之間的距離大于字線之間基本上相同的距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲單元布局，其中有源區(qū)域與第一軸形成有一角度，由此設(shè)置在字線下面的訪問晶體管的溝道長度大于字線的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲單元布局，其中溝道具有矩形、梯形、平行四邊形和彎曲的矩形中的一種形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲單元布局，其中有源區(qū)域的第一部分包括一個彎曲，以進一步延伸柵極和最接近溝槽的側(cè)面之間的距離。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲單元布局，其中字線的寬度大于最小特征尺寸，以提供更長的晶體管溝道長度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的存儲單元布局，其中所說寬度僅在訪問晶體管的溝道上大于最小特征尺寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的存儲單元布局，其中所說寬度和基本上相同的距離約為最小特征尺寸。
15.一種存儲芯片布局，包括在襯底內(nèi)形成的溝槽；在襯底內(nèi)形成的有源區(qū)域，有源區(qū)域包括形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域；多個基本上相互平行地設(shè)置的字線，字線具有一寬度，并以基本上相同的距離相互間隔開，每個晶體管包括由字線形成的柵極，字線定義了第一軸，其中每個有源區(qū)域的第一部分從字線下面橫向地延伸到相鄰字線下面設(shè)置的溝槽；溝槽具有最接近有源區(qū)域的第一部分的側(cè)面，最接近第一部分的側(cè)面相對于字線有角度地設(shè)置，由此字線和設(shè)置在相鄰字線下面溝槽的最接近第一部分的側(cè)面之間的距離大于字線之間基本上相同的距離；有源區(qū)域定義了第二軸，第二軸與字線形成有一角度，并在兩個相鄰的字線下面延伸，在有源區(qū)域的端部連接到溝槽，設(shè)置在兩個相鄰字線下面的溝槽至少具有一個在相對于第二軸基本上平行的方向上對準的側(cè)面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲芯片布局，其中有源區(qū)域與第一軸形成有一角度，由此設(shè)置在字線下面的訪問晶體管的溝道長度大于字線的寬度。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲芯片布局，其中溝道具有矩形、梯形、平行四邊形和彎曲的矩形中的一種形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲芯片布局，其中有源區(qū)域的第一部分包括一個彎曲，以進一步延伸柵極和最接近溝槽的側(cè)面之間的距離。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲芯片布局，其中字線的寬度大于最小特征尺寸，以提供更長的晶體管溝道長度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的存儲芯片布局，其中所述寬度僅在訪問晶體管的溝道上大于最小特征尺寸。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲芯片布局，其中所述寬度和基本相同的距離約為最小特征尺寸。
22.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲器芯片布局，其中相鄰字線下面的溝槽相距至少一個最小特征尺寸。
23.根據(jù)權(quán)利要求15的存儲器芯片布局，其中在兩個字線的每個側(cè)面上相鄰的成對字線有形成的角度與兩個字線上的有源區(qū)域形成的角度旋轉(zhuǎn)相反的有源區(qū)域，相鄰對下面的溝槽至少具有一個基本上平行于形成的角度與兩個字線上的有源區(qū)域形成的角度旋轉(zhuǎn)相反的有源區(qū)域的側(cè)面。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的存儲器單元包括在襯底中形成的溝槽,以及在襯底中柵極下面形成并延伸到溝槽的有源區(qū)域。有源區(qū)域包括用于形成晶體管以訪問溝槽內(nèi)存儲節(jié)點的擴散區(qū)域,晶體管由柵極激活。柵極定義了第一軸,其中部分有源區(qū)域由那里橫向延伸,所述部分有源區(qū)域延伸到溝槽。溝槽具有最接近所述部分有源區(qū)域的側(cè)面,溝槽的側(cè)面相對于柵極有角度地設(shè)置,由此柵極和溝槽側(cè)面之間的距離大于最小特征尺寸。
文檔編號H01L21/8242GK1267914SQ0010436
公開日2000年9月27日 申請日期2000年3月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月18日
發(fā)明者Y·－J·帕克, C·J·拉登斯, G·昆克爾 申請人:因芬尼昂技術(shù)北美公司, 國際商業(yè)機器公司