專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。更具體地，涉及具有芯片尺寸封裝(CSP)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
為了使半導(dǎo)體器件的形狀尺寸盡可能地接近芯片的形狀和尺寸，已提出CSP結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其中外輸出端子設(shè)置在半導(dǎo)體器件上并密封在樹(shù)脂材料中。
下面參照

圖11、12和13描述常規(guī)的CSP半導(dǎo)體器件。圖11示出常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件1100；圖12是常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件1100的沿圖11中的點(diǎn)劃線剖開(kāi)的剖面圖；圖13示出常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件1100中的元件互連情況。
如圖12所示，在常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件1100中設(shè)置了半導(dǎo)體襯底1101、內(nèi)部布線圖案1102、通路1103、保護(hù)層1104、外部布線圖案1105、以及伸出電極1106。襯底1101包含設(shè)置在其上的電路，該電路包括接線端子。內(nèi)部布線圖案1102設(shè)置在襯底1101上并與電路端子連接。通路1103由鋁(Al)制成，是導(dǎo)電的。通路103與內(nèi)部布線圖案1102相連接，設(shè)置在襯底1101上并從保護(hù)層1104伸出。保護(hù)層1104由諸如聚酰亞胺的樹(shù)脂構(gòu)成，是絕緣的，且設(shè)置在襯底1101上。外部布線圖案1105由銅(Cu)制成并與伸出保護(hù)層1104的通路1103相連接。伸出電極1106設(shè)置在外部布線圖案1105上。
在圖13所示的上述半導(dǎo)體器件1100中，為了方便略去了保護(hù)層1104，示出了元件1103、1105、1106和1108之間的互連。
在封裝的最后階段，半導(dǎo)體器件1100被封閉在樹(shù)脂材料中，只有伸出電極1106的上棱邊未被封閉。圖12中未示出常規(guī)CSP芯片的封殼。
在圖13的上述半導(dǎo)體器件中，伸出電極1106的芯片上的定位，是通過(guò)外部布線圖案1105的焊料的重流的固定方式實(shí)現(xiàn)的。外部布線圖案1105的焊料重流可實(shí)現(xiàn)焊盤(pán)1108和伸出電極1106的電連接。由于伸出電極1106的高度可因外部布線圖案1105的焊料重流而高于焊盤(pán)高度，所以在把上述半導(dǎo)體器件安裝到主印刷布線板上時(shí)可避免伸出電極1106的短路。
但是，如圖13所示，焊盤(pán)1108設(shè)置在芯片表面的周邊部分上。這些焊盤(pán)與現(xiàn)有的引線鍵合裝置中采用的焊盤(pán)基本相同。每個(gè)焊盤(pán)1108通常大小為100μm×100μm，且焊盤(pán)1108在半導(dǎo)體芯片周邊部分上的設(shè)置對(duì)提高半導(dǎo)體器件的封裝密度是至關(guān)重要的，由于焊盤(pán)的尺寸，可安裝在常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件上的晶體管總數(shù)大受限制。
在上述半導(dǎo)體器件1100中，外部布線圖案1105并未通過(guò)最短途徑與焊盤(pán)1108和伸出電極1106相連接。為了與周邊的焊盤(pán)1108和伸出電極1106相連接，外部布線圖案1105的一部分必須延長(zhǎng)，這將導(dǎo)致常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件中的電連接性能下降。
為了克服上述問(wèn)題，在本發(fā)明的各優(yōu)選方案中提出了改進(jìn)的半導(dǎo)體器件，這些器件在不降低電連接性能的前提下可實(shí)現(xiàn)晶體管在半導(dǎo)體器件上的高封裝密度，并可減小半導(dǎo)體器件的尺寸。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底； 在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在上述襯底上設(shè)置的保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案，該外部布線圖案與上述通路相連接；在外部布線圖案上設(shè)置的伸出電極，這些伸出電極與外部布線圖案相連接以建立伸出電極與電路端子之間的電連接，這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度，以及在保護(hù)層上設(shè)置的由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
根據(jù)上述本發(fā)明優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件不需要設(shè)置在常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件中的焊盤(pán)，伸出電極與外部線圖案相連以建立伸出電極和電路端子之間的連接。根據(jù)上述本發(fā)明優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件，可有效地減小半導(dǎo)體器件的尺寸，并增加晶體管在半導(dǎo)體器件上的封裝密度。由于用最短距離實(shí)現(xiàn)了伸出電極和電路端子之間的連接，本優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件可有效地將電連接的性能保持在一個(gè)合適的水平。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底； 在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在上述襯底上設(shè)置的保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案，該外部布線圖案與上述通路相連接；與外部布線圖案相連接的引線，這些引線被帶支撐；以及在保護(hù)層上設(shè)置的由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
根據(jù)上述本發(fā)明優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件，可有效地減小半導(dǎo)體器件的尺寸，并增加晶體管在半導(dǎo)體器件上的封裝密度。由于用最短距離實(shí)現(xiàn)了伸出電極和電路端子之間的連接，可有效地將電連接的性能保持在一個(gè)合適的水平。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選方案的制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置電路，該電路包括輸入晶體管和輸出晶體管，該輸入晶體管具有輸入端子，該輸出晶體管具有輸出端子；在該襯底上設(shè)置內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與輸入端子或輸出端子相連接；在上述襯底上設(shè)置保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；在上述襯底上設(shè)置通路，這些通路從保護(hù)層上伸出并與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置外部布線圖案，該外部布線圖案與通路相連接；在外部布線圖案上設(shè)置伸出電極，這些伸出電極與外部布線圖案相連接以建立伸出電極與電路端子之間的電連接，這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度，以及在保護(hù)層上用注塑法設(shè)置由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
根據(jù)上述本發(fā)明優(yōu)選方案的制造半導(dǎo)體器件的方法，可有效地減小半導(dǎo)體器件的尺寸，并增加晶體管在半導(dǎo)體器件上的封裝密度。由于用最短距離實(shí)現(xiàn)了伸出電極和電路端子之間的連接，上述制造方法可有效地將電連接的性能保持在一個(gè)合適的水平。
通過(guò)下面的結(jié)合下列附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更加清楚易見(jiàn)。
圖1A和圖1B是根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的視圖；圖2A和圖2B用來(lái)解釋本發(fā)明第一優(yōu)選方案和常規(guī)半導(dǎo)體器件的差別；圖3用來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的制造方法；圖4示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件粘上焊接凸點(diǎn)的狀態(tài)；圖5示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的晶片狀態(tài)；圖6A和圖6B是根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的視圖；圖7A和圖7B是根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明第五優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的剖視圖；圖10A和圖10B是根據(jù)本發(fā)明第六優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的剖視圖；圖11是常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖12是圖11中的常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件的剖視圖；圖13示出圖11中的常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件中的元件互連情況。
下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述。
圖1A和圖1B示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。圖1A是其俯視圖，圖1B是沿圖1A的點(diǎn)劃線的剖視圖。
該方案的半導(dǎo)體器件10具有CPS結(jié)構(gòu)，如圖1A和圖1B所示，在該方案的半導(dǎo)體器件10中設(shè)置有襯底11，襯底11上包含電路。襯底11上的電路包括輸入晶體管和輸出晶體管，輸入晶體管具有輸入端子，輸出晶體管具有輸出端子。
內(nèi)部引線圖案12設(shè)置在襯底11上并與電路端子相連。保護(hù)層14在襯底11上并覆蓋襯底11。在襯底11上設(shè)置多個(gè)從保護(hù)層14伸出的通路13。該通路13在襯底11的任意位置與內(nèi)部布線圖案12相連，并通過(guò)內(nèi)部布線圖案12與襯底11中的電路的輸入或輸出端子相連。
在保護(hù)層14上設(shè)置與通路13相連的外部布線圖案15。在外部布線圖案15上設(shè)置多個(gè)與其相連的伸出電極16，以建立伸出電極16與電路端子之間的電連接。伸出電極16比外部布線圖案15高出一預(yù)定高度。
在本方案的半導(dǎo)體器件10中，在保護(hù)層14上設(shè)置由樹(shù)脂材料制成的封閉層17。該封閉層17覆蓋伸出電極16的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。只有伸出電極16的上表面不被該封閉層17覆蓋。
如圖1A和1B所示，在本方案的半導(dǎo)體器件10中，通路13在襯底11的任意位置上與外部布線圖案相連接。圖1A中，標(biāo)號(hào)13a表示通路13和外部布線圖案15的一個(gè)連接部分。如圖1A所示，外部布線圖案15的一部分從連接部分13a延伸至伸出電極16，伸出電極16設(shè)置在外部布線圖案15的該部分的一端。
在圖13的常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件中，電路端子連接到焊盤(pán)1108，焊盤(pán)1108通過(guò)布置外部布線圖案1105連接到伸出電極1106。也就是說(shuō)，外部布線圖案1105從焊盤(pán)1108延伸到伸出電極106，因此，外部引線圖案1105不是通過(guò)最短距離與通路1103和伸出電極1106相連接。
本實(shí)施方案的半導(dǎo)體器件10不需要設(shè)置在常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件中的焊盤(pán)，伸出電極16與外部布線圖案15相連以建立伸出電極16和電路端子之間的連接。外部布線圖案15通過(guò)最短距離與通路13和伸出電極16相連接。因此，本優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件10，可有效地減小半導(dǎo)體器件的尺寸，并增加晶體管在半導(dǎo)體器件上的封裝密度。由于用最短距離實(shí)現(xiàn)了伸出電極16和電路端子之間的連接，本優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件10可有效地將電連接的性能保持在一個(gè)合適的水平。
本方案的半導(dǎo)體器件10中，通路13由鋁構(gòu)成，直徑為5～25μm，內(nèi)部布線圖案12以上的高度為10～50μm。如圖1B所示，通路13與襯底11中的內(nèi)部引線圖案12相連。內(nèi)部引線圖案12由鋁構(gòu)成并與襯底11中的電路端子相連。在圖1B的例子中，內(nèi)部布線圖案12與電路端子和通路13相連。但上述方案也可以變更。如果襯底11中的電路完全不在通路13的正下方，則通路13可設(shè)置在通過(guò)內(nèi)部布線圖案12與電路端子相連的任意位置。在保護(hù)層14上設(shè)置外部布線圖案15，外部布線圖案15具有位于各通路13之上的部分，并通過(guò)這些部分與通路13相連。通過(guò)對(duì)本方案的導(dǎo)體器件這樣變更?？梢员３蛛娺B接性能，且可消除襯底11中的電路產(chǎn)生的寄生電容或寄生電感。
在圖1B的例子中，內(nèi)部布線圖案12的上層與通路13相連。但本發(fā)明并不限于這種情況，也可以使內(nèi)部布線圖案12的下層與通路13相連。
在本方案的半導(dǎo)體器件10中，通路13用來(lái)連接內(nèi)部布線圖案12和外部布線圖案15。通路13的材料不必與布線圖案12和15的材料相同，也可以不同。本方案中的外部布線圖案15由寬為25μm的銅材料構(gòu)成。外部布線圖案15設(shè)置在保護(hù)層14上。外部布線圖案15的材料不限于銅，也可采用金或鎳。
在本方案的半導(dǎo)體器件10中，外部布線圖案15用來(lái)在芯片制造工藝結(jié)束后重新布置從連接部分13a到伸出電極16的連接。在常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件中，外部布線圖案從周邊部分的焊盤(pán)延伸到伸出電極。如上所述，根據(jù)本方案，通路13可設(shè)置在襯底11的任意位置上，且可能最短距離地實(shí)現(xiàn)伸出電極16和電路端子之間的連接。本方案的半導(dǎo)體器件10，可有效地減小半導(dǎo)體器件的尺寸，并增加晶體管在半導(dǎo)體器件上的封裝密度。與常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件相比，本方案的半導(dǎo)體器件10可有效地將電連接的性能保持在一個(gè)合適的水平。
圖2A和圖2B示出本方案的半導(dǎo)體器件10與常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件20之間的差別。
如圖2A所示，半導(dǎo)體器件10中與外部布線圖案15相連的通路13，在連接部分13a處的直徑等于或小于外部布線圖案15的寬度。在半導(dǎo)體器件10的外表面上的通路13的尺寸，和與襯底11中的內(nèi)部布線圖案12相連的通路13的尺寸相等。這有助于實(shí)現(xiàn)本方案的半導(dǎo)體器件10的尺寸的減小。通路13的連接部分13a在寬度上略大于外部布線圖案15、但是，可以調(diào)整連接部分13a以糾正外部布線圖案15的不對(duì)準(zhǔn)，且這樣不會(huì)造成半導(dǎo)體器件尺寸的顯著增加。
如圖2B所示，其中包含常規(guī)CSP半導(dǎo)體器件20和周邊部分上的焊盤(pán)1108的半導(dǎo)體芯片21，其尺寸比本方案的半導(dǎo)體器件10的襯底11的尺寸大。半導(dǎo)體芯片21中的焊盤(pán)1108占的面積對(duì)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的尺寸減小至關(guān)重要。
如圖2A所示，在本方案的半導(dǎo)體器件10中，在外部布線圖案15的預(yù)定端部設(shè)置伸出電極16，外部引線圖案15的端部的形狀與各伸出電極16的位置一致。
在本方案的半導(dǎo)體器件10中，用鍍銅的方式在外部布線圖案15上形成伸出電極16。伸出電極16直徑為300μm，它在外部布線圖案15之上的高度為100μm。根據(jù)主印刷布線板的外部端子布置情況布置伸出電極16，半導(dǎo)體器件10安裝在該主印刷布線板上。在襯底11上設(shè)置由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層17，該封閉層17覆蓋伸出電極16的側(cè)面和外部布線圖案15的外表面。只有伸出電極16的上表面不被該封閉層17覆蓋。在本方案中，用注塑成型法把樹(shù)脂材料的封閉層17形成在襯底11上，下面還要解釋這一點(diǎn)。
下面，參照?qǐng)D3描述第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的制造方法。
如圖3所示，用濺射在半導(dǎo)體襯底31上形成厚為1μm的PSG/SiN層34a，然后用濺射在PSG/SiN層34a上形成厚為10μm的由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成的覆蓋層34b。保護(hù)層34由PSG/SiN層34a和覆蓋層34b構(gòu)成。襯底31包含電路(未示出)和內(nèi)部布線圖案32。
在襯底31的與通路33對(duì)應(yīng)的位置用蝕刻形成一個(gè)開(kāi)口，其深度到達(dá)內(nèi)部布線圖案32。然后，用填入去除(lift-off)法向襯底31上的該開(kāi)口填充鋁以形成通路33。
通路33形成后，在襯底31的整個(gè)表面上用濺射形成1μm厚的由鉻構(gòu)成的接觸金屬層35a。然后在該接觸金屬層35a上用濺射形成2μm厚的由銅構(gòu)成的布線底金屬層35b。
形成布線底金屬層35b之后，如下所述地在其上形成外部布線圖案。即，用形成布線用的光刻膠(未示出)覆蓋布線底金屬層35b上的不設(shè)置外部布線圖案35的部分，然后用電鍍?cè)诓季€底金屬層35b上形成5μm厚的由銅構(gòu)成的外部布線圖案35。
形成外部布線圖案35之后，用形成電極用的光刻膠(未示出)覆蓋外部布線圖案35上的不設(shè)置伸出電極36的部分，然后用電鍍?cè)谕獠坎季€圖案35上形成100μm厚的由銅構(gòu)成的伸出電極36。
將形成電極用的光刻膠去除之后，以外部布線圖案35作掩模進(jìn)行蝕刻。通過(guò)蝕刻去除接觸金屬層35a和布線底金屬層35b的未掩蔽的部分，如圖3所示。該蝕刻導(dǎo)致外部布線圖案35和保護(hù)金屬層40的厚度略有減小。應(yīng)當(dāng)指出，在形成外部布線圖案35和保護(hù)金屬層40時(shí)確保得到足夠大的厚度是必要的，這樣即使經(jīng)過(guò)上述蝕刻二者的厚度被減小時(shí)，也能保留足夠的厚度。
在本發(fā)明的制造方法中，形成伸出電極36之后，用壓塑法在襯底11上形成封閉層17(圖3中未示出)，下面將繼續(xù)描述。
上述壓塑法采用上、下模，二者形成一定形狀的空腔。將其上制有多個(gè)中間半導(dǎo)體器件(都包括已形成的伸出電極36，但尚未形成封閉層37)的晶片置于上、下模之間的空腔中。在晶片的中間以上放置熱硬化樹(shù)脂，如PPS、PEEK或PES的小塊。此時(shí)，必須防止樹(shù)脂粘在上、下模上。通過(guò)向上、下模施加保護(hù)膜也許可防止樹(shù)脂粘在它們上面。
在壓塑法中，把樹(shù)脂小塊放進(jìn)上、下模之間的空腔(晶片置于其中)中之后，將其加熱到要樹(shù)脂的熔點(diǎn)以上，在加熱模子的同時(shí)，將一個(gè)模子朝著另一個(gè)加壓，使晶片上的樹(shù)脂小塊受熱和受壓。樹(shù)脂因加熱而變軟，在加壓條件下鋪展到晶片的整個(gè)表面上。在各個(gè)半導(dǎo)體器件中，在襯底31上形成樹(shù)脂材料的封閉層17，使得封閉層17覆蓋伸出電極36的側(cè)面和外部布線圖案35的外表面。
在上述實(shí)施方案中，對(duì)晶片采用壓塑法。另外，也可對(duì)將晶片切割成片而得到的單個(gè)半導(dǎo)體芯片采用壓塑法。
1999年1月23日遞交的日本專利申請(qǐng)No.9-10683(對(duì)應(yīng)于美國(guó)專利申請(qǐng)No.029,608，已轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的申請(qǐng)人)中詳述了上述壓塑法的細(xì)節(jié)，該申請(qǐng)的有關(guān)壓塑法的內(nèi)容在此引入，作為參考。
本方案的制造方法采用壓塑樹(shù)脂制成的封閉層17，它是用上述壓塑法形成在保護(hù)層14之上的。在此樹(shù)脂中無(wú)需象常規(guī)半導(dǎo)體器件的封閉層那樣加入模制潤(rùn)滑劑。由于在封閉層17的樹(shù)脂中不含潤(rùn)滑劑，對(duì)于本方案的半導(dǎo)體器件，就可以覆蓋伸出電極16的側(cè)面和外部布線圖案15的外表面，且不降低封閉層17所用樹(shù)脂的粘性。
用壓塑法在保護(hù)層14上形成封閉層17后，在伸出電極16的上表面上可能有一薄層樹(shù)脂。通過(guò)蝕刻、拋光、噴砂或紫外照射可很容易地將這一薄層樹(shù)脂從伸出電極16的上表面上去除。
另外，還可以在壓塑之前，向用于封閉層17的上模上施加一合適材料的柔性薄膜。施加該柔性薄膜后，進(jìn)行壓塑時(shí)伸出電極16穿過(guò)該柔性薄膜，壓塑結(jié)束后去除該薄膜，以此種方式，就可以防止在伸出電極16的上表面上形成樹(shù)脂薄層。
圖4示出已加有焊接凸點(diǎn)的第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。
如上所述，在本方案的半導(dǎo)體器件10中，只有伸出電極的上表面未被樹(shù)脂材料的封閉層覆蓋。在圖4的半導(dǎo)體器件10中，在伸出電極46的上表面形成凸點(diǎn)48。
如圖4所示，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件10中提供其中含有電路的半導(dǎo)體襯底41。襯底41中的電路包括一個(gè)輸入晶體管和一個(gè)輸出晶體管，該輸出晶體管具有一個(gè)輸入端子，該輸出晶體管具有一個(gè)輸出端子。
在襯底41上設(shè)置內(nèi)部布線圖案42，該內(nèi)部布線圖案42與電路的端子相連。在襯底41上設(shè)置保護(hù)層44，該保護(hù)層44覆蓋襯底41。在襯底41上形成多個(gè)從保護(hù)層44伸出的通路43，通路43在襯底41的任意位置與內(nèi)部布線圖案42相連。通路43通過(guò)內(nèi)部布線圖案42與襯底41中的電路的輸入或輸出端子相連。
在保護(hù)層44上設(shè)置外部布線圖案45，該外部布線圖案45與通路43相連。在外部布線圖案45上設(shè)置多個(gè)伸出電極46，與外部布線圖案45相連以建立伸出電極46和電路的端子之間的連接。伸出電極46比外部布線圖案44高出一預(yù)定高度。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件10中，在保護(hù)層44上設(shè)置樹(shù)脂材料的封閉層47，該封閉層47覆蓋伸出電極46的側(cè)面和外部布線圖案45的外表面。只有伸出電極46的上表面未被封閉層47覆蓋。在伸出電極46的上表面上設(shè)置凸點(diǎn)48。
已知有多種在伸出電極46的上表面上形成凸點(diǎn)48的方法。例如，采用模版掩膜的絲網(wǎng)印刷法或轉(zhuǎn)移凸點(diǎn)法，都可用來(lái)在本方案的半導(dǎo)體器件10的伸出電極46的上表面上形成凸點(diǎn)48。用于凸點(diǎn)48的典型材料是錫鉛合金。該合金的成分比可根據(jù)所要求的凸點(diǎn)48的特性進(jìn)行變化。
不采用凸點(diǎn)48也可以把半導(dǎo)體器件10安裝在主印刷布線板上。但是在伸出電極46上表面上采用了凸點(diǎn)48的圖4所示的半導(dǎo)體器件10，在安裝半導(dǎo)體器件之前不需要主印刷布線板上的任何焊料，這樣就可以更加容易地把其安裝到主印刷布線板上。
形成凸點(diǎn)48后，就制成了這樣的晶片，即其中的每個(gè)半導(dǎo)體器件都包括在襯底41上形成的外部布線圖案45和伸出電極46，且在伸出電極46上還形成了凸點(diǎn)48。在晶片的每一個(gè)半導(dǎo)體器件中，在襯底上用壓塑法形成樹(shù)脂材料的封閉層。
圖5示出在晶片被切成多個(gè)芯片之前第一優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件的晶片狀態(tài)。如圖5所示，在晶片的襯底51的整個(gè)表面上形成樹(shù)脂材料的封閉層57，并在各個(gè)半導(dǎo)體器件的伸出電極上形成凸點(diǎn)58。圖5中，晶片中的每個(gè)半導(dǎo)體器件中的元件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)都基本上與圖4的半導(dǎo)體器件10相同，故省略對(duì)其的描述。
最后，如圖5的點(diǎn)劃線所示，用切片鋸把上述晶片切割成多個(gè)片，每一片都構(gòu)成本方案的半導(dǎo)體器件10。因此，如圖4所示，本方案的半導(dǎo)體器件10中，封閉層47包括第一側(cè)面，襯底41包括第二側(cè)面，該第一側(cè)面和第二側(cè)面形成為用切片鋸得到的同一表面。
因此，在實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化和增加半導(dǎo)體器件上的晶體管密度方面。本方案的半導(dǎo)體器件是有效的。
如圖1A和圖2A所示的本方案的半導(dǎo)體器件中，通路13在底11上的任意位置與外部布線圖案15相連，伸出電極16和電路的端子之間以最短距離連接。外部布線圖案15以最短距離和通路13和伸出電極16連接。而且，用壓塑法在襯底11上形成樹(shù)脂材料的封閉層17。由于外部布線圖案15的長(zhǎng)度被最小化了，壓塑時(shí)樹(shù)脂的流動(dòng)性能顯著提高，且可確定地防止在封閉層17中出現(xiàn)空穴。
而且，在本方案的半導(dǎo)體器件中，可通過(guò)伸出電極16向襯底11中的電路直接供應(yīng)輸入信號(hào)，相應(yīng)地通過(guò)伸出電極16可探測(cè)來(lái)自該電路的輸出信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明，本方案的半導(dǎo)體器件的制造方法還包括，在襯底11上用壓塑法形成封閉層17之后，將探針與伸出電極16相連以測(cè)試襯底11中的電路的步驟。在此測(cè)試步驟中，來(lái)自測(cè)試探針的輸入信號(hào)通過(guò)伸出電極16提供給襯底11中的電路，相應(yīng)地，來(lái)自電路的輸出信號(hào)也可通過(guò)與伸出電板16相連的探針進(jìn)行檢測(cè)。
通常，常規(guī)半導(dǎo)體器件在測(cè)試封裝的半導(dǎo)體芯片方面存在困難。但是對(duì)于本方案的半導(dǎo)體器件，封裝后進(jìn)行測(cè)試是非常方便的。而且，本方案的半導(dǎo)體器件基本上處于成品狀態(tài)，從而通過(guò)采用本方案的半導(dǎo)體器件，可使得半導(dǎo)體器件在成品狀態(tài)下的檢測(cè)更加便利。
圖6A和6B示出根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。在本方案的半導(dǎo)體器件中，用由載帶支撐的引線來(lái)替代圖1A和1B所示的第一優(yōu)選方案中的伸出電極16。
如圖6A所示，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中包括半導(dǎo)體襯底61。在襯底61中設(shè)置具有多個(gè)端子的電路。在襯底61上設(shè)置內(nèi)部布線圖案62，該內(nèi)部布線圖案62與電路的端子相連。在襯底61上設(shè)置保護(hù)層64，該保護(hù)層64覆蓋襯底61。在襯底61上形成多個(gè)從保護(hù)層64伸出的通路63，通路63在襯底61的任意位置與內(nèi)部布線圖案62相連。在保護(hù)層64上設(shè)置外部布線圖案65，該外部布線圖案65與通路63相連。有多個(gè)被載帶68支撐的引線66與外部布線圖案65相連。在保護(hù)層64上設(shè)置樹(shù)脂材料的封閉層67，封閉層67覆蓋引線66部分和外部布線圖案65的外表面。
在上述方案中，為了把半導(dǎo)體器件中的電路與外部器件相連，采用了引線66，而不是伸出電極16。由此，本方案的半導(dǎo)體器件可有效地把引線間距減小到約為30μm的較小的值。
圖6B的半導(dǎo)體器件基本上與圖6A的相同，不同之處在于在圖6B的方案中，在外部布線圖案65和引線66之間沒(méi)有由不同的導(dǎo)電材料如金(Au)構(gòu)成的連接層69。本方案的包含連接層69的半導(dǎo)體器件，可有效地防止外部布線圖案65上的引線66的短路，并可減小引線66和外部布線圖案65之間的互連中的應(yīng)力。
圖7A和7B示出根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。圖7A是其俯視圖，圖7B是沿圖7A中的點(diǎn)劃線剖開(kāi)的剖面圖。
如圖7A和7B所示，本方案的半導(dǎo)體器件包括主印刷布線板71、第一半導(dǎo)體器件72和第二半導(dǎo)體器件73。在本方案的半導(dǎo)體器件中，第二半導(dǎo)體器件在一個(gè)方向上的長(zhǎng)度小于第一半導(dǎo)體器件，并用粘合劑固定在第一半導(dǎo)體器件上。用該粘合劑在第一和第二半導(dǎo)體器件72和73之間形成粘合層74。
在上述圖7A和7B所示的方案中，第一半導(dǎo)體器件72的結(jié)構(gòu)與第一優(yōu)選方案中的半導(dǎo)體器件不同。第一半導(dǎo)體器件72包括具有第一表面和在第一表面上的周邊部分的第一襯底；在第一襯底上設(shè)置的第一電路，該第一電路具有多個(gè)端子，以及在第一襯底的周邊部分上設(shè)置的多個(gè)焊盤(pán)76，這些焊盤(pán)76與第一電路的端子相連接。
在上述圖7A和7B所示的方案中，第二半導(dǎo)體器件73的結(jié)構(gòu)與第一優(yōu)選方案中的半導(dǎo)體器件基本相同。第二半導(dǎo)體器件73包括第二襯底；在第二襯底上設(shè)置的第二電路，該第二電路具有多個(gè)端子；在上述第二襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在第二襯底上設(shè)置的保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋第二襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的多個(gè)通路77，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案75，該外部布線圖案與上述通路相連接，以建立外部布線圖案和第二電路的端子之間的電連接，且外部引線圖案通過(guò)引線與第一半導(dǎo)體器件的焊盤(pán)相連接。
在該方案中，可以用封裝工藝形成樹(shù)脂材料的封閉層，覆蓋第一和第二半導(dǎo)體器件72和73，但未在圖7A和7B中示出。
在上述方案中，僅用一個(gè)芯片面積就可將兩個(gè)功能不同的半導(dǎo)體器件安裝在主印刷布線線上，且還可以減小整個(gè)半導(dǎo)體器件的高度。例如，第一半導(dǎo)體器件72可以由LSI器件構(gòu)成，而第二半導(dǎo)體器件73可由快速存儲(chǔ)器件構(gòu)成。
圖8示出根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。
如圖8所示，本方案的半導(dǎo)體器件包括主印刷布線板81、第一半導(dǎo)體器件82和第二半導(dǎo)體器件83。在本方案中，第二半導(dǎo)體器件83在一個(gè)方向上的長(zhǎng)度小于第一半導(dǎo)體器件，并安裝在第一半導(dǎo)體器件上，從而使第一和第二半導(dǎo)體器件82和83的電路的表面相匹配，并且凸點(diǎn)86將第一和第二半導(dǎo)體器件82和83的電路互連。并用引線把第一和第二半導(dǎo)體器件82和83安裝到主印刷布線板81。
本方案的第一和第二半導(dǎo)體器件82和83都包括與圖1A和1B所示的第一優(yōu)選方案中的元件11、12、13、14和15基本上相同的元件。與第一優(yōu)選方案相似地，第二半導(dǎo)體器件83包括通路87和與該通路87相連的外部布線圖案85，但是不具有伸出電極和封閉層。通過(guò)使用焊接形成的凸點(diǎn)86，第二半導(dǎo)體器件83的外部布線圖案85借助于由不同導(dǎo)電材料如金(Au)構(gòu)成的連接層84，與第一半導(dǎo)體器件82的外部布線圖案連接起來(lái)。在該方案中，凸點(diǎn)86建立了第一和第二半導(dǎo)體器件82和83的電路之間的電連接。
在上述方案的半導(dǎo)體器件中，沒(méi)有伸出電極，第一和第二半導(dǎo)體器件82和83的電路之間通過(guò)凸點(diǎn)86進(jìn)行互連。第一和第二半導(dǎo)體器件82和83安裝到主印刷布線板81上之后的半導(dǎo)體器件的整個(gè)高度可以減小到相當(dāng)小。在該方案中，可以用封裝工藝形成樹(shù)脂材料的封閉層，覆蓋第一和第二半導(dǎo)體器件82和83，但未在圖8中示出。
在上述方案中，僅用一個(gè)芯片面積就可將兩個(gè)功能不同的半導(dǎo)體器件安裝在主印刷布線線上，且還可以減小整個(gè)半導(dǎo)體器件的高度。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第五優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。
如圖9所示，本方案的半導(dǎo)體器件基本上與圖8的半導(dǎo)體器件相同。與圖8的不同之處在于，為了把第一和第二半導(dǎo)體器件安裝到主印刷布線板上，采用了伸出電極96而不是引線。
如圖9所示，在本方案的半導(dǎo)體器件中提供了第一半導(dǎo)體器件91和第二半導(dǎo)體器件92。第二半導(dǎo)體器件92在一個(gè)方向上的長(zhǎng)度小于第一半導(dǎo)體器件91，并安裝在第一半導(dǎo)體器件91上，從而使第一和第二半導(dǎo)體器件91和92的電路的表面相匹配，并且凸點(diǎn)94將第一和第二半導(dǎo)體器件91和92的電路互連。第二半導(dǎo)體器件92包括通路97和與該通路97相連的外部布線圖案。
第一半導(dǎo)體器器91包括伸出電極96，它設(shè)置在第一半導(dǎo)體器件91的外部布線圖案上的不安裝第二半導(dǎo)體器件92的部分上。該伸出電極96與外部布線圖案95相連，并比外部布線圖案92高出一預(yù)定高度。
第一半導(dǎo)體器件91包括在其保護(hù)層上設(shè)置的樹(shù)脂材料的封閉層97，該封閉層覆蓋第一半導(dǎo)體器件91的伸出電極96的側(cè)面和外部布線圖案95的外表面。
在制造本方案的半導(dǎo)體器件時(shí)，在把第一和第二半導(dǎo)體器件91和92的電路用凸點(diǎn)94互連之后，將其上已制備有中間半導(dǎo)體器件的晶片置于上、下模之間，然后以與上述第一方案相似的方式在第一半導(dǎo)體器件91的保護(hù)層上用壓塑法形成封閉層97。
在上述方案中，僅用一個(gè)芯片面積，就可把兩個(gè)功能不同的半導(dǎo)體器件安裝在主印刷布線板上。而且通過(guò)設(shè)置封閉層覆蓋嵌在兩個(gè)半導(dǎo)體器件之間的凸點(diǎn)，本方案的半導(dǎo)體器件可有效地提供半導(dǎo)體器件的可靠性。
圖10A和10B示出根據(jù)本發(fā)明第六優(yōu)選方案的半導(dǎo)體器件。
如圖10A和10B所示，本方案的半導(dǎo)體器件包括主印刷布線板101和第二半導(dǎo)體器件102。
在本方案中，第二半導(dǎo)體器件102包含的元件，與圖1A和1B所示的第一優(yōu)選方案中的相應(yīng)元件基本上相同，但沒(méi)有第一方案中的伸出電極16和封閉層17。在本方案中，第二半導(dǎo)體器件102通過(guò)引線106安裝在主印刷布線板101上。第二半導(dǎo)體器件102上的外部布線圖案105具有引線鍵合部分，用于引線106的引線鍵合。
主印刷布線板101在其合適的位置上有焊盤(pán)。通過(guò)進(jìn)行引線鍵合，第二半導(dǎo)體器件102上的外部布線圖案105的引線鍵合部分和主印刷布線板101的焊盤(pán)通過(guò)引線106互連。引線106的互連建立了第二半導(dǎo)體器件102的電路和主印刷布線板101的電路之間的電連接。
在圖10A所示的互連中，從主印刷布線板101的焊盤(pán)伸出的引線106與第二半導(dǎo)體器件102的外部布線圖案105的引線鍵合部分在直接連接。
在圖10B所示的互連中，從主印刷布線板101的焊盤(pán)伸出的引線106，通過(guò)由不同導(dǎo)電材料如金構(gòu)成的連接層104，與第二半導(dǎo)體器件102的外部布線圖案105的引線鍵合部分連接。
根據(jù)上述方案的半導(dǎo)體器件，可用現(xiàn)有的引線鍵合設(shè)備合適地把半導(dǎo)體器件安裝在主印刷布線板上。由于上述方案的半導(dǎo)體器件不具有象第一優(yōu)選方案那樣的樹(shù)脂材料的封閉層，在制作本方案的半導(dǎo)體器件時(shí)，就無(wú)需特殊的壓塑設(shè)備。
本發(fā)明并不局限于上述優(yōu)選實(shí)施方案，在不脫離本發(fā)明范圍的前提下可作出種種變更和修改。
另外，本發(fā)明以1999年2月23遞交的日本專利申請(qǐng)No.11-044,919為基礎(chǔ)，它的全部?jī)?nèi)容在此引作參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底(11)；在半導(dǎo)體襯底(11)上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案(12)，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在上述襯底上設(shè)置的保護(hù)層(14)，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路(13)，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案(15)，該外部布線圖案與上述通路相連接；在外部布線圖案上設(shè)置的伸出電極(16)，這些伸出電極與外部布線圖案相連接以建立伸出電極與電路端子之間的電連接，且這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度，以及在保護(hù)層上設(shè)置的由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層(17)，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，該半導(dǎo)體器件還包括在伸出電極上設(shè)置的凸點(diǎn)(48，58)，這些凸點(diǎn)通過(guò)伸出電極與外部布線圖案相連接。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，封閉層(17)包括第一側(cè)面，襯底(11)包括第二側(cè)面，用切片鋸把該第一側(cè)面和第二側(cè)面形成為同一個(gè)平面。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在襯底(11)上設(shè)置的電路包括輸入晶體管和輸出晶體管，該輸入晶體管具有輸入端子，該輸出晶體管具有輸出端子，且所述通路(13)與輸入端子或輸出端子相連接。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，封閉層(17)由樹(shù)脂壓塑制成。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，外部布線圖案(15)被設(shè)計(jì)成以最短距離與通路(13)和伸出電極(16)相連接。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)通路(13)具有一個(gè)連接部分，在該處通路通過(guò)外部布線圖案與一個(gè)伸出電極(16)相連接，且這些通路在連接部分處的直徑等于或小于外部布線圖案的寬度。
8.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底(61)；在半導(dǎo)體襯底(61)上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案(62)，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在上述襯底上設(shè)置的保護(hù)層(64)，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路(63)，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案(65)，該外部布線圖案與上述通路相連接；與外部布線圖案相連接的引線(66)，這些引線被載帶(68)支撐；以及在保護(hù)層上設(shè)置的由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層(67)，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件，第二半導(dǎo)體器件在一個(gè)方向上長(zhǎng)度比第一半導(dǎo)體器件小并用粘合劑固定到第一半導(dǎo)體器件上，該第一半導(dǎo)體器件(72)包括具有第一表面和在第一表面上的周邊部分的第一襯底；在第一襯底上設(shè)置的第一電路，該第一電路具有多個(gè)端子，以及在第一襯底的周邊部分上設(shè)置的多個(gè)焊盤(pán)(76)，這些焊盤(pán)與第一電路的端子相連接，而第二半導(dǎo)體器件(73)包括第二襯底；在第二襯底上設(shè)置的第二電路，該第二電路具有多個(gè)端子；在上述第二襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在第二襯底上設(shè)置的保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋第二襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路(77)，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；以及在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案(75)，該外部布線圖案與上述通路相連接，以建立外部布線圖案和第二電路的端子之間的電連接，且外部引線圖案通過(guò)引線與第一半導(dǎo)體器件的焊盤(pán)相連接。
10.一種半導(dǎo)體器件，包括第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件，第二半導(dǎo)體器件在一個(gè)方向上長(zhǎng)度比第一半導(dǎo)體器件小并安裝在第一半導(dǎo)體器件上，從而使第一和第二半導(dǎo)體器件相匹配，并且第一和第二半導(dǎo)體器件的電路之間用凸點(diǎn)互連，第一和第二半導(dǎo)體器件都包括半導(dǎo)體襯底；在上述襯底上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在襯底上設(shè)置的保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案，該外部布線圖案與上述通路相連接，以建立外部布線圖案和第二電路的端子之間的電連接，且該外部引線圖案與凸點(diǎn)相連接，其特征在于，第一和第二半導(dǎo)體器件(82)和(83)的外部布線圖案(85)之間用凸點(diǎn)(86)互連。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，第一半導(dǎo)體器件(91)包括在第一半導(dǎo)體器件(91)的外部布線圖案(95)上的未安裝第二半導(dǎo)體器件(92)的部分上設(shè)置伸出電極(96)，這些伸出電極與外部布線圖案相連接，且這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度，以及在保護(hù)層上設(shè)置的由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層(97)，該封閉層覆蓋第一半導(dǎo)體器件(91)的伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
12.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；在半導(dǎo)體襯底上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的內(nèi)部布線圖案，該內(nèi)部布線圖案與上述電路的端子相連接；在上述襯底上設(shè)置的保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路(107)，這些通路在襯底上的任意位置與內(nèi)部布線圖案相連接；以及在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案(105)，該外部布線圖案與上述通路相連接，以建立外部布線圖案和電路端子之間的電連接，且外部布線圖案包括通過(guò)鍵合引線(106)與印刷布線板(101)的焊盤(pán)相連接的引線鍵合部分。
13.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底(11)；在半導(dǎo)體襯底(11)上設(shè)置的電路，該電路具有多個(gè)端子；在上述襯底上設(shè)置的保護(hù)層(14)，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；設(shè)置在上述襯底上并從保護(hù)層上伸出的通路(13)，這些通路在襯底上的任意位置與電路的端子相連接；在保護(hù)層上設(shè)置的外部布線圖案(15)，該外部布線圖案具有一位于各通路之上的部分，且外部布線圖案在這些部分處與通路相連接；在外部布線圖案上設(shè)置的伸出電極(16)，這些伸出電極與外部布線圖案相連接以建立伸出電極與電路端子之間的電連接，這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度，以及在保護(hù)層上設(shè)置的由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層(17)，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
14.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟在半導(dǎo)體襯底(11)上設(shè)置電路，該電路包括輸入晶體管和輸出晶體管，該輸入晶體管具有輸入端子，該輸出晶體管具有輸出端子；在上述襯底上設(shè)置內(nèi)部布線圖案(12)，該內(nèi)部布線圖案與輸入端子或輸出端子相連接；在上述襯底上設(shè)置保護(hù)層(14)，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；在上述襯底的任意位置上設(shè)置通路(13)，這些通路從保護(hù)層上伸出并與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置外部布線圖案(15)，該外部布線圖案與通路相連接；在外部布線圖案上設(shè)置伸出電極(16)，這些伸出電極與外部布線圖案相連接以建立伸出電極與電路端子之間的電連接，且這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度，以及在保護(hù)層上用注塑法設(shè)置由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層(17)，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于該制造方法還包括以下步驟提供一在其上制造有多個(gè)中間半導(dǎo)體器件(10)的晶片，每個(gè)中間半導(dǎo)體器件都包括伸出電極(16)和封閉層(17)；以及將該晶片切割成多個(gè)半導(dǎo)體器件(10)。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于該制造方法還包括以下步驟在封閉層(17)形成之后，對(duì)伸出電極(16)的上表面進(jìn)行蝕刻，以去除伸出電極上表面上的樹(shù)脂層。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于該制造方法還包括以下步驟在封閉層(47，57)形成之后，在伸出電極(46)的上表面上設(shè)置凸點(diǎn)(48，58)。
18.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟在半導(dǎo)體襯底(11)上設(shè)置電路，該電路包括輸入晶體管和輸出晶體管，該輸入晶體管具有輸入端子，該輸出晶體管具有輸出端子；在上述襯底上設(shè)置內(nèi)部布線圖案(12)，該內(nèi)部布線圖案與輸入端子或輸出端子相連接；在上述襯底上設(shè)置保護(hù)層(14)，該保護(hù)層覆蓋上述襯底；在上述襯底上設(shè)置通路(13)，這些通路從保護(hù)層上伸出并與內(nèi)部布線圖案相連接；在保護(hù)層上設(shè)置外部布線圖案(15)，該外部布線圖案與通路相連接；在外部布線圖案上設(shè)置伸出電極(16)，這些伸出電極與外部布線圖案相連接以建立伸出電極與電路端子之間的電連接，且這些伸出電極比外部布線圖案高出一預(yù)定高度；在保護(hù)層上用注塑法設(shè)置由樹(shù)脂材料構(gòu)成的封閉層(17)，該封閉層覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面；以及將試驗(yàn)探針與伸出電極(16)相連接，以測(cè)試襯底中包含的電路。
全文摘要
在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件及其制造方法中,在半導(dǎo)體襯底(11)中設(shè)置具有多個(gè)端子的電路;在該襯底上設(shè)置與電路的端子相連接的內(nèi)部布線圖案(12);在襯底上設(shè)置覆蓋襯底的保護(hù)層(14);在襯底上設(shè)置從保護(hù)層上伸出并與內(nèi)部布線圖案相連接的通路(13);在保護(hù)層上設(shè)置與通路相連接的外部布線圖案(15);在外部布線圖案上設(shè)置伸出電極(16);并在保護(hù)層上設(shè)置覆蓋伸出電極的側(cè)面和外部布線圖案的外表面的樹(shù)脂封閉層(17)。
文檔編號(hào)H01L25/18GK1264923SQ0010240
公開(kāi)日2000年8月30日 申請(qǐng)日期2000年2月23日 優(yōu)先權(quán)日1999年2月23日
發(fā)明者川原登志實(shí), 松木浩久, 新間康弘, 米田義之, 深澤則雄, 濱中雄三, 永重健一, 穗積孝司 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社