基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明涉及一種基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了減少工藝變化對閃存等電路性能的影響,越來越多的模擬電壓需要修整(trimming),即測量和調(diào)節(jié)。為了降低嵌入式快閃記憶體(EFlash)測試成本,同測數(shù)越來越多,而模擬電壓的量測只能順序執(zhí)行。
[0003]而且,測試趨勢在于,模擬電路的測量和調(diào)節(jié)在測試流程中所占成本的比重越來越高。所以,為了控制測試成本,降低模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的時間勢在必行。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷,提供一種能夠降低模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的時間的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法。
[0005]為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的,根據(jù)本發(fā)明,提供了一種基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,包括:將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲器的輸出連接至存儲器測試儀的測試輸入端口 ;在存儲器測試儀中設(shè)定第一比較電壓和第二比較電壓作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍;使得模擬電壓的輸出端口輸出多個模擬電壓值,并且按順序依次輸入存儲器測試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲器測試儀中測得的結(jié)果,而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔;從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀O和讀I都失敗的結(jié)果所對應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍;將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測試電壓值。
[0006]優(yōu)選地,第一比較電壓大于第二比較電壓。
[0007]優(yōu)選地,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值大于第一比較電壓時輸出結(jié)果I。
[0008]優(yōu)選地,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值小于第二比較電壓時輸出結(jié)果O。
[0009]優(yōu)選地,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值小于第一比較電壓且大于第二比較電壓時輸出讀O和讀I都失敗的結(jié)果。
[0010]優(yōu)選地,按順序為由低到高的順序
[0011]優(yōu)選地,按順序為由低到高的順序。
[0012]優(yōu)選地,所述多個模擬電壓值中的相鄰兩個模擬電壓值之間的電壓差相等。
[0013]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法能夠替代復(fù)雜的精密測量單元測量把,復(fù)雜的量測動作變成簡單的功能測試;而且能夠有效地降低大約90%以上的測試時間。
【附圖說明】
[0014]結(jié)合附圖,并通過參考下面的詳細(xì)描述,將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征,其中:
[0015]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法的流程圖。
[0016]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法的示意圖。
[0017]需要說明的是,附圖用于說明本發(fā)明,而非限制本發(fā)明。注意,表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂,下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0019]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法的流程圖,圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法的示意圖。
[0020]如圖1和圖2所示,根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法包括:
[0021]第一步驟S1:將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲器的輸出連接至存儲器測試儀的測試輸入端口;
[0022]第二步驟S2:在存儲器測試儀中設(shè)定第一比較電壓VOH和第二比較電壓VOL作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍;其中,第一比較電壓VOH大于第二比較電壓VOL。
[0023]第三步驟S3:使得模擬電壓的輸出端口輸出多個模擬電壓值,并且按順序(例如,由低到高的順序或者由低到高的順序)依次輸入存儲器測試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲器測試儀中測得的結(jié)果(讀O或I),而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔;優(yōu)選地,所述多個模擬電壓值中的相鄰兩個模擬電壓值之間的電壓差相等。
[0024]具體地,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值大于第一比較電壓VOH時輸出結(jié)果I。存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值小于第二比較電壓VOL時輸出結(jié)果O。存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值小于第一比較電壓VOH且大于第二比較電壓VOL時輸出讀O和讀I都失敗的結(jié)果。
[0025]第四步驟S4:從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀O和讀I都失敗的結(jié)果所對應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍;
[0026]第五步驟S5:將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測試電壓值。
[0027]由此,后續(xù)的模擬電路的測量和調(diào)節(jié)就可以使用該最佳測試電壓值。
[0028]具體地,如圖2所示,前6個檔位都是讀O通過(P),后5個檔位都是讀I通過(P);檔位6、7、8、9、10處于模擬電壓的目標(biāo)范圍,讀O讀I都失敗(F),則中間檔位8為最佳檔位。
[0029]根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法至少具有下述優(yōu)勢:
[0030](I)能夠替代復(fù)雜的PMU(Precis1n Measurement Unit,精密測量單元)測量;
[0031](2)把復(fù)雜的量測動作變成簡單的功能測試;
[0032](3)能夠有效地降低大約90%以上的測試時間。
[0033]此外,需要說明的是,除非特別說明或者指出,否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等,而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0034]可以理解的是,雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上,然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下,都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾,或修改為等同變化的等效實施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于包括: 將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲器的輸出連接至存儲器測試儀的測試輸入端口; 在存儲器測試儀中設(shè)定第一比較電壓和第二比較電壓作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍; 使得模擬電壓的輸出端口輸出多個模擬電壓值,并且按順序依次輸入存儲器測試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲器測試儀中測得的結(jié)果,而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔; 從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀O和讀I都失敗的結(jié)果所對應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍; 將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測試電壓值。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,其中第一比較電壓大于第二比較電壓。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值大于第一比較電壓時輸出結(jié)果I。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值小于第二比較電壓時輸出結(jié)果O。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,存儲器測試儀在輸入的模擬電壓值小于第一比較電壓且大于第二比較電壓時輸出讀O和讀I都失敗的結(jié)果。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,按順序為由低到高的順序。7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,按順序為由低到高的順序。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,其特征在于,所述多個模擬電壓值中的相鄰兩個模擬電壓值之間的電壓差相等。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種基于存儲器測試儀的模擬電壓測量和調(diào)節(jié)的方法,包括:將模擬電壓的輸出端口當(dāng)作存儲器的輸出連接至存儲器測試儀的測試輸入端口;在存儲器測試儀中設(shè)定第一比較電壓和第二比較電壓作為模擬電壓調(diào)節(jié)的目標(biāo)范圍;使得模擬電壓的輸出端口輸出多個模擬電壓值,并且按順序依次輸入存儲器測試儀,以讀取輸入的模擬電壓值在存儲器測試儀中測得的結(jié)果,而且將讀取的結(jié)果存入預(yù)定文檔;從所述預(yù)定文檔里取出讀取的結(jié)果,查找出讀0和讀1都失敗的結(jié)果所對應(yīng)的模擬電壓值輸入范圍;將模擬電壓值輸入范圍內(nèi)的中間電壓值選擇為最佳測試電壓值。
【IPC分類】G11C29/08, G11C29/50
【公開號】CN105225697
【申請?zhí)枴緾N201510694983
【發(fā)明人】索鑫
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年10月22日