專利名稱：堆疊式存儲(chǔ)器模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種堆疊式存儲(chǔ)器模組，特別是涉及一種便于制造自動(dòng)化的堆疊式存儲(chǔ)器模組及使用它的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組。
隨著電腦運(yùn)作速度及功能日益加快及增強(qiáng)，存儲(chǔ)器容量的需求便越來越大，而一般主機(jī)板的面積有限，為增加存儲(chǔ)器數(shù)量必需占用許多主機(jī)板面積，因此，便有堆疊式存儲(chǔ)器模組架構(gòu)產(chǎn)生，以在少占用主機(jī)板面積下就可增加存儲(chǔ)器容量。
一般的堆疊式存儲(chǔ)器模組有如在由IBM所擁有的美國專利第4，996，587號(hào)中所公開的結(jié)構(gòu)，但是，該美國專利所公開的技術(shù)因?yàn)樾枰扇斯ぱb配額外的S形連接器夾子，所以無法進(jìn)行自動(dòng)化制造，因此使得工藝變復(fù)雜，且增加成本。
本發(fā)明的目的在于提供一種便于制造自動(dòng)化的堆疊式存儲(chǔ)器模組及使用它的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取如下措施本發(fā)明的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，該多層堆疊式存儲(chǔ)器模組具有至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組，各堆疊式存儲(chǔ)器模組包括一晶元安裝體、至少兩晶元、至少兩絕緣膠帶層及至少二個(gè)可安裝在該印刷電路板上的錫球，該晶元安裝體具有一第一安裝表面和一第二安裝表面，并且形成有至少二個(gè)其的孔形成壁被電鍍有導(dǎo)電材料的電鍍貫孔，第一和第二安裝表面都布設(shè)有延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔且與該電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接的預(yù)定的電路軌跡，該等晶元各具有一設(shè)置有至少二個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面，該等絕緣膠帶層分別放置在其中一個(gè)晶元與該晶元安裝體的第一安裝表面之間及另一個(gè)晶元與該晶元安裝體的第二安裝表面之間，并且各具有一與對(duì)應(yīng)的晶元的黏接墊安裝表面黏接的第一黏接表面和一與該晶元安裝體的對(duì)應(yīng)的安裝表面黏接的第二黏接表面，該膠帶層形成有至少二個(gè)用以使各晶元的黏接墊與該晶元安裝體的對(duì)應(yīng)的安裝表面的對(duì)應(yīng)的電路軌跡連通的穿孔，在各穿孔中設(shè)置有導(dǎo)電金屬球可達(dá)成該等晶元的黏接墊與該晶元安裝體的對(duì)應(yīng)的電路軌跡的電連接，該等錫球被設(shè)置在該晶元安裝體的其中一個(gè)安裝表面上且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與該電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接。
本發(fā)明采取如下具體結(jié)構(gòu)本發(fā)明的一種堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，包括一個(gè)晶元安裝體、至少兩晶元；其特征在于還包括至少兩個(gè)絕緣膠帶層及安裝在印刷電路板上的錫球；晶元安裝體具有一第一安裝表面和一第二安裝表面，并且形成有至少二個(gè)電鍍貫孔，貫孔形成壁上電鍍有導(dǎo)電材料，第一和第二安裝表面上布設(shè)有延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔且與電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接的電路軌跡；晶元各具有一設(shè)置有多個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面；絕緣膠帶層分別置設(shè)在其中一個(gè)晶元與晶元安裝體的第一安裝表面之間及另一個(gè)晶元與該晶元安裝體的第二安裝表面之間，并且各具有一與對(duì)應(yīng)晶元的黏接墊安裝表面黏接的第一黏接表面和一與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面黏接的第二黏接表面；該膠帶層形成有多個(gè)用以使各晶元黏接墊與該晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面對(duì)應(yīng)的電路軌跡連通的穿孔，在各穿孔中設(shè)置有使晶元的黏接墊與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的電路軌跡的電連接的導(dǎo)電金屬球；錫球設(shè)置在晶元安裝體的其中一個(gè)安裝表面上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接。
其中所述各晶元的周圍與所述晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面之間形成有一環(huán)氧樹脂層。
其中所述各晶元與黏接墊安裝表面相對(duì)的表面上設(shè)置有一金屬散熱板。
本發(fā)明的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于其由至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成；各堆疊式存儲(chǔ)器模組呈堆疊式排列，位于較上層的堆疊式存儲(chǔ)器模組的錫球與較下一層堆疊式存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體上的電鍍貫孔的頂端電連接。
結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)特征詳細(xì)說明如下

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的剖視示意圖。
圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例中的晶元安裝體的部分立體示意圖。
圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例中的晶元的部分立體示意圖。
圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例中的膠帶層部分立體示意圖。
圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例使用多層堆疊式存儲(chǔ)器模組的剖視示意圖。
圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的剖視示意圖。
圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例使用多層堆疊式存儲(chǔ)器模組的剖視示意圖。
圖8是本發(fā)明第三實(shí)施例的剖視示意圖。
圖9是本發(fā)明第三實(shí)施例使用多層堆疊式存儲(chǔ)器模組的剖視示意圖。
圖10是本發(fā)明第四實(shí)施例的剖視示意圖。
圖11是本發(fā)明第四實(shí)施例使用多層堆疊式存儲(chǔ)器模組的剖視示意圖。
圖12是本發(fā)明第五實(shí)施例的側(cè)視示意圖。
如圖1所示，其是本發(fā)明的堆疊式存儲(chǔ)器模組的第一實(shí)施例的剖視示意圖，發(fā)明的堆疊式存儲(chǔ)器模組包括一晶元安裝體1、至少二個(gè)晶元2及多個(gè)錫球3。
在本實(shí)施例中，晶元安裝體1為一基板，且具有一第一安裝表面10和一第二安裝表面11，在第一和第二安裝表面10、11上都布設(shè)有預(yù)定的電路軌跡12(如圖2所示)，晶元安裝體1形成有多個(gè)電鍍貫孔14，貫孔14的形成壁上電鍍有導(dǎo)電材料，在晶元安裝體1的第一和第二安裝表面10、11上的電路軌跡12延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14且與其孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接。
配合圖3、4所示，該等晶元2各具有一黏接墊安裝表面20，黏接墊安裝表面20上設(shè)置有多個(gè)黏接墊21，晶元2各通過一具有第一與第二黏接表面的絕緣膠帶層4分別安裝在晶元安裝體1的第一與第二安裝表面10、11上，各膠帶層4的第一黏接表面與對(duì)應(yīng)的晶元2的黏接墊安裝表面20黏接，而第二黏接表面與晶元安裝體1的對(duì)應(yīng)的第一與第二安裝表面10、11黏接，膠帶層4形成有數(shù)個(gè)用以使各晶元2的黏接墊21與晶元安裝體1的對(duì)應(yīng)的第一與第二安裝表面10、11上的對(duì)應(yīng)的電路軌跡12連通的穿孔40，該等晶元2的黏接墊20與晶元安裝體1對(duì)應(yīng)的電路軌跡12的電連接是經(jīng)由置放在穿孔40中的導(dǎo)電金屬球5實(shí)現(xiàn)的，在各晶元2的周圍與晶元安裝體1對(duì)應(yīng)的第一與第二安裝表面10、11之間更形成有一環(huán)氧樹脂層23，以可進(jìn)一步固定晶元2，要注意的是，為了散熱及保護(hù)晶元2，在各晶元2與黏接墊安裝表面20相對(duì)的表面上更設(shè)置有一金屬散熱板24。
該等錫球3(在圖1中只顯示其中兩個(gè))被設(shè)置在晶元安裝體1的第二安裝表面11上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔14的孔形成壁的導(dǎo)電材料電連接，導(dǎo)致錫球3通過晶元安裝體1的第一與第二安裝表面10、11上的電路軌跡12來與晶元2對(duì)應(yīng)的黏接墊21成電連接。
應(yīng)要注意的是，本實(shí)施例的圖中顯示在晶元安裝體1的第一與第二安裝表面10與11上分別只有一個(gè)晶元2，而熟知此項(xiàng)技術(shù)的人應(yīng)了解在晶元安裝體1的各安裝表面10、11上可設(shè)置兩個(gè)或兩個(gè)以上的晶元2。
配合圖5所示，其表示利用本發(fā)明第一實(shí)施例的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其包括多個(gè)本發(fā)明第一實(shí)施例的堆疊式存儲(chǔ)器模組，較上層的存儲(chǔ)器模組的錫球3固定到較下層的存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體1的第一安裝表面10上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14對(duì)準(zhǔn)及與貫孔14的孔形成壁的導(dǎo)電材料電連接，而最下層的存儲(chǔ)器模組的錫球3固定至一印刷電路板(圖未示)上，且與印刷電路板的對(duì)應(yīng)的電路軌跡12呈電連接。
如圖6所示，其是本發(fā)明的堆疊式存儲(chǔ)器模組的第二實(shí)施例，在本實(shí)施例中，晶元安裝體1由三層基板組成，且在第一與第二安裝表面10、11上各凹設(shè)有至少一個(gè)用以容置晶元2的晶元容置凹坑13，各晶元2與黏接墊安裝表面20相對(duì)的表面與一絕緣膠帶層41的第一黏接表面黏接，而該膠帶層41的第二黏接表面黏接至該晶元安裝體1的對(duì)應(yīng)的凹坑13的底壁，藉此使各晶元2被固定在對(duì)應(yīng)的凹坑13內(nèi)，與第一實(shí)施例不同的是，膠帶層41沒有形成可暴露晶元2的黏接墊21的穿孔，各晶元2的黏接墊21經(jīng)由導(dǎo)線22與晶元安裝體1對(duì)應(yīng)的第一與第二安裝表面10、11(如圖2所示)對(duì)應(yīng)的電路軌跡電連接，此外，在晶元安裝體1的第一與第二安裝表面10、11上各設(shè)有一用在覆蓋導(dǎo)線22與晶元2的黏接墊安裝表面20以作保護(hù)的封膠層6，封膠層6可以由環(huán)氧樹脂形成。
與上述第一實(shí)施例相類似的是，錫球3被設(shè)置在晶元安裝體1的第二安裝表面11上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔14的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，導(dǎo)致錫球3通過晶元安裝體1的第一與第二安裝表面10、11上的電路軌跡及導(dǎo)線22來與晶元2對(duì)應(yīng)的黏接墊21呈電連接。
配合圖7所示，其表示利用本發(fā)明第二實(shí)施例的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其包括多個(gè)本發(fā)明第二實(shí)施例的堆疊式存儲(chǔ)器模組，與圖5所示的結(jié)構(gòu)相類似，較上層的存儲(chǔ)器模組的錫球3固定在較下層的存儲(chǔ)器模組結(jié)構(gòu)的晶元安裝體1的第一安裝表面10上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔14的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，而最下層的存儲(chǔ)器模組的錫球3固定至一印刷電路板(圖中示)上，且與該印刷電路板對(duì)應(yīng)的電路軌跡12電連接。
如圖8所示，其是本發(fā)明的堆疊式存儲(chǔ)器模組的第三實(shí)施例的示意圖，包括一晶元安裝體1、至少兩個(gè)第一晶元201、至少兩個(gè)第二晶元202、至少兩層第一絕緣膠帶層4、至少兩層第二絕緣膠帶層41及多個(gè)錫球3。
在本實(shí)施例中，晶元安裝體1包括三層基板，且具有第一與第二安裝表面10、11，在各安裝表面10、11上形成至少一個(gè)可容置晶元的晶元容置凹坑131，另一方面，在各安裝表面10、11和各凹坑131的底壁上布設(shè)有如圖2所示般的預(yù)定的電路軌跡12，且各電路軌跡12延伸至形成在晶元安裝體1中對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14。
各第一晶元201被容置在對(duì)應(yīng)的凹坑131內(nèi)且其設(shè)有黏接墊21的黏接墊安裝表面20與第一絕緣膠帶層4的第一黏接表面黏接，而第一絕緣膠帶層4的第二黏接表面與對(duì)應(yīng)的凹坑131的底壁黏接，與上述第一實(shí)施例相同的是，第一膠帶層4形成有多個(gè)用以使各第一晶元201的黏接墊21與在對(duì)應(yīng)的凹坑131的底壁上對(duì)應(yīng)的電路軌跡12連通的穿孔40，第一晶元201的黏接墊21與對(duì)應(yīng)的凹坑131的底壁上對(duì)應(yīng)的電路軌跡12的電連接是經(jīng)由導(dǎo)電金屬球5來實(shí)現(xiàn)的。
第二晶元202也被容置在對(duì)應(yīng)的凹坑131內(nèi)，且其與設(shè)有黏接墊21的黏接墊安裝表面20相對(duì)的表面與第二絕緣膠帶層41的第一黏接表面黏接，而第二膠帶層41的第二黏接表面與對(duì)應(yīng)的第一晶元201與黏接墊安裝表面20相對(duì)的表面黏接，與上述第二實(shí)施例相同的是，各第二晶元202的黏接墊21與在晶元安裝體1對(duì)應(yīng)的第一與第二安裝表面10、11上的電路軌跡之間的電連接是經(jīng)由導(dǎo)線22實(shí)現(xiàn)的。
該等錫球3被設(shè)置在晶元安裝體1的第二安裝表面11上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔14的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，導(dǎo)致錫球3通過晶元安裝體1的第一與第二安裝表面10、11上的電路軌跡12及導(dǎo)線22與第二晶元202對(duì)應(yīng)的黏接墊21電連接及通過凹坑131的底壁上的電路軌跡12與第一晶元201對(duì)應(yīng)的黏接墊21電連接。
如圖9所示，其是本發(fā)明第三實(shí)施例的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組的示意圖，其包括多個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組，與圖5所示的結(jié)構(gòu)相類似，較上層的存儲(chǔ)器模組的錫球3固定在較下層的存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體1的第一安裝表面10上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔14對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔14的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，而最下層的存儲(chǔ)器模組的錫球3是固定至一印刷電路板(圖未示)上，且與印刷電路板對(duì)應(yīng)的電路軌跡12電連接。
如圖10所示，其是本發(fā)明堆疊式存儲(chǔ)器模組結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的示意圖，包括第一和第二晶元安裝體101和102、至少一個(gè)第一晶元201、至少一個(gè)第二晶元202、多個(gè)第一錫球31及多個(gè)第二錫球3。
第一晶元安裝體101具有一晶元安裝表面151和一與晶元安裝表面151相對(duì)的電路軌跡布設(shè)表面161，第一晶元安裝體101形成有一可暴露晶元的黏接墊的通孔171及多個(gè)其孔形成壁被電鍍有導(dǎo)電材料的電鍍貫孔141，在電路軌跡布設(shè)表面161上布設(shè)有如圖2所示般的延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔141且與電鍍貫孔141的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接預(yù)定的電路軌跡。
第二晶元安裝體102具有一晶元安裝表面152和一與晶元安裝表面152相對(duì)的電路軌跡布設(shè)表面162，第二晶元安裝體102形成有一可暴露晶元的黏接墊的通孔172及多個(gè)其孔形成壁被電鍍有導(dǎo)電材料的電鍍貫孔142，在電路軌跡布設(shè)表面162上布設(shè)有如圖2所示般的延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔142且與該貫孔142的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接預(yù)定的電路軌跡。
第一晶元201具有一安裝有黏接墊211的黏接墊安裝表面203，第一晶元201的黏接墊安裝表面203與一第一絕緣膠帶層7的第一黏接表面黏接，而第一絕緣膠帶層7的第二黏接表面與第一晶元安裝體101的晶元安裝表面151黏接，第一絕緣膠帶層7形成有一與晶元安裝體101的通孔171對(duì)準(zhǔn)的穿孔70，第一晶元201的黏接墊211經(jīng)由導(dǎo)線221與第一晶元安裝體101的電路軌跡布設(shè)表面161上對(duì)應(yīng)的電路軌跡電連接，此外，在第一晶元安裝體101的電路軌跡布設(shè)表面161上設(shè)有一覆蓋該等導(dǎo)線221與第一晶元201的黏接墊安裝表面203的被暴露的部分以作保護(hù)的封膠層61，封膠層61可以由環(huán)氧樹脂形成。
與上述第一實(shí)施例相同的是，在第一晶元201的周圍與第一晶元安裝體101的晶元安裝表面151之間更形成有一環(huán)氧樹脂層231以可進(jìn)一步固定晶元201，同時(shí)，第一晶元201與黏接墊安裝表面203相對(duì)的表面上設(shè)置有一金屬散熱板241。
第二晶元202具有一安裝有黏接墊212的黏接墊安裝表面204，第二晶元202的黏接墊安裝表面204與一第二絕緣膠帶層8的第一黏接表面黏接，而第二絕緣膠帶層8的第二黏接表面與第二晶元安裝體102的晶元安裝表面152黏接，第二絕緣膠帶層8形成有一與第二晶元安裝體102的通孔172對(duì)準(zhǔn)的穿孔80，第二晶元202的黏接墊212經(jīng)由導(dǎo)線222來與第二晶元安裝體102的電路軌跡布設(shè)表面162上對(duì)應(yīng)的電路軌跡電連接，此外，第二晶元安裝體102的電路軌跡布設(shè)表面162上設(shè)有一覆蓋導(dǎo)線222與第二晶元202的黏接墊安裝表面204的被暴露的部分作保護(hù)的封膠層62，封膠層62可以由環(huán)氧樹脂形成。
與上述第一實(shí)施例相同的是，在該第二晶元202的周圍與第二晶元安裝體102的晶元安裝表面152之間更形成有一環(huán)氧樹脂層232以可進(jìn)一步固定晶元202，同時(shí)，第二晶元202與黏接墊安裝表面204相對(duì)的表面上設(shè)置有一金屬散熱板242。
該等第一錫球31設(shè)置在第一與第二晶元安裝體101、102之間，各第一錫球31與該第一晶元安裝體101的一對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔141和第二晶元安裝體102的一對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔142對(duì)準(zhǔn)，且與該等貫孔141、142的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，導(dǎo)致各第一錫球31通過第一與第二晶元安裝體101、102的電路軌跡布設(shè)表面161、162上的電路軌跡和導(dǎo)線221、222與第一與第二晶元201、202對(duì)應(yīng)的黏接墊211、212電連接。
該等第二錫球3被設(shè)置在該第二晶元安裝體102的晶元安裝表面152上且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔142對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔142的孔形成壁的導(dǎo)電材料電連接。
如圖11所示，其是本發(fā)明第四實(shí)施例的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組的示意圖，其包括多個(gè)本發(fā)明第四實(shí)施例的堆疊式存儲(chǔ)器模組，與圖5所示的結(jié)構(gòu)類似，較上層的存儲(chǔ)器模組的第二錫球3固定在較下層的存儲(chǔ)器模組的第一晶元安裝體101的晶元安裝表面151上且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔141對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔141的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，而最下層的存儲(chǔ)器模組的第二錫球3是固定至一印刷電路板(圖未示)上且與印刷電路板對(duì)應(yīng)的電路軌跡成電連接。
如圖12所示，其是本發(fā)明第五實(shí)施例的堆疊式存儲(chǔ)器模組的示意圖，其與上述第四實(shí)施例不同的是，圖12的實(shí)施例顯示了在各晶元安裝體101、102上安裝有至少兩個(gè)晶元201、202。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下效果本發(fā)明的堆疊式存儲(chǔ)器模組便于自動(dòng)化生產(chǎn)，生產(chǎn)成本低。
權(quán)利要求
1．一種堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，包括一個(gè)晶元安裝體、至少兩晶元；其特征在于還包括至少兩個(gè)絕緣膠帶層及安裝在印刷電路板上的錫球；晶元安裝體具有一第一安裝表面和一第二安裝表面，并且形成有至少二個(gè)電鍍貫孔，貫孔形成壁上電鍍有導(dǎo)電材料，第一和第二安裝表面上布設(shè)有延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔且與電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接的電路軌跡；晶元各具有一設(shè)置有多個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面；絕緣膠帶層分別置設(shè)在其中一個(gè)晶元與晶元安裝體的第一安裝表面之間及另一個(gè)晶元與該晶元安裝體的第二安裝表面之間，并且各具有一與對(duì)應(yīng)晶元的黏接墊安裝表面黏接的第一黏接表面和一與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面黏接的第二黏接表面；該膠帶層形成有多個(gè)用以使各晶元黏接墊與該晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面對(duì)應(yīng)的電路軌跡連通的穿孔，在各穿孔中設(shè)置有使晶元的黏接墊與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的電路軌跡的電連接的導(dǎo)電金屬球；錫球設(shè)置在晶元安裝體的其中一個(gè)安裝表面上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述各晶元的周圍與所述晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面之間形成有一環(huán)氧樹脂層。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述各晶元與黏接墊安裝表面相對(duì)的表面上設(shè)置有一金屬散熱板。
4．一種堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于包括一晶元安裝體、至少兩晶元、至少兩絕緣膠帶層、至少兩封膠層及至少二個(gè)安裝在該印刷電路板上的錫球；晶元安裝體具有一第一安裝表面和一第二安裝表面，并且形成有至少二個(gè)其孔形成壁被電鍍有導(dǎo)電材料的電鍍貫孔，第一和第二安裝表面各凹設(shè)有至少一個(gè)晶元容置凹坑，并且都布設(shè)有延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔且與該電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接的電路軌跡；晶元各具有一設(shè)置有至少二個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面，晶元分別容置在晶元安裝體對(duì)應(yīng)的晶元容置凹坑內(nèi)；絕緣膠帶層分別置設(shè)在其中一個(gè)晶元與該晶元安裝體的其中一個(gè)凹坑的底壁之間及另一個(gè)晶元與該晶元安裝體的另一個(gè)凹坑的底壁之間，該等膠帶層各具有一與對(duì)應(yīng)的晶元與該黏接墊安裝表面相對(duì)的表面黏接的第一黏接表面和一與該晶元安裝體對(duì)應(yīng)的凹坑的底壁黏接的第二黏接表面，該等晶元的黏接墊經(jīng)由導(dǎo)線與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面的電路軌跡電連接；封膠層覆蓋在對(duì)應(yīng)的晶元的黏接墊安裝表面及導(dǎo)線上；錫球設(shè)置在晶元安裝體的其中一個(gè)安裝表面上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與該電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接。
5．根據(jù)權(quán)利要求4所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述封膠層是由環(huán)氧樹脂形成。
6．一種堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于包括一晶元安裝體、至少兩第一晶元、至少兩第一絕緣膠帶層、至少兩個(gè)第二晶元、至少兩第二絕緣膠帶層、至少兩封膠層及至少二個(gè)安裝在印刷電路板上的錫球；晶元安裝體具有一第一安裝表面和一第二安裝表面，并且形成有至少二個(gè)其孔形成壁被電鍍有導(dǎo)電材料的電鍍貫孔，第一和第二安裝表面各凹設(shè)有至少一個(gè)晶元容置凹坑，第一和第二安裝表面及各凹坑的底壁都布設(shè)有延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔且與電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接的電路軌跡；第一晶元各具有一設(shè)置有至少二個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面，第一晶元分別容置在晶元安裝體對(duì)應(yīng)的晶元容置凹坑內(nèi)；第一絕緣膠帶層分別置設(shè)在其中一個(gè)第一晶元與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的凹坑的底壁之間，另一個(gè)第一晶元與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的凹坑的底壁之間，第一膠帶層各具有一與對(duì)應(yīng)晶元的黏接墊安裝表面黏接的第一黏接表面和一與該晶元安裝體對(duì)應(yīng)的凹坑的底壁黏接的第二黏接表面，第一膠帶層形成設(shè)有至少二個(gè)用以使第一晶元的黏接墊與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的凹坑的底壁對(duì)應(yīng)的電路軌跡連通的穿孔，在各穿孔中設(shè)置有使第一晶元的黏接墊與晶元安裝體對(duì)應(yīng)的凹壁的底壁的電路軌跡電連接的導(dǎo)電金屬球；第二晶元各具有一設(shè)置有至少二個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面，第二晶元分別容置在該晶元安裝體對(duì)應(yīng)的晶元容置凹坑內(nèi)；第二絕緣膠帶層分別置設(shè)在其中一個(gè)第一晶元與對(duì)應(yīng)的第二晶元之間，另一個(gè)第一晶元與對(duì)應(yīng)的第二晶元之間，第二膠帶層各具有一第一黏接表面及第二黏接表面；第一黏接表面與對(duì)應(yīng)的第二晶元與黏接墊安裝表面相對(duì)的表面黏接；第二黏接表面與對(duì)應(yīng)的第一晶元的黏接墊安裝表面相對(duì)的表面黏接；第二晶元的黏接墊經(jīng)由導(dǎo)線與該晶元安裝體對(duì)應(yīng)的安裝表面的電路軌跡電連接；一封膠層覆蓋在對(duì)應(yīng)的第二晶元的黏接墊安裝表面及導(dǎo)線上；所述錫球設(shè)置在晶元安裝體的中一個(gè)安裝表面上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與該電鍍貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述封膠層由環(huán)氧樹脂形成。
8．一種堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于包括第一和第二晶元安裝體、一第一晶元、一第二晶元、至少二個(gè)第一錫球及至少二個(gè)第二錫球晶元安裝體各具有一晶元安裝表面和一與晶元安裝表面相對(duì)的電路軌跡布設(shè)表面，晶元安裝體各形成有一可暴露晶元的黏接墊的通孔及至少二個(gè)其孔形成壁被電鍍有導(dǎo)電材料的電鍍貫孔，各晶元安裝體的電路軌跡布設(shè)表面上布設(shè)有延伸至對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔且與貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接的電路軌跡；第一晶元具有一安裝有黏接墊的黏接墊安裝表面，第一晶元的黏接墊安裝表面與一第一絕緣膠帶層的第一黏接表面黏接，第一絕緣膠帶層的第二黏接表面與第一晶元安裝體的晶元安裝表面黏接，第一絕緣膠帶層形成有一與晶元安裝體的通孔對(duì)準(zhǔn)的穿孔，第一晶元的黏接墊經(jīng)由導(dǎo)線與第一晶元安裝體的電路軌跡布設(shè)表面上對(duì)應(yīng)的電路軌跡電連接，第一晶元安裝體的電路軌跡布設(shè)表面上設(shè)有一覆蓋導(dǎo)線與第一晶元的黏接墊安裝表面的被暴露的部分的封膠層；第二晶元具有一安裝有黏接墊的黏接墊安裝表面，第二晶元的黏接墊安裝表面與一第二絕緣膠帶層的第一黏接表面黏接，第二絕緣膠帶層的第二黏接表面與第二晶元安裝體的晶元安裝表面黏接，第二絕緣膠帶層形成有一與第二晶元安裝體的通孔對(duì)準(zhǔn)的穿孔，第二晶元的黏接墊經(jīng)由導(dǎo)線與第二晶元安裝體的電路軌跡布設(shè)表面上對(duì)應(yīng)的電路軌跡電連接，第二晶元安裝體的電路軌跡布設(shè)表面上設(shè)有一覆蓋導(dǎo)線與第二晶元的黏接墊安裝表面的被暴露部分的封膠層；第一錫球設(shè)置在第一與第二晶元安裝體之間，各第一錫球與第一晶元安裝體的一對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔和第二晶元安裝體的一對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)，而與貫孔的孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接，各第一錫球通過晶元安裝體的電路軌跡布設(shè)表面上的電路軌跡和導(dǎo)線與第一和第二晶元對(duì)應(yīng)的黏接墊電連接；第二錫球設(shè)置在第二晶元安裝體的晶元安裝表面上，且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與貫孔的孔形成壁的導(dǎo)電材料電連接。
9．根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述封膠層由環(huán)氧樹脂形成。
10．根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述第一晶元的周圍與第一晶元安裝體的晶元安裝表面之間更形成有一環(huán)氧樹脂層。
11．根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述第一晶元與該黏接墊安裝表面相對(duì)的表面上設(shè)置有一金屬散熱板。
12．根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述第二晶元的周圍與第二晶元安裝體的晶元安裝表面之間形成有一環(huán)氧樹脂層。
13．根據(jù)權(quán)利要求8所述的堆疊式存儲(chǔ)器模組，其特征在于所述第二晶元與該黏接墊安裝表面相對(duì)的表面上設(shè)置有一金屬散熱板。
14．一種由權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于其由至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成；各堆疊式存儲(chǔ)器模組呈堆疊式排列，位于較上層的堆疊式存儲(chǔ)器模組的錫球與較下一層堆疊式存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體上的電鍍貫孔的頂端電連接。
15．一種由權(quán)利要求4或5的堆疊式存儲(chǔ)器模組組成的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于其由至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成；各堆疊式存儲(chǔ)器模組呈堆疊式排列，位于較上層的堆疊式存儲(chǔ)器模組的錫球與較下一層堆疊式存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體上的電鍍貫孔的頂端電連接。
16．一種由權(quán)利要求6或7的堆疊式存儲(chǔ)器模組組成的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上；其特征在于其由至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成；各堆疊式存儲(chǔ)器模組呈堆疊式排列，位于較上層的堆疊式存儲(chǔ)器模組的錫球與較下一層堆疊式存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體上的電鍍貫孔的頂端電連接。
17．一種由權(quán)利要求8～13中任一項(xiàng)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成的多層堆疊式存儲(chǔ)器模組，其安裝在一印刷電路板上，其特征在于其由至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成；各堆疊式存儲(chǔ)器模組呈堆疊式排列，位于較上層的堆疊式存儲(chǔ)器模組的錫球與較下一層堆疊式存儲(chǔ)器模組的晶元安裝體上的電鍍貫孔的頂端電連接。
全文摘要
一種堆疊式存儲(chǔ)器模組,包括:一具一第一安裝表面和一第二安裝表面且形成數(shù)個(gè)電鍍貫孔的晶元安裝體,至少兩各具一設(shè)置數(shù)個(gè)黏接墊的黏接墊安裝表面的晶元,至少兩分別置于其中一晶元與第一安裝表面之間及另一晶元與第二安裝表面之間的絕緣膠帶層,數(shù)個(gè)安裝在印刷電路板上的錫球,其是設(shè)在晶元安裝體的一安裝表面上,且與對(duì)應(yīng)的電鍍貫孔對(duì)準(zhǔn)及與孔形成壁上的導(dǎo)電材料電連接;多層堆疊式存儲(chǔ)器模組由至少兩個(gè)堆疊式存儲(chǔ)器模組組成。
文檔編號(hào)G11C5/12GK1293432SQ9912193
公開日2001年5月2日 申請(qǐng)日期1999年10月15日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月15日
發(fā)明者沈明東 申請(qǐng)人:沈明東