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磁頭單元及記錄和/或回放設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):6748434閱讀:104來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):磁頭單元及記錄和/或回放設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于向盤(pán)形記錄介質(zhì)寫(xiě)信號(hào)和/或從上面讀取信號(hào)的磁頭單元,及包括這種磁頭單元的記錄和/或回放設(shè)備。
在個(gè)人電腦、辦公室微機(jī)和字處理機(jī)中廣泛使用著記錄和/或回放設(shè)備,該設(shè)備用以向盤(pán)形記錄介質(zhì),如軟磁盤(pán)的信號(hào)記錄表面上寫(xiě)信號(hào),或從上面回放信號(hào)。這種記錄和/或回放設(shè)備已顯得非常流行。
記錄和/或回放設(shè)備中包含有一個(gè)磁頭,此磁頭用來(lái)向插在該設(shè)備中的盤(pán)形記錄介質(zhì)寫(xiě)信號(hào)或從中讀取信號(hào)。
磁頭單元包括一對(duì)支撐臂和安裝在這兩個(gè)臂上正對(duì)著位置上的一對(duì)磁頭,每個(gè)磁頭帶有一個(gè)磁頭元件。盤(pán)形記錄介質(zhì)置于這對(duì)磁頭之間,通過(guò)磁頭元件向盤(pán)形記錄介質(zhì)的信號(hào)記錄表面寫(xiě)信號(hào)或讀信號(hào)。
現(xiàn)在參見(jiàn)

圖1,它顯示了一個(gè)傳統(tǒng)的磁頭單元。用標(biāo)號(hào)100來(lái)總體指代此磁頭單元。如圖1中的局部剖視所示,磁頭單元100包含支在其基體上的一對(duì)支撐臂101、裝于每個(gè)支撐臂101自由端的一對(duì)平衡盤(pán)102、及置于每個(gè)平衡盤(pán)102上相對(duì)的磁頭103。還有一對(duì)樞軸104,它們各自與支撐臂101之一形成一個(gè)整體。磁頭單元100適于使每個(gè)磁頭103通過(guò)樞軸104和平衡盤(pán)102移到盤(pán)形記錄介質(zhì)的附近,這樣磁頭103可以跟著盤(pán)形記錄介質(zhì)103的位移或偏轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng),以確保穩(wěn)定的讀寫(xiě)。
按上面結(jié)構(gòu)構(gòu)造的記錄和/或回放設(shè)備的讀寫(xiě)盤(pán)形記錄介質(zhì)105,當(dāng)其放到記錄和/或回放設(shè)備中時(shí),它通常裝到盒子106內(nèi),目的是保護(hù)它的信號(hào)記錄面。
盒子106內(nèi)形成有一個(gè)開(kāi)口107,以便磁頭由此導(dǎo)入。當(dāng)磁頭單元100用來(lái)讀和/或?qū)懕P(pán)形記錄介質(zhì)105時(shí),磁頭單元100的磁頭103從開(kāi)口107導(dǎo)入到盒子106內(nèi),磁頭103的磁頭元件在滑過(guò)盒子106內(nèi)的盤(pán)形記錄介質(zhì)105的信號(hào)記錄表面時(shí),向它上面寫(xiě)信號(hào)或從它上面讀取信號(hào)。
因此,在磁頭單元100內(nèi),磁頭103的厚度t1比盒子106的表面與盤(pán)形記錄介質(zhì)105的間距t2要大,以便當(dāng)磁頭103進(jìn)入盒子106內(nèi)時(shí),支撐臂106不致于碰到支撐臂106。
最近,推出了一種軟盤(pán),它的容量比目前實(shí)用的軟盤(pán)大。這種大容量的軟盤(pán)有跟傳統(tǒng)軟盤(pán)一樣的外形尺寸,但它的存儲(chǔ)容量達(dá)幾十至幾百兆字節(jié)(MB),而傳統(tǒng)的軟盤(pán)存儲(chǔ)容量只有一到兩兆字節(jié)(MB)。
在此情況下,有人從通用性的立場(chǎng)提出用記錄和/或回放設(shè)備來(lái)讀寫(xiě)這種大容量的軟盤(pán)和傳統(tǒng)軟盤(pán)。即,這種記錄和/或回放設(shè)備也可適用于低容量的軟盤(pán)。
如圖2所示,這種記錄和/或回放設(shè)備有一個(gè)磁頭單元采用了一對(duì)磁頭103,每個(gè)磁頭包含有讀寫(xiě)大容量軟盤(pán)的磁頭元件111(為解釋方便起見(jiàn),以下稱(chēng)111為“適于高密度介質(zhì)的磁頭元件”)和讀寫(xiě)傳統(tǒng)磁盤(pán)的磁頭元件112(同樣,稱(chēng)112為“適于低密度介質(zhì)的磁頭元件”)。另外,在每個(gè)磁頭103上沿厚度方向的中間位置形成有一個(gè)凹槽113,它開(kāi)向磁頭103的側(cè)面,在其中一個(gè)線(xiàn)圈纏繞在高密度介質(zhì)的磁頭元件111上。
在這種記錄和/或回放設(shè)備中,大容量的軟盤(pán)放在此設(shè)備中,并以如3600rpm(轉(zhuǎn)每分)左右的速度旋轉(zhuǎn),用大容量磁頭元件111來(lái)從此軟盤(pán)上讀寫(xiě)信號(hào)。另一方面,當(dāng)一個(gè)傳統(tǒng)軟盤(pán)放在此設(shè)備中并以如300轉(zhuǎn)每分左右的速度旋轉(zhuǎn)時(shí),信號(hào)是用低密度介質(zhì)磁頭元件112寫(xiě)上軟盤(pán)或從軟盤(pán)讀出的。
同樣,上面提到的磁頭單元100也是如此構(gòu)造的,以使磁頭103能跟上運(yùn)動(dòng)的盤(pán)形記錄介質(zhì)105,確保穩(wěn)定的讀和寫(xiě),磁頭103各自經(jīng)由平衡盤(pán)102,通過(guò)與那對(duì)支撐臂101形成整體的軸104,受到指向盤(pán)形記錄介質(zhì)105的力。
但是,在這種磁頭單元100中,由于磁頭103的厚度t1大于上面提及的盒子106的表面與盤(pán)形記錄介質(zhì)105的間距t2,軸104經(jīng)由平衡盤(pán)102對(duì)磁頭103的力的作用點(diǎn)處在磁頭103的相對(duì)于盤(pán)形記錄介質(zhì)105滑動(dòng)的表面之外。
這樣,與旋轉(zhuǎn)的盤(pán)形記錄介質(zhì)105和進(jìn)行操作的磁頭單元100一起,磁頭103受到一個(gè)力,在這個(gè)力作用下磁頭103傾斜著,這樣磁頭103相對(duì)于盤(pán)形記錄介質(zhì)105的姿態(tài)不可能保持穩(wěn)定。
特別是,當(dāng)大容量的軟盤(pán)用于這種記錄和/或回放設(shè)備時(shí),由于軟盤(pán)以大約3600轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn),在軟盤(pán)旋轉(zhuǎn)的同時(shí)一個(gè)很大的力施加在磁頭103上,這樣就很難保持磁頭103相對(duì)于軟盤(pán)處于一個(gè)穩(wěn)定的位置。
因此,為使磁頭103姿態(tài)穩(wěn)定,磁頭103希望設(shè)計(jì)得有一個(gè)減小的厚度,使得軸104通過(guò)平衡盤(pán)102將磁頭103壓向盤(pán)形記錄介質(zhì)105的力的作用點(diǎn),離磁頭103在盤(pán)形記錄介質(zhì)105上滑動(dòng)的表面更近。
但是,在能適于對(duì)大容量軟盤(pán)進(jìn)行讀寫(xiě)的記錄和/或回放設(shè)備的磁頭單元100中,如果磁頭103厚度太薄,上面提到的線(xiàn)圈纏繞槽113就不能處于磁頭103沿磁頭厚度方向的中間部分上。
因此,本發(fā)明的目的是,通過(guò)提出一種磁頭單元和采用此磁頭單元的記錄和/或回放設(shè)備來(lái)克服上面提到的以前技術(shù)的缺點(diǎn),其中這種磁頭單元有足夠的厚度,以便能夠沿磁頭厚度方向上在磁頭中部形成線(xiàn)圈纏繞槽,并使磁頭相對(duì)于盤(pán)形記錄介質(zhì)的姿態(tài)穩(wěn)定。
上述目的可以通過(guò)采用按本發(fā)明構(gòu)成的磁頭單元來(lái)達(dá)到一對(duì)各有兩個(gè)磁頭元件的磁頭,其中第一磁頭元件用以向第一盤(pán)形記錄介質(zhì)上寫(xiě)信號(hào)或從中讀信號(hào),第二磁頭元件用以向第二盤(pán)形記錄介質(zhì)上寫(xiě)信號(hào)或從中讀信號(hào),該第二盤(pán)形記錄介質(zhì)與第一盤(pán)形介質(zhì)相比有更高的記錄密度。這種磁頭在其中部沿磁頭厚度方向形成有一個(gè)側(cè)向開(kāi)口的凹槽,在其內(nèi)一個(gè)線(xiàn)圈纏在第二磁頭元件上面。
一對(duì)平衡盤(pán),它們各支持著一個(gè)磁頭以使之能運(yùn)動(dòng)。
一對(duì)壓力元件,它們各自抵靠平衡盤(pán),使磁頭向第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)移動(dòng)。
此磁頭單元的特征在于,平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面間的距離設(shè)置在0.3至0.8mm范圍內(nèi)。
在此磁頭單元中,由于平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面間的距離是0.8mm或更小,所以磁頭相對(duì)于第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)的位置可以穩(wěn)定地保持住。
而且,在此磁頭單元中,由于平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面間的距離為0.3mm或以上,可以在磁頭中部的磁頭厚度方向上形成凹槽(本文以下稱(chēng)這個(gè)凹槽為“線(xiàn)圈纏繞槽”),在其中有一個(gè)線(xiàn)圈纏繞在第二個(gè)磁頭元件上面。
上述目的也可通過(guò)采用按本發(fā)明構(gòu)成的記錄和/或回放設(shè)備來(lái)達(dá)到驅(qū)動(dòng)盤(pán)形記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的裝置;一個(gè)磁頭單元,用來(lái)對(duì)被驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)的盤(pán)形記錄介質(zhì)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě);一個(gè)信號(hào)處理器,給磁頭單元提供一個(gè)相應(yīng)于記錄信號(hào)的信號(hào),并跟據(jù)磁頭單元所提供的信號(hào)生成一個(gè)讀出的信號(hào)。
此記錄和/或回放設(shè)備的特征在于,該磁頭單元包括一對(duì)各有兩個(gè)磁頭元件的磁頭,其中第一磁頭元件用以向第一盤(pán)形記錄介質(zhì)上寫(xiě)信號(hào)或從中讀信號(hào),第二磁頭元件用以向第二盤(pán)形記錄介質(zhì)上寫(xiě)信號(hào)或從中讀信號(hào),第二盤(pán)形記錄介質(zhì)與第一盤(pán)形介質(zhì)相比有更高的記錄密度,這種磁頭在沿其厚度方向的中部形成有一個(gè)側(cè)向開(kāi)口的凹槽,在其內(nèi)有一個(gè)繞在第二磁頭元件上的線(xiàn)圈;一對(duì)平衡盤(pán),它們各支承著一個(gè)磁頭以使之能運(yùn)動(dòng);一對(duì)壓力元件,它們各自抵靠平衡盤(pán),使磁頭向第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)移動(dòng);平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一或第二記錄介質(zhì)的表面之間的距離設(shè)置為0.3至0.8mm的范圍內(nèi)。
在此記錄和/或回放設(shè)備中,由于有這樣一個(gè)磁頭單元,其中平衡盤(pán)跟壓力元件相接觸的表面與磁頭朝向第一或第二盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面之間的距離設(shè)置為0.3至0.8mm的范圍內(nèi),線(xiàn)圈纏繞槽可以沿磁頭的厚度方向形成于磁頭的中部,并且也可以穩(wěn)定地保持住磁頭相對(duì)于盤(pán)形記錄的位置,這樣就改進(jìn)了記錄或回放。
結(jié)合附圖,在下面本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)敘述中,本發(fā)明的種種目的、特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)會(huì)變得更加明顯。
圖1是傳統(tǒng)磁頭單元的局部剖視圖;圖2是圖1中傳統(tǒng)磁頭單元中的磁頭的透視圖;圖3是按本發(fā)明適于讀寫(xiě)盤(pán)形記錄介質(zhì)的磁頭裝置的局部剖視圖;圖4是圖3中的磁頭單元所含的磁頭的透視圖;圖5是MIG磁頭的透視圖,它在此磁頭單元中用作第二磁頭元件;圖6是此磁頭單元中包含的磁頭的分解透視圖7是磁頭的透視圖,此圖顯示了安裝在磁頭上的鐵芯元件;圖8是磁頭的平面圖,該圖顯示了安裝在此磁頭上的一個(gè)鐵芯元件;圖9是磁頭的后視圖,顯示了安裝在此磁頭上的鐵芯元件;圖10是磁頭的底視圖,顯示了安裝在此磁頭上的鐵芯元件;圖11是磁頭的側(cè)視圖,顯示了安裝在此磁頭上的鐵芯元件;圖12是該磁頭單元所包含的平衡盤(pán)的平面圖;圖13是該磁頭單元所含有的定距件的平面圖;圖14是該磁頭單元包含的定距件的剖視圖;圖15是該磁頭單元的定距件的仰視圖;圖16是該磁頭中件的定距件的橫截面視圖;圖17是磁頭、平衡盤(pán)、定距件及磁芯元件裝配在磁頭單元中的平面圖;圖18是裝配在磁頭單元中的磁頭、平衡盤(pán)、定距件及磁芯元件的橫截面視圖;圖19是裝配在磁頭單元中的磁頭、平衡盤(pán)、定距件及磁芯元件的仰視圖;圖20是裝配在磁頭單元中的磁頭、平衡盤(pán)、定距件及磁芯元件的側(cè)向剖視圖;圖21顯示了磁頭的讀寫(xiě)特性與平衡盤(pán)被樞軸壓著的表面跟朝向軟盤(pán)的磁頭表面的間距的關(guān)系;圖22是一示意圖,顯示了平衡盤(pán)被樞軸壓著的表面跟磁頭的朝向軟盤(pán)的表面之間的距離;圖23是安裝在支撐臂上的磁頭、平衡盤(pán)、定距件及磁芯元件的局部透視圖;圖24是按照本發(fā)明的記錄和/或回放設(shè)備的分解透視圖;圖25是本發(fā)明的記錄和/或回放設(shè)備的驅(qū)動(dòng)電路的示意框圖。
現(xiàn)參考圖3,圖上顯示了按照本發(fā)明的磁頭單元。用標(biāo)號(hào)1來(lái)整體指代這個(gè)磁頭單元。它包括一對(duì)支撐臂2、一對(duì)分別安裝在該對(duì)支撐臂2的自由端2a上的定距件3、一對(duì)分別置于定距件3上的平衡盤(pán)4、及一對(duì)分別支在平衡盤(pán)4上并可以移動(dòng)的磁頭5。在這個(gè)磁頭單元1中,支撐臂2平行成對(duì)安置,以使那對(duì)磁頭5正好相對(duì)。
這樣構(gòu)成的磁頭單元1,從旋轉(zhuǎn)地裝在盒子6中的軟盤(pán)7上讀取信號(hào)或向它寫(xiě)信號(hào)。盒子6內(nèi)有一對(duì)開(kāi)口8,開(kāi)得足夠大以使磁頭5能引入到盒子6中。因此,當(dāng)磁頭單元1用來(lái)對(duì)軟盤(pán)7進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě)時(shí),成對(duì)的定距件3、成對(duì)的平衡盤(pán)4和成對(duì)的磁頭5通過(guò)開(kāi)口8導(dǎo)入到盒子6中,如圖3所示。這樣成對(duì)的磁頭5相向運(yùn)動(dòng),分別接觸到軟盤(pán)7的主表面,向軟盤(pán)7上寫(xiě)信號(hào)或者從上面讀取信號(hào)。
如圖4所示,每對(duì)磁頭5在其朝向軟盤(pán)7的表面上形成有第一軌9和第二軌10,它們大致平行于軟盤(pán)7的旋轉(zhuǎn)方向,如圖中箭頭A所示。軌9和軌10各自在其位于軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn)方向的上游的前端有一個(gè)前斜面9a和10a,在其位于軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn)方向的下游的后端各有一個(gè)后斜面9b和10b。前斜面9a和10a相對(duì)于軟盤(pán)7的表面形成如約1度的角,而后斜面9b和10b相對(duì)于軟盤(pán)7的表面形成約10度的角。
每個(gè)磁頭5上安裝有第一磁頭元件11,其安裝方式使得第一磁頭元件11的磁間隙自軌9面向著軟盤(pán)7的表面朝外(以后稱(chēng)軌9面向軟盤(pán)7的表面為“向著介質(zhì)的表面”)。
第一磁頭元件11被稱(chēng)作隧道消磁頭,它有一個(gè)安置于第一軌9縱向中部附近的磁頭,它用來(lái)對(duì)軟盤(pán)7進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě)(以下稱(chēng)之為“讀/寫(xiě)頭”);隧道消磁頭還包含有一個(gè)位于讀/寫(xiě)頭沿軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn)方向A下游的磁頭(以下稱(chēng)之為“去磁頭“)。讀/寫(xiě)頭上有一個(gè)磁間隙G1,其寬度比軟盤(pán)7上記錄磁道的寬度稍大。去磁頭還有磁間隙G2和G3,它們處于讀/寫(xiě)頭磁間隙G1的下游,位于磁間隙G1寬度的相反兩端。
第一磁頭元件11通過(guò)讀/寫(xiě)頭的磁間隙G1向軟盤(pán)7寫(xiě)信號(hào)。去磁頭的磁間隙G2和G3在磁道寬度方向上對(duì)寫(xiě)信號(hào)記錄磁道的兩邊進(jìn)行消磁,于是把形成于軟盤(pán)7上的記錄磁道寬度限制在一個(gè)預(yù)定值。
磁頭單元1用第一磁頭元件11對(duì)前面提到的兩類(lèi)軟盤(pán)之一的低密盤(pán)進(jìn)行低密度介質(zhì)模式的讀寫(xiě),即以適合于低記錄密度軟盤(pán)的方式讀寫(xiě)。此時(shí),在磁頭單元1內(nèi),在磁頭5滑過(guò)第一類(lèi)軟盤(pán)的信號(hào)記錄表面時(shí),磁頭元件11對(duì)第一類(lèi)軟盤(pán)進(jìn)行讀和/或?qū)憽?br> 另外,磁頭5在其第二軌10上還有第二磁頭元件12,其磁間隙從軌10位于軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn)方向下游的朝著介質(zhì)的這一表面后端朝向外,即有后斜面10b的這端。
(參見(jiàn)圖5)第二磁頭元件12有磁間隙G4,它能夠形成一個(gè)比第一磁頭元件11的讀/寫(xiě)頭形成的更窄的記錄磁道。例如,MIG(金屬間隙,Metalingap)類(lèi)磁頭可用作磁頭元件12,金屬間隙類(lèi)磁頭在其磁間隙附近形成有一層飽合磁化的合金層。
如圖5所示,第二磁頭元件12包括一對(duì)半磁芯12a和12b,及繞線(xiàn)切槽13,其中12a和12b通過(guò)磁間隙G4連成整體,切槽13從磁芯12的一個(gè)斷面通到另一個(gè)斷面,在里面纏繞線(xiàn)圈。在繞線(xiàn)切槽13中,線(xiàn)圈在區(qū)域13a中從切槽13底部開(kāi)始纏繞,達(dá)到h1高度(以下稱(chēng)13a為“繞線(xiàn)區(qū)”)。
磁頭單元1用第二磁頭元件12對(duì)前面提到的兩類(lèi)軟盤(pán)之一的高記錄密度的盤(pán)進(jìn)行高密度介質(zhì)模式讀寫(xiě),即以適合于高記錄密度軟盤(pán)的方式讀寫(xiě)。此時(shí),磁頭5在第二類(lèi)軟盤(pán)的信號(hào)記錄表面上浮起一定距離的同時(shí),磁頭元件12對(duì)第二類(lèi)軟盤(pán)進(jìn)行讀寫(xiě)。
另外,磁頭5從側(cè)面向內(nèi)還形成有一個(gè)凹槽14,在凹槽處有磁頭元件12,槽內(nèi)在磁頭元件12上纏繞著線(xiàn)圈。以下稱(chēng)槽14為“線(xiàn)圈纏繞槽”。線(xiàn)圈纏繞槽14沿磁頭厚度方向形成于磁頭5的中部,在厚度方向上的尺寸h2大致與磁頭元件12的線(xiàn)繞區(qū)尺寸h1相當(dāng)。線(xiàn)圈纏繞槽14開(kāi)口朝向磁頭5的側(cè)面。
第二磁頭元件12安裝在磁頭5上,其安裝方式使得在線(xiàn)圈纏繞槽14內(nèi)半磁芯12a之一和至少切槽13的繞線(xiàn)區(qū)13a暴露出來(lái)。線(xiàn)圈繞在第二磁頭12的暴露出來(lái)的這部分上。
如圖6所示,磁頭5包括安裝有第二磁頭元件12的高密度介質(zhì)滑塊21、安裝有第一磁頭元件11的低密度介質(zhì)滑塊22、處于高、低密介質(zhì)滑塊21和22之間的中央滑塊23、及側(cè)滑塊24,側(cè)滑塊24與中心滑塊23一起將低密介質(zhì)滑塊22夾在中間。也就是,磁頭5由高密介質(zhì)滑塊21、中央滑塊23、低密介質(zhì)滑塊22及側(cè)滑塊24按此順序構(gòu)成,用低熔點(diǎn)的玻璃類(lèi)物質(zhì)粘成一個(gè)整體。
在磁頭5中,第二軌10在高密介質(zhì)滑塊21的朝向軟盤(pán)7的表面上形成,第一軌9在低密介質(zhì)滑塊22朝向軟盤(pán)7的表面上形成。在此磁頭5中,第一軌9和第二軌10形成在朝著軟盤(pán)7的表面,目的是在磁頭5和軟盤(pán)7之間限定一個(gè)氣膜,在以高密介質(zhì)模式對(duì)軟盤(pán)7進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),該氣膜允許磁頭5在旋轉(zhuǎn)的軟盤(pán)上浮起預(yù)定距離。
如圖7至圖11所示,通過(guò)平衡盤(pán)4,磁頭5在其與軟盤(pán)7正對(duì)著的這一面相反的一面上形成鐵芯元件30,鐵芯元件30構(gòu)成了第一磁頭元件11的磁芯。平衡盤(pán)4后面再作說(shuō)明。
鐵芯元件30包括由磁性材料制成的整體U形的基體31、第一和第二支柱32a、32b和第三第四支柱32c、32d以及第五支柱32e,其中支柱32a和32b由非磁性材料制成,向上立在基體31的端部;支柱32c和32d由磁性材料制成,向上立在基體31的角上;支柱32e位于第三、第四支柱32c和32d之間,向上立在基體31上。第五支柱32e在頂端面上有一切口,將支柱32e的頂端面分成兩個(gè)端面33和34。
第三支柱32c上裝有第一線(xiàn)圈座36A,座36A上纏有線(xiàn)圈35A,以驅(qū)動(dòng)第一磁頭元件11的讀寫(xiě)頭。
第一線(xiàn)圈座36A上有線(xiàn)圈35A和第一線(xiàn)軸37A,線(xiàn)圈35A就纏在線(xiàn)軸37A上。線(xiàn)軸37A呈L形,并有一個(gè)上下各帶著凸緣的筒體。線(xiàn)軸37A內(nèi),筒體的內(nèi)壁大致與第三支柱32c的外表面一樣。
第四支柱32d上裝有第二線(xiàn)圈座36B,座36B上纏有線(xiàn)圈35B,以驅(qū)動(dòng)第一磁頭元件11的去磁頭。
第二線(xiàn)圈座36B上有線(xiàn)圈35B和第二線(xiàn)軸37B,線(xiàn)圈35B就纏在線(xiàn)軸37B上。線(xiàn)軸37B呈L形,并有一個(gè)上下各帶著凸緣的筒體。第二線(xiàn)軸37B內(nèi),筒體的內(nèi)壁大致與第四支柱32d的外表面一樣。
第一、第二線(xiàn)圈座36A和36B的筒體各自帶著線(xiàn)圈35A和35B一起分別裝在第三第四支柱32c和32d上。線(xiàn)圈35A纏在線(xiàn)軸37A上,線(xiàn)圈35B纏在線(xiàn)軸37B上。
這樣第一線(xiàn)圈座36A裝在鐵芯元件30的第三支柱32C上,第二線(xiàn)圈座36B裝在第四支柱32d上之后,鐵芯元件30抵靠磁頭5的一個(gè)表面,該表面與磁頭5的朝向軟盤(pán)7的表面相對(duì)。此時(shí),第一二支柱32a和32b的頂端面抵靠著磁頭5角附近的部分,第二磁頭12就安裝在這里。第三支柱32c抵靠著磁頭5,其頂端面就和磁頭元件11的讀/寫(xiě)頭磁性相連。另外,第四支柱32d也抵靠著磁頭5,其頂端面和磁頭元件11的去磁頭磁性相連。而且,第五支柱32e處于第一磁頭元件11的讀/寫(xiě)頭與去磁頭之間,它也與磁頭5抵靠,這樣它的第一端面33就和讀/寫(xiě)頭磁性相連,第二端面34就和去磁頭磁性相連。
當(dāng)鐵芯元件30與磁頭5按上面提及的方式抵靠時(shí),第三、第五支柱32c和32e就一起構(gòu)成了第一磁頭元件11的讀/寫(xiě)頭的磁芯。也就是,在讀/寫(xiě)頭內(nèi),裝有第一線(xiàn)圈座36A的第三支柱32c、基體31、及帶有第一端面33的第五支柱32e,一起構(gòu)成了一個(gè)磁回路。
同樣,當(dāng)鐵芯元件30與磁頭5抵靠時(shí),第四、第五支柱32d與32e一起構(gòu)成了第一磁頭元件11的去磁頭的磁芯。也就是,在去磁頭內(nèi),裝有第二線(xiàn)圈座36B的第四支柱32d、基體31、及帶有第二端面34的第五支柱32e,一起構(gòu)成了一個(gè)磁回路。
另一方面,從圖12可見(jiàn),平衡盤(pán)4位于磁頭5的一個(gè)表面上,此表面與磁頭5的朝向軟盤(pán)7的表面相反,該平衡盤(pán)4包括一個(gè)磁頭托架40,作為一個(gè)整體,成為大致矩形的盤(pán)用來(lái)托住磁頭5,通過(guò)第一連接41a和41b,第一環(huán)形框42連接到磁頭托架50上,將磁頭托架40的外表面包圍住;通過(guò)第二連接43a和43b,第二環(huán)形框44連到第一環(huán)形框42上,將第一環(huán)形框的外表面圍住。另外,平衡盤(pán)4的構(gòu)成,得使第一連接41a和41b的連線(xiàn)與第二連接43a和43b的連線(xiàn)相互垂直。另外第一連接41a、41b的連線(xiàn),應(yīng)與軟盤(pán)7的旋轉(zhuǎn)方向A平行。注意,平衡盤(pán)4是用不銹鋼之類(lèi)的東西加工而成的。
平衡盤(pán)4的磁頭托架40輪廓比磁頭5的輪廓稍大。磁頭托架40內(nèi)有一對(duì)開(kāi)口45a和45b,它們沿垂直于軟盤(pán)7的旋轉(zhuǎn)方向A的方向隔開(kāi)。
這樣形成的平衡盤(pán)4安置在磁頭5和上述位于磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面相反的表面上的鐵芯元件30之間。此時(shí)鐵芯元件的第三到第五支柱32c到32e在其頂端面上與第一磁頭元件11的底端抵靠,磁頭元件11通過(guò)形成在平衡盤(pán)4上的開(kāi)口45a安裝在磁頭5上。另外,鐵芯元件30的第一、二支柱32a和32b與磁頭5的角附近部分通過(guò)頂端面抵靠,在磁頭5的角附近通過(guò)平衡盤(pán)4的開(kāi)口45b裝有磁頭元件12。
因此,開(kāi)口45a的尺寸要大得足以使鐵芯元件30的第三到第五支柱32c、32d、32e能夠插入。同樣,開(kāi)口45b的尺寸也要足夠大,以讓鐵芯元件30的第一、第二支柱32a和32b能夠插進(jìn)。
如上面構(gòu)成的平衡盤(pán)用4定距元件3支撐著安裝,以圍住鐵芯元件30。
如圖13至圖16所示,定距元件3包括整體環(huán)形的環(huán)繞壁50、環(huán)繞壁50內(nèi)伸出的樞軸支架51和安裝在樞軸支架51上的樞軸52。
環(huán)繞壁50呈筒形,其內(nèi)表面比鐵芯元件30的輪廓稍大,跟前面提到的平衡盤(pán)4的外形大致一樣。環(huán)繞壁50內(nèi)有磁屏蔽件53,磁屏蔽件是用如高永磁材料制成的,其輪廓比環(huán)繞壁50稍小。
樞軸支架51突出于環(huán)繞壁50的內(nèi)表面中央附近,并從中央向上伸出,它比環(huán)繞壁50略低。樞軸支架51的端面51a上有樞軸52,樞軸52抵靠平衡盤(pán)4并將磁頭5壓向軟盤(pán)7。樞軸52約呈半球形,當(dāng)安在樞軸支架51上時(shí)其頂面52a略高出環(huán)繞壁50。
這樣環(huán)繞臂50、樞軸支架51和樞軸52一起構(gòu)成了定距元件3。此時(shí),定距件3最好采用鑲嵌鑄造,以把磁屏蔽件53置入環(huán)繞壁50內(nèi)。
如圖17至圖20所示,定距件3固定在平衡盤(pán)4的一個(gè)表面上,該表面與平衡盤(pán)的向著磁頭5的表面相對(duì)。這樣樞軸52低靠在平衡盤(pán)4的一個(gè)表面的中央附近,以給此中央施加預(yù)定的壓力,上述表面與平衡盤(pán)4上的支撐著磁頭5的表面相對(duì)。于是樞軸52通過(guò)平衡盤(pán)4以預(yù)定的壓力將固定在平衡盤(pán)4上的磁頭壓向軟盤(pán)7。
通過(guò)樞軸52將磁頭5壓向軟盤(pán)7,允許磁頭5跟上軟盤(pán)7的移動(dòng),于是磁頭單元1就可以對(duì)軟盤(pán)7進(jìn)行穩(wěn)定的讀寫(xiě)操作了。
即使當(dāng)磁頭5被樞軸52壓向軟盤(pán)7時(shí),如果平衡盤(pán)4上被樞軸52壓著的表面也就是平衡盤(pán)4上與支撐磁頭5的表面相對(duì)的另一表面和磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面即磁頭5的在軟盤(pán)7上滑過(guò)的表面之間的間距L大了,在軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn)或磁頭單元1進(jìn)行操作等過(guò)程中,磁頭5受到力作用發(fā)生傾斜,結(jié)果導(dǎo)致磁頭5相對(duì)軟盤(pán)的姿態(tài)不能保持穩(wěn)定。
說(shuō)得更具體點(diǎn),當(dāng)以高密介質(zhì)模式對(duì)高記錄密度的軟盤(pán)進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí),第二軟盤(pán)以高速旋轉(zhuǎn),如3600轉(zhuǎn)/分,這樣轉(zhuǎn)針對(duì)磁頭5施加很大的力,使得磁頭5相對(duì)軟盤(pán)的姿態(tài)很難保持,于是就損害了讀寫(xiě)性能。
圖21顯示了平衡盤(pán)4上被軸52壓著的表面與磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面之間的間距L與磁頭5的讀寫(xiě)性能的關(guān)系。圖上,橫軸代表間距L,縱軸代表當(dāng)軟盤(pán)旋轉(zhuǎn)一圈時(shí)讀信號(hào)的變化,也就是讀出信號(hào)的高低差與整個(gè)讀出信號(hào)之比(以下稱(chēng)這個(gè)高低信號(hào)差為“調(diào)整量”)。
從圖21可見(jiàn),調(diào)整量與整個(gè)讀出信號(hào)的比例隨著距離L的增加總趨勢(shì)是逐漸也增加,盡管有點(diǎn)起伏。當(dāng)間距L在0.8至0.9mm以?xún)?nèi)時(shí),此調(diào)整量比例不超過(guò)10%。
就按本發(fā)明采用磁頭單元1的記錄和/或回放設(shè)備而言,要求調(diào)整量比例不超過(guò)10%,因此本發(fā)明的磁頭單元1內(nèi),距離L設(shè)置不超過(guò)0.8mm,這樣,考慮一些變化因素,調(diào)整量比例不會(huì)高于10%的。
如上所述為了防止損害磁頭5的讀/寫(xiě)性能,希望通過(guò)調(diào)整量比例更小使間距L盡可能小。但另一方面,如果間距L設(shè)置得太小,磁頭5的側(cè)邊就沒(méi)有足夠的空間來(lái)開(kāi)線(xiàn)圈纏繞槽14,以將線(xiàn)圈在槽14內(nèi)繞在磁頭元件12上。
間距L是平衡盤(pán)4的厚度T與磁頭5的厚度H之和,如圖22所示。磁頭5的厚度H為h3、h2、h4之和,其中h3為磁頭5支撐在平衡盤(pán)4之上的表面與線(xiàn)圈纏繞槽14的底面之間間距,h2為線(xiàn)圈纏繞槽14在磁頭厚度方向上的尺寸,h4為線(xiàn)圈纏繞槽14上表面與磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面間的距離。
磁頭5支撐在平衡盤(pán)4上的表面與線(xiàn)圈纏繞槽14的底面之間的距離h3,等于第三磁頭元件12的背厚。于是,為使磁頭元件12的磁阻較小以提高讀寫(xiě)性能,間距h3至少為0.08mm。
由于線(xiàn)圈纏繞槽14在磁頭厚度方向上的尺寸h2大約等于前述第二磁頭元件12的線(xiàn)繞區(qū)13a上的尺寸h1,它得至少有0.13mm,目的是將線(xiàn)繞到必要的圈數(shù),以滿(mǎn)足磁頭元件12的性能要求。
磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面上有第一、第二軌9和10。為防止形成有軌9和軌10的磁頭5的上表面,由于軌9和軌10的工作及另外承受壓力而破壞,線(xiàn)圈纏繞槽14上表面與磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面的間距至少為0.06mm。
由于上述原因,磁頭5的厚度H至少為0.27mm,以為形成線(xiàn)圈纏繞槽14留下足夠空間并滿(mǎn)足磁頭5的性能要求。為確保平衡盤(pán)4有足夠的剛度來(lái)支撐磁頭5,平衡盤(pán)的厚度T至少為0.03mm。因此間距L應(yīng)設(shè)置為0.3mm或更大。
按照本發(fā)明,在磁頭單元1中,間距L設(shè)置在0.3mm至8.0mm的范圍內(nèi)。
如圖23所示,在此磁頭單元內(nèi),磁頭5安裝在平衡盤(pán)4上,并且樞軸52以預(yù)定的力將它壓向軟盤(pán)7,且再裝在那對(duì)支撐臂2的自由端2a上。應(yīng)該注意,在圖23中只顯示了那對(duì)支撐臂2中的一個(gè)。
支撐臂2是從具有預(yù)定長(zhǎng)度的并連在其根基端上面的一個(gè)盤(pán)延伸到記錄和/或回放設(shè)備的磁頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未示出)處。支撐臂2在其自由端2a安裝有定距件3。此時(shí),定距件3的一個(gè)端面置于支撐臂2的自由端2a,這個(gè)端面與安裝于平衡盤(pán)4上的面相對(duì)。兩個(gè)磁頭5各自安裝在支撐臂上,相互正對(duì)。
在磁頭單元1中,通過(guò)設(shè)計(jì)定距件3具有一預(yù)定高度,可以限制從支撐臂2到磁頭元件11和12的高度。也就是,在磁頭單元1中,當(dāng)磁頭5處于對(duì)軟盤(pán)讀寫(xiě)的位置時(shí),可以保持支撐臂2不與盒子6相碰。換句話(huà)說(shuō),定距件30的高度,得讓在軟盤(pán)7進(jìn)行讀寫(xiě)時(shí)支撐臂2不與盒子6相觸。
在記錄和/或回放設(shè)備中安裝如上述方法構(gòu)成的磁頭單元1,所述設(shè)備對(duì)放在其中的軟盤(pán)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě),可以適應(yīng)兩種記錄密度不同的軟盤(pán)。
說(shuō)得更具體點(diǎn),將低記錄密度的第一類(lèi)軟盤(pán)放入記錄和/或回放設(shè)備中,它將被設(shè)備中的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以如300轉(zhuǎn)/分左右的速度旋轉(zhuǎn)。磁頭單元1讓磁頭5滑過(guò)旋轉(zhuǎn)的第一類(lèi)軟盤(pán)的信號(hào)記錄表面。于是,第一磁頭元件11將按低密介質(zhì)模式向第一類(lèi)軟盤(pán)寫(xiě)信號(hào)或從中讀信號(hào)。
即,安裝在鐵芯元件30的第三支柱32c上的線(xiàn)卷36A產(chǎn)生的磁場(chǎng),在第三支柱32c,基體31、第五支柱32e及第一磁頭元件11的讀/寫(xiě)頭之間,形成磁回路。這樣,讀/寫(xiě)頭將在旋轉(zhuǎn)的第一類(lèi)軟盤(pán)上形成一個(gè)記錄磁道。同時(shí),安裝在鐵芯元件30的第四支柱32d上的第二線(xiàn)卷36B產(chǎn)生的磁場(chǎng),在第四支柱32d、基體31、第五支柱32e、及第一磁頭元件11的去磁頭之間,形成一個(gè)磁回路,這樣,去磁頭將對(duì)第一類(lèi)軟盤(pán)上由讀/寫(xiě)頭形成的磁道兩邊部分去磁。于是,軟盤(pán)上就形成了一個(gè)有理想寬度的記錄磁道。
同樣,將高記錄密度的第二類(lèi)軟盤(pán)放入記錄和/或回放設(shè)備中時(shí),它將被設(shè)備中的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以如3600轉(zhuǎn)/分左右的速度旋轉(zhuǎn),高速旋轉(zhuǎn)的軟盤(pán)就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)氣流層,該氣流層讓磁頭5在旋轉(zhuǎn)著的第二類(lèi)軟盤(pán)的表面上浮起50nm距離,第二類(lèi)磁頭元件12將以高密介質(zhì)模式對(duì)第二類(lèi)軟盤(pán)進(jìn)行讀寫(xiě)。
如上所述,此磁頭單元能以低密或密度介質(zhì)模式對(duì)軟盤(pán)進(jìn)行讀寫(xiě)。旋轉(zhuǎn)的第一類(lèi)或第二類(lèi)軟盤(pán)將會(huì)發(fā)生些振動(dòng)或偏心,由于本發(fā)明的磁頭單元中,磁頭5由平衡盤(pán)4支承可以移動(dòng),因此磁頭5能夠適應(yīng)這樣的振動(dòng)或偏心。
本發(fā)明的磁頭單元1中,平衡盤(pán)4上被樞軸52壓著的表面與磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面之間的距離L設(shè)置在0.3至0.8mm的范圍內(nèi),故在磁頭5沿磁頭厚度方向上的中部,磁頭5能給線(xiàn)圈纏繞槽14提供足夠的空間,并且磁頭5能相對(duì)軟盤(pán)7保持穩(wěn)定的姿態(tài),這樣,確保磁頭讀寫(xiě)性能得以提高。
采用本發(fā)明的磁頭單元1的記錄和/或回放設(shè)備,可以用在個(gè)人電腦、字處理器等中來(lái)向軟盤(pán)寫(xiě)數(shù)據(jù)。
參見(jiàn)圖24,這里顯示了本發(fā)明的一個(gè)記錄和/或回放設(shè)備。用標(biāo)號(hào)60來(lái)指代整個(gè)記錄和/或回放設(shè)備。該記錄和/或回放設(shè)備60包括架61和一個(gè)旋轉(zhuǎn)馬達(dá)63,架61一般設(shè)計(jì)成平的,馬達(dá)63安裝在架61中央的馬達(dá)固定口62中,并面向架61的上表面。旋轉(zhuǎn)馬達(dá)63安在定子基座64上,驅(qū)動(dòng)軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)馬達(dá)63的盤(pán)形平臺(tái)66上還設(shè)置有一個(gè)旋轉(zhuǎn)銷(xiāo)65,平臺(tái)66是放軟盤(pán)用的。旋轉(zhuǎn)銷(xiāo)65的自由端突起在盤(pán)形平臺(tái)66上主平面的中心,銷(xiāo)65套進(jìn)放在平臺(tái)66上軟盤(pán)7的中心孔內(nèi)。
盤(pán)形平臺(tái)66的上主表面上還設(shè)有一個(gè)卡銷(xiāo)67,另外,平臺(tái)66的上主表面上還安置了一塊磁鐵(未示出)來(lái)吸住軟盤(pán)7。這塊磁鐵也稱(chēng)作橡膠磁鐵,大概呈環(huán)形。
架61的底面上安裝有電路板68,電路板68上有各種電路和檢測(cè)開(kāi)關(guān)。另外架61下還有底蓋69,來(lái)蓋住電路板68的底面。
在架61上還有盒箱70,用以容納盒子6,并將軟盤(pán)7置于盒6平臺(tái)66上。更具體地說(shuō),盒箱70接納從記錄和/或回放設(shè)備60前面導(dǎo)入的盒子6,再被向下推動(dòng),將盒子6中的軟盤(pán)7放到平臺(tái)66上。盒箱70設(shè)計(jì)得象一個(gè)前面和底下開(kāi)有窄口的罩,以接納從記錄和/或回放設(shè)備60前面導(dǎo)入的盒子6。
另外,架61上面還設(shè)置有一個(gè)凸輪盤(pán)71和一個(gè)驅(qū)動(dòng)板72,凸輪盤(pán)71將盒箱70上下移動(dòng),驅(qū)動(dòng)板72將凸輪盤(pán)71前后移動(dòng)。凸輪盤(pán)71位于盒箱70和架61之間,并有一對(duì)側(cè)壁,每個(gè)側(cè)壁的側(cè)邊上有凸輪槽,側(cè)壁上的凸輪槽與盒箱70側(cè)邊上突起的銷(xiāo)相配合。驅(qū)動(dòng)板72位于盒箱70之上并與凸輪盤(pán)70相連。即,當(dāng)驅(qū)動(dòng)板72前后運(yùn)動(dòng)時(shí),凸輪盤(pán)71跟隨著驅(qū)動(dòng)板72在圖24中箭頭B所示的方向上前后運(yùn)動(dòng)。當(dāng)凸輪盤(pán)71處在架61的后部時(shí),盒箱70停留在一個(gè)較上的位置,這時(shí)盒子6中的軟盤(pán)7向上與盤(pán)形平臺(tái)66分開(kāi)。當(dāng)凸輪盤(pán)71滑到架61的前部時(shí),盒箱66沿著圖24中箭頭C方向朝較低的位置運(yùn)動(dòng),這里,盒子6中的軟盤(pán)7就被放置到平臺(tái)66上。凸輪盤(pán)71受到一個(gè)施力元件(未示)向前的彈性力。在架61的后上部位有一個(gè)鎖桿73,用來(lái)將凸輪盤(pán)71鎖在架61的后部。
在架61的前邊沿處有一個(gè)前面板74,前面板74上有一個(gè)縫75,通過(guò)此縫來(lái)插入和取出盒子6。前面板74上還有兩個(gè)開(kāi)口77a和77b,開(kāi)口77a內(nèi)設(shè)有一個(gè)向前的彈出鈕76,開(kāi)口77b中有一個(gè)向前的指示燈78。當(dāng)彈出鈕76從前方壓下時(shí),它將把驅(qū)動(dòng)板72向后推動(dòng),同時(shí)讓凸輪盤(pán)71向后運(yùn)動(dòng),并使鎖桿73鎖住凸輪盤(pán)71。
另外,在記錄和/或回放設(shè)備60的后部,架61有磁頭單元1。如前面所述,磁頭單元1內(nèi)有定距件3,定距件3安裝在相對(duì)放置的那對(duì)支撐臂2的自由端2a。通過(guò)平衡盤(pán)4磁頭5安裝在定距件3上。支撐臂2在圖24箭頭D所示的方向上受到指向自由端2a的彈性力。即,在磁頭單元1內(nèi),那對(duì)磁頭5受到相向的力。支撐臂2可前后移動(dòng),即在靠近和遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)馬達(dá)63的方向上移動(dòng),如圖24中箭頭E所示。
磁盤(pán)盒6是從設(shè)備60的前面的面板64中的縫65導(dǎo)入到記錄和/或回放設(shè)備60內(nèi)的,磁盤(pán)盒6被容納在盒箱70內(nèi)。此時(shí),磁盤(pán)6的開(kāi)口8關(guān)閉。軟盤(pán)7通過(guò)開(kāi)口8面朝盤(pán)盒6插在磁頭單元1的那對(duì)正對(duì)著的支撐臂2之間,支撐臂2對(duì)磁頭5施加彈性力,將其壓向軟盤(pán)7的主表面。即,當(dāng)軟盤(pán)7的旋轉(zhuǎn)正在停止時(shí),磁頭5受到支撐臂2向軟盤(pán)7主表面的力。
在記錄和/或回放設(shè)備60中,磁頭單元1向以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)的軟盤(pán)7寫(xiě)數(shù)據(jù)或從其上讀數(shù)據(jù)。此時(shí),記錄和/或回放設(shè)備60以低密介質(zhì)模式和高密介質(zhì)模式運(yùn)行。低密介質(zhì)模式中,磁頭元件11對(duì)低速旋轉(zhuǎn)的低記錄密度的第一類(lèi)軟盤(pán)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě);高密介質(zhì)模式中,磁頭元件12對(duì)相對(duì)高速旋轉(zhuǎn)的高記錄密度的第二類(lèi)軟盤(pán)信號(hào)讀寫(xiě)。
任何情況下,在記錄和/或回放設(shè)備60中,磁頭單元1沿圖24中箭頭E方向運(yùn)動(dòng),以對(duì)軟盤(pán)7上期望區(qū)域進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě)。
為驅(qū)動(dòng)記錄和/或回放設(shè)備60中的磁頭單元1,采用了一個(gè)電路,如圖25所示。
記錄和/或回放設(shè)備60采用了CAV(即恒角速度)方法,用旋轉(zhuǎn)馬達(dá)63驅(qū)動(dòng)軟盤(pán)7旋轉(zhuǎn),以低密介質(zhì)模式用第一磁頭元件11讀寫(xiě)信號(hào),以高密度介質(zhì)模式用第二磁頭元件12讀寫(xiě)信號(hào)。
磁頭單元1的第一磁頭元件11連接著放大器電路81、數(shù)字調(diào)制/解調(diào)電路82(在圖25中標(biāo)為“調(diào)制/解調(diào)”)、格式/非格式電路83、奇偶生成/誤差校驗(yàn)電路84(圖25中稱(chēng)“奇偶生成/誤差檢驗(yàn)”)、緩存85(圖25中稱(chēng)“緩存”)和接口86(圖25中稱(chēng)“接口”)。類(lèi)似地,第二磁頭元件12連接到放大器電路91、數(shù)字調(diào)制/解調(diào)器電路92、格式/非格式電路93、奇偶生成/誤差校驗(yàn)電路94、緩存95及接口96上。
緩存85和95、接口86和96連到控制電路80上,控制著軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的操作??刂齐娐?0可以由如微處理器等構(gòu)成??刂齐娐?0從外界接收一個(gè)模式信號(hào),以標(biāo)明是高密或低密介質(zhì)模式。例如,靠檢測(cè)架6上某個(gè)預(yù)定位置是否有專(zhuān)門(mén)區(qū)分孔,就可以生成模式信號(hào)。
將第一類(lèi)低記錄密度的軟盤(pán)放在記錄和/或回放設(shè)備60中時(shí),這個(gè)模式信號(hào)將標(biāo)明為低密介質(zhì)模式??刂齐娐?0將響應(yīng)此模式信號(hào)關(guān)掉跟蹤伺服,激活接口86并禁止接口96。為在此條件下寫(xiě)數(shù)據(jù),將來(lái)自外部計(jì)算機(jī)等要記錄的數(shù)據(jù)存入緩存85,再將緩存85中的數(shù)據(jù)送到奇偶生成/誤差校驗(yàn)電路84,在這里數(shù)據(jù)進(jìn)行誤差校驗(yàn)編碼生成奇偶位。
將要記錄的數(shù)據(jù)和奇偶位送到格式/非格式電路83中,在這里將它們轉(zhuǎn)化為有區(qū)段結(jié)構(gòu)的預(yù)定格式。將有格式的數(shù)據(jù)送到調(diào)制/解調(diào)電路82中,在這里進(jìn)行數(shù)字調(diào)制(如改進(jìn)調(diào)頻制MFM)。從數(shù)字調(diào)制電路中輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)放大器電路81放大,再送到第一磁頭元件11中,被磁頭元件11寫(xiě)到第一類(lèi)軟盤(pán)上。
按照與上述記錄過(guò)程相反的順序,數(shù)據(jù)由第一磁頭元件11從第一類(lèi)軟盤(pán)上讀出,被放大電路81放大,再由數(shù)字調(diào)制/解調(diào)電路82進(jìn)行數(shù)字解調(diào)。數(shù)字解調(diào)后的輸出信號(hào)再由格式/非格式電路83去掉格式,送到奇偶生成/誤差校驗(yàn)電路84中,在這里進(jìn)行誤差校驗(yàn)。然后,校驗(yàn)后的信號(hào)送到緩存85,再經(jīng)由接口86將數(shù)據(jù)信號(hào)存到外部計(jì)算機(jī)等處理器中。
同樣,將第二類(lèi)高記錄密度的軟盤(pán)放到記錄和/或回放設(shè)備60中時(shí),只要使接口86無(wú)效而使接口96有效,就可以進(jìn)行與上述低密介質(zhì)模式相類(lèi)似的第二類(lèi)軟盤(pán)的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。對(duì)于較高磁道密度,打開(kāi)跟蹤伺服系統(tǒng)。另外,進(jìn)行不用于低密介質(zhì)模式的數(shù)字調(diào)制。而且,對(duì)較高磁道密度,如果情況允許,可以采用Viterbi算法或區(qū)位恒角度速度控制進(jìn)行解調(diào)。
如上所述,該記錄和/或回放設(shè)備60采用磁頭單元1。其中,平衡盤(pán)4上被樞軸52壓著的表面與磁頭5朝向軟盤(pán)7的表面的間距L設(shè)置在0.3至0.8mm的范圍內(nèi),這樣,在磁頭5中部沿磁頭厚度方向上,磁頭5有足夠的厚度來(lái)形成線(xiàn)圈纏繞槽14,而且磁頭5能相對(duì)軟盤(pán)7保持穩(wěn)定的姿態(tài),這樣就可保證讀寫(xiě)性能得以提高。
按照本發(fā)明的磁頭單元內(nèi),平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一類(lèi)或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面之間的距離設(shè)置在0.3至0.8mm的范圍內(nèi),這樣在磁頭中部沿磁頭厚度方向上,就可以形成線(xiàn)圈纏繞槽,并且磁頭相對(duì)于第一類(lèi)或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的位置可保持穩(wěn)定,于是就可以提高記錄和/或回放的質(zhì)量。
按照本發(fā)明的記錄和/或回放設(shè)備,由于采用了這樣的磁頭單元,其中平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一類(lèi)或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面之間的距離設(shè)置在0.3至0.8mm的范圍內(nèi),因此在磁頭中部沿磁頭厚度方向上可以形成線(xiàn)圈纏繞槽,并且磁頭相對(duì)于第一類(lèi)或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的位置可保持穩(wěn)定,于是就可以提高記錄和/或回放的質(zhì)量。
權(quán)利要求
1.一種磁頭單元,它包括一對(duì)磁頭,每個(gè)磁頭又有一個(gè)對(duì)第一類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě)的第一磁頭元件和一個(gè)用以對(duì)第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)寫(xiě)信號(hào)或讀信號(hào)的第二磁頭元件,第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)與第一類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)相比有更高的記錄密度,磁頭在其沿厚度方向的中間部位有一凹槽,該凹槽開(kāi)口朝向磁頭一側(cè),其中線(xiàn)圈纏繞在第二磁頭元件上;一對(duì)平衡盤(pán),各自支承著一個(gè)磁頭,使它可以移動(dòng);一對(duì)施壓元件,各自與平衡盤(pán)抵靠,用以將磁頭移向第一或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì);平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面的間距,為0.3至0.8mm;
2.一種記錄和/或回放設(shè)備,它包括驅(qū)動(dòng)盤(pán)形記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的裝置;一個(gè)磁頭單元,用來(lái)對(duì)被驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的盤(pán)形記錄介質(zhì)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě);一個(gè)信號(hào)處理器,它向磁頭單元提供與要記錄的信號(hào)相對(duì)應(yīng)的信號(hào),并根據(jù)磁頭單元提供的信號(hào)生成讀信號(hào);該磁頭單元包括一對(duì)磁頭,每個(gè)磁頭又有一個(gè)對(duì)第一類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě)的第一磁頭元件和一個(gè)對(duì)第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)進(jìn)行信號(hào)讀寫(xiě)的第二磁頭元件,第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)與第一類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)相比有更高的記錄密度,磁頭在其沿厚度方向的中間部位有一凹槽,該凹槽開(kāi)口朝向磁頭一側(cè),其中線(xiàn)圈纏繞在第二磁頭元件上;一對(duì)平衡盤(pán),各自支承著一個(gè)磁頭,使它可以移動(dòng);一對(duì)施壓元件,各自與平衡盤(pán)抵靠,用以將磁頭移向第一或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì);平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭朝向第一或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面之間的距離,為0.3至0.8mm。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種磁頭單元。其中平衡盤(pán)跟壓力元件接觸的表面與磁頭同第一類(lèi)或第二類(lèi)盤(pán)形記錄介質(zhì)的表面之間的距離,設(shè)置在0.3至0.8mm范圍內(nèi),這樣,在磁頭沿磁頭厚度方向上的中部可以形成線(xiàn)圈纏繞槽,并可使磁頭相對(duì)于第一類(lèi)或第二類(lèi)記錄介質(zhì)的位置保持穩(wěn)定。另外,本發(fā)明也提出一種采用該磁頭單元的記錄和/或回放設(shè)備。
文檔編號(hào)G11B5/54GK1233821SQ99105050
公開(kāi)日1999年11月3日 申請(qǐng)日期1999年4月27日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月27日
發(fā)明者長(zhǎng)谷川潔, 藤田正儀 申請(qǐng)人:索尼公司
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