專利名稱：磁頭裝置和記錄媒體驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于大容量軟盤驅(qū)動器等的磁頭裝置和記錄媒體驅(qū)動器。具體地講，本發(fā)明涉及一種磁頭裝置等，其中，第一和第二圍欄形成在一滑塊上，用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度的一磁頭芯片位于該第一圍欄上，用于高記錄密度的一磁頭芯片位于該第二圍欄上，第二圍欄的寬度比第一圍欄的寬度窄，由此提供了低位(low-order)兼容性，并限制了第二圍欄的懸浮量，用以改善用于高記錄密度的磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性。
例如，已提出了一種與傳統(tǒng)軟盤的容量相比較具有從幾十兆到幾百兆字節(jié)的大容量軟盤作為一種可更換的盤片形記錄媒體。在這種情況下，通過諸如用于記錄媒體的材料、磁頭芯片的結(jié)構(gòu)。再現(xiàn)信號的處理、跟蹤(tracking)伺服裝置的存在與否之類各種技術(shù)的綜合可增加軟盤的容量。
作為大容量軟盤驅(qū)動器中的一種，現(xiàn)已提出了懸浮型軟盤驅(qū)動器，它增加了盤片的轉(zhuǎn)速，并以磁頭自盤片的一記錄表面略微浮起的方式執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)。
該懸浮型大容量軟盤驅(qū)動器系以高速旋轉(zhuǎn)盤片，并利用由此而產(chǎn)生的建立在氣流上的合成壓力來浮起磁頭。一種懸浮系統(tǒng)是硬盤驅(qū)動器中采用的一種技術(shù)。實(shí)際上，安裝于其中的一具有磁頭芯片的滑塊是懸浮的。
該已被提出的懸浮型大容量軟盤驅(qū)動器存在著這樣一個問題，即與現(xiàn)存的軟盤驅(qū)動器沒有兼容性或者低位兼容性。因此，突出了這樣一個問題，即在采用當(dāng)前軟盤的情況下，不能將用于大容量軟盤的一盤片驅(qū)動器加入到一個人電腦中。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種具有低位兼容性、并能改善用于高記錄密度的一磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性的一磁頭裝置等。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種包括一磁頭元件的磁頭裝置，它包括一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在該滑塊上、以便在記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；用于以保持與記錄媒體的一記錄表面相接觸的狀態(tài)并以第一記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一磁頭芯片，從磁道的切線方向看，該第一磁頭芯片大致設(shè)置在第一圍欄的中心位置上；以及用于以從記錄媒體的所述記錄表面浮起的狀態(tài)并以大于第一記錄密度的第二記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二磁頭芯片，相對于磁道的切線方向，該第二磁頭芯片設(shè)置在第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，磁頭元件的第二圍欄的寬度比其第一圍欄的寬度窄。
在該方面中，當(dāng)以第一記錄密度、例如標(biāo)準(zhǔn)記錄密度將數(shù)據(jù)記錄在一記錄媒體上以及從記錄媒體再現(xiàn)數(shù)據(jù)時，記錄/再現(xiàn)是通過處于與記錄媒體的記錄表面相接觸的狀態(tài)中的第一磁頭芯片來進(jìn)行的。另一方面，當(dāng)以第二記錄密度、例如高記錄密度將數(shù)據(jù)記錄在記錄媒體上以及從記錄媒體再現(xiàn)數(shù)據(jù)時，記錄/再現(xiàn)是通過處于從記錄媒體的記錄表面浮起的狀態(tài)中的第二磁頭芯片來進(jìn)行的。因此，即使在用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度的記錄媒體上也如同在用于高記錄密度的記錄媒體上一樣可進(jìn)行記錄/再現(xiàn)，由此獲得了低位兼容性。由于第二圍欄的寬度比第一圍欄的寬度窄，因此第二圍欄相對于記錄媒體的懸浮量與第一圍欄相比被限制。因此可改善對于具有高記錄密度的記錄媒體的第二磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性。由于第一和第二圍欄的相應(yīng)的外側(cè)邊緣被加工成斜坡形式，因此該圍欄的邊緣可減少當(dāng)軟著陸以及搜索操作時記錄媒體的記錄表面的擦傷。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種包括以相對關(guān)系設(shè)置、以便其間插入一記錄媒體的第一和第二磁頭部分的磁頭裝置，構(gòu)成各第一和第二磁頭部分的一磁頭元件包括一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在該滑塊上、以便在記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；以及用于以從記錄媒體的一記錄表面浮起的狀態(tài)并以一預(yù)定密度密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一磁頭芯片，相對于磁道的切線方向，該磁頭芯片設(shè)置在第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，第二圍欄的寬度比第一圍欄的寬度窄；以及構(gòu)成第一磁頭部分的磁頭元件的第一和第二圍欄與構(gòu)成第二磁頭部分的磁頭元件的第二和第一圍欄相對。
在該第二方面中，由第一磁頭部分將數(shù)據(jù)記錄在一記錄媒體的一記錄表面上以及從該記錄表面再現(xiàn)，同時由第二磁頭部分將數(shù)據(jù)記錄在其另一記錄表面上以及從該記錄表面再現(xiàn)。在這種情況下，當(dāng)以例如高記錄密度將數(shù)據(jù)記錄在記錄媒體上以及從該記錄媒體再現(xiàn)時，該記錄/再現(xiàn)是通過處于從記錄媒體的一記錄表面上浮起的一磁頭芯片來進(jìn)行的。通過將第二圍欄的寬度設(shè)置成比第一圍欄窄，與第一圍欄相比，可減小第二圍欄相對于記錄媒體的懸浮量。另外，由于構(gòu)成第一磁頭部分的一磁頭元件的第一和第二圍欄與構(gòu)成第二磁頭部分的一磁頭元件的第二和第一圍欄相對，因此記錄媒體被變形，或者各磁頭元件被進(jìn)一步傾斜，以便第二圍欄接近處于相對的圍欄部分上的記錄媒體的記錄表面。從而，進(jìn)一步限制各第二圍欄相對于記錄媒體的懸浮量。因此，可進(jìn)一步改善對于用于例如高記錄密度的記錄媒體的各記錄芯片的記錄-再現(xiàn)特性。
附帶一句，用以與一記錄媒體的諸記錄表面相接觸的狀態(tài)并以小于預(yù)定密度的一密度分別記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的諸磁頭芯片可大致分別設(shè)置在第一和第二磁頭部分的第一圍欄的中心位置上。因此，當(dāng)將數(shù)據(jù)記錄在用于例如標(biāo)準(zhǔn)記錄密度的一記錄媒體上以及從該記錄媒體再現(xiàn)時，該記錄/再現(xiàn)可通過設(shè)置在第一圍欄上。處于與記錄媒體的記錄表面相接觸的狀態(tài)中的諸磁頭芯片來進(jìn)行，由此獲得低位兼容性。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種記錄媒體驅(qū)動器，它包括如在上述第一方面中所述的磁頭裝置、用于產(chǎn)生將由該磁頭裝置記錄在記錄媒體上的記錄數(shù)據(jù)的一記錄處理電路、以及用于處理由該磁頭裝置從記錄媒體再現(xiàn)的再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一再現(xiàn)處理電路。
由于該記錄媒體驅(qū)動器具有上述磁頭裝置，因此它具有低位兼容性，并可限制各第二圍欄相對于記錄媒體的懸浮量，從而改善一高記錄密度磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種記錄媒體驅(qū)動器，它包括如在上述第二方面中所述的磁頭裝置，用于產(chǎn)生將由該磁頭裝置記錄在記錄媒體上的記錄數(shù)據(jù)的一記錄處理電路、以及用于處理由該磁頭裝置從記錄媒體再現(xiàn)的再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一再現(xiàn)處理電路。
由于該記錄媒體驅(qū)動器具有如在第四方面中所述的磁頭裝置，因此它可限制各第二圍欄相對于記錄媒體的懸浮量，從而改善用于例如一高記錄密度的磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性。
通過結(jié)合下面的說明書及附圖部分可進(jìn)一步理解本發(fā)明的特征及優(yōu)越性。


圖1示出了作為本發(fā)明的一實(shí)施例限定的一種軟盤驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)框圖；圖2A和2B為分別示出了一種大容量軟盤與一種已知軟盤的例子的圖；圖3A、3B和3C是表示一種磁頭元件的結(jié)構(gòu)的相應(yīng)視圖；圖4A、4B、4C和4D是示出了該磁頭元件的相應(yīng)部分的尺寸等的相應(yīng)視圖；圖5為示出上下磁頭元件的設(shè)置關(guān)系的圖；圖6為表示上下磁頭元件的疊加狀態(tài)的圖；圖7為示出上下磁頭部分的結(jié)構(gòu)的圖；圖8是一種磁頭元件的分解立體圖；圖9是該磁頭元件的平面圖；圖10是該磁頭元件的側(cè)面圖；圖11是該磁頭元件的仰視圖；圖12是該磁頭元件的側(cè)視圖；圖13是一種平衡環(huán)的平面圖；圖14是一種襯墊構(gòu)件的平面圖；圖15是沿著圖14中所示的線A-A剖切的剖視圖16是該襯墊構(gòu)件的仰視圖；圖17是沿著圖14中所示的線B-B剖切的剖視圖；圖18是示出了一磁頭元件、一平衡環(huán)和一襯墊構(gòu)件的組裝狀態(tài)的平面圖；圖19是示出了該磁頭元件、平衡環(huán)及襯墊構(gòu)件的組裝狀態(tài)的局部剖視圖；圖20是描繪了該磁頭元件、平衡環(huán)及襯墊構(gòu)件的組裝狀態(tài)的仰視圖；圖21是示出了該磁頭元件、平衡環(huán)及襯墊構(gòu)件的組裝狀態(tài)的局部剖切的側(cè)視圖；圖22是示出了一磁頭部分與一支撐臂的連接狀態(tài)的局部剖切的立體圖；圖23A、23B、23C和23D為用于說明在一磁頭裝置的記錄和再現(xiàn)操作之后或者之前的諸操作的圖；圖24是示出了構(gòu)成一種軟盤驅(qū)動器的高記錄密度(高位模式)記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)的R/W通道IC的結(jié)構(gòu)框圖；圖25為示出一軟盤(用于高記錄密度)在記錄/再現(xiàn)時的變形狀態(tài)的圖；以及圖26是表示高記錄密度磁頭元件在記錄/再現(xiàn)時的傾斜狀態(tài)的圖。
下面通過結(jié)合附圖將描述本發(fā)明的諸較佳實(shí)施例。圖1示出了一較佳實(shí)施例的一種軟盤驅(qū)動器10。假定圖2A和2B中所示的軟盤11A和11B作為可用于該驅(qū)動器10中的一軟盤11。即，圖2A示出了軟盤11A，它與已知的軟盤相容，并且其中包含具有從幾十兆到數(shù)百兆字節(jié)或者更大的大記錄容量的一高記錄密度(高位模式)盤片媒體12A。圖2B示出了已知的軟盤11B，它包含具有例如大約兩兆字節(jié)的記錄容量的一標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)盤片媒體12B。
在圖2A和2B中，寫保護(hù)區(qū)15分別表示當(dāng)凹槽關(guān)閉時盤片的可寫狀態(tài)，以及當(dāng)凹槽打開時盤片的寫保護(hù)狀態(tài)。HD孔16分別表示當(dāng)凹槽打開時具有大約2M字節(jié)(在未格式化的情況下)的記錄容量的一種所謂的2HD盤片，以及當(dāng)凹槽關(guān)閉時除上述盤片之外的一種盤片。在圖2A中，除上述寫保護(hù)區(qū)15和HD孔16之外，限定在一預(yù)定位置上的凹槽17表示上述具有從幾十兆到數(shù)百兆字節(jié)的記錄容量的大容量軟盤。
請?jiān)倩氐綀D1，用于磁性執(zhí)行盤片11上的數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)的一磁頭裝置21包括磁頭部分22A和22B，它們被設(shè)置成相對關(guān)系，以便在其中插入軟盤11。磁頭部分22A執(zhí)行軟盤11的上記錄表面上的數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)，同時磁頭部分22B執(zhí)行軟盤11的下記錄表面上的數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)。磁頭部分22A和22B分別包含相對于已有軟盤11B的用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的一磁頭芯片23和相對于大容量軟盤11A的用于高記錄密度(高位模式)的一磁頭芯片24。
圖3A至3C相應(yīng)地示出了一種磁頭元件20的結(jié)構(gòu)，它各由圖1中所示的磁頭部分22A和22B組成。圖3A是從軟盤11側(cè)看到的該磁頭元件20的仰視圖。圖3B示出了沿著圖3A中所示的線a-a’剖切的剖視外形圖。圖3C是從圖3A的下側(cè)看到的該磁頭元件20的側(cè)視圖。
兩個圍欄26a和26b從構(gòu)成磁頭元件20的一滑塊25的底部伸出，以便在與一磁道的切線方向R(盤片的旋轉(zhuǎn)方向)同一方向上相互平行地縱向延伸。前側(cè)與后側(cè)以磁道的切線方向R為基準(zhǔn)加以限定。前斜坡27a和27b形成在圍欄26a和26b的前側(cè)上，后斜坡28a和28b形成在其后側(cè)上。例如，形成在各前斜坡27a和27b與盤片的記錄表面之間的角度被限定為1°，并且形成在各后斜坡28a和28b與盤片的記錄表面之間的角度被限定為10°，如圖4C所示。
在這種情況下，將圍欄26b的寬度Db做得比圍欄26a的寬度Da窄。形成在圍欄26a和26b內(nèi)側(cè)的邊緣29a和29b被分別進(jìn)行了交融(blend)處理，而形成在圍欄26a和26b外側(cè)的邊緣30a和30b被分別加工成斜坡形式。例如，形成在各邊緣30a和30b與盤片的記錄表面之間的角度被限定為10°，如圖4D所示。附帶一句，除形成在圍欄26a和26b內(nèi)側(cè)的邊緣29a和29b之外存在的所有邊緣都被進(jìn)行了交融處理。另外，它們的邊緣防止盤片的記錄表面被擦傷。
圍欄26a裝有用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的磁頭芯片23。在低位模式中，軟盤11中的盤片媒體以標(biāo)準(zhǔn)速度(例如，300rpm)旋轉(zhuǎn)。在這種轉(zhuǎn)速的情況下，滑塊25不會浮起，于是，磁頭芯片23與盤片的記錄表面相互接觸以執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)。由于它們的接觸在中心位置上最穩(wěn)定，因此，從磁道的切線方向R看，磁頭芯片23的一記錄-再現(xiàn)磁頭23a和一抹去磁頭23b大致設(shè)置在中心位置上。
另外，圍欄26b裝有相對于磁道的切線方向R位于后側(cè)上的用于高記錄密度(高位模式)的磁頭芯片24。該磁頭芯片24具有一種能夠增加磁道記錄密度的結(jié)構(gòu)，例如MIG(Metal In Gap)磁頭結(jié)構(gòu)。在高位模式中，軟盤11中的盤片媒體以高速(例如，3600rpm)旋轉(zhuǎn)，即便以上未曾提到過。在上述轉(zhuǎn)速的情況下，產(chǎn)生建立在氣流上的懸浮壓力，以便浮起滑塊25。
由于以軟盤11中的盤片媒體以高速旋轉(zhuǎn)、并由此滑塊25被浮起的狀態(tài)來執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)，因此，調(diào)節(jié)滑塊25的懸浮量，以使盤片的記錄表面與磁頭芯片24的間隙之間的間距達(dá)到一預(yù)定值(例如，50nm)。假定軟盤11中的盤片媒體的相對圓周速度是恒定的，則根據(jù)圍欄26a和26b的寬度來限定滑塊25的懸浮量。為了減小圍欄26b的懸浮量，并使盤片的記錄表面與磁頭芯片24的間隙之間的間距達(dá)到預(yù)定值，則如上所述，將圍欄26b的寬度Db做得比圍欄26a的寬度Da窄。因此，當(dāng)滑塊25處于懸浮狀態(tài)中時，它會呈一種傾斜狀態(tài)，以便圍欄26b而不是圍欄26a接近盤片的記錄表面。
圖4A至4D示出了磁頭元件20的一個例子，其中示出了其相應(yīng)部分的尺寸等。圖4A至4C分別與圖3A至3C相對應(yīng)。圖4D以放大的形式示出了圖4B中所示的主要部分。附帶一句，尺寸的單位為[mm]。在該實(shí)例中，圍欄26a的寬度Da被設(shè)定為0.42±0.007[mm]，圍欄26b的寬度Db被設(shè)定為0.37±0.007[mm]。滑塊與盤片相對的一表面是一長度為3.0±0.02[mm]，寬度為2.1±0.02[mm]的長方形。
上磁頭部分22A和下磁頭部分22B被設(shè)置成相對關(guān)系，以便如上所述，在其間插入軟盤11。在這種情況下，將構(gòu)成磁頭部分22A的磁頭元件20的圍欄26a和26b分別設(shè)置成與構(gòu)成磁頭部分22B的磁頭元件20的圍欄26b和26a相對，如圖5所示。
另外，如圖5所示，從盤片的徑向方向看將分別連接至構(gòu)成磁頭部分22A的磁頭元件20的圍欄26a和26b的磁頭芯片23和24(在圖5中未示出，請參閱圖3A)的寬度中心CEA1和CEA2分別設(shè)置以與從盤片的徑向方向看與連接至構(gòu)成磁頭部分22B的磁頭元件20的圍欄26b和26a的磁頭芯片24和23(在圖5中未示出，請參閱圖3A)的寬度中心CEB2和CEB1相一致。在這種情況下，從記錄媒體的徑向方向看，除定位在構(gòu)成磁頭部分22A的磁頭元件20的圍欄26a和26b的外側(cè)的邊緣30a和30b之外，圍欄26a和26b的寬度中心從記錄媒體的徑向方向看，除定位在構(gòu)成磁頭部分22B的磁頭元件20的圍欄26b和26a的外側(cè)的邊緣30b和30a之外，分別大致與圍欄26b和26a的寬度中心相一致。
圖6示出了磁頭部分22A和22B的疊加狀態(tài)。在圖6中，一實(shí)線表示構(gòu)成磁頭部分22B的磁頭元件20，而一虛線表示構(gòu)成磁頭部分22A的磁頭元件20。
支撐臂40A和40B分別支撐上磁頭部分22A和下磁頭部分22B(參閱圖1)。磁頭部分22A和22B的結(jié)構(gòu)將通過圖7至22進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖7所示，磁頭部分22A和22B分別包括分別設(shè)置在支撐臂40A和40B的引導(dǎo)部分41、41上方的襯墊構(gòu)件42、42、分別設(shè)置在襯墊構(gòu)件42、42上方的平衡環(huán)43、43、以及上述分別連接至平衡環(huán)43、43的磁頭元件20、20。
如圖8所示，磁頭元件20具有一磁頭芯片部分45。如上所述，該磁頭芯片部分45被構(gòu)成為兩個圍欄26a和26b從滑塊25的底部伸出，以便在與盤片磁道的切線方向R同一方向上相互平行地縱向延伸。另外，從磁道的切線方向看，圍欄26a在其基本中心位置上裝有用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的磁頭芯片23，而圍欄26b裝有相對于磁道的切線方向R位于其后側(cè)上的用于高記錄密度(高位模式)的磁頭芯片24(參閱圖3A)。
另外，磁頭元件20包括一位于磁頭芯片部分45的表面?zhèn)壬系拇判境尚渭?6和一磁芯部分49，該磁芯成形件位于與其軟盤11相對的表面的反面，該磁芯部分具有用于纏繞線圈47A的第一線圈部分48A和用于纏繞線圈47B的第二線圈部分48B，各線圈部分與磁芯成形件46相連。
用于向外暴露磁頭芯片24的一部分的切去一角的部分50被限定在磁頭芯片部分45的滑塊25中。用作為磁頭芯片24的磁芯的部分的一部分向外暴露在切去一角的部分50之中，如圖10所示。用于磁頭芯片24的一線圈47C纏繞在這部分上。
與磁頭芯片部分45相連的磁芯成形件46包括一由磁性材料制成并形成大致倒U形框架的基板51、由非磁性材料制成并向上豎立在基板51上的腿部52a和52b、以及由磁性材料制成并向上豎立在基板51上的腿部52c、52d和52e。換句話說，腿部52a和52b分別垂直地設(shè)置在基板51的端部上。腿部52c和52e分別豎立在基板51的拐角上。腿部52d豎立在腿部52c和腿部52e之間。另外，腿部52d在位于磁頭芯片部分45側(cè)具有一限定在其上端面內(nèi)的溝槽。因此，腿部52d具有第一端面53和第二端面54。
與磁性成形件46相連的第一線圈部分48A具有線圈47A和其上纏繞有線圈47A的第一繞線管55A。第一繞線管55A呈L形，并具有一柱形部分，一對凸緣沿向上和向下方向形成在該柱形部分內(nèi)。另外，將第一繞線管55A做成柱形部分的內(nèi)周表面的形狀與腿部52c的外周表面的形狀相一致。
另一方面，與磁性成形件46相連的第二線圈部分48B包括線圈47B和其上纏繞有線圈47B的第二繞線管55B，其纏繞方式與第一線圈部分48A相似。第二繞線管55B呈L形，并具有一柱形部分，一對凸緣沿向上和向下方向形成在該柱形部分內(nèi)。另外，將第二繞線管55B做成柱形部分的內(nèi)周表面的形狀與腿部52e的外周表面的形狀相一致。
在第一線圈部分48A和第二線圈部分48B中，柱形部分在線圈47A和47B纏繞在第一繞線管55A和第二繞線管55B的情況下分別與腿部52c和52e相連。
磁芯部分49在第一線圈部分48A和第二線圈部分48B以此方式已連接至磁芯成形件46的情況下支撐著上述磁頭芯片部分45。與此同時，腿部52a和52b與磁頭芯片部分45的滑塊25的表面的一些位置相接觸，該表面與設(shè)有圍欄26的表面相對。這些位置位于對應(yīng)于圍欄26b上的相對端部的位置附近。腿部52c具有一與對應(yīng)于滑塊25的相對表面的記錄-再現(xiàn)磁頭23a的一位置相接觸的上表面，以便與其磁性連接。另外，腿部52e具有一與對應(yīng)于滑塊25的相對表面的抹去磁頭23b的一位置相接觸的上表面，以便磁性連接到那里。此外，腿部52d與滑塊25的相對表面的一部分相接觸，該部分與介于記錄-再現(xiàn)磁頭23a與抹去磁頭23b之間的部分相對應(yīng)。因此，腿部52d具有磁性連接至記錄-再現(xiàn)磁頭23的第一端面53和磁性連接至抹去磁頭23b的第二端面54。
通過使磁芯部分49與磁頭芯片部分45互相接觸，腿部52c和52d在記錄-再現(xiàn)磁頭23a中構(gòu)成一磁芯。換句話說，在記錄-再現(xiàn)磁頭23a中，在連接著第一線圈部分48A的腿部52c與其第一端面53支撐著滑塊25的腿部52d之間形成一條磁路。通過使磁芯部分49與磁頭芯片部分45互相接觸，腿部52e和52d在抹去磁頭23b中構(gòu)成一磁芯。換句話說，在抹去磁頭23b中，在連接著第二線圈部分48B的腿部52e與其第二端面54與滑塊25相接觸的腿部52d之間形成一條磁路。
如上所述，連接至磁頭元件20的各平衡環(huán)43的總體布局呈大致長方形的板狀，如圖13所示。該平衡環(huán)43包括其上設(shè)置有上述磁頭芯片部分45的一磁頭連接部分60；通過第一結(jié)合部分61a和61b與磁頭連接部分60相結(jié)合、以便環(huán)繞磁頭連接部分60的外周的第一環(huán)框部分62；以及通過第二結(jié)合部分63a和63b與第一環(huán)框部分62相結(jié)合、以便環(huán)繞第一環(huán)框部分62的外周的第二環(huán)框部分64。另外，將該平衡環(huán)43構(gòu)成為第一結(jié)合部分61a和61b相互連接的方向與第二結(jié)合部分63a和63b相互連接的另一方向互相相交。第一結(jié)合部分61a和61b相互連接的方向與磁道的切線方向(盤片的旋轉(zhuǎn)方向)R保持平行。附帶一句，該平衡環(huán)43由例如不生銹的材料制成。
平衡環(huán)43中的磁頭連接部分60被做成具有略大于上述磁頭芯片部分45的外形。另外，磁頭連接部分60具有一對開口65a和65b，兩者在與磁道的切線方向R相交的方向上相互隔離。
以這種方式構(gòu)成的各平衡環(huán)43與上述磁頭元件20相連。更具體地講，平衡環(huán)43被設(shè)置在上述磁頭芯片部分45與磁芯部分49之間。與此同時，磁頭芯片部分45被放置在平衡環(huán)43的一表面上，以便通過開口65a可看到與圍欄26b的相對端相對應(yīng)的滑塊25的相對表面的位置，并且通過開口65b可看到與磁頭芯片23相對應(yīng)的滑塊25的相對表面的位置。另外，腿部52a和腿部52b從平衡環(huán)43的另一表面?zhèn)扰c通過開口65a看到的磁頭芯片部分45的滑塊25的相對表面的位置相接觸。腿部52c、腿部52d和腿部52e與如上所述的通過開口65b看到的磁頭芯片部分45的滑塊25的相對表面的位置相接觸。
因此，開口65a的開口大小足以通過其中插入腿部52a和52b。另外，開口65b的開口大小也足以通過其中插入腿部52c、52d和52e。因此，平衡環(huán)43與磁頭部分22A和22B的厚度方向上的中段部分相連。
與各平衡環(huán)43相連的襯墊構(gòu)件42包括大致呈環(huán)形的一周壁66、豎立在周壁66內(nèi)側(cè)的一樞軸設(shè)置部分67、以及設(shè)置在該樞軸設(shè)置部分67上的一樞軸68，如圖14至17所示。
周壁66呈筒形，其內(nèi)部形狀略大于上述磁芯部分49的外部形狀，其外部形狀基本與上述平衡環(huán)43的外部形狀相一致。另外，周壁66的內(nèi)側(cè)具有一磁屏蔽69。該磁屏蔽69是由例如一種具有高導(dǎo)磁性的磁性材料制成，其外部形狀略小于周壁66。
樞軸設(shè)置部分67被做成自周壁66的內(nèi)表面大致朝著中心延伸，并設(shè)置成自該中心大致向上豎立。該樞軸設(shè)置部分67被做成其高度略低于周壁66的高度。該樞軸設(shè)置部分67具有形成在其上端面67a上的樞軸68。該樞軸68大致呈半球形，并且被做成其上端部分68a被設(shè)置成略高于周壁66的高度。
通過將周壁66、樞軸設(shè)置部分67和樞軸68整體模制成形來形成以這種方式構(gòu)成的襯墊構(gòu)件42。與此同時，可較佳地鑲嵌模制該襯墊構(gòu)件42，以便將磁屏蔽69設(shè)置在周壁66的內(nèi)側(cè)。
如圖18至21所示，襯墊構(gòu)件42與上述平衡環(huán)43固定相連。換句話說，襯墊構(gòu)件42連接至與磁頭芯片部分45的連接表面相對的平衡環(huán)43的表面、即平衡環(huán)43的另一表面。通過將平衡環(huán)43的另一表面與襯墊構(gòu)件42相連，樞軸68在預(yù)定壓力下頂住平衡環(huán)43的另一表面的基本中心部分。換句話說，平衡環(huán)43的磁頭連接部分60由樞軸68從另一表面支撐著。
與此同時，設(shè)置在平衡環(huán)43的另一表面?zhèn)壬系拇判静糠?9容納在周壁66的內(nèi)部。附帶一句，由于樞軸設(shè)置部分67位于大致呈倒U形框架的磁芯成形件46的基板51的開口部分內(nèi)，因此，不會妨礙磁芯部分49容納在周壁66的內(nèi)部。
通過將磁頭元件20、平衡環(huán)43和襯墊構(gòu)件42如上所述組裝形成的磁頭部分22A和22B分別如上所述地連接至支撐臂40A和40B。如圖22所示(僅示出了磁頭部分22B側(cè))，支撐臂40A和40B分別由具有預(yù)定長度的一板狀構(gòu)件組成。支撐臂40A和40B的一端(圖中未示出)連接至一磁頭托架70(如圖1所示)。構(gòu)成上述磁頭部分22A和22B的襯墊構(gòu)件42分別與支撐臂40A和40B的另一端相連。附帶一句，與此同時，襯墊構(gòu)件42分別與支撐臂40A和40B相連，以便彼此相對。
下面將簡要說明如上所述的具有磁頭部分22A和22B的磁頭裝置21在數(shù)據(jù)記錄和再現(xiàn)之后及之前的移動。
如圖23A所示，在起始狀態(tài)中，臂操作件71A和71B在向上和向下的方向上相互隔離。上臂操作件71A的一提升銷相接面72A緊靠一連接至支撐臂40A的提升銷，以便將該支撐臂40A保持在向上撓曲的狀態(tài)中。另外，下臂操作件71B的一提升銷相接面72B緊靠一連接至支撐臂40B的提升銷，以便將該支撐臂40B保持在向下?lián)锨臓顟B(tài)中。因此，在該起始狀態(tài)中，分別構(gòu)成磁頭部分22A和22B的磁頭元件20被分別設(shè)置在與軟盤11的記錄表面不相接觸的狀態(tài)中。
接著，啟動將在下文中描述的一主軸電動機(jī)以轉(zhuǎn)動軟盤11。在這種狀態(tài)中，電流流入將在下文中描述的一VCM(Voice Coil Motor)中，以便將磁頭托架70滑至盤片的內(nèi)圓周側(cè)。在這種情況下，支撐臂40A的提升銷74A沿著臂操作件71A的一斜面73A向下移動，如圖23B所示，以便將磁頭部分22A的磁頭元件20轉(zhuǎn)移至盤片11的上表面?zhèn)壬系挠涗浕蛘咴佻F(xiàn)位置。類似地，支撐臂40B的提升銷74B沿著臂操作件71B的一斜面73B向上移動，以便將磁頭部分22B的磁頭元件20轉(zhuǎn)移至盤片11的下表面?zhèn)壬系挠涗浕蛘咴佻F(xiàn)位置。
當(dāng)所給的軟盤11是用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的軟盤11B并以低速旋轉(zhuǎn)時，各磁頭元件20的圍欄26a和26b與盤片11的記錄表面進(jìn)入軟接觸，即它們進(jìn)行一種軟著陸。另一方面，當(dāng)所給的軟盤11是用于高記錄密度(高位模式)的軟盤11A，并以高速旋轉(zhuǎn)時，各磁頭元件20的圍欄26a和26b分別從盤片11的記錄表面略微浮起。
接著，如圖23D所示，臂操作件71A和71B在向上和向下的方向上相互重疊，并維持一種閉合狀態(tài)，以便保持在與支撐臂40A和40B不相接觸的狀態(tài)中。在這種狀態(tài)中，進(jìn)行記錄或者再現(xiàn)，同時磁頭托架70沿著軟盤11的徑向方向移動。
接著，當(dāng)記錄或者再現(xiàn)完成時，磁頭托架70被送進(jìn)至軟盤11的外圓周側(cè)，并且臂操作件71A和71B在向上和向下的方向上相互隔離。因此，磁頭裝置21返回至如圖23A中所示的起始狀態(tài)，以便將分別構(gòu)成磁頭部分22A和22B的磁頭元件20設(shè)置在與它們相應(yīng)的盤片11的記錄表面不相接觸的狀態(tài)中。
請?jiān)倩氐綀D1，盤片驅(qū)動器10具有用作為控制整個盤片驅(qū)動器的一控制器的一DSP(數(shù)字信號處理器)101。該DSP101控制軟盤11的轉(zhuǎn)動、控制磁頭裝置21的移動、控制用于高記錄密度(高位模式)的一記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)、控制用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的一記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)等。DSP101與一總線102電連接。該DSP101取出儲存在與總線102相連的一按塊擦除存儲器103中的一程序，并根據(jù)該程序執(zhí)行控制操作。
盤片驅(qū)動器10還具有通過使用上述凹槽17等檢測該軟盤11是用于高記錄密度(高位模式)的軟盤11A還是用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的軟盤11B的一盤片檢測器104。從該盤片檢測器104輸出的一信號被傳送至DSP101作為一模式信號SMD。DSP101根據(jù)該模式信號SMD進(jìn)行軟盤11的轉(zhuǎn)速的切換控制、記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)之間的切換控制以及界面之間的切換控制。
另外，盤片驅(qū)動器10具有用于旋轉(zhuǎn)軟盤11的一主軸電動機(jī)105和用于驅(qū)動該電動機(jī)105的一主軸電動機(jī)驅(qū)動器106。從電動機(jī)15所獲得的具有對應(yīng)于軟盤11的轉(zhuǎn)速的一頻率的一頻率信號SFG通過驅(qū)動器106被傳送至DSP101。DSP101參考該頻率信號SFG，從而控制驅(qū)動器106，以便軟盤11的轉(zhuǎn)速達(dá)到一預(yù)定值。
此外，盤片驅(qū)動器10具有用于在盤片的徑向方向上移動與用于支撐構(gòu)成磁頭裝置21的磁頭部分22A和22B的支撐臂40A和40B相連的磁頭托架70的一VCM108和用于驅(qū)動該VCM108的一VCM驅(qū)動器109。DSP101根據(jù)從將在下文中描述的一R/W通道IC113輸出的關(guān)于磁頭裝置21的跟蹤信息等控制VCM驅(qū)動器109，以便將磁頭裝置21適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在一目標(biāo)磁道上。
盤片驅(qū)動器10具有用于高記錄密度(高位模式)的記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)和用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)。用于高記錄密度(高位模式)的記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)具有用于與主計(jì)算機(jī)交換數(shù)據(jù)、狀態(tài)和指令的一盤片控制器111、被用作為數(shù)據(jù)緩沖器的一DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)112、執(zhí)行記錄信號處理和再現(xiàn)信號處理的R/W通道IC113、以及具有用于放大從R/W通道IC113輸出的記錄信號并將其傳送至磁頭部分22A和22B的高記錄密度(高位模式)磁頭芯片24的一記錄放大器和用于放大由磁頭芯片24再現(xiàn)的一信號并將其傳送至R/W通道IC113的一再現(xiàn)放大器的一放大器單元114。
盤片控制器111與總線102電連接。盤片控制器111的操作以及R/W通道IC113的操作分別由DSP101控制。盤片控制器111通過一EIDE(擴(kuò)充智能驅(qū)動器電子學(xué))界面與主計(jì)算機(jī)(圖中未示出)相連。圖24示出了R/W通道IC113的構(gòu)成。
作為一記錄系統(tǒng)，該IC113具有用于在從盤片控制器111所傳送的寫數(shù)據(jù)WD上進(jìn)行被限定為一種數(shù)字調(diào)制處理的、采用16/17編碼進(jìn)行編碼處理的一16/17編碼器121、用于向從編碼器121輸出的數(shù)據(jù)(串行數(shù)據(jù))提供局部響應(yīng)均衡和反相特性的干擾的一預(yù)編碼器122、以及用于在記錄之前補(bǔ)償再現(xiàn)時在預(yù)編碼器122的輸出數(shù)據(jù)中形成的移相、從而獲得一記錄信號SR的一寫補(bǔ)償電路123。
作為一再現(xiàn)系統(tǒng)，該IC113還具有用于將從放大器單元14輸出的再現(xiàn)信號SP的幅度保持恒定的一AGC(自動增益控制)電路131、用于消除從AGC電路131輸出的一信號的不必要的高頻分量的一低通濾波器132、用于將從低通濾波器132輸出的一信號轉(zhuǎn)換成一數(shù)字信號的一A/D轉(zhuǎn)換器133、以及用于對從A/D轉(zhuǎn)換器133輸出的數(shù)據(jù)進(jìn)行一種EPR4(擴(kuò)展局部響應(yīng)級4)波形均衡的一均衡器134。
另外，該IC113作為再現(xiàn)系統(tǒng)具有用作為用于對從均衡器134輸出的數(shù)據(jù)進(jìn)行0/1數(shù)據(jù)判別處理的一數(shù)據(jù)判別器的一維特比(viterbi)譯碼器135，以及用于對從該維特比譯碼器135輸出的數(shù)據(jù)進(jìn)行采用16/17編碼的譯碼處理、從而獲得讀數(shù)據(jù)RD的一16/17譯碼器136。雖然上文中未曾描述，通過盤片控制器111向那里加入一糾錯編碼，然后在其上進(jìn)行交錯處理，可獲得寫數(shù)據(jù)WD。讀數(shù)據(jù)RD的狀態(tài)與寫數(shù)據(jù)WD相似。因此，它受到通過盤片控制器111的反交錯處理和糾錯處理。
此外，IC113具有用于從低通濾波器132輸出的信號中檢測跟蹤信息TRI的一跟蹤信息檢測器137。該跟蹤信息TRI被傳送至DSP101。附帶一句，低通濾波器132的輸出信號被直接傳送至DSP101，以便檢測磁道編號等。另外，DSP101根據(jù)跟蹤信息TRI及所檢測的信息、諸如磁道編號等控制VCM驅(qū)動器109，以便將磁頭裝置21放置到一目標(biāo)磁道上。
請?jiān)倩氐綀D1，盤片驅(qū)動器10具有一FDD控制器115作為用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)。該FDD控制器115通過一FDD(軟盤驅(qū)動器)界面與主計(jì)算機(jī)(圖中未示出)電連接。該FDD控制器115具有某些功能，例如在寫時從主計(jì)算機(jī)所傳送的MFM調(diào)制數(shù)據(jù)中產(chǎn)生一記錄信號并將其傳送至磁頭部分22A和22B的各記錄-再現(xiàn)磁頭23a，并在讀時從記錄-再現(xiàn)磁頭23a所輸出的一再現(xiàn)信號中獲得MFM調(diào)制數(shù)據(jù)并將其傳送至主計(jì)算機(jī)。
接著將說明圖1中所示的盤片驅(qū)動器10的操作。將描述當(dāng)用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的軟盤11B被安裝到那里作為軟盤11時，盤片驅(qū)動器10的操作。在這種情況下，從盤片檢測器104傳送至DSP101的模式信號SMD代表著低位模式。因此，DSP101根據(jù)從主軸電動機(jī)105輸出的頻率信號SFG控制主軸電動機(jī)驅(qū)動器106，以便該軟盤11以標(biāo)準(zhǔn)速度旋轉(zhuǎn)(例如，300rpm)。另外，用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)被引導(dǎo)至一種在DSP101控制下的使用狀態(tài)。
當(dāng)以這種狀態(tài)寫(當(dāng)將磁頭部分22A和22B保持在如圖23C中所示的狀態(tài)中)時，被用作為寫數(shù)據(jù)的MFM調(diào)制數(shù)據(jù)被通過FDD界面從主計(jì)算機(jī)傳送至FDD控制器115。與該MFM調(diào)制數(shù)據(jù)相對應(yīng)的一記錄信號從FDD控制器115輸出，并傳送至磁頭部分22A和22B的記錄-再現(xiàn)磁頭23a，在那里它被記錄在一位于軟盤11的一目標(biāo)磁道上的一預(yù)定扇區(qū)上。另一方面，當(dāng)讀時，由各記錄-再現(xiàn)磁頭23a從位于軟盤11的目標(biāo)磁道上的預(yù)定扇區(qū)再現(xiàn)的一信號被傳送至FDD控制器115，與該再現(xiàn)信號相對應(yīng)的MFM調(diào)制數(shù)據(jù)從FDD控制器115輸出，并且該MFM調(diào)制數(shù)據(jù)被傳送至主計(jì)算機(jī)。
以下將描述當(dāng)用于高記錄密度(高位模式)的軟盤11A被安裝到那里作為軟盤11時該盤片驅(qū)動器10的操作。在這種情況下，從盤片檢測器104傳送至DSP101的模式信號SMD代表著高位模式。因此，DSP101根據(jù)從主軸電動機(jī)105輸出的頻率信號SFG控制主軸電動機(jī)驅(qū)動器106，以便該軟盤11以高速旋轉(zhuǎn)(例如，3600rpm)。另外，用于高記錄密度(高位模式)的記錄-再現(xiàn)系統(tǒng)被引導(dǎo)至一種在DSP101控制下的使用狀態(tài)。
當(dāng)以這種狀態(tài)寫(當(dāng)將磁頭部分22A和22B保持在如圖23C中所示的狀態(tài)中)時，通過采用EIDE界面將寫數(shù)據(jù)從主計(jì)算機(jī)傳送至盤片控制器111。該寫數(shù)據(jù)被暫時儲存在DRAM112中。盤片控制器111對該寫數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯編碼添加處理和交錯處理以形成寫數(shù)據(jù)WD。
當(dāng)信號被記錄在位于軟盤11的目標(biāo)磁道上的預(yù)定扇區(qū)上時，將該寫數(shù)據(jù)WD從盤片控制器111傳送至R/W通道IC113。與寫數(shù)據(jù)WD相對應(yīng)的一記錄信號SR從R/W通道IC113輸出，并通過放大器單元114的記錄放大器傳送至磁頭部分22A和22B的磁頭芯片24，由此將它記錄在位于軟盤11的目標(biāo)磁道上的預(yù)定扇區(qū)上。
另一方面，當(dāng)讀時，由各磁頭芯片24從位于軟盤11的目標(biāo)磁道上的預(yù)定扇區(qū)再現(xiàn)的一信號被放大器單元114的再現(xiàn)放大器放大，接著被傳送至R/W通道IC113。該R/W通道IC113對該信號進(jìn)行波形均衡處理、數(shù)據(jù)判別處理、16/17編碼譯碼處理等以獲得讀數(shù)據(jù)RD。該讀數(shù)據(jù)RD被傳送至盤片控制器111，在那里對該讀數(shù)據(jù)RD進(jìn)行反交錯處理和糾錯處理以獲得最終的讀數(shù)據(jù)。由此而形成的讀數(shù)據(jù)被暫時儲存在DRAM112中，然后傳送至主計(jì)算機(jī)。
在如上所述的實(shí)施例中，當(dāng)設(shè)置用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低位模式)的盤片作為軟盤11時，磁頭部分22A和22B的記錄-再現(xiàn)磁頭23a以一種保持與它們相對應(yīng)的盤片的記錄表面相接觸的狀態(tài)進(jìn)行記錄/再現(xiàn)。另一方面，當(dāng)設(shè)置用于高記錄密度(高位模式)的盤片作為軟盤11時，磁頭部分22A和22B的磁頭芯片以一種從它們相對應(yīng)的盤片的記錄表面浮起的狀態(tài)進(jìn)行記錄/再現(xiàn)。因此，即使在用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度的盤片上也如同在用于高記錄密度的盤片上一樣可進(jìn)行記錄/再現(xiàn)，由此獲得了低位兼容性。
構(gòu)成磁頭部分22A和22B的各磁頭元件20等同于這樣一個元件，即圍欄26a和26b在盤片側(cè)上從滑塊25的底部伸出，以便在記錄媒體的磁道的切線方向R上延伸并相互平行。另外，磁頭元件20中的圍欄26b的寬度比圍欄26a的寬度窄，記錄-再現(xiàn)磁頭23a位于圍欄26a的中心位置上，并且磁頭芯片24位于圍欄26b的后側(cè)上。因此，當(dāng)在用于高記錄密度的盤片11上進(jìn)行記錄/再現(xiàn)時，圍欄26b自盤片表面的懸浮量與圍欄26a相比可加以限制。另外，構(gòu)成磁頭部分22A的磁頭元件20的圍欄26a和26b被設(shè)置成與構(gòu)成磁頭部分22B的磁頭元件20的圍欄26b和26a相對(參閱圖5)。當(dāng)在用于高記錄密度的盤片11上進(jìn)行記錄/再現(xiàn)時，該盤片11被變形，以便緊貼住位于相對的圍欄部分上的寬度較窄的圍欄26b(參閱圖25)。另外，圍欄26b被傾斜，以便進(jìn)一步接近位于相對的圍欄部分上的盤片11的記錄表面(參閱圖26)，由此進(jìn)一步減小圍欄26b自盤片表面的懸浮量。因此，可將介于盤片的記錄表面與各磁頭芯片24之間的間距做得更窄，以便改善各磁頭芯片24的記錄/再現(xiàn)特性。
由于圍欄26a和26b的外側(cè)邊緣30a和30b(參閱圖3A和3B)被加工成斜坡，圍欄26a和26b的邊緣可減少當(dāng)開始上述記錄/再現(xiàn)而軟著陸以及記錄/再現(xiàn)期間搜索操作時盤片11的記錄表面的擦傷。
在上述實(shí)施例中，本發(fā)明被應(yīng)用于軟盤驅(qū)動器10。然而，不必講，本發(fā)明可被以如上所述的相同方式應(yīng)用于另一種磁盤驅(qū)動器。
根據(jù)本發(fā)明，第一和第二圍欄以伸出形式形成在各磁頭元件的滑塊上，以便在記錄媒體的磁道的切線方向上延伸并相互平行。第一圍欄具有用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度的一磁頭芯片，而第二圍欄具有用于高記錄密度的一磁頭芯片。另外，第二圍欄的寬度比第一圍欄的寬度窄。因此，即使在用于標(biāo)準(zhǔn)記錄密度的記錄媒體上也如同在用于高記錄密度的記錄媒體上一樣可進(jìn)行記錄/再現(xiàn)，由此獲得了低位兼容性。由于滑塊被傾斜并被浮起，以便第二圍欄在用于高記錄密度的記錄媒體上進(jìn)行記錄/再現(xiàn)時接近該記錄媒體的表面；并可減小用于高記錄密度的磁頭芯片與記錄媒體的記錄表面之間的距離，以改善用于高記錄密度的磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性。
另外，根據(jù)本發(fā)明，具有以相對位置關(guān)系設(shè)置的第一和第二磁頭部分，以便在其間插入記錄媒體。第一和第二圍欄以伸出形式形成在構(gòu)成各第一和第二磁頭部分的磁頭元件的滑塊上，以便在記錄媒體的磁道的切線方向上延伸并相互平行。第二圍欄具有一磁頭芯片。另外，第二圍欄的寬度比第一圍欄的寬度窄，并且構(gòu)成第一磁頭部分的磁頭元件的第一和第二圍欄分別與構(gòu)成第二磁頭部分的磁頭元件的第二和第一圍欄相對。因此，當(dāng)進(jìn)行記錄或者再現(xiàn)時，第一和第二磁頭部分的滑塊被浮起，以便第二圍欄接近它們相對應(yīng)的記錄媒體的記錄表面。另外，記錄媒體被變形或者磁頭元件被傾斜，以便各第二圍欄在相對的圍欄部分處接近記錄媒體的記錄表面。因此，可減小記錄媒體的記錄表面與各磁頭芯片之間的間距，并因此可大大改善磁頭芯片的記錄-再現(xiàn)特性。
雖然以上完整地描述了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，但是可采用各種替換、變型及等效物。因此，上述描述并不限制由所附權(quán)項(xiàng)所限定的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.包括一磁頭元件的一種磁頭裝置，包括一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在所述滑塊上、以便在所述記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；用于以保持與記錄媒體的一記錄表面相接觸的狀態(tài)并以第一記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一磁頭芯片，從所述磁道的所述切線方向看，所述第一磁頭芯片大致設(shè)置在所述第一圍欄的中心位置上；以及用于以從記錄媒體的所述記錄表面浮起的狀態(tài)并以大于所述第一記錄密度的第二記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二磁頭芯片，相對于磁道的切線方向，所述第二磁頭芯片設(shè)置在所述第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，所述磁頭元件的第二圍欄的寬度比其第一圍欄的寬度窄。
2.如權(quán)利要求1所述的磁頭裝置，其特征在于，所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄的外側(cè)邊緣分別被加工成斜坡。
3.如權(quán)利要求1所述的磁頭裝置，其特征在于，所述滑塊的一表面是一大約3mm長和大約2.1mm寬的長方形，所述表面與所述記錄媒體相對。
4.如權(quán)利要求1所述的磁頭裝置，其特征在于，所述第一圍欄的寬度大約為0.42mm，并且所述第二圍欄的寬度大約為0.37mm。
5.一種磁頭裝置，包括以相對關(guān)系設(shè)置、以便其間插入一記錄媒體的第一和第二磁頭部分，構(gòu)成所述各第一和第二磁頭部分的一磁頭元件包括；一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在所述滑塊上、以便在所述記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；以及用于以從記錄媒體的一記錄表面浮起的狀態(tài)并以一預(yù)定密度密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一磁頭芯片，相對于所述磁道的所述切線方向，所述磁頭芯片設(shè)置在所述第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，所述第二圍欄的寬度比所述第一圍欄的寬度窄；以及構(gòu)成所述第一磁頭部分的所述磁頭元件的第一和第二圍欄與構(gòu)成所述第二磁頭部分的磁頭元件的第二和第一圍欄相對。
6.如權(quán)利要求5所述的磁頭裝置，其特征在于，從所述磁道的所述切線方向看，用于以保持與所述記錄媒體的所述記錄表面相接觸的狀態(tài)并以小于所述預(yù)定密度的一密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一磁頭芯片大致設(shè)置在構(gòu)成所述第一和第二磁頭部分的所述各磁頭元件的所述第一圍欄的中心位置上。
7.如權(quán)利要求5所述的磁頭裝置，其特征在于，構(gòu)成所述第一和第二磁頭部分的所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄的外側(cè)邊緣分別被加工成斜坡。
8.如權(quán)利要求7所述的磁頭裝置，其特征在于，從所述記錄媒體的一徑向方向看，除去外側(cè)邊緣，構(gòu)成所述第一磁頭部分的所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄的各寬度中心大致與從記錄媒體的所述徑向方向看，除去外側(cè)邊緣，構(gòu)成所述第二磁頭部分的所述磁頭元件的所述第二和第一圍欄的各寬度中心相一致。
9.如權(quán)利要求5所述的磁頭裝置，其特征在于，所述滑塊的一表面是一大約3mm長和大約2.1mm寬的長方形，所述表面與所述記錄媒體相對。
10.如權(quán)利要求5所述的磁頭裝置，其特征在于，所述第一圍欄的寬度大約為0.42mm，并且所述第二圍欄的寬度大約為0.37mm。
11.一種磁頭裝置，包括以相對關(guān)系設(shè)置、以便其間插入一記錄媒體的第一和第二磁頭部分，構(gòu)成所述各第一和第二磁頭部分的一磁頭元件包括；一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在所述滑塊上、以便在所述記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；用于以保持與記錄媒體的一記錄表面相接觸的狀態(tài)并以第一記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一磁頭芯片，從所述磁道的所述切線方向看，所述第一磁頭芯片大致設(shè)置在所述第一圍欄的中心位置上；用于以從記錄媒體的所述記錄表面浮起的狀態(tài)并以大于所述第一記錄密度的第二記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二磁頭芯片，相對于磁道的切線方向，所述第二磁頭芯片設(shè)置在所述第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，所述第二圍欄的寬度比第一圍欄的寬度窄；構(gòu)成所述第一磁頭部分的所述磁頭元件的第一和第二圍欄與構(gòu)成所述第二磁頭部分的磁頭元件的第二和第一圍欄相對；以及從所述記錄媒體的一徑向方向看，分別設(shè)置在構(gòu)成所述第一磁頭部分的所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄上的所述第一和第二磁頭芯片的各寬度中心大致與從記錄媒體的所述徑向方向看，分別設(shè)置在構(gòu)成所述第二磁頭部分的所述磁頭元件的所述第二和第一圍欄上的所述第二和第一磁頭芯片的各寬度中心相一致。
12.一種記錄媒體驅(qū)動器，包括(A)具有一磁頭元件的一磁頭裝置，包括；一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在所述滑塊上、以便在所述記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；用于以保持與記錄媒體的一記錄表面相接觸的狀態(tài)并以第一記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第一磁頭芯片，從所述磁道的所述切線方向看，所述第一磁頭芯片大致設(shè)置在所述第一圍欄的中心位置上；以及用于以從記錄媒體的所述記錄表面浮起的狀態(tài)并以大于所述第一記錄密度的第二記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的第二磁頭芯片，相對于磁道的切線方向，所述第二磁頭芯片設(shè)置在所述第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，所述各磁頭元件的所述第二圍欄的寬度比所述第一圍欄的寬度窄；(B)用于產(chǎn)生將由所述磁頭裝置記錄在記錄媒體上的記錄數(shù)據(jù)的一記錄處理電路；以及(C)用于處理由所述磁頭裝置從記錄媒體再現(xiàn)的再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一再現(xiàn)處理電路。
13.如權(quán)利要求12所述的記錄媒體驅(qū)動器，其特征在于，所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄的外側(cè)邊緣分別被加工成斜坡。
14.如權(quán)利要求12所述的記錄媒體驅(qū)動器，其特征在于，所述滑塊的一表面是一大約3mm長和大約2.1mm寬的長方形，所述表面與所述記錄媒體相對。
15.如權(quán)利要求12所述的記錄媒體驅(qū)動器，其特征在于，所述第一圍欄的寬度大約為0.42mm，并且所述第二圍欄的寬度大約為0.37mm。
16.一種記錄媒體驅(qū)動器，包括(A)具有以相對關(guān)系設(shè)置、以便其間插入一記錄媒體的第一和第二磁頭部分的一磁頭裝置，構(gòu)成所述各第一和第二磁頭部分的一磁頭元件包括；一滑塊；以伸出至一記錄媒體側(cè)的形式設(shè)置在所述滑塊上、以便在所述記錄媒體的一磁道的一切線方向上延伸并且相互平行的第一和第二圍欄；以及用于以從記錄媒體的一記錄表面浮起的狀態(tài)并以一預(yù)定密度密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一磁頭芯片，相對于所述磁道的所述切線方向，所述磁頭芯片設(shè)置在所述第二圍欄的后側(cè)上的一位置上；其中，所述第二圍欄的寬度比所述第一圍欄的寬度窄；以及構(gòu)成所述第一磁頭部分的所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄與構(gòu)成所述第二磁頭部分的磁頭元件的所述第二和第一圍欄相對；(B)用于產(chǎn)生將由所述磁頭裝置記錄在記錄媒體上的記錄數(shù)據(jù)的一記錄處理電路；以及(C)用于處理由所述磁頭裝置從記錄媒體再現(xiàn)的再現(xiàn)數(shù)據(jù)的一再現(xiàn)處理電路。
17.如權(quán)利要求16所述的記錄媒體驅(qū)動器，其特征在于，所述磁頭元件的所述第一和第二圍欄的外側(cè)邊緣分別被加工成斜坡。
18.如權(quán)利要求16所述的記錄媒體驅(qū)動器，其特征在于，所述滑塊的一表面是一大約3mm長和大約2.1mm寬的長方形，所述表面與所述記錄媒體相對。
19.如權(quán)利要求16所述的記錄媒體驅(qū)動器，其特征在于，所述第一圍欄的寬度大約為0.42mm，并且所述第二圍欄的寬度大約為0.37mm。
全文摘要
一種適用于大容量軟盤驅(qū)動器等的磁頭裝置和盤片驅(qū)動器。第一和第二圍欄以在各磁頭元件20的一滑塊上伸出的形式設(shè)置在盤片側(cè)上,以便在盤片的一磁道的一切線方向R上延伸并且相互平行。以標(biāo)準(zhǔn)記錄密度和以高記錄密度記錄和再現(xiàn)數(shù)據(jù)的磁頭芯片分別設(shè)置在第一圍欄的中心位置和第二圍欄后側(cè)上的一位置上。各磁頭元件第一圍欄的寬度比其第二圍欄的寬度窄。該滑塊被傾斜和浮起,以便第二圍欄接近盤片的記錄表面。
文檔編號G11B5/58GK1228576SQ99102460
公開日1999年9月15日 申請日期1999年2月23日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月20日
發(fā)明者早田裕, 秋保啟, 伊藤涉 申請人:索尼株式會社