專利名稱：在低壓應(yīng)用中減小柵電容的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在集成電路存儲(chǔ)器裝置，特別是包括讀取模式過(guò)程中用一升高的電壓供電的字線驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)器裝置中使用具有限流驅(qū)動(dòng)能力的電源如充電泵供電的字線驅(qū)動(dòng)器。
能夠降低能耗和具有較快的操作速度是集成電路設(shè)計(jì)中的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)。較低的電壓通常產(chǎn)生較低的能耗。標(biāo)準(zhǔn)中提出集成電路的電源電壓低于目前常用的5V。例如，作為標(biāo)準(zhǔn)提出的低供電電壓所規(guī)定的工作范圍大約為2.7V-3.6V。另外，甚至提出更低的供電壓標(biāo)準(zhǔn)。低壓范圍缺少重要應(yīng)用所需要的電壓。例如，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置如閃速EEPROM或ROM中，字線可以在4V或更高的讀取電位下工作。供電電壓升高電路包括在集成電路中以提供芯片所需的電壓。這樣的升壓電路已限定了電流的驅(qū)動(dòng)能力，因此，也就限定了設(shè)備的速度。
升壓電路的性能還受到電容，包括寄生電容和取決于該升高電壓的驅(qū)動(dòng)器的電容的限制。在升壓過(guò)程中，電容延時(shí)了升壓操作和增加了升壓電路所需的電能。電容的一些主要來(lái)源是阱電容，耦合電容，氧化物電容和結(jié)電容。因此，就希望提供一種與集成電路一起使用的電路，該集成電路通常能夠減小電容，特別是在升壓操作過(guò)程中降低所升高電壓源上的容性負(fù)載。
本發(fā)明公開(kāi)的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器能夠減小升壓應(yīng)用的電容。低壓應(yīng)用的電容通過(guò)該增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器中的負(fù)載減小電路被減小，并能夠在包含一存儲(chǔ)器陣列的集成電路中實(shí)現(xiàn)。特別是在升高電壓源輸出值時(shí)，該負(fù)載減小電路減小了由被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器放置在升高電壓源上的容性負(fù)載。
該字線驅(qū)動(dòng)器電路包括一電壓源，一驅(qū)動(dòng)器電路，一反饋電路和一負(fù)載減小電路。該電壓源提供一第一電壓。該驅(qū)動(dòng)器電路具有一輸入端，兩個(gè)電源輸入端和一輸出端。該輸出端與一字線相連接。該第一電源輸入端與電壓源連接。在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第一電源輸入端相連接。在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第二電源輸入端相連接。該反饋電路具有一輸入端，一輸出端和一電源輸入端。該反饋電路的輸入端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸出端相連接。該反饋電路的電源輸入端與電壓源相連接。該負(fù)載減小電路具有一輸入端，一輸出端和一控制輸入端。該負(fù)載減小電路的輸入端與反饋電路的輸出端相連接。該負(fù)載減小電路的輸出端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端相連接。在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，一種集成電路的存儲(chǔ)器裝置包括一存儲(chǔ)器陣列，數(shù)個(gè)地址輸入端，一電壓源，一解碼器和數(shù)個(gè)與電壓源相連接的字線驅(qū)動(dòng)器電路，其中許多字線驅(qū)動(dòng)器電路是被取消選擇的，一個(gè)或幾個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路在設(shè)定訪問(wèn)該陣列時(shí)被選擇。該存儲(chǔ)器陣列具有數(shù)個(gè)與陣列中存儲(chǔ)器單元相連接的字線。數(shù)個(gè)地址輸入端適于接收陣列中的識(shí)別所選擇的存儲(chǔ)器單元的地址。該電壓源提供一電壓。解碼器選擇一所選擇的字線驅(qū)動(dòng)器電路。被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器電路容性地加載在電壓源上。在數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路中的一個(gè)或更多個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路分別包括一驅(qū)動(dòng)器電路，一反饋電路和一負(fù)載減小電路。該驅(qū)動(dòng)器電路具有一輸入端，兩個(gè)電源輸入端和一個(gè)輸出端。該輸出端與一字線相連接。第一電源輸入端與電壓源相連接。在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第一電源輸入端相連接。在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第二電源輸入端相連接，該第二電源輸入端通常接收大地電位或其它參考電位。該反饋電路具有一輸入端，一輸出端和一電源輸入端。該反饋電路的輸入端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸出端相連接。該反饋電路的電源輸入端與電壓源相連接。該負(fù)載減小電路具有一輸入端，一輸出端和一控制輸入端。該負(fù)載減小電路的輸入端與反饋電路的輸出端相連接。該負(fù)載減小電路的輸出端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端相連接。該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，一字線驅(qū)動(dòng)器電路包括一電壓源，一驅(qū)動(dòng)器電路，一反饋電路和一負(fù)載減小電路。該驅(qū)動(dòng)器電路包括一P溝道晶體管和一N溝道晶體管。該P(yáng)溝道晶體管包括一柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，和一用于與一字線相連接的第二端子。該N溝道晶體管包括一柵極端子，一第一端子，和一與P溝道晶體管的第二端子相連接的第二端子。在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與電壓源相連接。在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與N溝道晶體管的第一端子的參考電位相連接。該反饋電路包括一P溝道晶體管。該P(yáng)溝道晶體管包括一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的第二端子相連接的柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，和一與驅(qū)動(dòng)器電路的P溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子。該負(fù)載減小電路包括一N溝道晶體管。該N溝道晶體管包括一控制端子，一與反饋器電路的P溝道晶體管的第二端子相連接的第一端子，和一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子。在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
在本發(fā)明的第四實(shí)施例中，一種集成電路的存儲(chǔ)器裝置包括一存儲(chǔ)器陣列，數(shù)個(gè)地址輸入端，一電壓源，一解碼器和數(shù)個(gè)與電壓源相連接的字線驅(qū)動(dòng)器電路，其中許多字線驅(qū)動(dòng)器電路是被取消選擇的，一個(gè)或幾個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路在設(shè)定訪問(wèn)該陣列時(shí)被選擇。該存儲(chǔ)器陣列具有數(shù)個(gè)與陣列中存儲(chǔ)器單元相連接的字線。數(shù)個(gè)地址輸入端適于接收陣列中的識(shí)別所選擇的存儲(chǔ)器單元的地址。解碼器選擇一所選擇的字線驅(qū)動(dòng)器電路。被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器電路容性地加載在電壓源上。在數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路中的字線驅(qū)動(dòng)器電路分別包括一驅(qū)動(dòng)器電路，一反饋電路和一負(fù)載減小電路。該驅(qū)動(dòng)器電路包括一P溝道晶體管和一N溝道晶體管。該P(yáng)溝道晶體管包括一柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，和一用于與一字線相連接的第二端子。該N溝道晶體管包括一柵極端子，一第一端子，和一與P溝道晶體管的第二端子相連接的第二端子。在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與電壓源相連接。在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與N溝道晶體管的第一端子的參考電位相連接。該反饋電路包括一P溝道晶體管。該P(yáng)溝道晶體管包括一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的第二端子相連接的柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，和一與驅(qū)動(dòng)器電路的P溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子。該負(fù)載減小電路包括一N溝道晶體管。該N溝道晶體管包括一控制端子，一與反饋器電路的P溝道晶體管的第二端子相連接的第一端子，和一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子。在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
而且，一種根據(jù)本發(fā)明在被取消選擇模式中的上述字線驅(qū)動(dòng)器電路降低電流能耗的方法，包括下列步驟將一驅(qū)動(dòng)器電路連接于一反饋電路以使一電壓源提供的電壓通過(guò)該反饋電路傳到被取消選擇模式中的驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端上；以及減小電壓源上驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
本發(fā)明的其它目的和效果根據(jù)查閱附圖，詳細(xì)描述和下面的權(quán)利要求就能明白。
本發(fā)明的這些特征和其它特征及優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)從下面結(jié)合參考附圖的詳細(xì)描述中將會(huì)變得更清楚，其中

圖1是包括本發(fā)明的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器的集成電路存儲(chǔ)器裝置的方框圖。
圖2是圖1系統(tǒng)中X解碼器的方框圖。
圖3是圖2系統(tǒng)中AVX開(kāi)關(guān)和增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器及解碼器的方框圖。
圖4是圖3系統(tǒng)中AVX開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)圖。
圖5A和5B表示現(xiàn)有技術(shù)的字線驅(qū)動(dòng)器。
圖6A、6B、6C和6D表示圖3系統(tǒng)中增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器的執(zhí)行過(guò)程圖。
圖7A和7B是由執(zhí)行增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的集成電路存儲(chǔ)器裝置中改進(jìn)的曲線圖。
根據(jù)圖1-7對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例作出詳細(xì)描述。圖1提供了一種包括增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器以減小低壓應(yīng)用電容的閃速存儲(chǔ)器裝置的總覽圖。
圖1表示以閃速陣列101為特征的集成電路100的框圖。在其它實(shí)施例中，該閃速陣列101可以是其它類型的存儲(chǔ)器，如易失性存儲(chǔ)器，EPROM,FF-EEPROM,NOVRAM或FRAM。該集成電路100包括與控制輸入邏輯104相連接的外部控制輸入端102。控制輸入邏輯104與寫狀態(tài)機(jī)106、命令數(shù)據(jù)鎖存器108和地址鎖存和緩沖器110相連接。該命令數(shù)據(jù)鎖存器108與命令數(shù)據(jù)解碼器112相連接。該命令數(shù)據(jù)解碼器112與命令接口寄存器114相連接。該命令接口寄存器114與寫狀態(tài)機(jī)106相連接。該寫狀態(tài)機(jī)106與編程/擦除高壓116和頁(yè)面編程數(shù)據(jù)鎖存器118相連接。該頁(yè)面編程數(shù)據(jù)鎖存器118接收I/O緩沖器134輸出的數(shù)據(jù)。
該集成電路100還包括一組與地址鎖存和緩沖器110相連接的地址輸入端120。地址總線122將地址鎖存和緩沖器110與X-解碼器124和Y-解碼器126相連接。該X-解碼器124包括被取消選擇模式中具有減小負(fù)載的驅(qū)動(dòng)器127。編程/擦除高壓116的輸出端與X-解碼器124，閃速陣列101和編程數(shù)據(jù)高壓128相連接。該編程數(shù)據(jù)高壓與頁(yè)面編程數(shù)據(jù)鎖存器118和Y-通門130相連接。該Y-通門與讀放大器132相連接。該讀放大器132與I/O緩沖器134相連接。該I/O緩沖器134與經(jīng)過(guò)數(shù)個(gè)數(shù)據(jù)輸入/數(shù)據(jù)輸出連接線138引出該集成電路的數(shù)據(jù)總線136相連接。在實(shí)施例中包括一充電泵的升壓器140接收一離片(off chip)電壓VDD142，并將升高和未升高的電壓提供給X-解碼器124。升壓器140包含在X-解碼器124中，并在直觀圖1中分離示出。
該控制輸入邏輯104通過(guò)包括如寫許可，輸出許可，寫保護(hù)和字節(jié)許可的外部控制輸入102設(shè)定為運(yùn)行狀態(tài)。寫狀態(tài)機(jī)106通過(guò)自動(dòng)循環(huán)許多擦除或編程步驟減小集成電路100外部的微處理器上的負(fù)載。該編程/擦除高壓116將X-解碼器124，陣列源高壓提供給閃速陣列101以便進(jìn)行擦除操作，并提供給編程數(shù)據(jù)高壓128以便進(jìn)行編程操作。
該頁(yè)面編程數(shù)據(jù)鎖存器118執(zhí)行頁(yè)面編程模式，使編程時(shí)間達(dá)到最短。I/O緩沖器134通過(guò)數(shù)據(jù)總線136從集成電路的外部接收數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)傳送至集成電路的外部。I/O緩沖器將要編程的數(shù)據(jù)傳送給頁(yè)面編程數(shù)據(jù)鎖存器118，并從讀放大器132接收數(shù)據(jù)以傳送至集成電路100的外部。該讀放大器132經(jīng)過(guò)Y-通門130一接收到從閃速陣列101接收到的數(shù)據(jù)就提高存取速度。
該地址鎖存和緩沖器110接收一組地址輸入端120的輸入。地址經(jīng)過(guò)地址總線122傳送給X-解碼器124和Y-解碼器126以訪問(wèn)閃速陣列101中的存儲(chǔ)器單元。
圖2表示圖1中X-解碼器124的更詳細(xì)示圖。地址總線122將存儲(chǔ)器地址傳輸給字線預(yù)解碼器202和地址傳輸檢測(cè)電路204。該地址檢測(cè)電路204與字線升壓發(fā)生器206相連接。該字線升壓發(fā)生器206與載有信號(hào)AVX的節(jié)點(diǎn)207相連接。節(jié)點(diǎn)207與AVX開(kāi)關(guān)208相連接。AVX開(kāi)關(guān)208與增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210相連接。該增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210與字線預(yù)解碼器202、及包含在閃速陣列101中的字線212相連接。
字線預(yù)解碼器202產(chǎn)生選擇增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210中特定部分的信號(hào)。地址傳輸檢測(cè)電路204產(chǎn)生表示字線212之間傳輸?shù)倪x擇信號(hào)。
該字線升壓發(fā)生器206適于向該集成電路提供一外部供電壓以使該集成電路100能夠工作，電壓范圍大約為2.7-3.6V。一個(gè)實(shí)施例的字線升壓發(fā)生器206包括一充電泵。該外部供電電壓被升高至能使芯片工作的片上(on chip)電壓。例如，將一門電位提供給閃速存儲(chǔ)器單元的字線被設(shè)計(jì)成能夠在4V或更高的讀取電壓下工作。該升高或未被升高的電壓作為信號(hào)AVX傳送給AVX開(kāi)關(guān)208。AVX開(kāi)關(guān)208依次地與增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210中的字線驅(qū)動(dòng)器部分相連接。
圖3表示圖2中AVX開(kāi)關(guān)208和增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210的更詳細(xì)示圖。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210中的解碼器沒(méi)有包含在圖3中。AVX開(kāi)關(guān)208包括八個(gè)開(kāi)關(guān)，AVXP#0至AVXP#7，接收由載有信號(hào)AVX的節(jié)點(diǎn)207的輸入。圖3中僅顯示了AVXP#0 302,AVXP#1 304和AVXP#7 306。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器和解碼器210包括2048個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器，被分為每256個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器組成的八部分。圖3僅表示八部分中的三個(gè)，即，部分308、部分310和部分312，每個(gè)部分包括256個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器。部分308包括增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器0至增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器255，例如增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器0,314，增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1,316和增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器255,318。部分310包括增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器256至增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器511，例如增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器256,320，和增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器511,322。部分312包括增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1792至增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器2047，例如增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1792,324，和增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器2047,326。每個(gè)增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器與包含在字線212中的一個(gè)或多個(gè)字線相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器0,314與字線0,328相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1,316與字線1,330相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器255,318與字線255,332相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器256,320與字線256,334相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器511,322與字線511,336相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1792,324與字線1792,338相連接。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器2047,326與字線2047,340相連接。
AVXP#0 302和部分308之間的節(jié)點(diǎn)342載有信號(hào)AVXP0。AVXP#1 304和部分310之間的節(jié)點(diǎn)344載有信號(hào)AVXP1。AVXP#7和部分312之間的節(jié)點(diǎn)346載有信號(hào)AVXP7。選擇八個(gè)開(kāi)關(guān)AVXP#0至AVXP#7中的一個(gè)，使八部分256個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器中的一個(gè)，如部分308、部分310和部分312中的一個(gè)加載到字線升壓發(fā)生器206上。如果選擇AVXP#0 302，具有增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器0至增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器255的部分308就加載到字線升壓發(fā)生器206上。在剩下的討論中，AVXP#0 302被選擇了，而其它的AVX開(kāi)關(guān)，例如AVXP#1 304和AVXP#7 306就被取消選擇。在剩下的討論中，增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器0,314被選擇了，而其余的2047個(gè)增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器，從增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1,316至增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器2047,326就被取消選擇。
該字線升壓發(fā)生器206要承受被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器的容性負(fù)載。容性負(fù)載延長(zhǎng)了電壓升高的時(shí)間和增加了功耗。在選擇AVXP#0302和選擇增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器0,314時(shí)，255個(gè)被取消選擇的增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器，包括被取消選擇的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器1,316和被取消選擇的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器255,318容性地加載到字線升壓發(fā)生器206上。本發(fā)明減小了字線升壓發(fā)生器206上的被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器的容性負(fù)載，縮短了電壓升高的時(shí)間和降低了功耗。所縮短的電壓升高時(shí)間加快了對(duì)被選擇的字線0,328的讀操作的速度。
圖4表示AVXP#0 302的更詳細(xì)的示圖，具有厚柵極氧化物的晶體管用包括柵極矩形的電路符號(hào)表示。具有厚柵極氧化物的晶體管是416、418和424。“與非”門401具有兩個(gè)輸入端，載有信號(hào)ENSW的節(jié)點(diǎn)402和載有信號(hào)XBL4IB的節(jié)點(diǎn)403。信號(hào)XBL4IB由解碼器傳送以選擇八個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器部分中的一個(gè)。ENSW是一啟動(dòng)信號(hào)。與非門401與節(jié)點(diǎn)SELK 404相連接。電位移相器406具有兩個(gè)輸入端，IN 408和SWPWR 410。輸入SWPWR 410與電位移相器406的電壓源WELLSW相連接。輸入IN 408與節(jié)點(diǎn)SELK 404相連接。電位移相器406具有兩個(gè)輸出端，OUT 412和OUTB 414。P溝道晶體管416具有一個(gè)與OUT 412相連接的柵極、一個(gè)與供電電壓VDD 417相連接的源極和一個(gè)與節(jié)點(diǎn)342相連接的漏極。P溝道晶體管418具有一個(gè)與OUTB 414相連接的柵極、一個(gè)與載有信號(hào)AVX的節(jié)點(diǎn)207相連接的源極和一個(gè)與節(jié)點(diǎn)342相連接的漏極。與非門420的兩個(gè)輸入端是節(jié)點(diǎn)SELK 404和載有信號(hào)AVX0的節(jié)點(diǎn)419，該信號(hào)容許節(jié)點(diǎn)342對(duì)地進(jìn)行放電。與非門420與反相器422相連接。N溝道晶體管424具有一個(gè)與反相器422相連接的柵極，一個(gè)與接地極426相連接的源極和一個(gè)與節(jié)點(diǎn)342相連接的漏極。AVXP#0 302的輸出是節(jié)點(diǎn)342的信號(hào)AVXP0。AVXP#0 302將字線升壓發(fā)生器206與部分308相連接和分開(kāi)。因此，AVXP#0 302將字線升壓發(fā)生器206與部分308的寄生電容相連接和分開(kāi)。
電位移相器406的輸入端IN 418是低電位時(shí)，OUT 412就輸出低電位，OUTB 414就輸出SWPWR 410上的信號(hào)。電位移相器406的輸入端IN 408是高電位時(shí)，OUT 412就輸出SWPWR 410上的信號(hào)，OUTB 414就輸出低電位。
圖5A表示現(xiàn)有技術(shù)中的字線驅(qū)動(dòng)器500A，它包括一驅(qū)動(dòng)器電路502和一反饋電路504A。節(jié)點(diǎn)342提供信號(hào)AVXP0。節(jié)點(diǎn)501提供信號(hào)PNVB0。節(jié)點(diǎn)WLB 506是驅(qū)動(dòng)器電路502的輸入和反饋電路504A的輸出。節(jié)點(diǎn)508是反饋電路504A的輸入和驅(qū)動(dòng)器電路502的輸出。節(jié)點(diǎn)508通向字線510。該驅(qū)動(dòng)器電路502包括P溝道晶體管MP1 512和N溝道晶體管MN1 514，每個(gè)晶體管具有一個(gè)柵極，一源極和一漏極。P溝道晶體管MP1 512和N溝道晶體管MN1 514的柵極與節(jié)點(diǎn)WLB 506相連接。P溝道晶體管MP1 512和N溝道晶體管MN1 514的漏極與節(jié)點(diǎn)508相連接。P溝道晶體管MP1 512的源極與節(jié)點(diǎn)342相連接。N溝道晶體管MN1 514的源極與節(jié)點(diǎn)501相連接。該反饋電路504A包括P溝道晶體管MP2 516和N溝道晶體管MN2 518，每個(gè)晶體管具有一個(gè)柵極，一源極和一漏極。P溝道晶體管MP2 516和N溝道晶體管MN2 518的柵極與節(jié)點(diǎn)508相連接。P溝道晶體管MP2 516和N溝道晶體管MN2 518的漏極與節(jié)點(diǎn)WLB 506相連接。P溝道晶體管MP2 516的源極與節(jié)點(diǎn)342相連接。N溝道晶體管MN2 518的源極與節(jié)點(diǎn)501相連接。
節(jié)點(diǎn)WLB 506控制字線驅(qū)動(dòng)器500A和字線510是否被選擇或被取消選擇。包括驅(qū)動(dòng)器電路502和反饋電路504A的字線驅(qū)動(dòng)器500A的工作原理對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是熟知的。節(jié)點(diǎn)WLB 506是低電位時(shí)，該字線驅(qū)動(dòng)器500A就處于選擇模式的狀態(tài)下，字線510與提供信號(hào)AVXP0的節(jié)點(diǎn)342相連接；字線510就被選擇。節(jié)點(diǎn)WLB 506是高電位時(shí)，該字線驅(qū)動(dòng)器500A就處于被取消選擇模式的狀態(tài)下，字線510與提供信號(hào)PNVB0的節(jié)點(diǎn)501相連接；字線510就被取消選擇。
字線驅(qū)動(dòng)器500A處于被取消選擇模式的狀態(tài)下，和字線510被取消選擇時(shí)，驅(qū)動(dòng)器電路502通過(guò)N溝道晶體管MN1 514將節(jié)點(diǎn)508與節(jié)點(diǎn)501相連接，反饋電路504A通過(guò)P溝道晶體管MP2 516將節(jié)點(diǎn)342與P溝道晶體管MP1 512和N溝道晶體管MN1 514的柵極相連接。因此，現(xiàn)有技術(shù)中的字線驅(qū)動(dòng)器500A處于被取消選擇模式的狀態(tài)下時(shí)，載有信號(hào)AVXP0的節(jié)點(diǎn)342與N溝道晶體管MN1 514的柵電容相連接。因此，節(jié)點(diǎn)342就裝載N溝道晶體管MN1 514的柵電容。節(jié)點(diǎn)342還裝載P溝道晶體管MP1 512的電容，該電容在被取消選擇模式的狀態(tài)下包括一小于N溝道晶體管MN1 514的柵電容的重疊電容。字線升壓發(fā)生器206在節(jié)點(diǎn)207輸出信號(hào)AVX時(shí)，晶體管MN1 514的柵極電壓就會(huì)達(dá)到一相應(yīng)的電壓。例如，如果節(jié)點(diǎn)207上的信號(hào)AVX提供一些大約在2.7至3.6V范圍內(nèi)的未被升高的電壓，在被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器500A中，晶體管MN1 514的柵極電壓就會(huì)升高至一個(gè)大約在2.7至3.6V范圍內(nèi)的可比的未被升高電壓。在另一個(gè)例子中，如果在準(zhǔn)備讀取操作中節(jié)點(diǎn)207上的信號(hào)AVX提供一些4V或更大的升高電壓以訪問(wèn)閃速陣列101時(shí)，在被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器500A中，晶體管MN1 514的柵極電壓就會(huì)升高至一個(gè)4V或更大的可比升高電壓。由于255個(gè)被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器與節(jié)點(diǎn)342相連接，每個(gè)被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器中的N溝道晶體管MN1 514的柵電容累積產(chǎn)生功耗顯著的增加和電壓升高時(shí)間的延長(zhǎng)。在正常工作的情況下，有許多字線驅(qū)動(dòng)器被取消選擇，而僅有一個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器被選擇。
圖5B表示現(xiàn)有技術(shù)中的字線驅(qū)動(dòng)器500B?，F(xiàn)有技術(shù)的字線驅(qū)動(dòng)器500B除了反饋電路504B不包括N溝道晶體管MN2 518外，其結(jié)構(gòu)基本與現(xiàn)有技術(shù)的字線驅(qū)動(dòng)器500A的結(jié)構(gòu)相同。包括驅(qū)動(dòng)器電路502和反饋電路504B的現(xiàn)有技術(shù)字線驅(qū)動(dòng)器500B的工作原理對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是熟知的。字線驅(qū)動(dòng)器500B和字線驅(qū)動(dòng)器500A一樣要承受容性負(fù)載所帶來(lái)的問(wèn)題。
圖6A,6B,6C和6D表示本發(fā)明的各種實(shí)施例。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600A,600B,600C和600D是如增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器1,316和增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器255,318的一些可能的實(shí)施例。圖6A,6B,6C和6D表示用包括柵極的矩形的電路符號(hào)表示具有厚柵極氧化物的晶體管。具有厚柵極氧化物的晶體管是612,614,616,618,622,628,630和632。由于在額外的p型雜質(zhì)注入過(guò)程中掩蔽作用而具有較低閥值電壓的N溝道晶體管用包括一陰影面積的電路符號(hào)表示。具有較低閥值電壓的晶體管是622,628,630和632。具有三阱結(jié)構(gòu)的N溝道晶體管用畫圓圈的電路符號(hào)表示,具有三阱結(jié)構(gòu)的晶體管是614,618,622和628。
圖6A表示增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600A，它包括一驅(qū)動(dòng)器電路602，一反饋電路604A和一負(fù)載減小電路620A。節(jié)點(diǎn)342提供信號(hào)AVXP0。節(jié)點(diǎn)601提供信號(hào)PNVB0。節(jié)點(diǎn)WLB 606是反饋電路604A的輸出。節(jié)點(diǎn)608是反饋電路604A的輸入和驅(qū)動(dòng)器電路602的輸出。節(jié)點(diǎn)608與字線610相連接。該驅(qū)動(dòng)器電路602包括P溝道晶體管MP1 612(w=36μm,1=0.75μm)和N溝道晶體管MN1 614(w=63μm,1=0.8μm)，每個(gè)晶體管具有一柵極，一源極和一漏極。P溝道晶體管MP1 612和N溝道晶體管MN1 614的柵極與節(jié)點(diǎn)WLB 606相連接。P溝道晶體管MP1 612和N溝道晶體管MN1 614的漏極與節(jié)點(diǎn)608相連接。P溝道晶體管MP1 612的源極與節(jié)點(diǎn)342相連接。N溝道晶體管MN1614的源極與節(jié)點(diǎn)601相連接。該反饋電路604A包括P溝道晶體管MP2 616(w=2.0μm,1=1.5μm)和N溝道晶體管MN2 618(w=3.35μm,1=2.1μm)，每個(gè)晶體管具有一個(gè)柵極，一源極和一漏極。P溝道晶體管MP2 616和N溝道晶體管MN2 618的柵極與節(jié)點(diǎn)608相連接。P溝道晶體管MP2 616和N溝道晶體管MN2 618的漏極與節(jié)點(diǎn)WLB606相連接。P溝道晶體管MP2 616的源極與節(jié)點(diǎn)342相連接。N溝道晶體管MN2 618的源極與節(jié)點(diǎn)601相連接。
字線驅(qū)動(dòng)器600A的輸出與解碼器電路626相連接。該解碼器電路626包括N溝道晶體管628,630和632。N溝道晶體管MN3 628(w=15.5μm,1=1.1μm)包括一與載有信號(hào)NVSX的節(jié)點(diǎn)634相連接的柵極，一與節(jié)點(diǎn)606相連接的源極和一漏極。N溝道晶體管M2 630(w=12μm,1=1.3μm)包括一與載有信號(hào)XRB的節(jié)點(diǎn)636相連接的柵極，一與提供電壓VDD的節(jié)點(diǎn)637相連接的漏極和一與N溝道晶體管MN3 628的漏極相連接的源極。N溝道晶體管M1 632(w=24μm,1=1.1μm)包括一與載有信號(hào)XR的節(jié)點(diǎn)638相連接的柵極，一與載有信號(hào)IN的節(jié)點(diǎn)640相連接的漏極和一與N溝道晶體管MN3 628的漏極相連接的源極。VDD通常是與離片供電電壓相同的電壓。信號(hào)NVSX由電壓選擇器電路(未圖示)發(fā)送，而信號(hào)IN,XR和XRB由解碼器(未圖示)發(fā)送。
在該最佳實(shí)施例中，負(fù)載減小電路620A包括一提供電壓VDD的電壓源624和一N溝道晶體管MN4 622(w=15.5μm,1=1.1μm)。該晶體管包括一與電壓源624相連接的柵極，一與節(jié)點(diǎn)WLB 606相連接的漏極，和一與晶體管MN1 614的柵極相連接的源極。VDD通常是與離片供電電壓相同的電壓。
節(jié)點(diǎn)WLB 606控制字線驅(qū)動(dòng)器600A和字線610是否被選擇或被取消選擇。節(jié)點(diǎn)WLB 606是低電位時(shí)，該字線驅(qū)動(dòng)器600A就處于被選擇模式的狀態(tài)下，字線610與提供信號(hào)AVXP0的節(jié)點(diǎn)342相連接；字線610就被選擇。信號(hào)AVXP0根據(jù)字線升壓發(fā)生器206的輸出具有一個(gè)被升高的電壓或一個(gè)未被升高的電壓。節(jié)點(diǎn)WLB 606是高電位時(shí)，該字線驅(qū)動(dòng)器600A就處于被取消選擇模式的狀態(tài)下，字線610與提供信號(hào)PNVB0的節(jié)點(diǎn)601相連接；字線610就被取消選擇。
字線驅(qū)動(dòng)器600A處于被取消選擇模式的狀態(tài)下，和字線610被取消選擇時(shí)，驅(qū)動(dòng)器電路602通過(guò)N溝道晶體管MN1 614將節(jié)點(diǎn)608與節(jié)點(diǎn)601相連接，反饋電路604A將節(jié)點(diǎn)342與P溝道晶體管MP1 612的柵極相連接，和通過(guò)P溝道晶體管MP2 616將節(jié)點(diǎn)342與節(jié)點(diǎn)WLB606相連接。因此，字線驅(qū)動(dòng)器600A處于被取消選擇模式的狀態(tài)下時(shí)，載有信號(hào)AVXP0的節(jié)點(diǎn)342與節(jié)點(diǎn)WLB 606相連接。因此，節(jié)點(diǎn)342通過(guò)負(fù)載減小電路620A與N溝道晶體管MN1 614的柵極相連接。節(jié)點(diǎn)342裝載P溝道晶體管MP1 612的電容，該電容在被取消選擇模式的狀態(tài)下是一個(gè)小于N溝道晶體管MN1 614的柵電容的重疊電容。
在選擇八個(gè)256字線驅(qū)動(dòng)器部分中的一個(gè)，如選擇部分308之前，信號(hào)AVXP0 342設(shè)定為電壓VDD。該電壓升高電路直到解碼電路626已完成解碼操作和被選擇字線如字線328已達(dá)到某一電壓位，如電壓VDD或小于VDD的電壓后才能被啟動(dòng)。因此，在電壓升高操作之前，與N溝道晶體管MN1 614的柵極相連接的N溝道晶體管MN4 622的源極就升至一個(gè)與電壓VDD減去N溝道晶體管MN4 622閥值電壓相等的電壓。通過(guò)延時(shí)啟動(dòng)電壓升高電路，在字線傳輸過(guò)程中，沒(méi)有一個(gè)升高電能將會(huì)被耗損。
增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600A處于被取消選擇的狀態(tài)下時(shí)，節(jié)點(diǎn)342載有的信號(hào)AVX的電壓和電壓源624提供的電壓VDD之間的關(guān)系決定了負(fù)載減小電路620A耦合或去耦該電容的程度。N溝道晶體管MN4622的柵源極電壓超過(guò)N溝道晶體管MN4 622的閥值電壓時(shí)，負(fù)載減小電路620A能夠完全地將N溝道晶體管MN1 614的柵電容與節(jié)點(diǎn)WLB 606相連接。一旦電壓升高操作開(kāi)始時(shí)，N溝道晶體管MN1 614柵極的電壓就停留在一個(gè)與電壓VDD減去N溝道晶體管MN4 622閥值電壓相等的電壓上，N溝道晶體管MN1 614的柵電容與字線升壓發(fā)生器206相去耦。
在該最佳實(shí)施例中，字線驅(qū)動(dòng)器處于被取消選擇狀態(tài)下時(shí)，為了有效地導(dǎo)通N溝道晶體管MN1 614，閥值電壓減至最小值。因此，N溝道晶體管MN4 622的閥值電壓小于字線驅(qū)動(dòng)器電路中其它晶體管，如N溝道晶體管MN1 614的標(biāo)準(zhǔn)閥值。本例中的晶體管MN4 622的閥值電壓大約為0.3V。本例中的晶體管MN1 616的閥值電壓大約為0.6V。閥值電壓通過(guò)，如將離子注入晶體管的溝道區(qū)域中能被調(diào)節(jié)。
例如，在一實(shí)施例中，晶體管MN4 622的閥值電壓大約為0.3V，電壓源624提供一范圍大約在2.7-3.6V之間，如2.8V的電壓VDD。信號(hào)AVXP0提供未被升高的2.8V的電壓和大約升高為4.0V電壓中的一個(gè)，該電壓是讀操作必須的。VDD通常與離片供電電壓相同。被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器600A接收提供未被升高的2.8V電壓的信號(hào)AVXP0時(shí)，該負(fù)載減小電路620A將信號(hào)AVXP0與N溝道晶體管MN1614的柵極相連接，N溝道晶體管MN1 614的柵極電壓升至大約為2.5V，足以有效地導(dǎo)通N溝道晶體管MN1 614。然后被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器600A接收提供已升高的4.0V電壓的信號(hào)AVXP0時(shí)，N溝道晶體管MN1 614的柵極電壓保持在大約為2.5V。負(fù)載減小電路620A將信號(hào)AVX與N溝道晶體管MN1 614的柵電容相去耦。為了解釋的簡(jiǎn)單化，上述例子沒(méi)有考慮N溝道晶體管MN1 614的體效應(yīng)，所以2.5V的電壓數(shù)實(shí)際上是非常高的。
圖6B表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，即增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600B。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600B與增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600A相似，但它還包括一負(fù)載減小電路620B和反饋電路604B。負(fù)載減小電路620B包括一N溝道晶體管622，該晶體管具有一與電壓源624相連接的柵極，一與節(jié)點(diǎn)WLB 606相連接的源極和一與P溝道晶體管MP2 616漏極相連接的漏極。圖6B中晶體管溝道的寬度和長(zhǎng)度尺寸，除了晶體管622(w=24μm,1=1.1μm)和628(w=24μm,1=1.1μm)外，其它的與上面圖6A討論中所給定的尺寸相同。
圖6C表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，即增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600C。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600C與增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600A相似，但它缺少N溝道晶體管MN2 618。
圖6D表示本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，即增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600D。增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600D與增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器600B相似，但它缺少N溝道晶體管MN2 618。
在另一個(gè)實(shí)施例中，在有關(guān)另一個(gè)操作，如擦除或編程，信號(hào)AVX可以與N溝道晶體管MN1 614的柵電容相去耦。
在另一個(gè)實(shí)施例中，增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器包括一負(fù)載減小電路，該電路在電壓升高操作前能夠容許部分VDD電能對(duì)N溝道晶體管MN1614的柵極進(jìn)行預(yù)充電，這樣N溝道晶體管MN1 614就接通，信號(hào)PNVB0在被取消選擇的狀態(tài)下與字線610相連接，電路在下面的電壓升高過(guò)程中無(wú)需對(duì)柵電容進(jìn)行充電。
本發(fā)明的其它可能的實(shí)施例包括但不局限于將一字線與負(fù)電壓相連接以便進(jìn)行讀取操作的增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器，增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器包括具有P溝道晶體管的負(fù)載減小電路，其它重新組合的結(jié)構(gòu)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是非常明顯的。
圖7A和7B表示與被選擇的解碼信號(hào)相應(yīng)的字線定時(shí)波形，及具有本發(fā)明和不具有本發(fā)明的集成電路存儲(chǔ)器裝置的比較操作圖。波形702表示現(xiàn)有技術(shù)被選擇的字線驅(qū)動(dòng)器的輸出。波形704表示被選擇的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器，例如增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器0 314的輸出。波形704由于被取消選擇的字線驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生較小的容性負(fù)載引起升高比較快。圖7A表示在溫度為-40℃下具有未被升高電壓3.7V的集成電路存儲(chǔ)器裝置的定時(shí)波形圖。在圖7A中，被選擇的字線驅(qū)動(dòng)器以大約提高5毫微秒的速度增強(qiáng)提供一讀取模式電壓。圖7B表示在溫度為85℃下具有未被升高電壓2.6V的集成電路存儲(chǔ)器裝置的定時(shí)波形圖。在圖7B中，被選擇的字線驅(qū)動(dòng)器以大約提高9毫微秒的速度增強(qiáng)提供一讀取模式電壓。未被升高的電壓越低，增強(qiáng)的字線驅(qū)動(dòng)器將會(huì)提高的越快。
前面已對(duì)本發(fā)明最佳實(shí)施例作出描述，其目的是起解釋和說(shuō)明作用。但它的企圖不是窮舉或使本發(fā)明受到已揭示的嚴(yán)謹(jǐn)形式所限制。很顯然，許多修改和變化對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是非常明顯的。它的企圖是本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由下面的權(quán)利要求和其等效來(lái)限定。
權(quán)利要求
1．一種字線驅(qū)動(dòng)器電路包括一電壓源，該電壓源提供一第一電壓；一驅(qū)動(dòng)器電路，該驅(qū)動(dòng)器電路具有一輸入端，第一電源輸入端，第二電源輸入端和一輸出端，該輸出端與一字線相連接，該第一電源輸入端與電壓源連接，在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第一電源輸入端相連接，在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第二電源輸入端相連接；一反饋電路，該反饋電路具有一輸入端，一輸出端和一電源輸入端，該反饋電路的輸入端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸出端相連接，該反饋電路的電源輸入端與電壓源相連接；和一負(fù)載減小電路，該負(fù)載減小電路具有一輸入端，一輸出端和一控制輸入端，該負(fù)載減小電路的輸入端與反饋電路的輸出端相連接，該負(fù)載減小電路的輸出端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端相連接，在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
2．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該負(fù)載減小電路包括一晶體管，該晶體管具有一控制端子，第一端子和第二端子，該控制端子與負(fù)載減小電路的控制輸入端相連接，第一端子與負(fù)載減小電路的輸入端相連接，第二端子與負(fù)載減小電路的輸出端相連接。
3．如權(quán)利要求2所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該驅(qū)動(dòng)器電路包括一晶體管，該驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管具有閥值電壓，該負(fù)載減小電路的晶體管具有一閥值電壓，負(fù)載減小電路的晶體管的閥值電壓值小于驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管裝置的閥值電壓值。
4．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于負(fù)載減小電路的控制輸入端與第二電壓源相連接，第二電壓源提供一第二電壓。
5．如權(quán)利要求4所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于第二電壓具有一小于第一電壓的數(shù)值。
6．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該驅(qū)動(dòng)器電路包括一反相器。
7．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該反饋電路包括一晶體管。
8．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該反饋電路包括一反相器。
9．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于第一電壓是用于讀取操作。
10．如權(quán)利要求1所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該電壓源包括一充電泵。
11．一種字線驅(qū)動(dòng)器電路包括一電壓源；一驅(qū)動(dòng)器電路包括一P溝道晶體管；該P(yáng)溝道晶體管包括一柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，一用于與一字線相連接的第二端子；和一N溝道晶體管；該N溝道晶體管包括一柵極端子，一第一端子，一與P溝道晶體管的第二端子相連接的第二端子；其中在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與電壓源相連接；在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與N溝道晶體管的第一端子的參考電位相連接；一反饋電路包括一P溝道晶體管；該P(yáng)溝道晶體管包括一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的第二端子相連接的柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，一與驅(qū)動(dòng)器電路的P溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子；和一負(fù)載減小電路包括一N溝道晶體管；該N溝道晶體管包括一控制端子，一與反饋器電路的P溝道晶體管的第二端子相連接的第一端子，一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子；其中在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
12．如權(quán)利要求11所述的一種字線驅(qū)動(dòng)器電路，其特征在于該反饋電路還包括一N溝道晶體管；該N溝道晶體管包括與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的第二端子相連接的柵極端子，一與參考電位相連接的第一端子，一與驅(qū)動(dòng)器電路的P溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子。
13．一種集成電路的存儲(chǔ)器裝置包括一存儲(chǔ)器陣列，它包括數(shù)個(gè)與陣列中存儲(chǔ)器單元相連接的字線；數(shù)個(gè)地址輸入端，適于接收識(shí)別所選擇的陣列中的存儲(chǔ)器單元的地址；一電壓源，提供第一電壓；數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路，數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路容性地加載在電壓源上；在數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路中的一個(gè)或更多個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路包括一驅(qū)動(dòng)器電路，具有一輸入端，第一電源輸入端，第二電源輸入端和一輸出端，該輸出端與一字線相連接，該第一電源輸入端與電壓源連接，在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第一電源輸入端相連接，在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與第二電源輸入端相連接；一反饋電路，具有一輸入端，一輸出端和一電源輸入端；該反饋電路的輸入端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸出端相連接；該反饋電路的電源輸入端與電壓源相連接；和一負(fù)載減小電路，具有一輸入端，一輸出端和一控制輸入端；該負(fù)載減小電路的輸入端與反饋電路的輸出端相連接；該負(fù)載減小電路的輸出端與驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端相連接；在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載；和一解碼器，在數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路中選擇一個(gè)或多個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路。
14．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該負(fù)載減小電路包括一晶體管，該晶體管具有一控制端子，第一端子和第二端子，該控制端子與負(fù)載減小電路的控制輸入端相連接，第一端子與負(fù)載減小電路的輸入端相連接，第二端子與負(fù)載減小電路的輸出端相連接。
15．如權(quán)利要求14所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該驅(qū)動(dòng)器電路包括一晶體管，該驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管具有閥值電壓，該負(fù)載減小電路的晶體管具有一閥值電壓，負(fù)載減小電路的晶體管的閥值電壓值小于驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管裝置的閥值電壓值。
16．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于負(fù)載減小電路的控制輸入端與第二電壓源相連接，第二電壓源提供一第二電壓。
17．如權(quán)利要求16所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于第二電壓具有一小于第一電壓的數(shù)值。
18．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該驅(qū)動(dòng)器電路包括一反相器。
19．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該反饋電路包括一晶體管。
20．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該反饋電路包括一反相器。
21．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于第一電壓是用于讀取操作。
22．如權(quán)利要求13所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該電壓源包括一充電泵。
23．一種集成電路的存儲(chǔ)器裝置包括一存儲(chǔ)器陣列，它包括數(shù)個(gè)與陣列中存儲(chǔ)器單元相連接的字線；數(shù)個(gè)地址輸入端，適于接收識(shí)別所選擇的陣列中的存儲(chǔ)器單元的地址；一電壓源；數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路，數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路容性地加載在電壓源上；在數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路中的一個(gè)或更多個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路包括一驅(qū)動(dòng)器電路包括一P溝道晶體管包括一柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，一用于與一字線相連接的第二端子；和一N溝道晶體管包括一柵極端子，一第一端子，一與P溝道晶體管的第二端子相連接的第二端子；其中在選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與電壓源相連接；在被取消選擇模式中，該字線驅(qū)動(dòng)器電路將該字線與N溝道晶體管的第一端子的參考電位相連接；一反饋電路包括一P溝道晶體管包括一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的第二端子相連接的柵極端子，一與電壓源相連接的第一端子，一與驅(qū)動(dòng)器電路的P溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子；和一負(fù)載減小電路包括一N溝道晶體管包括一控制端子，一與反饋器電路的P溝道晶體管的第二端子相連接的第一端子，一與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子；其中在被取消選擇模式中，該負(fù)載減小電路減小了電壓源中驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載；和一解碼器，在數(shù)個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路中選擇一個(gè)或多個(gè)字線驅(qū)動(dòng)器電路。
24．如權(quán)利要求23所述的一種集成電路存儲(chǔ)器裝置，其特征在于該反饋電路還包括一N溝道晶體管；該N溝道晶體管包括與驅(qū)動(dòng)器電路的N溝道晶體管的第二端子相連接的柵極端子，一與參考電位相連接的第一端子，一與驅(qū)動(dòng)器電路的P溝道晶體管的柵極端子相連接的第二端子。
25．一種在被取消選擇模式中的字線驅(qū)動(dòng)器電路降低電壓源的電流能耗的方法，該方法包括下列步驟將一驅(qū)動(dòng)器電路連接于一反饋電路以使一電壓源提供的電壓通過(guò)該反饋電路傳到被取消選擇模式中的驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端上；減小電壓源上驅(qū)動(dòng)器電路的容性負(fù)載。
26．如權(quán)利要求25所述的一種方法，其特征在于減小操作還包括下列步驟將反饋電路與具有負(fù)載減小電路的驅(qū)動(dòng)器電路的輸入端相連接；和將一參考電壓作用于負(fù)載減小電路的控制輸入端上，該參考電壓的數(shù)值小于電壓源提供的電壓值，因此該負(fù)載減小電路從驅(qū)動(dòng)器電路的電容與電壓源耦接的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)器電路的電容與電壓源去耦的狀態(tài)。
全文摘要
一種適于在集成電路如具有電壓升高的閃速存儲(chǔ)器裝置中使用的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器電路,它包括一負(fù)載減小電路。響應(yīng)于升高的電壓,該負(fù)載減小電路將被取消選擇的增強(qiáng)字線驅(qū)動(dòng)器(210)的柵電容負(fù)載與升壓發(fā)生器(206)相去耦。容性負(fù)載的減小降低了能耗,并縮短了存儲(chǔ)器裝置的電壓升高時(shí)間。
文檔編號(hào)G11C8/00GK1286794SQ98813856
公開(kāi)日2001年3月7日 申請(qǐng)日期1998年12月4日 優(yōu)先權(quán)日1998年12月4日
發(fā)明者洪俊雄, 李一龍, 何天行, 萬(wàn)睿洋 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司