專利名稱：磁頭裝置及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭裝置及其生產(chǎn)方法，該裝置用于在盤形記錄介質(zhì)的信息記錄表面上記錄和/或重放數(shù)據(jù)。
用來(lái)為盤形記錄介質(zhì)的信號(hào)記錄表面記錄/重放數(shù)據(jù)的磁盤驅(qū)動(dòng)裝置，例如軟盤，已被相當(dāng)普及地應(yīng)用于辦公計(jì)算機(jī)或字處理器中，更不用說(shuō)個(gè)人計(jì)算機(jī)了。
這種磁盤驅(qū)動(dòng)裝置有用來(lái)記錄和/或重放數(shù)據(jù)的磁頭裝置。這種磁頭裝置，在兩個(gè)支承臂的每一端部各裝有頭部芯片，頭部芯片彼此面對(duì)面。盤形記錄介質(zhì)被放在頭部芯片之間，用來(lái)為信號(hào)記錄表面記錄/重放數(shù)據(jù)。
盤形記錄介質(zhì)方面的最近趨勢(shì)是高密度記錄。為了與這種趨勢(shì)保持同步，用于記錄/重放盤形記錄介質(zhì)的盤形驅(qū)動(dòng)裝置也在作相應(yīng)地改進(jìn)。那就是，盤形驅(qū)動(dòng)裝置被改進(jìn)，以得到一種用來(lái)驅(qū)動(dòng)盤形記錄介質(zhì)以更高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，或者得到一種可形成更細(xì)記錄磁道道距的磁頭裝置。
具體地說(shuō)，目前應(yīng)用中，是當(dāng)磁頭裝置與軟盤信號(hào)記錄表面在滑動(dòng)接觸旋轉(zhuǎn)時(shí)在軟盤上記錄/重放。根據(jù)最新建議，采用幾十到幾百兆字節(jié)的高記錄密度對(duì)現(xiàn)用的軟盤記錄/重放。為了用這種高記錄密度對(duì)軟盤記錄/重放，要使用一種磁頭裝置，工作時(shí)軟盤高速旋轉(zhuǎn)，而且磁頭的頭部稍微浮離信號(hào)記錄表面。
為了以不同的記錄密度進(jìn)行記錄/重放，需要有不同的磁頭裝置。但是，使用多種磁盤驅(qū)動(dòng)裝置費(fèi)力又費(fèi)錢。因而有人建議使用一種能以兩種記錄密度進(jìn)行記錄/重放的磁盤驅(qū)動(dòng)裝置，即具有較低級(jí)兼容性的磁盤驅(qū)動(dòng)裝置。
呈現(xiàn)這種低級(jí)兼容性的磁盤驅(qū)動(dòng)裝置有供記錄/重放用的低級(jí)模式磁頭，它適于與軟盤作滑動(dòng)接觸；還有供記錄/重放用的高級(jí)磁頭，它適于在軟盤之上浮起。
對(duì)于這種磁頭裝置，朝向軟盤的磁頭裝置的表面有兩根導(dǎo)軌，在平行于軟盤的運(yùn)動(dòng)方向延伸，以使頭部稍微浮離軟盤的信號(hào)記錄表面，進(jìn)行高級(jí)模式的記錄/重放。通過(guò)使軟盤以高速旋轉(zhuǎn)，在這兩根導(dǎo)軌與軟盤表面之間形成所謂的空氣膜，引起磁頭稍微地浮起。
在這種磁頭裝置中，這兩根導(dǎo)軌的寬度或它們之間的間距對(duì)磁頭裝置的浮起特性有很大的影響。在這種磁頭裝置中，在軟盤對(duì)面的表面上形成的兩根導(dǎo)軌需要被加工到特別嚴(yán)的公差。
在上述的磁頭裝置中，該兩根導(dǎo)軌是由多個(gè)元件粘接而成，例如具有高級(jí)模式磁頭的頭部芯片或具有低級(jí)模式磁頭的頭部芯片，以構(gòu)成芯片組件，然后通過(guò)磨削加工該芯片組件與軟盤相對(duì)的表面以形成前面所述的兩個(gè)導(dǎo)軌。高級(jí)模式的磁頭鑲在一個(gè)導(dǎo)軌上，低級(jí)模式的磁頭鑲在另一個(gè)導(dǎo)軌上。
但是，由于要對(duì)芯片組件磨削以形成這兩個(gè)導(dǎo)軌，所以在兩芯片之間的邊界部位容易被切掉。尤其是，如果這兩個(gè)導(dǎo)軌上的接合面被暴露，那么暴露部位容易破裂。
如果在這種方式中導(dǎo)軌受到局部破裂，軟盤容易被破裂的碎片損壞。而且，如果導(dǎo)軌被局部破裂，導(dǎo)軌的寬度不可能保持規(guī)定的尺寸，因而影響磁頭裝置的浮起特性。
本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種不存在第一導(dǎo)軌破裂危險(xiǎn)的具有最佳的浮起特性的磁頭裝置，而且要提供一種制造該磁頭裝置的方法。
一方面，本發(fā)明提供一種磁頭裝置，它包括第一頭部芯片，它具有用第一記錄密度記錄和/或重放盤形記錄介質(zhì)的第一磁隙；第二頭部芯片，它具有用比第一記錄密度更高的第二記錄密度記錄和/或重放盤形記錄介質(zhì)的第二磁隙；和安排并粘接于第一和第二頭部芯片之間的中央滑塊。朝向盤形記錄介質(zhì)的第一頭部芯片的表面裝有第一導(dǎo)軌，它在平行于盤形記錄介質(zhì)的運(yùn)動(dòng)方向延伸，與第一導(dǎo)軌平行方向延伸形成第二導(dǎo)軌。通過(guò)對(duì)朝向中央滑塊的第一頭部芯片部位進(jìn)行開(kāi)槽加工形成第一導(dǎo)軌。
對(duì)該磁頭裝置而言，第一頭部芯片被設(shè)計(jì)成在寬度上比第一導(dǎo)軌更寬，用來(lái)開(kāi)槽加工第一頭部芯片。而且，對(duì)于該磁頭裝置，中央滑塊沒(méi)有暴露于第一導(dǎo)軌之上。因而，第一導(dǎo)軌較不容易破裂而且可保持預(yù)定的寬度。因此，對(duì)于該磁頭裝置來(lái)說(shuō)，不存在第一導(dǎo)軌破裂的危險(xiǎn)，因而不存在盤形記錄介質(zhì)破裂的危險(xiǎn)，同時(shí)，由于第一導(dǎo)軌，使磁頭裝置表現(xiàn)出最佳的浮起特性。
更具體地說(shuō)，對(duì)于本發(fā)明的磁頭裝置，其第一頭部芯片在寬度方面比第一導(dǎo)軌要寬些，而且第一頭部芯片被暴露于與第一導(dǎo)軌的縱方向相平行的橫側(cè)面。也就是說(shuō)，對(duì)于該磁頭裝置，其第一導(dǎo)軌既不朝向中央滑塊也不朝向側(cè)滑塊。因此，第一導(dǎo)軌較不容易被損壞，提高了磁頭裝置的可靠性，而且保證了穩(wěn)定的浮起特性。
另一方面，本發(fā)明提供生產(chǎn)該磁頭裝置的一種方法，它包括的步驟是通過(guò)中央滑塊把第一頭部芯片和第二磁性芯片彼此互相粘接；沿第一頭部芯片的寬度磨削兩端和磨削中央滑塊以形成第一導(dǎo)軌；沿第二頭部芯片的寬度磨削兩端和磨削中央滑塊以形成第二導(dǎo)軌。第一頭部芯片有用來(lái)以第一記錄密度記錄和/或重放盤形記錄介質(zhì)的第一磁隙；第二頭部芯片有用來(lái)以比第一記錄密度更高的第二記錄密度記錄和/或重放盤形記錄介質(zhì)的第二磁隙。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明制造磁頭裝置的方法，沿著第一頭部芯片的寬度方向磨削第一磁頭芯片的兩端，因而僅僅第一頭部芯片暴露于第一導(dǎo)軌，中央滑塊沒(méi)有暴露于第一導(dǎo)軌。因而，利用該技術(shù)，第一導(dǎo)軌較不容易被破損，實(shí)現(xiàn)了具有最佳浮起特性的磁頭裝置。
更具體地說(shuō)，采用該制造方法，沿著第一磁頭芯片的寬度的兩端、中央滑塊和側(cè)滑塊都被磨削，以形成第一導(dǎo)軌。因此，采用該技術(shù)，第一導(dǎo)軌既不朝向中央滑塊也不朝向側(cè)滑塊。因而，采用該技術(shù)，第一導(dǎo)軌不容易被破裂，能夠制造出具有改進(jìn)可靠性的磁頭裝置。此外，采用該技術(shù)，可容易地生產(chǎn)出具有穩(wěn)定浮起特性的磁頭裝置。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的磁頭裝置的原理性局部剖視圖，表示記錄/重放盤形記錄介質(zhì)的一種配置。
圖2是顯示磁頭裝置頭部的分解透視圖。
圖3是顯示磁頭裝置中頭部芯片部分的透視圖。
圖4是分解透視圖，它顯示根據(jù)本發(fā)明制造磁頭裝置的方法中的頭部芯片部分的裝配過(guò)程。
圖5是表示高級(jí)頭部滑塊、中央滑塊、第一頭部芯片和側(cè)滑塊的粘接狀況的透視圖。
圖6是表示頭部芯片部分的磨削狀況的透視圖。
圖7是磁頭裝置中平衡環(huán)的平面圖。
圖8是磁頭裝置中隔圈的縱剖視圖。
圖9是表示頭部、平衡環(huán)和隔圈的裝配狀況的局部剖視圖。
圖10是頭部芯片部分的示意性縱剖面圖。
圖11是常規(guī)磁頭裝置中的頭部芯片部分的示意性縱剖面圖。
圖12是表示在常規(guī)磁頭裝置中頭部芯片部分破碎導(dǎo)軌狀況的示意性縱剖面圖。
參考附圖將對(duì)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明，該實(shí)施例是針對(duì)例如在軟盤的盤形記錄介質(zhì)的信號(hào)記錄表面記錄和/或重放數(shù)據(jù)用的一種磁頭裝置。
該實(shí)施例的磁頭裝置包括一對(duì)支承臂1，固定于每一支承臂1的遠(yuǎn)端的隔圈2，配置于每個(gè)隔圈2上的平衡環(huán)3和安裝在每個(gè)平衡環(huán)3上面的頭部組件4，如圖1中所示。在該磁頭裝置中，成對(duì)的支承臂1被安裝成使得成對(duì)的頭部組件4彼此面對(duì)面。
磁頭裝置對(duì)旋轉(zhuǎn)地安裝在殼體5內(nèi)的軟盤6進(jìn)行記錄/重放，該殼體上有開(kāi)口7，其開(kāi)口尺寸大到足以允許磁頭裝置進(jìn)入其中。因此，如果要使用該磁頭裝置對(duì)軟盤6記錄/重放，成對(duì)的頭部組件4經(jīng)過(guò)孔7進(jìn)入，使得軟盤6處于它的成對(duì)的頭部組件4之間。
在該磁頭裝置中，頭部組件4包括頭部芯片組件10，頭部芯片組件10有用來(lái)以第一記錄密度記錄/重放數(shù)據(jù)的第一頭部芯片8，和用來(lái)以高于第一記錄密度的第二記錄密度記錄/重放數(shù)據(jù)的第二頭部芯片9。在某一狀況中，第二頭部芯片9被浮起于軟盤6的信號(hào)記錄表面的上方，如圖2所示。頭部組件4還包括芯體組件14，芯體組件14在頭部芯片組件10與軟盤6相反的表面上。芯體組件14包括芯體成型件11和第一及第二線圈組件13A、13B，它們各自安裝在芯體成型件11上，用來(lái)分別纏繞線圈12A和12B。
參考圖3，頭部芯片組件10包括高級(jí)頭部滑塊16(其中裝有第二頭部芯片9)、中央滑塊17(配置在高級(jí)頭部滑塊16與第一頭部芯片8之間)和側(cè)滑塊18(它用來(lái)與中央滑塊17配合將第一頭部芯片8夾在中間)。那就是說(shuō)，頭部芯片組件10是由高級(jí)頭部滑塊16、中央滑塊17、第一頭部芯片8和側(cè)滑塊18按照這個(gè)順序粘接在一起構(gòu)成的。
此外，這個(gè)朝向軟盤6的頭部芯片組件10的表面有導(dǎo)軌19a和19b，它們沿著記錄介質(zhì)的滑移方向A延伸。這些導(dǎo)軌19a和19b被成型，用來(lái)使頭部組件4在高速旋轉(zhuǎn)的軟盤6的上方浮起。參考圖2，在軟盤6的入口一側(cè)和出口一側(cè)分別加工出前錐面19c和后錐面19d。前錐面19c被加工成相對(duì)于軟盤6的表面約為0.5°角，而后錐面被加工成相對(duì)于軟盤表面約為10°角。
在這個(gè)磁頭裝置中，導(dǎo)軌19a是由磨削加工第一頭部芯片8所形成，后面還要加以說(shuō)明。第一頭部芯片8包括用來(lái)寫入和重放(讀/寫頭)的磁頭20(它位于第一頭部芯片8的縱方向的中部)、和擦除磁頭(擦除頭)21(配置于滑動(dòng)方向A的中部，在讀/寫頭20的下游)。這個(gè)讀/寫頭20有磁隙G1，磁隙稍大于記錄磁道的磁道寬度。擦除頭21被配置于讀/寫頭20的磁隙21的下游，它包含磁隙G2和G3，位于沿著磁隙G1的寬度的兩端。
對(duì)于這個(gè)第一頭部芯片8，由讀/寫頭20的磁隙G1對(duì)軟盤6錄入。擦除頭21通過(guò)磁隙G2和G3在記錄磁道的寬度方向擦除兩端部的預(yù)定數(shù)量，以便將在軟盤6上形成的記錄磁道的磁道寬度控制在預(yù)定的量值。本發(fā)明磁頭裝置包括稱做隧道式擦除頭的擦除頭，它由讀/寫頭20和擦除頭21組成。
第一頭部芯片8的寬度最好應(yīng)大于導(dǎo)軌19a的寬度，具體地說(shuō)，要比導(dǎo)軌19a的寬度大25μm以上。因此，第一頭部芯片8具有凸形的橫截面。
另一方面，導(dǎo)軌19b是通過(guò)磨削第二頭部芯片9形成，將在后面予以說(shuō)明。這個(gè)第二頭部芯片9有磁隙，該磁隙能形成記錄磁道，其磁道寬度比上述讀/寫頭20形成的磁道寬度要窄些，第二頭部芯片中裝配有一個(gè)稱為M1G的頭部。高級(jí)頭部滑塊16是通過(guò)將第二頭部芯片9嵌埋到陶瓷制成的滑塊22中構(gòu)成。
滑塊22有切口23，用來(lái)將第二頭部芯片9的部分暴露于外界。用作磁芯的第二頭部芯片的一部分在這個(gè)切口處部分地暴露于外界。在這個(gè)暴露的部分纏繞供第二線圈芯子用的線圈，在圖3中未示出。
在制作頭部芯片組件10的過(guò)程中，通過(guò)用玻璃熔化的方法將高級(jí)頭部滑塊16、中央滑塊17、第一頭部芯片8和側(cè)滑塊18粘接在一起，如圖4所示。在中央滑塊17的兩個(gè)橫向表面內(nèi)，沿中央滑塊17的長(zhǎng)度加工出貫通的凹槽17A，然后將熔凝玻璃17B裝入每個(gè)凹槽17A。這樣將中央滑塊17與高級(jí)頭部滑塊16和第一頭部芯片8粘接起來(lái)。朝向第一頭部芯片8的側(cè)滑塊18的橫向表面也被加工出凹槽18A，在其中充入熔凝玻璃18B。這就將側(cè)滑塊18粘接到第一頭部芯片8上。因而，頭部芯片組件10被制作成基本上是平行六面體形狀，如圖5所示。
粘接形成的頭部芯片被磨削加工，如圖6所示。磨削加工在平行于每一個(gè)分部件的縱向進(jìn)行，以形成導(dǎo)軌19a和19b。由于導(dǎo)軌19a和19b規(guī)定了頭部組件4的浮起特性，所以要對(duì)這些導(dǎo)軌的寬度以及它們之間的間距作出精確地規(guī)定。因此，導(dǎo)軌19a和19b要按照預(yù)定的寬度和間距加工，而不是根據(jù)各個(gè)零件的寬度加工。
對(duì)于該磁頭裝置，加工成形第一頭部芯片8，使其寬度要大于導(dǎo)軌19a的寬度。為此，在加工成形預(yù)置寬度的導(dǎo)軌19a時(shí)，第一頭部芯片8的兩個(gè)端部附近沿寬度方向同時(shí)被磨削加工。用這種方式形成導(dǎo)軌19a，第一頭部芯片8基本上呈現(xiàn)為凸的橫截面。
由于導(dǎo)軌19b是用磨削加工高級(jí)頭部滑塊16所形成，因而第二頭部芯片9朝向?qū)к?9b的上側(cè)。
安裝于上述頭部芯片組件10上的芯體成型件11包括一個(gè)由磁性材料構(gòu)成的大體上為U形的底座25、直立地裝在底座25的頂面上的非磁性材料構(gòu)成的立柱26a和26b、直立地裝在底座25的頂面上的磁性材料構(gòu)成的立柱26c、26d和26e，如圖2所示。立柱26a和26b直立地裝在底座25的端部，而立柱26c和26e直立地裝在底座25的轉(zhuǎn)角上，立柱26d直立地裝在立柱26c與26e之間。朝向頭部芯片組件10的立柱26d的上端面有一個(gè)凹槽，因而上表面存在第一端面27和第二端面28。
安裝于芯體成型件11上的第一線圈組件13A包括一個(gè)線圈12A和繞有線圈12A的第一線圈軸29A。這個(gè)第一線圈軸29A是L型的并且有一管體部位。這個(gè)第一線圈軸29A的管體部位的內(nèi)周面與立柱26C的外周面形狀基本上相同。端子部位與管體部位的下端形成一個(gè)直角。
與第一線圈組件13A相似，第二線圈組件13B有一個(gè)線圈12B和繞有線圈12B的第二線圈軸29B。這個(gè)第二線圈軸29B是L形的而且有一管體部位。這個(gè)第二線圈軸29B被設(shè)計(jì)成使其管體部位的內(nèi)周面的形狀基本上與立柱26e的外周面的形狀相同。端子部位與管體部位的下端形成一個(gè)直角。
第一線圈組件13A和第二線圈組件13B以其各自的管形部位分別安裝在立柱26c和26e上，使線圈12A和12B分別圍繞第一和第二線圈軸29A和29B。
芯體組件14支撐著頭部芯片組件10，使第一線圈組件13A和第二線圈組件13B安裝在芯體組件11的上述位置上。此時(shí)，立柱26a和26b支撐著頭部芯片組件10的高級(jí)頭部滑塊16的兩個(gè)轉(zhuǎn)角處。立柱26c以其上表面支撐著擦除頭21以形成磁耦。立柱26e以其上表面支撐著擦除頭21以形成磁耦。立柱26d位于讀/寫頭20與擦除頭21之間，使得它的第一端面27和它的第二端面28分別支撐讀/寫頭20和擦除頭21，以形成磁耦。
由于芯體組件14支撐著頭部芯片組件10，支柱26c和26d構(gòu)成讀/寫頭20的磁芯。具體地說(shuō)，使用讀/寫頭20，在裝有第一線圈組件13A的立柱26c與支撐第一端面27的立柱26d之間形成磁路。由于芯體組件14和頭部芯片組件10彼此支撐，立柱26e和26d在擦除頭21內(nèi)形成磁芯。這樣，在擦除頭21內(nèi)，在裝有第二線圈組件13B的立柱26e與支撐第一端面27的立柱26d之間形成磁路。
安裝于頭部組件4上的平衡環(huán)3，其整體形狀基本上是一矩形板的形狀，它包括一個(gè)頭部安裝單元30(用來(lái)使頭部芯片組件10安裝于其上)、第一環(huán)形框單元32(通過(guò)第一連接部位31a和31b連接到頭部安裝單元30上，用來(lái)限定頭部安裝單元30的外周)、第二環(huán)形框單元34(通過(guò)第二連接部位33a和33b連接到第一環(huán)形框單元32上，用來(lái)限定第一環(huán)形框單元32)。該平衡環(huán)3被設(shè)計(jì)成使得將第一連接部位31a和31b互連的方向與將第二連接部位33a和33b互連的方向彼此垂直。連接部位31a與31b的互連方向與記錄介質(zhì)滑動(dòng)方向A相互平行。平衡環(huán)是由例如不銹鋼構(gòu)成。
在該平衡環(huán)中。頭部安裝單元30被設(shè)計(jì)成使其周邊外形稍大于頭部芯片組件10的周邊外形。頭部安裝單元30還有一對(duì)孔35a和35b，它們?cè)诖怪庇谟涗浗橘|(zhì)滑動(dòng)方向A的方向內(nèi)彼此分開(kāi)。
如上述方式構(gòu)成的平衡環(huán)3被安裝在頭部組件4的上面。具體地說(shuō)，平衡環(huán)3被安裝于頭部芯片組件10與芯體組件14之間。應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是頭部芯片組件10放在平衡環(huán)3的一個(gè)表面上，應(yīng)使其中朝向高級(jí)頭部滑塊16的兩個(gè)轉(zhuǎn)角朝向孔35a，并使第一頭部芯片8朝向孔35b。立柱26a和26b從平衡環(huán)3的相反的側(cè)面支撐頭部芯片組件10的朝向孔徑35a的部位。立柱26c、26d和26e如前所述，支撐頭部芯片組件10的朝向孔徑35b的部位。
因此，孔35a的尺寸應(yīng)大到足以允許立柱26a或26b進(jìn)入，而孔35b的尺寸應(yīng)大到足以允許立柱26c、26d和26e進(jìn)入。
因此，平衡環(huán)3安裝在沿頭部組件4的高度方向的中部。
安裝平衡環(huán)3的隔圈2基本上由環(huán)形外壁部分36、軸尖安裝單元37(向內(nèi)直立地安裝在外壁部分的內(nèi)部)和安裝于軸尖安裝單元37上的軸尖38組成，如圖8所示。
該外壁部分36的內(nèi)尺寸稍大于芯體組件14的外形尺寸，其管狀結(jié)構(gòu)基本上與平衡環(huán)3的外形相似。外壁部分36有一個(gè)由例如是由高導(dǎo)磁率磁性材料構(gòu)成的內(nèi)部磁屏蔽層39，其外周尺寸稍小于外壁部分36。
軸尖安裝單元37直立地固定外壁部分36內(nèi)表面的中部，其高度稍低于外壁部分36。在軸尖安裝單元37的上端面37a上形成半球形軸尖38，當(dāng)軸尖38放置在軸尖固定單元37上時(shí)，軸尖38的上端38a的定位高度稍高于外壁部分36的高度。
隔圈2是通過(guò)將外壁部分36、軸尖固定單元37和軸尖38整體模鑄成型制成。隔圈2最好采用鑲嵌模鑄成型，以便在外壁部分36的內(nèi)部放置磁屏蔽層39。
隔圈2被固定地安裝在平衡環(huán)3的上面，如圖9所示。具體地說(shuō)，隔圈2被安裝在平衡環(huán)的放置頭部芯片組件10的側(cè)面的反面上，那就是在平衡環(huán)3的反面。通過(guò)將平衡環(huán)3的反面安裝在隔圈2上，軸尖38以預(yù)定的壓力推入平衡環(huán)3的反面的中部。那就是平衡環(huán)3的頭部安裝單元30被軸尖3的從平衡環(huán)38反面帶動(dòng)。
此時(shí)，位于平衡環(huán)3的反面的芯體組件14被裝入外壁部分36的內(nèi)部。同時(shí)，由于軸尖安裝單元37位于U形底座25的開(kāi)口部位，當(dāng)將芯體組件14裝入外壁部分36的內(nèi)部時(shí)，沒(méi)有受到障礙。
適于安裝隔圈2的一對(duì)支承臂1，是具有預(yù)定長(zhǎng)度的板形件，如圖1所示。每個(gè)支承臂的一端(未示出)被連接到磁頭裝置驅(qū)動(dòng)器(未示出)。成對(duì)支承臂1的另一端裝有隔圈2。隔圈2的端面(裝有平衡環(huán)3的端面的反面)安裝在支承臂1的另一端。在成對(duì)的支承臂1上彼此面對(duì)面地安裝著隔圈2。
在該磁頭裝置中，從支承臂1到頭部組件4的高度可通過(guò)將隔圈2的高度調(diào)整到規(guī)定的值加以調(diào)整，那就是說(shuō)，對(duì)于該磁頭裝置，當(dāng)頭部裝置4處于記錄/重放軟盤6的位置時(shí)，支承臂1可以不與殼體5接觸。換句話說(shuō)，隔圈2具有這樣的高度，使得在記錄/重放時(shí)，支承壁1不與殼體5接觸。
在上述按照本發(fā)明的磁頭裝置中，裝在殼體5中的軟盤6被記錄/重放。在該磁頭裝置中，可以用常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)記錄密度(低級(jí)方式)或用高記錄密度(高級(jí)方式)進(jìn)行記錄/重放。
如果以低級(jí)方式進(jìn)行記錄/重放，頭部裝置4要與軟盤6接觸，在這種狀況下，軟盤6作旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，軟盤6的旋轉(zhuǎn)速度約為300轉(zhuǎn)/分。
對(duì)于該磁頭裝置，旋轉(zhuǎn)著的軟盤是用第一頭部芯片8記錄/重放。由安裝在立柱26c內(nèi)的第線圈組件13A發(fā)出的磁場(chǎng)在立柱26c、26d與讀/寫頭20之間形成磁路。在旋轉(zhuǎn)著的軟盤6上，由讀/寫頭20形成記錄磁道。同時(shí)，由安裝在立柱26e上的第二線圈13B發(fā)出的磁場(chǎng)，在立柱26e、26d與擦除頭21之間第一頭部芯片8中形成另一磁路。這個(gè)磁路僅僅擦除由讀/寫頭20形成的記錄磁道的磁道寬度兩端附近。因此，采用該第一頭部芯片8，有可能形成具有所要求磁道寬度的記錄磁道。
在高級(jí)模式記錄/重放的例子中，頭部裝置4稍微地浮離軟盤6的表面，軟盤是按這種狀況旋轉(zhuǎn)。此時(shí)軟盤6以約為3600轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。如果軟盤6以這樣高的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，在頭部組件4中形成的凹槽與軟盤6之間形成氣流，產(chǎn)生一個(gè)稱為空氣膜的薄層。因此，對(duì)于該磁頭裝置，在用高級(jí)模式記錄/重放過(guò)程中，頭部組件4可浮起一個(gè)特定的高度。具體地說(shuō)，頭部組件4浮離軟盤6的表面約為50nm。
為了控制頭部組件4的浮起量，只需將朝向記錄介質(zhì)的頭部組件4表面上形成的導(dǎo)軌19a和19b的寬度和高度規(guī)定在預(yù)定的量值就夠了。具體地說(shuō)，為了得到約為50nm的浮起量，只需將每根3mm長(zhǎng)的導(dǎo)軌的寬度規(guī)定成各為0.3mm寬，高度各為0.1mm就夠了。
該磁頭裝置用第二頭部芯片9以高密度記錄方式為旋轉(zhuǎn)軟盤6進(jìn)行記錄/重放。對(duì)于第二頭部芯片9，例如用MIG頭，采用從線圈發(fā)出的在高級(jí)頭部滑塊16中形成的磁場(chǎng)產(chǎn)生記錄磁道。
對(duì)于該磁頭裝置，第一頭部芯片8的寬度大于導(dǎo)軌19a，而且在平行于導(dǎo)軌19a的縱向的橫側(cè)面被暴露出來(lái)。
相反地，如果導(dǎo)軌19a的寬度約等于第一頭部芯片8的寬度，如像常規(guī)磁頭裝置中的情況，那么中央滑塊17c和側(cè)滑塊18c都留在平行于導(dǎo)軌19a的縱向的橫側(cè)面上。在這種情況下，中央滑塊17c和側(cè)滑塊18c朝向?qū)к?9a。
在這種情況下，中央滑塊17c和側(cè)滑塊18c為一方面，第一頭部芯片8為另一方面，將它們簡(jiǎn)單地彼此靠在一起，而不用由熔凝玻璃粘合在一起。而且，與導(dǎo)軌19a一起的中央滑塊17c和側(cè)滑塊18c的厚度被磨削大大減小。因此，在這種情況下，在導(dǎo)軌19a中的中央滑塊17c和側(cè)滑塊18c容易碎裂，如圖12所示。
如果導(dǎo)軌19a以這種方式局部碎裂，碎片容易損壞軟盤6。相反地，對(duì)于本發(fā)明的磁頭裝置，由于導(dǎo)軌19a是由第一頭部芯片8單獨(dú)構(gòu)成，沒(méi)有機(jī)械薄弱部位，因而沒(méi)有碎裂的危險(xiǎn)。因此，該磁頭裝置是可靠的，軟盤6不容易被損壞。
常規(guī)磁頭裝置具有導(dǎo)軌19a容易被局部碎裂的缺點(diǎn)，所以沒(méi)有穩(wěn)定的浮起特性。相反地，對(duì)于本發(fā)明磁頭裝置，導(dǎo)軌19a沒(méi)有碎裂的危險(xiǎn)，可達(dá)到最佳的浮起特性。
權(quán)利要求
1．一種磁頭裝置，包括第一頭部芯片，它有第一磁隙，用來(lái)以第一記錄密度對(duì)盤形記錄介質(zhì)記錄和/或重放；第二頭部芯片，它有第二磁隙，用來(lái)以高于第一記錄密度的第二記錄密度對(duì)盤形記錄介質(zhì)記錄和/或重放；和安排且粘合于所述第一與第二頭部芯片之間的中央滑塊；所述的第一頭部芯片朝向盤形記錄介質(zhì)的表面上裝有第一導(dǎo)軌，它在平行于盤形記錄介質(zhì)的運(yùn)動(dòng)方向上延伸；裝有被形成的第二導(dǎo)軌，它平行于所述的第一導(dǎo)軌延伸；所述的第一導(dǎo)軌是通過(guò)對(duì)所述的第一頭部芯片的朝向所述中央滑塊的部位進(jìn)行溝槽加工而形成。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭裝置，進(jìn)一步包括側(cè)滑塊被粘接在所述的第一頭部芯片的表面，該表面是頭部芯片的粘接所述的中央滑塊表面的反面。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭裝置，其中所述的第一導(dǎo)軌的寬度比所述的第一頭部芯片的寬度要小25μm以上。
4．一種生產(chǎn)磁頭裝置的方法，包括步驟將第一頭部芯片和第二頭部芯片通過(guò)中央滑塊互相粘接，所述的第一頭部芯片有第一磁隙，用來(lái)以第一記錄密度對(duì)盤形記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄和/或重放，并且所述的第二頭部芯片有第二磁隙，用來(lái)以高于所述的第一記錄密度的第二記錄密度對(duì)盤形記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄和/或重放；沿所述的第一頭部芯片寬度磨削兩端并且磨削中央滑塊以形成第一導(dǎo)軌；和沿所述的第二頭部芯片寬度磨削兩端并且磨削中央滑塊以形成第二導(dǎo)軌。
全文摘要
一種具有最佳浮起特性而沒(méi)有第一導(dǎo)軌碎裂危險(xiǎn)的磁頭裝置,以及一種該磁頭裝置的制造方法。在這個(gè)磁頭裝置中,在朝向盤形記錄介質(zhì)的表面上形成第一導(dǎo)軌,該導(dǎo)軌在平行于盤形記錄介質(zhì)的移動(dòng)方向延伸,平行于第一導(dǎo)軌延伸形成第二導(dǎo)軌。通過(guò)對(duì)第一頭部芯片的中央滑塊側(cè)進(jìn)行開(kāi)槽加工形成第一導(dǎo)軌。
文檔編號(hào)G11B5/265GK1217527SQ9812423
公開(kāi)日1999年5月26日 申請(qǐng)日期1998年11月13日 優(yōu)先權(quán)日1997年11月14日
發(fā)明者山崎昌彥, 長(zhǎng)谷川潔 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社