專利名稱：多道磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁頭，該磁頭提供具有磁記錄介質(zhì)相對于磁頭可作相對移動的縱向方向和橫向地定向于縱向方向的橫向方向的磁頭面，并還提供終接于磁頭面的傳感縫隙。
這種類型的磁頭由NL-A 8902884(PHN13.144)所公知。采用薄膜技術(shù)制造的已知磁頭設(shè)有共同的、空間隔離的傳感縫隙，特別是寫入縫隙。該寫入縫隙受基片和磁通導(dǎo)向件限制，基片和磁通導(dǎo)向件延伸在磁頭面內(nèi)。在基片和磁通導(dǎo)向件之間延伸的一個面設(shè)有導(dǎo)電寫入線圈。以磁頭面的縱向方向觀察，這些線圈具有端部，這些端部出現(xiàn)在磁通導(dǎo)向件之間并連接導(dǎo)電供給磁跡。
雖然記錄介質(zhì)上的窄磁跡可用已知磁頭寫入，但在寫入期間可實現(xiàn)的磁跡密度因用于寫入縫隙的構(gòu)形受到限制。由于寫入縫隙是間隔的，在寫入期間形成間隔的記錄磁跡，因此，已知磁頭有一個有限磁道密度。
本發(fā)明的目的是提供一種在公開章節(jié)中已描述的具有高磁道密度的磁頭。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭，其特征在于，設(shè)有一個具有基本上橫向地延伸到縱向方向和橫向方向的和每個具有至少一個傳感元件和一個傳感縫隙的組合并置的磁頭單元的結(jié)構(gòu)，同時兩個相鄰磁頭單元(優(yōu)選地，每隔一個相鄰磁頭單元)的至少一個磁頭單元的一個傳感縫隙和至少另一個磁頭單元的一個傳感縫隙出現(xiàn)在基本上橫向地定向于縱向方向的互不相同的平面上，該傳感縫隙延伸在基本上橫向地定位于橫向方向的一個平面的不同兩側(cè)。在根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，磁頭單元，優(yōu)選地所有磁頭單元相互直接連接，以致于可實現(xiàn)100％的磁道密度。該磁頭的優(yōu)點在于，在電感傳感元件的情況下，相當(dāng)窄的磁跡能以精確相鄰的方法寫在諸如非預(yù)先形成的磁帶之類的記錄介質(zhì)上，或在磁阻傳感元件的情況下，并排延伸的相當(dāng)窄的磁跡能被讀出。
由于在記錄介質(zhì)上寫入記錄磁跡而沒有任何間隙，所以，可有效地使用記錄介質(zhì)的可用表面。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭中，給定總的磁頭寬度，可產(chǎn)生最大的傳感縫隙數(shù)目。因此，就能實現(xiàn)最大的數(shù)據(jù)率。
當(dāng)這樣寫入的記錄介質(zhì)正被讀出時，磁頭位置控制能被使用，其中所需的伺服信息可以插入數(shù)據(jù)磁跡。由于相鄰磁跡精確地并行延伸，不太嚴(yán)格的要求就可利用所使用的機(jī)械控制的精度。在讀出期間使用電子系統(tǒng)而不是機(jī)械伺服系統(tǒng)，其中根據(jù)本發(fā)明的磁頭的系統(tǒng)使用讀出磁跡寬度至少是所用的寫入磁跡寬度的一半。
本發(fā)明的磁頭的實施例，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的至少一個磁頭單元的一個傳感縫隙和至少另一個磁頭單元的一個傳感縫隙連接基本上橫向地定向于橫向方向的相同平面。利用該實施例，可以實現(xiàn)使記錄介質(zhì)上的磁跡之間的有效間隔減至最小。
本發(fā)明的磁頭的實施例，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的傳感縫隙出現(xiàn)在互不相同的平面上，而每一個都延伸在終接于磁頭面的導(dǎo)磁單個磁極之間。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭的實施例，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的傳感縫隙出現(xiàn)在互不相同的平面上，每一個都延伸在終接于磁頭面的導(dǎo)磁的公共磁極和終接磁頭面的單個磁極之間。在該實施例中，相鄰磁頭單元公用一個磁極，也稱為磁通導(dǎo)向磁極，而相鄰磁頭單元的單個磁極交替地出現(xiàn)在相關(guān)磁極的一側(cè)或另一側(cè)。
本發(fā)明的磁頭的實施例其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的單個磁極連接橫向地定向于橫向方向的相同平面。利用該實施例，可以實現(xiàn)使記錄介質(zhì)上的磁跡之間的有效間隔減至最小，以致于在記錄時最大磁跡密度是可能的。
本發(fā)明的磁頭的實施例其特征在于，該結(jié)構(gòu)是一個具有各層基本上橫向地延伸到磁頭面的多層結(jié)構(gòu)，而兩個相鄰磁頭單元的至少一個磁頭單元的一個傳感縫隙和至少另一個磁頭單元的一個傳感縫隙出現(xiàn)在互不相同的層上。所述的結(jié)構(gòu)可以通過已知層技術(shù)，尤其是薄膜技術(shù)來制造。
本發(fā)明的磁頭的實施例其特征在于，設(shè)有一個導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體位于橫向地定向于磁頭面的縱向方向的平面上并通過至少多個磁頭單元延伸，具有分支的導(dǎo)體接近至少多個相關(guān)磁頭單元，用于形成單個電感元件。具有分支的導(dǎo)電體可用已知技術(shù)的方法來實現(xiàn)。
本發(fā)明的磁頭的實施例其特征在于，用于形成單個電感元件的線圈提供在至少多個單個磁極的周圍。
按照其用途，根據(jù)本發(fā)明的磁頭可實施為機(jī)械讀磁頭、寫磁頭或讀/寫磁頭，并適用于視頻、數(shù)據(jù)、音頻或多媒體用途。
本發(fā)明也涉及一種使用讀和/或?qū)懘蓬^的磁頭，用于在磁記錄介質(zhì)，例如磁帶或磁盤上存儲信息，和/或從磁記錄介質(zhì)上讀出信息的裝置。
本發(fā)明的裝置設(shè)有根據(jù)本發(fā)明的磁頭和還設(shè)有用于使磁頭相對于記錄介質(zhì)移動的設(shè)備。該磁頭可以是用于讀出信息的磁阻磁頭，或可以是用于讀出和/或?qū)懭胄畔⒌碾姼写蓬^。
通過后面所描述的實施例，本發(fā)明的這些和其它方面將是顯而易見的。


圖1表示本發(fā)明用于把信號寫入帶狀記錄介質(zhì)的裝置，圖2A是本發(fā)明的磁頭的第一實施例的正視示意圖，圖2B是取磁頭的第一實施例的剖線IIB-IIB的示意剖視圖，圖2C是取第一實施例的剖線IIC-IIC的示意剖視圖，圖2D是第一實施例的示意平面圖，圖3A是本發(fā)明的磁頭的第二實施例的示意正視圖，圖3B是取磁頭的第二實施例的剖線IIIB-IIIB的示意剖視圖，圖3C是取第二實施例的剖線IIIC-IIIC的示意剖視圖，圖3D是第二實施例的示意平面圖，圖4A是本發(fā)明的磁頭的第三實施例的示意正視圖，圖4B是取第三實施例的剖線IVB-IVB的示意剖視圖，圖4C是取第三實施例剖線IVC-IVC的示意剖視圖，圖5A是本發(fā)明的磁頭的第四實施例的示意正視圖，圖5B是取第四實施例的剖線VB-VB的示意剖視圖，圖5C是取第四實施例的剖線VC-VC的示意剖視圖，圖6A是第五實施例的示意正視圖，圖6B是取第五實施例的剖線VIB-VIB的示意剖視圖，圖6C是取第五實施例的剖線VIC-VIC的示意剖視圖，圖7A是第六實施例的示意正視圖，圖7B是取第六實施例的剖線VIIB-VIIB的示意剖視圖，圖7C是取第六實施例的剖線VIIC-VIIC的示意剖視圖。
圖1所示的裝置是適合于與磁帶盒3相配合的磁帶裝置1。磁帶盒3設(shè)有適用于存儲信息的磁帶。裝置1設(shè)有用于接受磁帶盒3的夾持器7，與磁帶盒3構(gòu)成磁帶系統(tǒng)。裝置1設(shè)有兩個卷軸9和10，用于與磁帶盒3的卷盤相配合。在使用期間，該磁帶沿著根據(jù)本發(fā)明用在裝置1的磁頭11移動。為此目的，裝置1設(shè)有兩個主軸13和14，和設(shè)有與主軸配合的兩個壓帶輪15和16。磁頭11，在本實施例中的寫磁頭，用于在磁帶上同時寫入多個并行磁跡。此外，或者該裝置可設(shè)有代替寫磁頭的讀磁頭。
本發(fā)明的磁頭是圖2A、2B、2C和2D所示的寫磁頭，該磁頭是一種薄膜磁頭。該磁頭具有一個磁頭面21，用于與磁記錄介質(zhì)20，例如磁帶相配合，該磁帶在箭頭L所示的方向上相對于磁頭移動。方向L對應(yīng)于具有橫向地延伸到縱向方向的橫向方向W的磁頭面21的縱向方向。
該磁頭包括，例如，Al2O3/TiC之類的陶瓷材料的非磁性基片23，在其上通過已知技術(shù)，特別是光刻技術(shù)形成多層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有多個相鄰磁頭單元，這些磁頭單元是橫向地延伸到縱向方向L和橫向方向W的寫入單元25a和25b，寫入單元25a和寫入單元25b相互交替。每個寫入單元25a和25b設(shè)有傳感縫隙，分別為寫入縫隙27a，27b，而所有寫入縫隙27a是位于橫向地延伸到縱向方向L的第一平面P1和所有的寫入縫隙27b是位于平行于第一平面P1延伸的第二平面P2。
多層結(jié)構(gòu)包括例如沉積在基片23上的NiFe、AlFeSi或CONbZr的第一軟磁層24。第一層24是以這種方法構(gòu)成它形成用于每個寫入單元25b的導(dǎo)磁單個磁極29b。如果基片23是導(dǎo)磁的，隔離層應(yīng)出現(xiàn)在基片23和磁極29b之間。另一種方案是以基片本身起一個磁極作用的方法可構(gòu)成導(dǎo)磁基片的。
多層結(jié)構(gòu)也包括分別平行于第一層24延伸的第二和第三軟磁層26、 28。原則上，第二層26是不斷開的，而第三層28被構(gòu)成并形成用于每個寫入單元25a的導(dǎo)磁單個磁極29c。第二層26形成用于寫入單元25a和25b的公共磁極29c，而每個寫入縫隙27a出現(xiàn)在單個磁極29a和公共磁極29c之間，和每個寫入縫隙27b出現(xiàn)在單個磁極29b和公共磁極29c之間。各個軟磁層相互連接，用于形成適當(dāng)?shù)拇怕贰?br> 寫入縫隙27a和27b位于互不相同的平面P1和P2上，并包括非磁性材料，例如諸如Al2O3或SiO2之類的氧化物，成對地連接橫截于橫向方向W的相同平面H。每隔一個相鄰寫入單元25a和25b的單個磁極29a和29b也連接相同的平面H。
多層結(jié)構(gòu)也包括延伸在第一和第二軟磁層24、26之間的例如銅(Cu)的第一導(dǎo)電體30，和延伸在第二和第三軟磁層26、28之間的例如銅的第二導(dǎo)電體32。導(dǎo)電體30和32，每一個都通過導(dǎo)電層的方法形成，每個具有以連接磁跡30a和32a的形式的分支，用于在由這些磁極構(gòu)成的磁軛中形成單個電感元件。連接磁跡終接于連接面30b和32b。圖2D表示標(biāo)號31的單個電感元件。作為多層結(jié)構(gòu)的保護(hù)，磁頭可具有一個以多層結(jié)構(gòu)包圍在基片和平行塊之間的這種方法排列的平行塊。平行塊可用與形成基片相同的材料構(gòu)成。
本發(fā)明的圖3A、3B、3C和3D所示的磁頭特別適合于產(chǎn)生強(qiáng)寫入場。磁頭具有一個磁頭面121，用于與諸如磁帶或盤之類的記錄介質(zhì)相配合，磁記錄介質(zhì)可在由箭頭L所標(biāo)的方向上相對于磁頭移動。該L方向相對于也具有橫截縱向方向的橫向方向W的磁頭面121的縱向方向。
磁頭包括基片123，在其上形成薄膜結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有多個鄰接磁頭單元，是橫向地延伸到縱向方向L和橫向方向W的寫入單元125a和125b，寫入單元125a和寫入單元125b相互交替。每個寫入單元125a和125b具有一個傳感縫隙，分別是寫入縫隙127a、127b，寫入縫隙位于橫向地延伸到縱向方向L的第一平面P1和寫入縫隙127b位于并行于第一平面P1延伸的第二平面P2。
薄膜結(jié)構(gòu)包括淀積在基片123上的第一軟磁層124并以這樣的方法構(gòu)成對于每個寫入單元125b它形成導(dǎo)磁的單個磁極129b。
薄膜結(jié)構(gòu)也包括分別平行于第一層124延伸的第二和第三軟磁層126、128。第二層126是不斷開的，而第三層128被構(gòu)成和形成用于每個寫入單元125a的導(dǎo)磁單個磁極129a。第二層126形成用于寫入單元125a和125b的公共磁極129c，而每個寫入縫隙127a出現(xiàn)在單個磁極129a和公共磁極129c之間，和每個寫入間隙127b出現(xiàn)在單個磁極129b和公共磁極129c之間。
寫入縫隙127a和127b位于互不相同的平面P1和P2并包括非磁性材料，成對地連接橫截于橫向方向W的相同平面H。每隔一個相鄰寫入單元125a和125b的單個磁極129a和129b也連接相同平面H。
薄膜結(jié)構(gòu)也包括延伸在第一和第二軟磁層124、126之間的第一導(dǎo)電體130和延伸在第二和第三軟磁層126和128之間的第二導(dǎo)電體132。兩個導(dǎo)體包括兩個或更多個在上面的導(dǎo)電層，在實施例中所示的兩個，即分別為導(dǎo)電層130a、130b、和132a、132b。層132a和132b經(jīng)直通連接132ba相互連接。層130a和130b以相同方法相互連接。導(dǎo)電體130和132具有連接磁跡130ab和132ab，分別用于形成類似于圖2D所示的單個電感元件。
具有圖3A、3B、3C和3D所示的電感傳感元件的磁頭能簡單地用已知薄膜技術(shù)進(jìn)行制造。為此目的進(jìn)行的方法尤其包括下列步驟設(shè)置第一磁層124；設(shè)置導(dǎo)電層130a；設(shè)置導(dǎo)電層130b和使它電連接到層130a；設(shè)置第二磁層126；設(shè)置導(dǎo)電層132a；設(shè)置導(dǎo)電層132b和使它電連接到層132a，和設(shè)置第三磁層128。
本發(fā)明的示于圖4A、4B和4C的磁頭提供具有縱向方向L和橫向方向W的磁頭面221。磁頭具有組合并置的磁頭單元225a和225b的結(jié)構(gòu)，每個磁頭單元橫向地延伸到所述的方向W和L。磁頭單元225a和225b分別具有傳感元件231a和231b和具有傳感縫隙227a和227b。每隔一個相鄰磁頭單元的傳感縫隙227a和227b位于橫向地定向于縱向方向L的不同平面上，而相關(guān)縫隙連接對橫向方向W橫向定向的相同平面。傳感縫隙227a和227b位于每個延伸在終接于磁頭面221的導(dǎo)磁公共磁極229c和終接于磁頭面221的單個磁極229a、229b之間的不相同的平面。傳感元件231 a和231b是提供在單個磁極229a和229b周圍的寫入線圈，并且由導(dǎo)電材料，例如銅構(gòu)成。
圖4A、4B和4C所示的磁頭可通過已知技術(shù)，尤其薄膜技術(shù)，以較容易的方法進(jìn)行制造。為此目的所進(jìn)行的方法尤其包括下列步驟設(shè)置寫入線圈231b的第一部分231b1；設(shè)置單個磁極229b；設(shè)置寫入線圈231 b的第二部分231b2和使它們電連接到第一部分231b1；設(shè)置公共磁極229c；設(shè)置寫入線圈231a的第一部分231a1；設(shè)置單個磁極229a，和設(shè)置寫入線圈231a的第二部分231a2和把它們電連接到第一部分231a1。
稱為“設(shè)置”的操作可理解為適當(dāng)材料、可能的淀積結(jié)構(gòu)的淀積。根據(jù)淀積材料的性質(zhì)，適當(dāng)?shù)牡矸e方法可以是濺射、蒸發(fā)淀積或另一種已知的適用技術(shù)。當(dāng)實現(xiàn)所述的連接時，使用例如用于形成直通連接裝置的光刻。
圖5A、5B和5C所示的磁頭具有一個磁頭面321，該磁頭面321具有其中磁記錄介質(zhì)300相對于磁頭可移動的縱向方向L，和對縱向方向橫向地定向的橫向方向W。該磁頭也具有終接于磁頭面321的傳感縫隙327a和327b。磁頭包括具有橫向延伸到方向L和W的組合并置的磁頭單元，尤其是讀出單元325a和325b，每個具有傳感元件，分另是磁阻元件331a、331b，和傳感縫隙是讀出縫隙327a、327b。在兩個相鄰讀出單元中，一個讀出單元325a的讀出縫隙327a和另一個讀出單元325b的讀出縫隙327b位于橫向地定向于縱向方向L的互不相同的平面P1和P2上，而這些讀出縫隙連接橫向地定向于橫向方向W的相同平面H。在兩個相鄰讀出單元中的讀出縫隙327a和327b出現(xiàn)在互不相同的平面P1和P2上，延伸在終接于磁頭面321的導(dǎo)磁公共磁極329c和終接于磁頭面321的單個磁極329a、329b之間。兩個相鄰讀出單元的單個磁極329a和329b連接橫向地定向于橫向方向W的相同平面H。所述的結(jié)構(gòu)具有各層基本上橫向地延伸到磁頭面321的多層結(jié)構(gòu)。在兩個相鄰讀出單元中，一個讀出單元的讀出縫隙和另一個讀出單元的讀出縫隙都位于互不相同的層中。磁阻元件331a和331b由例如NiFe合金制成。在所示的實施例中，單個磁極329a和329b是斷開的磁極，該斷開是通過磁阻元件跨接的。
本發(fā)明的圖6A、6B和6C所示的磁頭提供具有縱向方向L和橫向方向W的磁頭面421。該磁頭包括組合并置的磁頭單元425a和425b的結(jié)構(gòu)，每個磁頭單元橫向延伸到所述方向W和L。磁頭單元425a和425b提供有傳感元件431a和431b并具有傳感縫隙427a和427b。每隔一個相鄰磁頭單元的傳感縫隙427a和427b位于橫向地定位于縱向方向L的不同平面，而相關(guān)的縫隙連接橫向地定向于橫向方向W的相同平面。傳感縫隙427a和427b位于不同平面，每個縫隙延伸在終接于磁頭面421的導(dǎo)磁公共磁極429c和終接于磁頭面421的單個磁極429a、429b之間。傳感元件431a和431b是提供在單個磁極429a和429b周圍的寫入線圈并由諸如銅之類的導(dǎo)電材料構(gòu)成。在該實施例中，這些線圈是兩個與位于不同層的部件相互連接的寫入線圈。
本發(fā)明的圖7A、7B和7C所示的磁頭是薄膜磁頭。磁頭具有一個磁頭面521，用于與例如在由箭頭L所示的方向上相對于磁頭可移動的磁帶相配合。該方向L對應(yīng)于也具有橫截縱向方向的方向W的磁頭面的縱向。
該磁頭包括一個例如Al2O3/TiC的基片523，在基片上形成多層結(jié)構(gòu)，尤其是薄膜結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)具有多個相鄰磁頭單元525a和525b，這些磁頭單元是橫向地延伸到縱向方向L和橫向方向W，其磁頭單元525a和525b相互交替。磁頭單元525a和525b分別設(shè)有傳感縫隙527a和527b，而所有的縫隙527a位于橫向地延伸到縱向方向L的第一平面P1上，和所有縫隙527b位于平行于第一平面P1延伸的第二平面P2上。
多層結(jié)構(gòu)包括例如NiFe的第一軟磁層526。多層結(jié)構(gòu)也包括分別平行于第一層526延伸的第二、第三和第四軟磁層527、528和529。層526和527以這種方法構(gòu)成它們構(gòu)成用于每個磁頭單元525b的導(dǎo)磁單個磁極529b，該縫隙527b延伸在各磁極之間。層528和529是以這種方法構(gòu)成它們構(gòu)成用于每個磁頭單元525a的導(dǎo)磁單個磁極529c，該縫隙527a延長在各磁極之間。為形成有效的磁路，各個軟磁層可被相互連接。
諸如SiO2之類的非磁性材料的傳感縫隙527a和527b出現(xiàn)在互不相同的平面P1和P2上，成對連接橫截于橫向方向W的相同平面H。每隔一個相鄰磁頭單元525a和525b的單個磁極529a和529b也連接相同的平面H。
多層結(jié)構(gòu)也包括延伸在第一和第二軟磁層526、527之間的例如銅的第一層電體530，和延伸在第三和第四軟磁層528、529之間的例如銅的第二導(dǎo)電體532。導(dǎo)電體530和532的每個都通過導(dǎo)電層的方法形成，每個都具有以連接磁道530a和532a的形式的分支，用于形成由各磁極構(gòu)成的磁路中的單個電感元件。各個連接磁道終接于連接面530b和523b。
應(yīng)該注意，本發(fā)明并不局限于所示的實施例。例如，傳感縫隙的數(shù)目可小于或大于在實施例中給定的數(shù)目。然而，根據(jù)本發(fā)明的磁頭可包括電感的和磁阻的元件。因此，根據(jù)本發(fā)明的裝置，在使用相對于記錄介質(zhì)移動磁頭的設(shè)備中包括在橫截于記錄介質(zhì)的移動方向的方向上和平行于記錄介質(zhì)的記錄平面定向的平面中移動磁頭的已知結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，該磁頭提供具有磁記錄介質(zhì)相對于磁頭可作相對移動的縱向方向和橫向地定向于縱向方向的橫向方向的磁頭面，并還提供終接于磁頭面的傳感縫隙，其特征在于，設(shè)有一個基本上橫向地延伸到縱向方向和橫向方向和每個具有至少一個傳感元件和一個傳感縫隙的組合并置的磁頭單元的結(jié)構(gòu)，同時兩個相鄰磁頭單元的至少一個磁頭單元的一個傳感縫隙和至少另一個磁頭單元的一個傳感縫隙出現(xiàn)在基本上橫向地定向于縱向方向的互不相同的平面上，該傳感縫隙延伸在基本上橫向地定位于橫向方向的一個平面的不同兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的至少一個磁頭單元的一個傳感縫隙和至少另一個磁頭單元的一個傳感縫隙連接基本上橫向地定向于橫向方向的相同平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁頭，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的傳感縫隙出現(xiàn)在互不相同的平面上，每一個都延伸在終接于磁頭面的兩個導(dǎo)磁單個磁極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁頭，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的傳感縫隙出現(xiàn)在互不相同的平面上，每一個都延伸在終接于磁頭面的導(dǎo)磁公共磁極和終接于磁頭面的單個磁極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁頭，其特征在于，兩個相鄰磁頭單元的單個磁極連接橫向地定向于橫向方向的相同平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4或5所述的磁頭，其特征在于，該結(jié)構(gòu)具有各層基本上橫向地延伸到磁頭面的多層結(jié)構(gòu)，同時兩個相鄰磁頭單元的至少一個磁頭單元的一個傳感縫隙和至少另一個磁頭單元的一個傳感縫隙出現(xiàn)在互不相同的平面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的磁頭，其特征在于，傳感元件是電感元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7的任一個所述的磁頭，其特征在于，設(shè)有一個導(dǎo)電體，它位于橫向地定向于磁頭面的縱向方向的平面上，并通過至少多個磁頭單元延伸，具有分支的導(dǎo)體接近至少多個相關(guān)磁頭，以便形成單個電感元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求3、4或5、附加權(quán)利要求6所述的磁頭，其特征在于，用于形成單個電感元件的線圈設(shè)置在至少多個單個磁極的周圍。
10.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、5或6所述的磁頭，其特征在于，傳感元件是磁阻元件。
11.一種設(shè)備，該設(shè)備用于在磁記錄介質(zhì)上存儲信息和從磁記錄介質(zhì)讀出信息，它設(shè)置有根據(jù)前面任一個權(quán)利要求所述的磁頭和設(shè)有用于相對記錄介質(zhì)移動磁頭的裝置。
全文摘要
磁頭提供具有磁記錄介質(zhì)相對于磁頭可作移動的縱向方向(L)和橫向地定向于縱向方向的橫向方向(W)的磁頭面(21)。該磁頭也包括基本上橫向地延伸到縱向方向和橫向方向并每一個具有至少一個傳感縫隙(27a、27b)的組合并置的磁頭單元(25a,25b)的結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)高磁道密度,每隔一個相鄰磁頭單元的一個磁頭單元的一個傳感縫隙和另一個磁頭單元的一個傳感縫隙位于基本上定向于縱向方向的互不相同的平面(P1、P2)上。
文檔編號G11B5/012GK1181831SQ97190169
公開日1998年5月13日 申請日期1997年2月7日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月8日
發(fā)明者W·福爾凱斯, H·W·范凱斯特恩 申請人:菲利浦電子有限公司