專利名稱：具有自屏蔽一體化導(dǎo)體磁通道陣列的磁頭支承機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與題為“Suspension with Integrated Conductors havingTrimmed Impedance(序列號(hào)為08/720,836，申請(qǐng)日為1996年10月3日)的待批美國(guó)專利申請(qǐng)有關(guān)，所述申請(qǐng)是序列號(hào)為08/621,437申請(qǐng)日為1996年3月25日的美國(guó)專利申請(qǐng)的部分繼續(xù)申請(qǐng)，這里將其公開(kāi)內(nèi)容列為參考文獻(xiàn)。本發(fā)明還與題為“Suspension with Mulit-Layered Integrated Conductor Trace Array for Optimized ElectricalParameters”(序列號(hào)為08/720,833，申請(qǐng)日為1996年10月3日)的待批美國(guó)專利申請(qǐng)有關(guān)，其公開(kāi)內(nèi)容也被列為這里的參考文獻(xiàn)。
總體上說(shuō)，本發(fā)明涉及用于把與磁頭支承組件的撓性件形成一體的磁通道導(dǎo)體陣列的選擇工作回路對(duì)與有害的干擾隔離的結(jié)構(gòu)和方法，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種一體化支承和導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中支承磁通道被設(shè)計(jì)和制造成至少能對(duì)一個(gè)信號(hào)對(duì)提供自屏蔽，屏蔽掉不希望的電磁噪聲(EMI)或射頻干擾(RFI)。
當(dāng)前的磁盤驅(qū)動(dòng)器通常包括一個(gè)旋轉(zhuǎn)的剛性存儲(chǔ)盤和一個(gè)磁頭定位器，用于相對(duì)磁盤旋轉(zhuǎn)軸把數(shù)據(jù)換能器定位在不同的徑向位置處，從而在磁盤的每個(gè)記錄面上形成多個(gè)同心數(shù)據(jù)存儲(chǔ)磁通道。磁頭定位器通常稱為調(diào)節(jié)器。雖然這個(gè)領(lǐng)域內(nèi)已有許多公知的調(diào)節(jié)器結(jié)構(gòu)，但是多個(gè)有序排列的旋轉(zhuǎn)音圈調(diào)節(jié)器現(xiàn)在是最常使用的，原因在于它們結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能好、及關(guān)于它們的轉(zhuǎn)軸的質(zhì)量平衡能力，后一點(diǎn)對(duì)于制造對(duì)擾動(dòng)不敏感的調(diào)節(jié)器尤為重要。在磁盤驅(qū)動(dòng)器中常采用閉環(huán)伺服系統(tǒng)來(lái)操縱音圈調(diào)節(jié)器，并因此相對(duì)磁盤表面而使磁頭定位。
讀/寫換能器可以是單元件或雙元件設(shè)計(jì)，通常放置在具有空氣支撐面的陶瓷滑動(dòng)結(jié)構(gòu)上，用于在離開(kāi)運(yùn)動(dòng)媒體表面的一小段距離處支撐換能器。單一的寫/讀元件設(shè)計(jì)通常需要兩條導(dǎo)線連接，而雙元件設(shè)計(jì)具有分開(kāi)的讀和寫單元，需要四條導(dǎo)線連接。一般說(shuō)來(lái)，磁阻(MR)磁頭尤其需要四條導(dǎo)線?？諝庵位瑒?dòng)與讀/寫換能的結(jié)合也被公知地用作為讀/寫頭或記錄頭。
磁阻感應(yīng)單元可能另外具有所謂的“巨磁阻(giant magneto-resistive-GMR)”或“超磁阻(colossal magneto-resistive-CMR)”特性。這里所用的術(shù)語(yǔ)“磁阻”或“MR”包括GMR和CMR傳感器。從實(shí)質(zhì)上說(shuō)，MR傳感器附近通量變化的磁場(chǎng)引起傳感器阻抗變化。在恒定電流的情況下這種阻抗變化造成電壓變化，一個(gè)讀前置放大電路感應(yīng)此電壓的變化。MR傳感器的實(shí)際特性決定了響應(yīng)磁通量變化的電壓幅度變化值。
各滑塊通常安裝在帶萬(wàn)能換向頭的撓性結(jié)構(gòu)上，該撓性結(jié)構(gòu)附在支承加載臂結(jié)構(gòu)的末端。一個(gè)彈簧將加載臂和磁頭壓向磁盤，而磁頭下面的空氣壓力把磁頭推離磁盤，一個(gè)平衡距離限定“空氣支撐”并確定磁頭空懸高度。利用空氣支撐支承磁頭離開(kāi)磁盤表面，使磁頭以磁頭/磁盤界面的流體動(dòng)力學(xué)方式工作在潤(rùn)滑狀態(tài)下，而不是約束潤(rùn)滑狀態(tài)?？諝庵问箵Q能器和媒體之間保持一定間隔，降低了換能器的效率。然而，避免直接接觸卻大大改善磁頭與磁盤組件的可靠性和使用壽命。不過(guò)表面密度的增加可能要磁頭工作在偽接觸或者竟至是表面潤(rùn)滑接觸狀態(tài)下。
目前，空懸高度在0.5至2微英寸量級(jí)。隨著磁頭接近磁盤存儲(chǔ)表面，磁存儲(chǔ)密度增加。因此，極低的空懸高度可以換取在整個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器合理使用壽命期間設(shè)備的可靠性。同時(shí)，使數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到存儲(chǔ)表面和從存儲(chǔ)表面轉(zhuǎn)移的速率增加，每秒接近200兆位的數(shù)據(jù)速率是可行的。
磁盤驅(qū)動(dòng)器制造業(yè)已經(jīng)很有效地減小滑塊結(jié)構(gòu)的大小和質(zhì)量，以便減小調(diào)節(jié)裝置的運(yùn)動(dòng)質(zhì)量，并使換能器能更接近磁盤表面工作，前者使搜尋性能得以改善，后者使換能器效率得以改善，從而得到更高的表面密度?；瑒?dòng)的大小(因而也是質(zhì)量)通常參照所謂標(biāo)準(zhǔn)100％滑塊即“小型滑塊”(minislider)來(lái)標(biāo)定。因此70％、50％和30％滑塊(分別為“微滑塊”(microslider)、“超小型滑塊”(nanoslider)和“微微滑動(dòng)”(picoslider))屬于最近的低質(zhì)量滑塊，它們的線性尺寸相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)100％滑塊的線性尺寸按適當(dāng)?shù)陌俜直瓤s小。滑塊結(jié)構(gòu)越小通常需要更為協(xié)調(diào)的萬(wàn)向支架，因此，可使附在滑塊上的導(dǎo)線的固有反電容產(chǎn)生明顯的有害偏壓效應(yīng)。
磁盤驅(qū)動(dòng)器中通常用直徑非常小的盤繞固體導(dǎo)線，使滑塊上形成的磁頭元件與其他傳輸和處理信號(hào)的結(jié)構(gòu)相連。盤繞線對(duì)運(yùn)動(dòng)回路的兩個(gè)導(dǎo)體本身與諸如EMI和RFI等噪聲的外部噪聲源屏蔽，這是由于這些導(dǎo)體彼此盤繞的緣故。同軸傳輸線纜也有固有的自屏蔽特性，但是中心的導(dǎo)體相對(duì)外部的柱形屏蔽導(dǎo)體在電氣上是不平衡的。
為了減小這種固有的導(dǎo)線反電容或偏壓的影響，有人提出了制成一體的撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)有效地把導(dǎo)線與絕緣柔性聚合樹(shù)脂撓性件制成一體，以使導(dǎo)體被置于撓性件末端的連接片上，所述撓性件接近磁頭。授予Matsuzaki的US5,006,946美國(guó)公開(kāi)了這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例。授予Bennin等人的US5,491,597美國(guó)專利公開(kāi)了這種結(jié)構(gòu)的另一個(gè)實(shí)例。雖然這種導(dǎo)線結(jié)構(gòu)具有某些性能和結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)，在撓性件和向支架中使用已公開(kāi)的柔性聚合樹(shù)脂材料產(chǎn)生許多設(shè)計(jì)難題。例如，樹(shù)脂材料的熱膨脹特性與現(xiàn)有技術(shù)的不銹鋼結(jié)構(gòu)不同；而且包括各種必要的粘接劑層在內(nèi)的這種樹(shù)脂結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)期耐久性都是未知的。因此，也有人提出了不銹鋼撓性件和導(dǎo)體的混合結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)結(jié)合了一體化的導(dǎo)體折曲系統(tǒng)撓性結(jié)構(gòu)的大部分優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)與現(xiàn)有技術(shù)制作和加載臂連接方法很大程度上保持協(xié)調(diào)一致。這種混合設(shè)計(jì)通常使用具有沉積絕緣層和導(dǎo)電磁通道層的不銹鋼撓性件，用于磁頭與相關(guān)驅(qū)動(dòng)器電子部件的電連接，例如通常把一個(gè)靠近所設(shè)置的前置放大器集成塊和下游處讀通道電路放置在與磁頭/磁盤組件相連的電路板上(以及其它電路)。
如授予Bennin等人的題為“Gimbal Fiexure and ElectricalInterconnect Assembly”的美國(guó)專利US5,491,597所述，它所公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)需在導(dǎo)體磁通道層中使用彈性材料，如鈹一銅合金，這種合金的電阻比純退火銅高。另一方面，純的退火銅雖然在高頻時(shí)可以有滿意的導(dǎo)電性，也呈現(xiàn)出高的韌性，但沒(méi)有象彈簧那樣的機(jī)械彈性，因此，缺少磁通道連接材料所要求的機(jī)械彈性。采用Bennin等人的方法，在純銅鍍到或沉積到諸如鎳基層上形成的磁通道提供了替代依賴鈹銅合金的磁通道。
這些混合撓性件設(shè)計(jì)采用相對(duì)細(xì)長(zhǎng)平行布置的導(dǎo)體磁通道對(duì)或四根導(dǎo)線，從末端結(jié)合片即撓性件的磁頭固定端延伸到撓性件的近端，以便沿相連支承結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度方向提供從讀/寫頭到前置放大器或讀通道集成塊的導(dǎo)電通道。因?yàn)楣ぷ骰芈返膶?dǎo)電磁通道通常以并列設(shè)置在磁通道陣列的絕緣層上，所以可將磁通道用為拾取天線，但是不能得到盤繞導(dǎo)線對(duì)布置所具有的自屏蔽優(yōu)點(diǎn)。由兩個(gè)并列形成或垂直對(duì)準(zhǔn)的磁通道形成的工作回路對(duì)磁盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)或外的噪聲源，如EMI或RFI敏感。
雖然上述Bennin等人的US5,491,597專利包括圖6-8所示的實(shí)施例，該實(shí)施例需要使用磁通道堆疊形成多層磁通道陣列，以便處理大量信號(hào)，但是在Bennin等人專利中，在給出所需要屏蔽，使所選磁通道對(duì)信號(hào)回路屏蔽開(kāi)噪聲的方法中指示或建議設(shè)置多信號(hào)回路的導(dǎo)體磁通道。
本發(fā)明特別提供了一種用作磁驅(qū)動(dòng)器的支承件的撓性件，它包括多層一體化的導(dǎo)體陣列設(shè)置，用以為所選的工作回路對(duì)提供對(duì)外部噪聲源的自屏蔽。
本發(fā)明總的目的在于提供一種尺寸小、耐用、可靠性高的支承裝置，該裝置具有自屏蔽一體化的導(dǎo)體磁通道陣列，用于讀/寫頭與相關(guān)讀/寫電路之間的電連接，該裝置克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和不足。
自屏蔽的一體化撓性體/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)支持臨近存儲(chǔ)媒體的多元讀/寫磁頭/滑塊裝置，并使磁頭的讀元件與讀電路電連接，以及使磁頭的寫元件與寫電路電連接。撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)通常包括一個(gè)具有向支架的平面導(dǎo)電柔性元件，用于支撐讀/寫磁頭/滑塊結(jié)構(gòu)，使之接近相對(duì)運(yùn)動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤位置，沉積在柔性元件的第一絕緣層；形成連接寫元件與寫電路的寫信號(hào)通道的電磁通道，該磁通道沉積在第一電絕緣層上；形成連接讀元件與讀電路的讀信號(hào)通道的電磁通道；以及磁通道屏蔽結(jié)構(gòu)，它包括在一體化撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，用于在從存儲(chǔ)媒體上讀數(shù)據(jù)時(shí)在讀數(shù)據(jù)過(guò)程中電屏蔽讀通道。
按照本發(fā)明的一種情況，構(gòu)成讀通道的電磁通被形成于第一電絕緣層上，與構(gòu)成寫通道的磁通道大體呈平行縱向?qū)?zhǔn)，磁通道屏蔽結(jié)構(gòu)由包括在寫通道內(nèi)的電磁通道構(gòu)成。在這種情況下，在讀數(shù)據(jù)操作期間寫電路把寫通道有效接地。在這種情況下，構(gòu)成讀通道的電磁通道最好設(shè)置在構(gòu)成寫通道的電磁通道的內(nèi)部絕緣層上。
按照本發(fā)明的另一種情況，在第一絕緣層上形成第二絕緣層，包括寫通道和形成讀通道的電磁通道的第二層磁通道形成在第二絕緣層上，并被相連且包含寫通道的附加磁通道包圍。作為另一種相關(guān)的情況，可以在第二絕緣層上形成第三絕緣層，包含寫通道的第三層磁通道形成在第三絕緣層上，覆蓋包含讀通道的電磁通道。
按照本發(fā)明的再一種情況，用于存儲(chǔ)和再現(xiàn)信息的磁盤驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器基座；一個(gè)可旋轉(zhuǎn)地安裝在該基座上并由磁盤調(diào)節(jié)器旋轉(zhuǎn)的存儲(chǔ)磁盤；用于支承在存儲(chǔ)磁盤數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面附近的滑塊；一個(gè)雙元磁阻讀/感應(yīng)寫頭用于從存儲(chǔ)面上讀取信息或把信息寫到存儲(chǔ)面上；一個(gè)安裝在基座上的可動(dòng)調(diào)節(jié)器，用于以選擇方式把磁頭相對(duì)存儲(chǔ)面半徑定位；一個(gè)安裝在所述調(diào)節(jié)器上讀前置放大器寫驅(qū)動(dòng)電路，用于與磁頭通信；以及一個(gè)連接調(diào)節(jié)器上的一體化導(dǎo)體支承機(jī)構(gòu)，用于把磁頭支撐在靠近存儲(chǔ)盤位置，并使磁頭和信號(hào)處理裝置電連接，所述支承機(jī)構(gòu)包括一個(gè)大體呈平面狀的導(dǎo)電加載臂結(jié)構(gòu)，它具有靠近調(diào)節(jié)器固定端和在末端用于連接磁頭的萬(wàn)向支架磁頭安裝區(qū)；一個(gè)電絕緣層，它沿磁通道連接區(qū)連接到加載臂結(jié)構(gòu)上；以及至少四個(gè)導(dǎo)體磁通道，靠近加載臂沉積在電絕緣層上，在磁通道驅(qū)動(dòng)器讀操作期間，使各導(dǎo)電磁通道中的兩個(gè)磁通道與雙元磁頭的寫元件與電路連接，并為雙元磁頭的連接讀元件與電路的另兩個(gè)磁通道提供靜電接地屏蔽。
通過(guò)下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述的最佳實(shí)施例將更全面地理解和體會(huì)本發(fā)明的這些和其它目的、優(yōu)點(diǎn)、方面及特性。
附圖中，

圖1是體現(xiàn)本發(fā)明原理的包括具有多層導(dǎo)體磁通道陣列的支承裝置的磁盤驅(qū)動(dòng)器放大平面示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明原理的具有調(diào)頻導(dǎo)體磁通道的一體化撓性體/導(dǎo)體加載臂結(jié)構(gòu)最佳實(shí)施例的放大平面示意圖；圖3是圖2中具有包括調(diào)頻導(dǎo)體陣列的一體化導(dǎo)線加載臂結(jié)構(gòu)的撓性件放大平面圖；圖3A是圖3所示撓性件磁通道陣列的讀/寫頭連接區(qū)的大比例放大平面圖，其中虛線框中示出磁頭滑塊；圖3B是圖3中沿3B-3B線所取剖面的大比例放大的正視圖，用于描述根據(jù)本發(fā)明原理，通過(guò)使用寫工作磁通道對(duì)包圍讀工作回路對(duì)為MR讀傳感器工作回路提供自屏蔽的磁通道陣列結(jié)構(gòu)；圖4是與圖3B實(shí)施例類似的本發(fā)明又一自屏蔽實(shí)施例的大比例放大的剖面正視圖，但其中寫磁通道位于讀磁通道工作回路對(duì)所在中間層上方或下方的層上；圖5是與圖4實(shí)施例類似的本發(fā)明又一自屏蔽實(shí)施例的大比例放大的剖面正視圖；其中寫工作回路磁通道換成靠近撓性件，以便獲得由撓性件提供的對(duì)地平面的平衡電容；圖6是本發(fā)明磁通道連接結(jié)構(gòu)的電路圖，包括磁頭和圖1驅(qū)動(dòng)器的前置放大器/驅(qū)動(dòng)器電路。
參見(jiàn)附圖，在所有附圖中的類似符號(hào)表示類似或相應(yīng)的部件。圖1是硬盤驅(qū)動(dòng)器30的磁頭/磁盤裝置(HDA)的頂示意圖。硬盤驅(qū)動(dòng)器30至少使用一個(gè)加載臂裝置10，該裝置10具有包括使本發(fā)明原理具體化的自屏蔽磁通道互連結(jié)構(gòu)或陣列16的撓性件14。圖1示出具有撓性件14和磁通道互連陣列16的加載臂裝置10應(yīng)用于它的預(yù)設(shè)工作環(huán)境中的情況。
本例中的磁盤驅(qū)動(dòng)器30包括一個(gè)剛性基座32，用以支撐轉(zhuǎn)軸34(及未示出的轉(zhuǎn)軸電機(jī))，轉(zhuǎn)軸34接彎曲箭頭所示方向轉(zhuǎn)動(dòng)至少一個(gè)存儲(chǔ)磁盤36。所述驅(qū)動(dòng)器30還包括一個(gè)旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)裝置40，它以可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式安裝在基座32的支點(diǎn)35上。所述傳動(dòng)裝置40包括一個(gè)音圈42，當(dāng)控制電路(未示出)以選擇方式給音圈42通電時(shí)，音圈42移動(dòng)，從而把傳動(dòng)裝置E型塊44和磁頭臂46(以及加載臂裝置10)置于位在存儲(chǔ)磁盤36表面上的徑向磁通道位置。在磁頭臂46末端的臨近端17處，用比如常規(guī)的球壓模技術(shù)安裝至少一個(gè)加載臂裝置10。
通常(但非必須)，在位于磁盤36之間，將兩個(gè)加載臂裝置10安裝于磁頭臂46上；并且把一個(gè)加載臂裝置10安裝在多個(gè)磁盤36組成的磁盤堆疊的最上磁盤上方和最下磁盤的下方的磁頭臂上，所述多個(gè)磁盤36在轉(zhuǎn)軸34上彼此分開(kāi)。自屏蔽磁通道互連結(jié)構(gòu)16與可變形的磁通道/薄膜片50相連，所述磁通道/薄膜片50伸向安裝于E型塊44一側(cè)的陶瓷混合電路基底52。陶瓷混合電路52安裝并連到讀前置放大器/寫驅(qū)動(dòng)器集成塊或集成電路54上。集成塊54最好位于混合電路52的陶瓷基底與E型塊一側(cè)壁之間，并用適宜的導(dǎo)電粘接劑或?qū)峄衔锕潭ㄔ谠搨?cè)壁上，以便經(jīng)傳導(dǎo)而使集成塊54工作時(shí)產(chǎn)生的熱量消散于E型塊中，以及經(jīng)對(duì)流向外傳至周圍空氣中。
如圖2、3、3A和3B所示，加射射束裝置10包括一個(gè)由不銹鋼加載臂件12和撓性件14組成的平面。本例中的撓性件14由比如厚約20微米的薄不銹鋼板制成。由厚約10微米的銅導(dǎo)體形成的西對(duì)導(dǎo)體磁通道60和62的陣列構(gòu)成部分磁通道互連結(jié)構(gòu)16，所述磁通道互連結(jié)構(gòu)16自撓性件14的臨近端17伸向另一連接墊片陣列22，所述連接墊片陣列22位于加載臂裝置10的滑塊支承端18處。換能頭滑塊20以適宜的粘合劑在加載臂裝置10末端18處附著于框架15上。如圖3B所示，在末端18處設(shè)置四個(gè)連接墊片22，采用比如超聲焊接金球連接與滑塊20主體末端形成的雙元(四個(gè)導(dǎo)體)薄膜磁阻讀/寫頭結(jié)構(gòu)(未示出)的四個(gè)直線設(shè)置的連接墊片相連。雖然并非必須，但滑塊20主體最好是一個(gè)30％滑塊。
磁通道互連結(jié)構(gòu)16包括絕緣性能高的聚酰亞胺膜基底25，它介于導(dǎo)體陣列16的兩個(gè)導(dǎo)體磁通道對(duì)60A-60B和62A-62B與不銹鋼撓性件14之間。運(yùn)行的磁通道對(duì)60A-60B與MR讀單元70相連，運(yùn)行的磁通道對(duì)62A-62B與讀/寫頭結(jié)構(gòu)的薄膜電感寫單元72相連。絕緣層25最好厚約10微米。依照本發(fā)明的原理，構(gòu)成MR讀單元工作回路的磁通道對(duì)60A-60B在單一磁通道平面內(nèi)被寫單元工作電路磁通道對(duì)62A和62B圍繞。因?yàn)樵贛R讀單元工作時(shí)，寫磁通道不承載寫電流，所以寫磁通道可用以提供必要的屏蔽。按圖3B的布置，在驅(qū)動(dòng)器30的讀工作模式期間，必須使讀磁通道62A和62B相對(duì)撓性件14的電接地面保持低阻抗，以便對(duì)讀單元工作回路對(duì)60A-60B提供有效的靜電(法拉第)屏蔽。因此，在磁盤驅(qū)動(dòng)器30讀工作模式期間，前置放大器/驅(qū)動(dòng)器集成塊54在寫磁通道62A和62B上提供對(duì)電接地面的低阻抗通道，以便當(dāng)讀通道磁通道60A-60B上的信號(hào)為低電平，且易于拾取不希望有的外部噪聲信號(hào)時(shí)，在讀數(shù)據(jù)操作期間寫磁通道有效地接地。
如果磁通道導(dǎo)體組成多層磁通道陣列，則如圖4和5所示，靜電屏蔽變得更為容易。
圖4的方案示出了寫工作回路可被分為位于多層磁通道互連陣列16A的多層中的多個(gè)磁通道。多個(gè)寫回路磁通道設(shè)在多層互連陣列16A中，用于圍繞并靜電屏蔽MR寫單元工作回路對(duì)60A-60B。在圖4的方案中，寫回路導(dǎo)體62A分為四個(gè)并聯(lián)磁通道62A1、62A2、62A3和62A4；另一個(gè)寫工作回路導(dǎo)體62B也分為四個(gè)并聯(lián)磁通道62B1、62B2、62B3和62B4。如果比如由撓性件14提供的接地面離開(kāi)一段距離，例如使用上面提到的Bennin等人的專利US5,491,597中那么遠(yuǎn)的距離，則圖4的設(shè)置就尤其有用。如果電接地面很近，而且如果電源及工作回路的返回線路對(duì)地面的電容需要平衡，那么圖5中提出的多層磁通道互連陣列16B對(duì)讀工作回路對(duì)60A-60B提供自屏蔽結(jié)構(gòu)，同時(shí)還提供寫回路對(duì)62A和62B對(duì)金屬撓性件14所提供的接地面的平衡電容。
在圖5和6的磁通道互連陣列16B中，由薄的鋼撓性件14提供接地面。磁通道互連陣列16B形成于絕緣層25上，包括6個(gè)寫回路磁通道，其中磁通道62A1、62A2和62A3并聯(lián)形成導(dǎo)通通路62A；磁通道62B1、62B2和62B3并聯(lián)形成導(dǎo)通通路62B。磁通道62B1和62B2位于最內(nèi)層(或圖6所示的最低層)，與絕緣層25及撓性件14相臨。磁通道62A3和62B2分別與62B1和62A1縱向及橫向?qū)?zhǔn)。因此，磁通道62A3在磁通道62B1的正上方，磁通道62B2在磁通道62A1的正上方。這種結(jié)構(gòu)可以有效地產(chǎn)生兩個(gè)寫回路62A和62B對(duì)地的平衡電容。另外的寫回路對(duì)磁通道單元62A2和62B3在中間磁通道層圍繞讀回路60A-60B。由圖5可以看出，接近絕緣層25的最里層寫磁通道對(duì)單元62A1、62B1和最外層或最上層的單元62A3和62B2的寬度約為讀磁通道對(duì)60A-60B的兩倍。可調(diào)整磁通道寬度，以達(dá)到所需的電阻抗特性，就像上述已授權(quán)專利中所述的那樣。
對(duì)于圖3的磁通道互連陣列16，圖4和5的磁通道互連陣列16A和16B，各自需要讀前置放大器/寫驅(qū)動(dòng)器集成塊54在讀數(shù)操作期間有效地接地寫磁通道通道62A-62B，以使寫磁通道起靜電屏蔽作用保護(hù)讀通道磁通道。圖6表示一種接地設(shè)置。圖6中的讀磁通道導(dǎo)體60A-60B從MR讀元件70伸向前置放大器/驅(qū)動(dòng)器集成塊54的前置放大器55a，寫磁通道導(dǎo)體62A-62B從集成塊54的驅(qū)動(dòng)器55b伸向電感寫元件72。當(dāng)磁頭70讀取記錄在存儲(chǔ)磁盤36上的低電平磁通量時(shí)，在讀操作過(guò)程中，集成塊54中的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)74使寫導(dǎo)體62A和62B有效接地。圖6中示意地示出接地端66，還包括繞性件14。
磁通道互連陣列16通常采用任何適宜的圖樣成形方法被制成，或者通過(guò)光刻法和選擇蝕刻法，或者通過(guò)選擇用粘接劑將導(dǎo)體磁通道沉積壓制或附著到絕緣層上等等?？稍诖磐ǖ阑ミB陣列16、16A和16B的最外層磁通道層上提供絕緣材料的保護(hù)膜，以防止磁通道被腐蝕或被氧化，和/或?yàn)榻Y(jié)構(gòu)提供所希望的機(jī)械性能。
雖然上面以目前的最佳實(shí)施例方式介紹了本發(fā)明，也即沉積的導(dǎo)體撓性件結(jié)構(gòu)給出一個(gè)萬(wàn)向接頭，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)能理解，本發(fā)明也可以結(jié)合起來(lái)使用，比如與一個(gè)一體化的萬(wàn)向接頭加載臂結(jié)構(gòu)，或其它具有類似安裝、沉積或掩埋帶或不帶絕緣保護(hù)層的導(dǎo)體的導(dǎo)電支承元件結(jié)合使用。因此，應(yīng)能理解，不可把本說(shuō)明書解釋為限定的方式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀上述公開(kāi)之后，可以容易地想到各種改型和變化。因此，應(yīng)將所附各權(quán)利要求解釋為涵蓋落入本發(fā)明精神實(shí)質(zhì)和范圍的各種變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種自屏蔽一體化的撓性體/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，用以將多元讀/寫磁頭/滑塊裝置支撐于靠近存儲(chǔ)媒體，使磁頭讀元件與讀電路電連接，以及使磁頭寫元件與寫電路電連接，所述撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一個(gè)大致呈平面狀的導(dǎo)電撓性件，它具有萬(wàn)向支架，用以將讀/寫磁頭/滑塊結(jié)構(gòu)支撐于靠近相對(duì)運(yùn)動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤；沉積在所述撓性件上的第一絕緣層；多個(gè)電磁通道構(gòu)成沉積的第一絕緣層上的連接寫元件與寫電路的寫信號(hào)通道；多個(gè)電磁通道構(gòu)成連接讀元件與讀電路的讀信號(hào)通道；和磁通道屏蔽裝置，它包括在所述一體化撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，用以在從存儲(chǔ)媒體讀取數(shù)據(jù)地情況下，于讀取數(shù)據(jù)的操作過(guò)程中屏蔽讀通道。
2.如權(quán)利要求1所述的自屏蔽一體化撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成讀通道的電磁通道形成于第一絕緣層上，與構(gòu)成寫通道的磁通道實(shí)質(zhì)上平行地縱向?qū)?zhǔn)；而且所述磁通道屏蔽裝置由寫通道中所包括的電磁通道構(gòu)成，還包括在讀數(shù)據(jù)操作過(guò)程中使寫通道有效接地的裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的自屏蔽一體化撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，構(gòu)成讀通道的電磁通道被布置在構(gòu)成寫通道的電磁通道的絕緣層內(nèi)側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的自屏蔽一體化撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第二絕緣層，它形成于第一絕緣層上；還包括由寫通道構(gòu)成的第二層磁通道；構(gòu)成讀通道的電磁通道形成于第二絕緣層上，并被與附帶包含寫通道相連的附加磁通道封閉。
5.權(quán)利要求4所述的自屏蔽一體化撓性件/導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括第三絕緣層，它形成于第二絕緣層上，而且包含寫通道的第三層磁通道被形成于覆蓋構(gòu)成讀通道的電磁通道的第三絕緣層上。
6.一種存儲(chǔ)和再現(xiàn)信息的磁盤驅(qū)動(dòng)器，它包括磁盤驅(qū)動(dòng)器基座；一個(gè)存儲(chǔ)磁盤，它可轉(zhuǎn)地安裝在所述基座上，并由磁盤電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)；一個(gè)滑塊，它空懸于雙元磁阻讀/電感寫磁頭內(nèi)，用以自存儲(chǔ)磁盤讀取信息和將信息寫于其上；一個(gè)安裝在基座上的可動(dòng)傳動(dòng)裝置，它以選擇方式相對(duì)存儲(chǔ)磁盤半徑定位磁頭；一個(gè)讀前置放大器/寫驅(qū)動(dòng)器電路，它安裝在所述傳動(dòng)裝置上，用以與磁頭通信；和一個(gè)一體化的導(dǎo)體支承機(jī)構(gòu)，它連到所述傳動(dòng)裝置上，用以將磁頭支撐于靠近存儲(chǔ)磁盤的位置處并以選擇方式使磁頭與信號(hào)處理裝置相連，所述支承機(jī)構(gòu)包括一個(gè)大體呈平面狀的導(dǎo)電加載臂結(jié)構(gòu)，它有一個(gè)靠近傳動(dòng)機(jī)構(gòu)安裝的端頭和在末端裝附磁頭用的萬(wàn)向支架磁頭安裝區(qū)；一個(gè)絕緣層，它沿磁通道互連區(qū)附著于加載臂結(jié)構(gòu)上，以及至少四個(gè)導(dǎo)電磁通道，它們沉積于臨近加載臂的電絕緣層上，使導(dǎo)電磁通道中的兩個(gè)磁通道將雙元磁頭的寫元件與電路相連，并對(duì)在磁盤驅(qū)動(dòng)器工作期間使雙元磁頭的讀元件與電路相連的另外兩個(gè)磁通道提供靜電接地屏蔽。
7.如權(quán)利要求6所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述讀前置放大器/寫驅(qū)動(dòng)電路被裝于可動(dòng)傳動(dòng)裝置一側(cè)。
8.如權(quán)利要求6所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述讀前置放大器/寫驅(qū)動(dòng)器電路包括耦合裝置，在磁盤驅(qū)動(dòng)器讀操作期間用于耦接被連接到寫元件以接地的各導(dǎo)電磁通道。
9.如權(quán)利要求6所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述加載臂結(jié)構(gòu)包括一個(gè)大體呈平面狀的導(dǎo)電撓性件，它有一萬(wàn)向支架，用以將磁頭支撐在靠近相對(duì)運(yùn)動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤；沉積在所述撓性件上的第一絕緣層；和沉積在第一絕緣層上的電磁通道。
10.如權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，在第一絕緣層上形成與讀元件相連的電磁通道，基本上平行地與連接到寫通道上的磁通道縱向?qū)?zhǔn)。
11.如權(quán)利要求10所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，構(gòu)成讀通道的電磁通道設(shè)在形成寫通道的電磁通道內(nèi)側(cè)的絕緣層上。
12.如權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，還包括第二絕緣層，它形成于第一絕緣層上方，還包括由使寫元件連至電路的寫通路組成的第二層磁通道，使讀元件連到電路的電磁通道形成于第二絕緣層上，并被使寫元件連至電路的附加磁通道所圍繞。
13.如權(quán)利要求12所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，還包括第三絕緣層，它形成于第二電絕緣層上方，使寫元件連至電路的第三層磁通道形成于第三絕緣層上，此第三絕緣層覆蓋使讀元件連至電路的各電磁通道。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種磁頭支承機(jī)構(gòu),它有一體化的自屏蔽磁通道導(dǎo)體陣列,用以支撐雙元讀/寫磁頭,并使之與磁盤驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的電路電氣上互連。寫磁通道位于靠近讀磁通道處,并在讀數(shù)據(jù)操作期間接地,以便在讀數(shù)據(jù)操作期間靜電屏蔽讀磁通道。
文檔編號(hào)G11B5/11GK1197267SQ9712628
公開(kāi)日1998年10月28日 申請(qǐng)日期1997年9月30日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月3日
發(fā)明者阿魯·巴拉克里舍納 申請(qǐng)人:昆騰公司