專利名稱：雙磁性層的高面密度磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁性數(shù)據(jù)的記錄、存儲(chǔ)及讀取，特別涉及可旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)，例如薄膜磁盤。本發(fā)明特別適用于在較低Mrt下表現(xiàn)出高的矯頑磁力及矯頑磁力垂直度的高密度磁記錄介質(zhì)。
薄膜磁記錄盤及磁盤驅(qū)動(dòng)器通常以可磁化形式存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。借助于緊貼磁盤表面浮動(dòng)的磁頭傳感裝置，數(shù)據(jù)被寫入快速旋轉(zhuǎn)的記錄盤，或從記錄盤上被讀取。隨著對高面記錄密度要求的逐步上升，以及磁盤驅(qū)動(dòng)器越來越小，在矯頑磁力、剩余矯頑磁力垂直度、低介質(zhì)噪聲及窄軌記錄性能方面對薄膜磁記錄介質(zhì)提出了越來越迫切的需求。為了生產(chǎn)具有較高記錄密度，并且滿足這樣的需求，尤其是用于縱向記錄的磁記錄介質(zhì)，在過去的幾年中已進(jìn)行了很多努力。


圖1描述了一種普通的縱向記錄介質(zhì)，它包括基體10，一般為鋁(Al)合金，例如鍍有一層非晶態(tài)鎳-磷(NiP)的鋁-鎂(Al-Mg)合金。備選基體包括玻璃、玻璃-陶瓷材料及石墨?；w10通常含有在其上順序沉積的鉻(Cr)或鉻合金墊層11、鈷(Co)基合金磁性層12、保護(hù)性碳涂層13及潤滑劑外涂層14。鉻墊層11、鈷基合金磁性層12及保護(hù)性碳涂層通常采用濺射技術(shù)沉積。一般的鋁合金基體上帶有鎳磷(NiP)鍍層，主要用于增加鋁基體的硬度，另外作為拋光用的適宜表面，以提供必需的表面粗糙度或織構(gòu)，該織構(gòu)將在磁盤表面上基本再現(xiàn)。
最近幾年，為了獲得高面記錄密度，進(jìn)行了許多努力。認(rèn)識到影響記錄密度的主要因素是剩磁(Mr)、矯頑磁力、矯頑磁力垂直度(S*)、信/噪比及浮動(dòng)高度，浮動(dòng)高度是讀/寫磁頭在旋轉(zhuǎn)磁盤上的浮動(dòng)距離。以前使用的增大縱向記錄的面記錄密度的方法包括Teng等人的美國專利5,462,796號中公開的用非磁性層分隔的雙磁性層，及Lal等人的美國專利5,432,012號中公開的用介于兩個(gè)磁性層之間的梯度磁性層。
據(jù)報(bào)道，在標(biāo)準(zhǔn)8.89厘米(3.5英寸)硬盤驅(qū)動(dòng)器上獲得面密度為0.31千兆位/平方厘米(2千兆位/平方英寸)的磁記錄介質(zhì)要?dú)w因于磁頭、記錄介質(zhì)、定位及信號處理技術(shù)的進(jìn)步。Futamoto等人的“Investigation 6f 2Gb/in2Magnetic Recording at a Track Density of 17kTPI”,IEEE Transactions on Magnetics,Vol.27,No.6,1991年11月，第5280-5285頁。Futamoto等人報(bào)道的磁記錄介質(zhì)包括玻璃基體及在其上順序形成的鉻墊層，飽和磁化強(qiáng)度(Ms)較低，磁性各向同性的第一磁性層包括鈷、鉻、鉑及硅，在第一磁性層上沉積的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)較高，磁性各向同性的含有鉻及鉑的第二鈷層，以及碳涂層。
但是仍然難以獲得面記錄密度約為1.55千兆位/平方厘米(10千兆位/平方英寸)的硬磁盤磁記錄介質(zhì)。據(jù)報(bào)道，為了獲得1.55千兆位/平方厘米(10千兆位/平方英寸)的記錄密度，需要在介質(zhì)技術(shù)方面取得進(jìn)展。Murdock“Roadmap for 10Gbit/in2MediaChallenges”,IEEETransactions on Magnetics,Vol.28,No.5,1992年9月，第3078-3083頁。Murdock的結(jié)論是需要革命性的進(jìn)步。盡管現(xiàn)有的幾種介質(zhì)系統(tǒng)有希望，但是它們在可實(shí)際應(yīng)用之前，仍有許多工作需要完成。
Kodama的日本專利5-114128號及Tsuboi的日本專利5-109041號也公開了雙磁性層介質(zhì)，其中磁性層表現(xiàn)出不同的矯頑磁力。Morita等人的美國專利4,642,270號，Chezel等人的美國專利3,508,887號，Eggenberger等人的美國專利3,047,423及Nakashima等人的美國專利4,622,273號也公開了雙層磁記錄介質(zhì)，后者的目的是一種用于垂直磁化的記錄介質(zhì)。
因此，需要一種面記錄密度大于0.31千兆位/平方厘米(2千兆位/平方英寸)，例如處于1.55千兆位/平方厘米(10千兆位/平方英寸)量級，最好達(dá)到3.1千兆位/平方厘米(20千兆位/平方英寸)，表現(xiàn)出高的矯頑磁力及矯頑磁力垂直度，及較低Mrt(剩磁×厚度)，可用作使用GMR(巨磁阻)磁頭的磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有高面記錄密度、高矯頑磁力及矯頑磁力垂直度、和低Mrt的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種面密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸)、高矯頑磁力及矯頑磁力垂直度、和低Mrt的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的其它目的和特征將在后面的說明中陳述，它對于那些對本技術(shù)領(lǐng)域具有一般知識的人來說，具有研究或從本發(fā)明的實(shí)踐中學(xué)到知識是顯而易見的。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可從權(quán)利要求中具體描述中認(rèn)識和獲得。
根據(jù)本發(fā)明，前述及其它目的部分由磁記錄介質(zhì)，包括非磁性基體；在基體上形成的鉻或鉻合金墊層；在鉻或鉻合金墊層上順序形成的多個(gè)磁性層來實(shí)現(xiàn)的，該磁記錄介質(zhì)的面密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
本發(fā)明的另一個(gè)特征是這種磁記錄介質(zhì)包括一個(gè)非磁性基體；一個(gè)在基體上形成的鉻或鉻合金墊層；一個(gè)在鉻或鉻合金墊層上形成的磁性各向異性的第一磁性層；和直接在第一磁性層上形成的磁性各向同性的第二磁性層。該磁記錄介質(zhì)的面密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
本發(fā)明的再一個(gè)特征是這種磁記錄介質(zhì)包括一個(gè)非磁性基體；一個(gè)在基體上形成的鉻或鉻合金墊層；一個(gè)在鉻或鉻合金墊層上形成的，包括含有鉻和鉭的鈷基合金的磁性各向異性的第一磁性層；以及直接在第一磁性層上形成的，包括含有鉻、鉑及鉭的鈷基合金的磁性各向同性的第二磁性層，該磁記錄介質(zhì)的面密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
本發(fā)明的另一個(gè)特征是這種磁記錄介質(zhì)包括一個(gè)非磁性基體；一個(gè)在基體上形成的鉻或鉻合金墊層；一個(gè)在鉻或鉻合金墊層上形成的磁性各向異性的第一磁性層；一個(gè)直接在第一磁性層上形成的磁性各向同性的第二磁性層；一個(gè)在第二磁性層上形成的鉻或鉻合金第一中間層；一個(gè)在第一中間層上形成的磁性各向異性的第三磁性層；以及一個(gè)直接在第三磁性層上形成的磁性各向同性的第四磁性層。該磁記錄介質(zhì)的面密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
本發(fā)明的另一個(gè)特征是這種磁記錄介質(zhì)包括一個(gè)非磁性基體；一個(gè)在基體上形成的鉻或鉻合金墊層；一個(gè)在鉻或鉻合金墊層上形成的磁性各向異性的第一磁性層；一個(gè)直接在第一磁性層上形成的磁性各向同性的第二磁性層；一個(gè)在第二磁性層上形成的鉻或鉻合金第一中間層；一個(gè)在第一中間層上形成的磁性各向異性的第三磁性層；一個(gè)直接在第三磁性層上形成的磁性各向同性的第四磁性層；一個(gè)在第四磁性層上形成的鉻或鉻合金第二中間層；一個(gè)在第二中間層上形成的磁性各向異性的第五磁性層；以及一個(gè)直接在第五磁性層上形成的磁性各向同性的第六磁性層。該磁記錄介質(zhì)的面密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的人員可根據(jù)下面詳細(xì)說明中的實(shí)施例，將會(huì)很容易地發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的其它目的及優(yōu)點(diǎn)。在不脫離本發(fā)明的精神，本發(fā)明還能夠以其它實(shí)施例實(shí)現(xiàn)，并且對其若干細(xì)節(jié)可作明顯修改。附圖及說明只是對本發(fā)明原理的說明，因此本發(fā)明不僅局限于此。
圖1所示為現(xiàn)有磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖2所示為根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖4所示為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。
圖5所示為根據(jù)本發(fā)明的雙磁性層的疊加磁滯曲線和翻轉(zhuǎn)磁場分布(SFD)。
圖6所示為本發(fā)明的雙層磁記錄介質(zhì)的矯頑磁力對磁性層的總Mrt的關(guān)系曲線。
圖7所示為圖2實(shí)施例的雙磁性層介質(zhì)的S*及SFD對總Mrt的關(guān)系曲線。
本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，它具有用于縱向記錄的高面記錄密度，及在較低Mrt下具有高的矯頑磁力和S*，其面記錄密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸)。獲得這樣的高面記錄密度和理想磁性能的關(guān)鍵是應(yīng)用雙磁性層。
根據(jù)本發(fā)明，形成的一種記錄介質(zhì)至少包括一對順序形成的磁性層磁。在一個(gè)實(shí)施例中，在非磁性基體上沉積一個(gè)鉻或鉻合金墊層，在鉻或鉻合金墊層上沉積磁性各向異性的第一磁性層，并在第一磁性層上直接形成磁性各向同性的第二磁性層。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的各個(gè)磁性層的沉積厚度一般均為5到200埃，構(gòu)成第一對磁性層的第一和第二磁性層均為大體上單一的矯頑磁力。根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米，例如當(dāng)面記錄密度約為0.775-1.55千兆位/平方厘米(5-10千兆位/平方英寸)時(shí)，Mrt約為0.40-0.50memu/平方厘米。本發(fā)明易于提供面記錄密度約為1.55千兆位/平方厘米(10千兆位/平方英寸),Mrt約為0.40memu/平方厘米，矯頑磁力大于3000奧斯特，及S*約為0.70-0.95的磁記錄介質(zhì)。
采用本發(fā)明的雙磁性層獲得高面記錄密度、高矯頑磁力和S*、以及低Mrt的原因尚不清楚。但是人們相信這種高面記錄密度及有益的磁性能是由于采用了一對磁性合金層而引起的，該磁性合金層包括直接在磁性各向異性層上沉積的磁性各向同性層，這對磁性層均表現(xiàn)出矯頑磁力。當(dāng)定向比，即切向矯頑磁力和徑向矯頑磁力之比大于1時(shí)，存在磁性各向異性狀態(tài)。當(dāng)定向比約為1時(shí)，則存在磁性各向同性狀態(tài)。
本發(fā)明的磁性層可用常規(guī)的磁性材料形成，例如鈷基合金。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，磁性各向異性的第一磁性層包括鈷或鈷、鉻及鉭的合金(CoCrTa)。磁性各向同性的第二磁性層包括鈷基合金層，例如鈷-鉻-鉑合金(CoCrPt)或鈷-鉻-鉑-鉭合金(CoCrPtTa)。
根據(jù)本發(fā)明，在基體和第一磁性層之間形成一個(gè)墊層。墊層包括鉻或諸如鉻-釩(CrV)、或鉻-鈦(CrTi)之類的鉻合金、摻氧的鉻(CrOx)、鎢(W)或鎢合金。生產(chǎn)磁記錄介質(zhì)通常用的各種基體的任一種均可用在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中。這樣的常規(guī)基體包括鍍鎳磷(NiP)的鋁合金、玻璃、玻璃-陶瓷及導(dǎo)電石墨之類的碳基體。通常通過對玻璃表面進(jìn)行加熱處理，在其上形成一薄層結(jié)晶陶瓷來制成玻璃-陶瓷材料。為了獲得高的矯頑磁力，最好使用導(dǎo)電石墨。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，鍍鎳磷(NiP)的鋁-鎂合金被用作基體。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)一般包括一個(gè)位于磁性層上的碳涂層，及碳涂層上的一個(gè)潤滑劑外涂層。鉻或鉻合金墊層、磁性層及碳涂層都可用常規(guī)的方法涂覆，例如生產(chǎn)磁記錄介質(zhì)中采用的各種濺射技術(shù)中的任一種。
在如圖1中描述的普通磁記錄介質(zhì)中，一般在Mrt為0.8-1.1memu/平方厘米附近，矯頑磁力最大。當(dāng)Mrt從矯頑磁力最大值降低時(shí)，矯頑磁力和S*急劇降低，簡直不夠磁記錄介質(zhì)需要的大于0.465千兆位/平方厘米(3千兆位/平方英寸)的面記錄密度。根據(jù)本發(fā)明，獲得了一種面記錄密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸)的磁記錄介質(zhì)，它在約0.30-0.60memu/平方厘米的較低Mrt下，例如對于約為0.775-1.55千兆位/平方厘米(5-10千兆位/平方英寸)的面密度來說，Mrt約為0.40-0.50memu/平方厘米，具有高的矯頑磁力和S*。
為了獲得高的面密度，必須形成低Mrt的磁記錄介質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種在高矯頑磁力下表現(xiàn)出低Mrt的磁記錄介質(zhì)，從而可實(shí)現(xiàn)0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸)的面密度，如下表1所示。
表1

圖2描述了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)，它包括基體20(例如鍍鎳磷(NiP)的鋁-鎂)、厚度適當(dāng)，例如100埃-2000埃的墊層21(例如鉻或鉻合金)。在墊層21上形成一對磁性層，該對磁性層包括磁性各向異性的第一磁性層22(例如鈷鉻鉭(CoCrTa)合金)，及直接沉積在第一磁性層22上的磁性各向同性的第二磁性層23(例如鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)合金)。在第二磁性層23上順序沉積碳涂層24及潤滑劑外涂層25。碳涂層的沉積厚度適當(dāng)，例如約為75-200埃。潤滑劑外涂層的沉積厚度適當(dāng)，例如約為10-30埃。磁性層22及23的厚度均約為5-200埃。磁性層22及23都表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，在第一對磁性層上沉積第二對磁性層，在第一對磁性層和第二對磁性層之間有鉻或鉻合金中間層。每對磁性層都包括一個(gè)直接在磁性各向異性層上沉積的磁性各向同性層。圖3為這種實(shí)施例的一個(gè)例子，它包括基體30(一般為鍍鎳磷(NiP)的鋁-鎂)、墊層31(例如鉻或鉻合金)、在墊層31上形成的磁性各向異性的第一磁性層32(例如鈷鉻鉭(CoCrTa)合金)，以及直接在第一磁性層32上形成的磁性各向同性的第二磁性層33(例如鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)合金)。根據(jù)圖3的實(shí)施例，在第一對雙磁性層32及33上形成中間層34(例如鉻或鉻合金層)。鉻中間層34的厚度可約為5-100埃。隨后在中間層34上形成第二對磁性層，它包括磁性各向異性的第三磁性層35(例如鈷鉻鉭(CoCrTa)合金)，以及直接在第三磁性層35上形成的磁性各向同性的第四磁性層36(例如鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)合金)。如圖2所示，在磁性層上順序形成碳涂層37及潤滑劑外涂層38。
圖3實(shí)施例的各個(gè)磁性層32、33、35及36的厚度均約為5-200埃。第一磁性層32及第二磁性層33一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力，第三磁性層35及第四磁性層36一起也表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。墊層31、碳涂層37及潤滑劑外涂層38的厚度可和圖2實(shí)施例中相應(yīng)層的厚度相同。
在圖3所示的包括兩對磁性層的實(shí)施例中，鉻中間層34會(huì)減小介質(zhì)噪聲及S*。但是，第二對磁性層35及36會(huì)增大矯頑磁力及S*。如果S*太低，則讀回信號及重寫性能將受到影響。如果S*太高，則會(huì)增大介質(zhì)噪聲。通過形成中間層34及第二對磁性層35和36，優(yōu)化了介質(zhì)性能。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，形成了三對磁性層，在層與層之間沉積有中間層。圖4示出了該實(shí)施例，它包括基體40(一般為鍍鎳磷(NiP)的鋁-鎂)、墊層41(一般為鉻或鉻合金)。第一對磁性層包括磁性各向異性的第一磁性層42(例如鈷鉻鉭(CoCrTa)合金)，及直接在第一磁性層42上沉積的磁性各向同性的第二磁性層43(例如鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)合金)。在第二磁性層43上形成第一中間層44(例如鉻或鉻合金層)。隨后順序沉積第二對磁性層，它包括磁性各向異性的第三磁性層45(例如鈷鉻鉭(CoCrTa)合金)，及直接在第三磁性層45上沉積的磁性各向同性的第四磁性層46(例如鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)合金)。在第四磁性層46上沉積第二中間層47(例如鉻或鉻合金層)。隨后沉積第三對磁性層，它包括磁性各向異性的第五磁性層48(例如鈷鉻鉭(CoCrTa)合金)，及直接在第五磁性層48上沉積的磁性各向同性的第六磁性層49(例如鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)合金)。如圖2和圖3的實(shí)施例中所示，可涂覆碳涂層50及潤滑劑外涂層51。
磁性層42、43、45、46、48及49的厚度均約為5-200埃。第一磁性層42及第二磁性層43一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力；第三磁性層45及第四磁性層46一起也表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力；并且第五磁性層48及第六磁性層49一起也表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。各中間層44及47的厚度約為5-100埃。墊層41、碳涂層50及潤滑劑外涂層51的厚度可和圖2實(shí)施例中相應(yīng)層的厚度相同。
本發(fā)明的雙層結(jié)構(gòu)能夠獲得約0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸)的面記錄密度。每一對磁性層包括一個(gè)直接在磁性各向異性層上沉積的磁性各向同性層，每一磁性層具有適當(dāng)?shù)暮穸?，例如約5-200埃，從而每對磁性層都表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。從圖5所示的用振動(dòng)探針式磁強(qiáng)計(jì)(VSM)測量得到的疊加磁滯曲線和SFD可看出，本發(fā)明的雙層結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。
圖2中所示的實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)有鈷鉭(CoCrTa)第一磁性層，以及直接在第一磁性層上沉積的鈷鉻鉑鉭(CoCrPtTa)第二磁性層。基體包括織構(gòu)的鍍鎳磷(NiP)鋁-鎂。在織構(gòu)基體上沉積鉻墊層。圖6表示用VSM及剩余力矩磁強(qiáng)計(jì)(RMM)沿磁盤的圓周方向測得的矯頑磁力對第一及第二磁性層的總Mrt的關(guān)系曲線。顯然在Mrt為0.3-0.6memu/平方厘米的范圍內(nèi)，雙層介質(zhì)的矯頑磁力至少為3000奧斯特。
圖7表示用VSM沿磁盤的圓周方向測得的圖2中描述的本發(fā)明的雙層磁記錄介質(zhì)實(shí)施例的S*及SFD對總Mrt的關(guān)系曲線。顯然即使Mrt為0.30memu/平方厘米時(shí)，S*仍然較高。
這樣，根據(jù)本發(fā)明提供了一種面記錄密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸)，至少為2500奧斯特，一般大于3000奧斯特的高矯頑磁力，及一般為0.70-0.95的高S*的磁記錄介質(zhì)，根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)可應(yīng)用于使用GMR磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)并不限于任何特定的基體材料、墊層、中間層、保護(hù)涂層或潤滑劑層，也不限于任何特定的磁性合金。
這里僅表示出和描述了有關(guān)本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例及其少數(shù)幾個(gè)多用性的例子。本發(fā)明還可以用在各種其它組合和環(huán)境，并且可在本文表述的發(fā)明原理的范圍內(nèi)作各種變更或修改。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于它包括非磁性基體；在基體上形成的鉻或鉻合金墊層；及在鉻或鉻合金墊層上順序形成的多個(gè)磁性層；其中該磁記錄介質(zhì)的面記錄密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
2.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于面記錄密度約為0.465-1.55千兆位/平方厘米(3-10千兆位/平方英寸),Mrt約為0.40-0.60memu/平方厘米。
3.按照權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于面記錄密度約為0.775-1.55千兆位/平方厘米(5-10千兆位/平方英寸),Mrt約為0.40-0.50memu/平方厘米。
4.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它包括在鉻或鉻合金墊層上形成的第一磁性層，以及直接在第一磁性層上形成的第二磁性層。
5.按照權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一磁性層是磁性各向異性的，第二磁性層是磁性各向同性的。
6.按照權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。
7.按照權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。
8.按照權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二磁性層的厚度均約為5-200埃。
9.按照權(quán)利要求7所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二磁性層均包括鈷。
10.按照權(quán)利要求9所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一磁性層基本上由鈷組成。
11.按照權(quán)利要求9所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一磁性層包括含有鉻和鉭的鈷基合金。
12.按照權(quán)利要求11所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第二磁性層包括含有鉻和鉑的鈷基合金。
13.按照權(quán)利要求11所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第二磁性層包括含有鉻、鉑及鉭的鈷基合金。
14.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于基體包括鍍鎳-磷的鋁、鍍鎳-磷的鋁基合金、玻璃或玻璃陶瓷材料。
15.按照權(quán)利要求14所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括第二磁性層上的碳涂層，及碳涂層上的潤滑劑外涂層。
16.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于矯頑磁力大于約2500奧斯特，矯頑磁力垂直度約為0.70-0.95。
17.按照權(quán)利要求16所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于矯頑磁力約為3000-3500奧斯特。
18.按照權(quán)利要求5所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在第二磁性層上的鉻或鉻合金第一中間層；在第一中間層上形成的磁性各向異性的第三磁性層；及直接在第三磁性層上形成的磁性各向同性的第四磁性層。
19.按照權(quán)利要求18所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在非磁性基體上形成的鉻墊層；在第四磁性層上形成的碳涂層；及在碳涂層上形成的潤滑劑外涂層。
20.按照權(quán)利要求18所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力；第三及第四磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力。
21.按照權(quán)利要求20所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一、第二、第三及第四磁性層的厚度均約為5-200埃。
22.按照權(quán)利要求13所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在第二磁性層上形成的鉻或鉻合金第一中間層；在第一中間層上形成的磁性各向異性的第三磁性層，它包括含有鉻和鉭的鈷基合金；及直接在第三磁性層上形成的磁性各向同性的第四磁性層，它包括含有鉻、鉑及鉭的鈷基合金。
23.按照權(quán)利要求22所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在非磁性基體和第一磁性層之間形成的鉻或鉻合金墊層，在第四磁性層上形成的碳涂層，及在碳涂層上形成的潤滑劑外涂層。
24.按照權(quán)利要求18所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在第四磁性層上形成的鉻或鉻合金第二中間層；在第二中間層上形成的磁性各向異性的第五磁性層；及直接在第五磁性層上形成的磁性各向同性的第六磁性層。
25.按照權(quán)利要求24所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在非磁性基體和第一磁性層之間形成的鉻或鉻合金墊層，在第六磁性層上形成的碳涂層，及在碳涂層上形成的潤滑劑外涂層。
26.按照權(quán)利要求24所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力；第三及第四磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力；及第五及第六磁性層一起表現(xiàn)出大體單一的矯頑磁力；
27.按照權(quán)利要求26所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一、第二、第三、第四、第五及第六磁性層的厚度均約為5-200埃。
28.按照權(quán)利要求22所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在第四磁性層上形成的鉻或鉻合金第二中間層；在第二中間層上形成的磁性各向異性的第五磁性層，它包括含有鉻和鉭的鈷基合金；及直接在第五磁性層上形成的磁性各向同性的第六磁性層，它包括含有鉻、鉑及鉭的鈷基合金。
29.按照權(quán)利要求28所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于它還包括在非磁性基體和第一磁性層之間形成的鉻或鉻合金墊層，在第六磁性層上形成的碳涂層，及在碳涂層上形成的潤滑劑外涂層。
30.按照權(quán)利要求22所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一中間層的厚度約為5-100埃。
31.按照權(quán)利要求24所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于第一及第二中間層的厚度均約為5-100埃。
32.一種包括巨磁阻記錄磁頭和按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的磁盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
33.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于它包括非磁性基體；在基體上形成的墊層；及在墊層上順序形成的多個(gè)磁性層；其中該磁記錄介質(zhì)的面記錄密度約為0.465-3.1千兆位/平方厘米(3-20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30-0.60memu/平方厘米。
34.按照權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于墊層包括鉻、鉻合金、摻氧的鉻、鎢或鎢合金。
全文摘要
通過沉積一對或多對包括直接位于磁性各向異性層(32)上的磁性各向同性層(33)的磁性層(32、33、35、36),獲得面記錄密度約為0.465－3.1千兆位/平方厘米(3－20千兆位/平方英寸),Mrt約為0.30－0.60memu/平方厘米,矯頑磁力大于2500奧斯特,矯頑磁力垂直度約為0.70－0.95的磁記錄介質(zhì)。用鉻中間層(34)分隔每對磁性各向同性/異性層。磁性各向異性層可含鉻和鉭的鈷基合金,磁性各向同性層可含鉻、鉑和鉭的鈷基合金。
文檔編號G11B5/673GK1215492SQ96180205
公開日1999年4月28日 申請日期1996年12月23日 優(yōu)先權(quán)日1996年3月11日
發(fā)明者陳嘉倫, 陳其旭 申請人:西格特技術(shù)有限公司