專利名稱：磁性記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及被稱為離散軌道型磁性記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
用于諸如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器之類的存儲(chǔ)器件的記錄介質(zhì)的實(shí)例是磁盤(pán)(磁性記錄介質(zhì))。磁盤(pán)具有由盤(pán)基材和具有預(yù)定磁結(jié)構(gòu)的記錄層組成的多層結(jié)構(gòu)。需要由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)處理的不斷增長(zhǎng)的信息量正在促使磁盤(pán)技術(shù)發(fā)展，以獲得更高的記錄密度。
當(dāng)正在磁盤(pán)上記錄信息時(shí)，用于記錄的磁頭靠近磁盤(pán)的記錄表面(基本上是記錄層)布置，并且磁頭向記錄層施加強(qiáng)于記錄層的矯頑磁力的記錄磁場(chǎng)。依次反轉(zhuǎn)由磁頭所施加的記錄磁場(chǎng)的方向同時(shí)相對(duì)于磁盤(pán)相對(duì)地移動(dòng)磁頭會(huì)形成多個(gè)記錄標(biāo)記(磁疇)，所述多個(gè)記錄標(biāo)記沿相反的兩個(gè)方向被交替磁化，并且沿盤(pán)的記錄層中的信息軌道的圓周排列。在此過(guò)程中控制記錄磁場(chǎng)的方向的反轉(zhuǎn)的定時(shí)可允許形成預(yù)定長(zhǎng)度的記錄標(biāo)記。由此，在記錄層上基于磁場(chǎng)方向的變化可記錄多種信號(hào)或者信息。
在磁盤(pán)技術(shù)領(lǐng)域，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了所謂的離散軌道(DT)型磁盤(pán)，以獲得更高的記錄密度。DT型磁盤(pán)在下面的專利文獻(xiàn)1-3中有描述。
專利文獻(xiàn)1JP-A-2005-71467專利文獻(xiàn)2JP-A-2005-166115專利文獻(xiàn)1JP-A-2005-293730圖31和32示出了常規(guī)的DT型磁盤(pán)90。圖31是磁盤(pán)90的局部俯視圖，圖32是沿圖31的線XXXII-XXXII所取的剖視圖。
如圖32所示，磁盤(pán)90具有包含盤(pán)基材91、記錄層92和覆蓋層93的多層結(jié)構(gòu)。如圖31所示，記錄層92包括多個(gè)沿盤(pán)D的圓周或者圍繞盤(pán)的中心延伸的信息軌道92A，以及位于信息軌道之間的非磁性區(qū)92B。信息軌道92A包括軌道伺服信號(hào)區(qū)TS和用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD。軌道伺服信號(hào)區(qū)TS包括多個(gè)磁性區(qū)92a和多個(gè)非磁性區(qū)92b，使得彼此相鄰的磁性區(qū)92a被非磁性區(qū)92b隔離開(kāi)。磁性區(qū)92a分別具有所謂的垂直磁性各向異性，并被沿同樣的方向磁化。這樣構(gòu)造的磁性區(qū)92a和非磁性區(qū)92b構(gòu)成了軌道伺服信號(hào)。用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD包括用戶數(shù)據(jù)被寫(xiě)入其中的磁性區(qū)92c。磁性區(qū)92c由與磁性區(qū)92a相同的材料制成，其具有垂直磁性各向異性，并且在用戶數(shù)據(jù)被第一次寫(xiě)到其上之前處于所謂的“as-depo”狀態(tài)，在該狀態(tài)中，該區(qū)域在垂直方向上被隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。
當(dāng)在DT型磁盤(pán)90上記錄信息時(shí)，磁頭施加記錄磁場(chǎng)，由此在多個(gè)信息軌道92A之一中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)92c上產(chǎn)生多個(gè)記錄標(biāo)記(磁疇)，所述多個(gè)記錄標(biāo)記沿相反的方向交替磁化，并且沿盤(pán)記錄層92的圓周依次排列。在磁化過(guò)程中，因?yàn)榇艌?chǎng)被順序地施加到其上以記錄信息的信息軌道92A并且相鄰的信息軌道92A被非磁性區(qū)92B隔離，所以可以防止消磁或者減弱相鄰信息軌道92A中的記錄標(biāo)記的串寫(xiě)作用。在實(shí)現(xiàn)軌道的更細(xì)密間距和更高的記錄密度方面，防止串寫(xiě)作用的能力是磁盤(pán)的有利的特征。
圖33(a)-34(c)示出了磁盤(pán)90的制造方法。如圖33(a)所示，為了制造磁盤(pán)90，首先在盤(pán)基材91上形成磁性膜94。然后，如圖33(b)所示，在磁性膜94上形成抗蝕劑圖案95?？刮g劑圖案95具有開(kāi)口95a，所述開(kāi)口95a根據(jù)記錄層92的非磁性區(qū)92b的圖案而被定位。抗蝕劑圖案95還包括根據(jù)記錄層92的非磁性區(qū)92B的圖案所定位的開(kāi)口(沒(méi)有示出)。如圖33(c)所示，利用抗蝕劑圖案95作為掩模，執(zhí)行刻蝕工藝，由此在磁性膜94上繪制出圖案。在此階段，在記錄層92中形成磁性區(qū)92a，92c。在去除抗蝕劑圖案95之后，非磁性材料96被加載在磁性區(qū)92a，92c之間，如圖33(d)所示。此工藝在記錄層92中形成非磁性區(qū)92B，92b。
如圖34(a)所示，在記錄層92上形成覆蓋層93。然后，如圖34(b)所示，磁場(chǎng)被共同地施加到整個(gè)記錄層92，以將磁性區(qū)92a，92c沿相同的方向磁化。在此過(guò)程中，施加到磁性區(qū)92a，92c的磁場(chǎng)Hr強(qiáng)于其矯頑磁力。沿相同的方向這樣來(lái)磁化磁性區(qū)92a允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)TS中形成軌道伺服信息。現(xiàn)在參考圖34(c)，執(zhí)行AC消磁處理，以使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)92c成為as-depo狀態(tài)。在AC消磁處理中，使用預(yù)定的磁頭，以在每個(gè)信息軌道92A中，在用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的磁性區(qū)92c中形成高頻重復(fù)模式符號(hào)。通過(guò)這樣的步驟，可以獲得在記錄層92中包括軌道伺服信息的磁盤(pán)90。
但是，常規(guī)磁盤(pán)90的制造包括多個(gè)低效的步驟。常規(guī)磁盤(pán)90的制造要求沿相同的方向?qū)τ涗泴?2的磁性區(qū)92a進(jìn)行一次性磁化，然后執(zhí)行AC消磁處理以只將磁性區(qū)92c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。必須對(duì)每一個(gè)信息軌道92A執(zhí)行AC消磁處理。因此，AC消磁處理需花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間(通常每一張盤(pán)10分鐘或者更長(zhǎng))以將信息軌道92A中的磁性區(qū)92c(記錄層92的全部磁性區(qū)92c)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這樣的AC消磁處理對(duì)于實(shí)現(xiàn)更高的制造效率和降低磁盤(pán)的制造成本是不希望的。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到前面所述的情況，提出了本發(fā)明，其目的在于提供一種磁性記錄介質(zhì)，其適于高效地產(chǎn)生軌道伺服信息并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。本發(fā)明的另一目的是提供一種制造這樣的磁性記錄介質(zhì)的方法。
本發(fā)明的第一方面提供一種在記錄信息時(shí)被旋轉(zhuǎn)的磁性介質(zhì)，其具有包括基材和記錄層的多層結(jié)構(gòu)。在該磁性記錄介質(zhì)中，所述記錄層包括多個(gè)圍繞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)中心平行延伸的信息軌道和布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)包括多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)和布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)。所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有垂直磁性各向異性，并且第二磁性區(qū)的矯頑磁力大于第一磁性區(qū)的矯頑磁力。本發(fā)明中的基材可以是空白基材，或者是其表面上形成有預(yù)定材料層的基材。如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)在高效形成軌道伺服信息和高效地將用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)是有利的。
當(dāng)制造這樣的磁性記錄介質(zhì)時(shí)，軌道伺服信號(hào)區(qū)中的第一磁性區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的第二磁性區(qū)可以例如通過(guò)在基材上進(jìn)行的薄膜形成技術(shù)分別成為as-depo狀態(tài)。此后，向整個(gè)記錄層共同施加預(yù)定的磁場(chǎng)(強(qiáng)于第一磁性區(qū)的矯頑磁力但是弱于第二磁性區(qū)的矯頑磁力)，可以允許保持第二磁性區(qū)的as-depo狀態(tài)，同時(shí)沿相同的方向磁化第一磁性區(qū)。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)中形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的第一磁性區(qū)和多個(gè)非磁性區(qū)。
在如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)中，向整個(gè)記錄層共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)中沿相同的方向磁化第一磁性區(qū)，這有利于高效地形成軌道伺服信息。這樣的過(guò)程消除了利用磁頭等單個(gè)地向第一磁性區(qū)施加磁場(chǎng)以形成軌道伺服信號(hào)的的需要。該磁性記錄介質(zhì)還允許即使在共同施加磁場(chǎng)之后，基于第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)之間的矯頑磁力的差異，保持第二磁性區(qū)的作為其初始狀態(tài)的as-depo狀態(tài)。因此，磁性記錄介質(zhì)無(wú)需進(jìn)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。因此，所提出的磁性記錄介質(zhì)允許高效地形成軌道伺服信息，并高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。這樣的磁性記錄介質(zhì)有利于提高制造效率并且減小制造成本。
在本發(fā)明的第一方面的示例性實(shí)施例中，細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層可以被布置在基材和第二磁性區(qū)之間。形成的用于磁性區(qū)的表面的表面粗糙度對(duì)磁性區(qū)的矯頑磁力有影響，使得磁性區(qū)形成表面的較大的表面粗糙度常常使得形成在其上的磁性區(qū)具有較大的矯頑磁力。因此，在預(yù)定的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層上形成第二磁性區(qū)和例如直接在基材上形成第一磁性區(qū)，允許使得第二磁性區(qū)具有比第一磁性區(qū)更大的矯頑磁力。
在本發(fā)明的第一方面的另一個(gè)示例性實(shí)施例中，基材可以包括粗糙表面區(qū)，并且第二磁性區(qū)可以設(shè)置在粗糙表面區(qū)上。如已經(jīng)說(shuō)明的，磁性區(qū)形成表面的較大的表面粗糙度常常使得其上形成的磁性區(qū)具有較大的矯頑磁力。因此，在預(yù)定的粗糙表面區(qū)上形成第二磁性區(qū)并例如在基材上沒(méi)有進(jìn)行表面粗糙化的區(qū)域中形成第一磁性區(qū)，可以使得第二磁性區(qū)具有比第一磁性區(qū)更大的矯頑磁力。
本發(fā)明的第二方面提供一種在記錄信息時(shí)被旋轉(zhuǎn)的磁性介質(zhì)，其具有包括基材和記錄層的多層結(jié)構(gòu)。在該磁性記錄介質(zhì)中，所述記錄層包括多個(gè)圍繞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)中心平行延伸的信息軌道和布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)包括多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)和布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)。所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有垂直磁性各向異性，并且第二磁性區(qū)的矯頑磁力大于第一磁性區(qū)的矯頑磁力。如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)在高效形成軌道伺服信息和高效地將用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)是有利的。
當(dāng)制造這樣的磁性記錄介質(zhì)時(shí)，向整個(gè)記錄層(包括軌道伺服信號(hào)區(qū)中的第一磁性區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的第二磁性區(qū))共同施加預(yù)定的磁場(chǎng)(強(qiáng)于第一磁性區(qū)的矯頑磁力)，可以允許沿相同的方向磁化第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)中形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的第一磁性區(qū)和多個(gè)非磁性區(qū)。此后，在預(yù)定溫度下加熱整個(gè)介質(zhì)可以允許保持具有較大矯頑磁力的第一磁性區(qū)的磁化方向，同時(shí)熱弛豫具有較小矯頑磁力的第二磁性區(qū)，由此將第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。
在如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)中，向整個(gè)記錄層共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)中沿相同的方向磁化第一磁性區(qū)，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁性記錄介質(zhì)也消除了進(jìn)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理的需要，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這是因?yàn)樵陬A(yù)定溫度下加熱整個(gè)介質(zhì)可以基于第一和第二磁性區(qū)之間的矯頑磁力的差異，允許保持第一磁性區(qū)的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。因此，所提出的磁性記錄介質(zhì)允許高效地形成軌道伺服信息，并高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。這樣的磁性記錄介質(zhì)有利于提高制造效率并且減小制造成本。
在本發(fā)明的第二方面的示例性實(shí)施例中，細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層可以被布置在基材和第一磁性區(qū)之間。如已經(jīng)說(shuō)明的，磁性區(qū)形成表面的較大表面粗糙度常常使得形成在其上的磁性區(qū)具有較大的矯頑磁力。因此，在預(yù)定的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層上形成第一磁性區(qū)并且例如直接在基材上形成第二磁性區(qū)，允許使得第一磁性區(qū)具有比第二磁性區(qū)更大的矯頑磁力。
在本發(fā)明的第二方面的另一個(gè)示例性實(shí)施例中，基材可以包括粗糙表面區(qū)，并且第一磁性區(qū)可以設(shè)置在粗糙表面區(qū)上。如已經(jīng)說(shuō)明的，磁性區(qū)形成表面的較大的表面粗糙度常常使得其上形成的磁性區(qū)具有較大的矯頑磁力。因此，在預(yù)定的粗糙表面區(qū)上形成第一磁性區(qū)并在基材上沒(méi)有進(jìn)行表面粗糙化的區(qū)域中形成第二磁性區(qū)，可以使得第一磁性區(qū)具有比第二磁性區(qū)更大的矯頑磁力。
優(yōu)選地，第一磁性區(qū)的側(cè)壁可以被粗糙化。這樣的結(jié)構(gòu)在使得第一磁性區(qū)具有比第二磁性區(qū)更大的矯頑磁力方面是有利的。
本發(fā)明的第三方面提供一種在記錄信息時(shí)被旋轉(zhuǎn)的磁性介質(zhì)，其具有包括基材和記錄層的多層結(jié)構(gòu)。在該磁性記錄介質(zhì)中，所述記錄層包括多個(gè)圍繞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)中心平行延伸的信息軌道和布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)包括多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)和布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)。所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有垂直磁性各向異性，并且細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層被布置在基材與第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)之一之間。
如已經(jīng)說(shuō)明的，磁性區(qū)形成表面的較大的表面粗糙度常常使得形成在其上的磁性區(qū)具有較大的矯頑磁力。因此，在根據(jù)本發(fā)明的第三方面的磁性記錄介質(zhì)中，在預(yù)定的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層上形成第一磁性區(qū)并且例如在基材上直接形成第二磁性區(qū)，允許第一磁性區(qū)具有比第二磁性區(qū)更大的矯頑磁力?；蛘?，在預(yù)定的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層上形成第二磁性區(qū)并且例如在基材上直接形成第一磁性區(qū)，允許第二磁性區(qū)具有比第一磁性區(qū)更大的矯頑磁力。因此，如參考根據(jù)第一和第二方面的磁性記錄介質(zhì)所述的，所提出的磁性記錄介質(zhì)允許高效地形成軌道伺服信息并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。
本發(fā)明的第四方面提供一種在記錄信息時(shí)被旋轉(zhuǎn)的磁性介質(zhì)，其具有包括基材和記錄層的多層結(jié)構(gòu)。在該磁性記錄介質(zhì)中，基材包括粗糙表面區(qū)。所述記錄層包括多個(gè)圍繞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)中心平行延伸的信息軌道和布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)包括多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)和布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)。所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有垂直磁性各向異性，并且第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)之一被設(shè)置在基材的粗糙表面區(qū)。
如已經(jīng)說(shuō)明的，磁性區(qū)形成表面的較大的表面粗糙度常常使得形成在其上的磁性區(qū)具有較大的矯頑磁力。因此，在根據(jù)本發(fā)明的第四方面的磁性記錄介質(zhì)中，在預(yù)定的粗糙表面區(qū)上形成第一磁性區(qū)并且例如在沒(méi)有經(jīng)過(guò)表面粗糙化的區(qū)域上形成第二磁性區(qū)，允許第一磁性區(qū)具有比第二磁性區(qū)更大的矯頑磁力?；蛘撸陬A(yù)定的粗糙表面區(qū)上形成第二磁性區(qū)并且例如在沒(méi)有經(jīng)過(guò)表面粗糙化的區(qū)域上形成第一磁性區(qū)，允許第二磁性區(qū)具有比第一磁性區(qū)更大的矯頑磁力。因此，如參考根據(jù)第一和第二方面的磁性記錄介質(zhì)所述的，如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)允許高效地形成軌道伺服信息并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。
本發(fā)明的第五方面提供一種在記錄信息時(shí)被旋轉(zhuǎn)的磁性介質(zhì)，其具有包括基材和記錄層的多層結(jié)構(gòu)。在該磁性記錄介質(zhì)中，所述記錄層包括多個(gè)圍繞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)中心平行延伸的信息軌道和布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)包括多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)和布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)。所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有垂直磁性各向異性，并且第一磁性區(qū)包括粗糙化的側(cè)壁。如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)允許第一磁性區(qū)具有比第二磁性區(qū)更大的矯頑磁力。因此，如參考根據(jù)第一和第二方面的磁性記錄介質(zhì)所述的，這樣的磁性記錄介質(zhì)允許高效地形成軌道伺服信息并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。
本發(fā)明的第六方面提供一種在記錄信息時(shí)被旋轉(zhuǎn)的磁性介質(zhì)，其具有包括基材和記錄層的多層結(jié)構(gòu)。在該磁性記錄介質(zhì)中，所述記錄層包括多個(gè)圍繞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)中心平行延伸的信息軌道和布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)包括多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)和布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)。所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有垂直磁性各向異性，并且在基材側(cè)所述第一磁性區(qū)被結(jié)合到其上的部分(第一部分)具有比在基材側(cè)第二磁性區(qū)被結(jié)合到其上的部分(第二部分)更高的散熱效率。
在如此構(gòu)造的磁性記錄介質(zhì)中，散熱層被例如布置在基材和第一磁性區(qū)之間。或者，第一散熱層可以被布置在基材和第一磁性區(qū)之間，并且第二散熱層可以被布置在基材和第二磁性區(qū)之間。第一散熱層可以具有比第二散熱層更高的導(dǎo)熱率。另一方面，第一散熱層可以被布置在基材和第一磁性區(qū)之間，并且第二散熱層可以被布置在基材和第二磁性區(qū)之間，并且第一散熱層可以具有比第二散熱層更大的厚度。在使得在基材側(cè)第一磁性區(qū)被結(jié)合到其上的第一部分具有比在基材側(cè)第二磁性區(qū)被結(jié)合到其上的第二部分更高的導(dǎo)熱率方面，這樣的構(gòu)造是優(yōu)選的。
當(dāng)制造這樣的磁性記錄介質(zhì)時(shí)，向整個(gè)記錄層(包括軌道伺服信號(hào)區(qū)中的第一磁性區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的第二磁性區(qū))共同施加預(yù)定的磁場(chǎng)(強(qiáng)于第一磁性區(qū)的矯頑磁力)，可以允許沿相同的方向磁化第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)中形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的第一磁性區(qū)和多個(gè)非磁性區(qū)。此后，使用用于光磁記錄介質(zhì)的晶體激光器，來(lái)由具有覆蓋多個(gè)信息軌道的直徑的激光束以預(yù)定的功率從與基材相對(duì)的方向照射記錄層，這可以允許保持第一磁性區(qū)的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)，即使第一和第二磁性區(qū)由相同的磁性材料制成。
當(dāng)在磁性記錄介質(zhì)中第一和第二磁性區(qū)由相同的磁性材料制成時(shí)，在相同的溫度下，第一和第二磁性區(qū)具有基本相同的矯頑磁力。然而，在所提出的磁性記錄介質(zhì)中，因?yàn)樵诨膫?cè)第一磁性區(qū)被結(jié)合到其上的第一部分具有比在基材側(cè)第二磁性區(qū)被結(jié)合到其上的第二部分更高的散熱效率，所以當(dāng)用激光從與基材相反的方向照射記錄層時(shí)，因?yàn)榈谝缓偷诙糠种g的散熱效率或者熱擴(kuò)散性能的差異，在被照射區(qū)中的第二磁性區(qū)獲得比在被照射區(qū)中的第一磁性區(qū)更高的溫度。溫度差異的增大反過(guò)來(lái)使得被照射區(qū)域中的第二磁性區(qū)的矯頑磁力小于被照射區(qū)域中的第一磁性區(qū)的矯頑磁力(當(dāng)溫度升高時(shí)，磁性材料的矯頑磁力一般下降)。因此，激光照射可以允許在照射區(qū)域中保持具有較低溫度和具有更大矯頑磁力的第一磁性區(qū)的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將具有較低溫度和具有較小矯頑磁力的第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。
在所提出的磁性記錄介質(zhì)中，向整個(gè)記錄層共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)中沿相同的方向磁化第一磁性區(qū)，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁性記錄介質(zhì)也消除了對(duì)進(jìn)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)的AC消磁處理的需要。這是因?yàn)榭梢曰诘谝缓偷诙判詤^(qū)之間的散熱效率或熱擴(kuò)散性能的差異用激光從與基材相對(duì)的方向上照射記錄層，由此允許保持第一磁性區(qū)的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將第二磁性區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。因此，所提出的磁性記錄介質(zhì)允許高效地形成軌道伺服信息，并高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。這樣的磁性記錄介質(zhì)有利于提高制造效率并且減小制造成本。
在本發(fā)明的第一方面到第六方面，優(yōu)選的是，第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)由相同組成的磁性材料制成。本發(fā)明不要求第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)由不同的磁性材料制成。
本發(fā)明的第七方面提供了一種制造磁性記錄介質(zhì)的方法。所述方法包括如下步驟將磁場(chǎng)共同施加到根據(jù)第一方面的磁性記錄介質(zhì)的第一磁場(chǎng)和第二磁場(chǎng)，由此以相同的方向磁化所述第一磁性區(qū)，所施加的磁場(chǎng)強(qiáng)于所述第一磁性區(qū)的矯頑磁力但是弱于所述第二磁性區(qū)的矯頑磁力。如參考根據(jù)第一方面的磁性記錄介質(zhì)所述的，這樣的方法允許高效地形成軌道伺服信息，并高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。
本發(fā)明的第八方面提供一種制造磁性記錄介質(zhì)的方法。所述方法包括如下步驟將磁場(chǎng)共同施加到根據(jù)第二或第五方面所述的磁性記錄介質(zhì)的第一磁場(chǎng)和第二磁場(chǎng)，由此以相同的方向磁化所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)，所施加的磁場(chǎng)強(qiáng)于所述第一磁性區(qū)的矯頑磁力，并通過(guò)加熱來(lái)熱弛豫所述第二磁性區(qū)。如參考根據(jù)第二方面的磁性記錄介質(zhì)所述的，這樣的方法允許高效地形成軌道伺服信息，并高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。
本發(fā)明的第九方面提供一種制造磁性記錄介質(zhì)的方法。所述方法包括如下步驟將磁場(chǎng)共同施加到根據(jù)第六方面所述的磁性記錄介質(zhì)的第一磁場(chǎng)和第二磁場(chǎng)，由此以相同的方向磁化所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)，并從與所述基材相對(duì)的一側(cè)用激光照射所述記錄層，由此熱弛豫所述第二磁性區(qū)。如參考根據(jù)第六方面的磁性記錄介質(zhì)所述的，這樣的方法允許高效地形成軌道伺服信息，以及高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的磁性區(qū)成為as-depo狀態(tài)。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的磁盤(pán)的俯視圖；圖2是圖1所示的磁盤(pán)的放大的局部俯視圖；圖3是沿圖2的線III-III所取的剖視圖；圖4是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的磁盤(pán)的第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)的矯頑磁力的溫度依賴性的圖線；圖5(a)-5(d)是逐步示出了根據(jù)第一實(shí)施例的磁盤(pán)的制造工藝的剖視圖；圖6(a)-6(d)是示出了圖5(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖7(a)-7(c)是示出了圖6(d)之后的制造工藝的剖視圖；
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的磁盤(pán)的局部俯視圖；圖9是沿圖8的線IX-IX所取的剖視圖；圖10(a)-10(d)是逐步示出了根據(jù)第二實(shí)施例的磁盤(pán)的制造工藝的剖視圖；圖11(a)-11(d)是示出了圖10(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖12(a)-12(c)是示出了圖11(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的磁盤(pán)的局部俯視圖；圖14是沿圖13的線XIV-XIV所取的剖視圖；圖15是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的磁盤(pán)的第一磁性區(qū)和第二磁性區(qū)的矯頑磁力的溫度依賴性的圖線；圖16(a)-16(d)是逐步示出了根據(jù)第三實(shí)施例的磁盤(pán)的制造工藝的剖視圖；圖17(a)-17(d)是示出了圖16(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖18(a)和18(b)是示出了圖17(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖19是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的磁盤(pán)的局部俯視圖；圖20是沿圖19的線XX-XX所取的剖視圖；圖21(a)-21(d)是逐步示出了根據(jù)第四實(shí)施例的磁盤(pán)的制造工藝的剖視圖；圖22(a)-22(d)是示出了圖21(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖23(a)和23(b)是示出了圖22(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖24是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的磁盤(pán)的局部俯視圖；圖25是沿圖24的線XXV-XXV所取的剖視圖；圖26(a)-26(d)是逐步示出了根據(jù)第五實(shí)施例的磁盤(pán)的制造工藝的剖視圖；圖27(a)-27(d)是示出了圖26(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖28(a)和28(b)是示出了圖27(d)之后的制造工藝的剖視圖；圖29是示出了根據(jù)對(duì)于第五實(shí)施例的第一變例的沿周向所取的局部剖視圖；圖30是示出了根據(jù)對(duì)于第五實(shí)施例的第二變例的沿周向所取的局部剖視圖；圖31是示出了常規(guī)的DT型磁盤(pán)的局部俯視圖；圖32是沿圖31的線XXXII-XXXII所取的剖視圖；圖33(a)-33(d)是逐步示出了圖31所示的常規(guī)磁盤(pán)的制造方法的剖視圖；并且圖34(a)-34(c)是示出了圖33(d)之后的制造工藝的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1-3示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的DT型磁盤(pán)X1。圖1是磁盤(pán)X1的俯視圖，圖2是圖1所示的磁盤(pán)X1的放大的局部俯視圖。圖3是沿圖2中的線III-III所取的剖視圖。
磁盤(pán)X1具有包括盤(pán)基材11、記錄層12、細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13(在圖1和2中沒(méi)有示出)和覆蓋層14(在圖1和2中沒(méi)有示出)的多層結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成了能夠基于熱輔助磁記錄系統(tǒng)記錄和復(fù)制信息的磁性記錄介質(zhì)。
盤(pán)基材11主要用于保證磁盤(pán)X1的足夠剛度，并且可以由鋁合金、玻璃、硅或者聚碳酸酯樹(shù)脂制成。
如圖2所示，記錄層12包括多個(gè)信息軌道12A和多個(gè)非磁性區(qū)12B。多個(gè)信息軌道12A的一部分由圖1中的加粗的線示意性地表示，其圍繞磁盤(pán)X1的旋轉(zhuǎn)中心同心地布置在盤(pán)基材11上。在圖2中示出多個(gè)信息軌道12A的一部分，其被分別分成多個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts和多個(gè)用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD。伺服信號(hào)區(qū)Ts分別包括多個(gè)磁性區(qū)12a和多個(gè)非磁性區(qū)12b，使得相鄰的磁性區(qū)12a被非磁性區(qū)12b彼此隔離。磁性區(qū)12a分別具有所謂的垂直磁性各向異性，并且被沿相同的方向磁化。磁性區(qū)12a的矯頑磁力Hc1在室溫下例如為3到5kOe。磁性區(qū)12a可以由CoCrPt-SiO2制成。非磁性區(qū)12b可以由諸如SiN、C、SiO2的非磁性材料制成。在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)12a和非磁性區(qū)12b構(gòu)成軌道伺服信息。用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD包括用戶數(shù)據(jù)被寫(xiě)入其中的磁性區(qū)12c，所述磁性區(qū)12c沿信息軌道12A的延伸方向延伸。磁性區(qū)12c由與磁性區(qū)12a相同的具有垂直磁性各向異性的材料制成，并且在用戶數(shù)據(jù)被第一次寫(xiě)到其上之前處于所謂的“as-depo”狀態(tài)，在該狀態(tài)中，該區(qū)域被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。磁性區(qū)12c的矯頑磁力Hc2在室溫下例如為4到6kOe，但是大于磁性區(qū)12a的矯頑磁力Hc1。非磁性區(qū)12B被布置在信息軌道12A之間，并且由與非磁性區(qū)12b的相同的非磁性材料制成。這樣構(gòu)造的記錄層12例如具有10到20nm的厚度。
細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13用于增大信息軌道12A的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c的矯頑磁力，并且位于盤(pán)基材11上的如下區(qū)域，該區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD，但是不包括對(duì)應(yīng)于記錄層12的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的區(qū)域(例如，在除了對(duì)應(yīng)于記錄層12的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的區(qū)域之外的整個(gè)盤(pán)基材11上)。細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13在與記錄層12相對(duì)的表面上具有細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)，其施加增加在用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c的釘扎力的釘扎作用，并由此增大有效的矯頑磁力。細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13的相對(duì)于記錄層12的表面具有例如0.5到2nm的表面粗糙度Ra，并且粗糙結(jié)構(gòu)的突起部分(生長(zhǎng)出的粒子)的平均直徑(平均粒子尺寸)為例如5到10nm。細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13的合適的材料包括Pt、Au、Pd、Ru和Co。如此構(gòu)造的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13具有例如3到10nm的厚度。
如上所述，在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)12a和在用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c由相同的材料制成，但是，在此實(shí)施例中，因?yàn)榧?xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13的釘扎作用，磁性區(qū)12c具有比磁性區(qū)12a更大的矯頑磁力。圖4是示出了磁性區(qū)12a的矯頑磁力Hc1和磁性區(qū)12c的矯頑磁力Hc2的溫度依賴性的圖線。在圖4中，水平軸表示溫度，豎軸表示矯頑磁力。雖然磁性區(qū)12a，12c由相同的磁性材料的制成，但是溫度依賴性不同。具體地，在居里溫度Tc以下的溫度范圍中，矯頑磁力Hc2大于矯頑磁力Hc1。
覆蓋層14用于物理地和化學(xué)地保護(hù)記錄層12和細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13免受外部物體的影響，并且可以由SiN、SiO2、或者類金剛石碳制成。
磁盤(pán)X1的多層結(jié)構(gòu)包括盤(pán)基材11、記錄層12、細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13和覆蓋層14，并且如果必要的話，磁盤(pán)X1的多層結(jié)構(gòu)還可包括附加層。例如，所謂的軟磁性材料層可以被布置在盤(pán)基材11和記錄層12之間，用于會(huì)聚由記錄磁頭輸出的記錄磁場(chǎng)，并由此減小形成記錄標(biāo)記所必須的有效記錄磁場(chǎng)。
當(dāng)在磁盤(pán)X1上記錄信息時(shí)，磁頭(沒(méi)有示出)施加記錄磁場(chǎng)，由此在信息軌道12A之一中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c上產(chǎn)生多個(gè)記錄標(biāo)記(磁疇)，所述多個(gè)記錄標(biāo)記沿相反的兩個(gè)方向交替磁化，并且沿盤(pán)的圓周依次排列。在此過(guò)程中，因?yàn)榇艌?chǎng)被順序地施加到其上以記錄信息的信息軌道12A與相鄰的信息軌道12A被非磁性區(qū)12B隔離開(kāi)，所以可以防止消磁或者減弱相鄰信息軌道12A中的記錄標(biāo)記的串寫(xiě)作用。防止串寫(xiě)作用的能力是在實(shí)現(xiàn)更細(xì)密的軌道間距和更高的記錄密度方面的磁盤(pán)的有利特征。
圖5(a)到圖7(c)示出了磁盤(pán)X1的制造方法。這些圖表示與圖3相同的剖面，并且示出了磁盤(pán)X1的制造工藝的過(guò)程。
為了制造磁盤(pán)X1，首先，抗蝕劑圖案15被形成在盤(pán)基材11上，如圖5(a)所示。在此實(shí)施例中，抗蝕劑圖案15具有對(duì)應(yīng)于記錄層12的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的圖案形狀。為了形成抗蝕劑圖案15，液體光刻膠通過(guò)旋涂被沉積在盤(pán)基材11上，然后執(zhí)行曝光和顯影工藝，以使得光刻膠成型為預(yù)定的圖案。后面所提到的抗蝕劑圖案也可以由類似的方法形成。
在圖5(b)，細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13被形成在盤(pán)基材11上。為了形成細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13，可以使用濺射工藝來(lái)以島狀構(gòu)造生長(zhǎng)具有比盤(pán)基材11的表面更大的表面張力的材料。或者，可以通過(guò)濺射在盤(pán)基材11上形成具有較小表面張力的材料底層(諸如SiN)，并且可以通過(guò)濺射在該底層上生長(zhǎng)具有較大表面張力的另一材料(諸如Pt)，由此形成細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13。
然后，在圖5(c)中，去除抗蝕劑圖案15，之后在圖5(d)中，形成磁性膜16，所述磁性膜16是垂直磁性膜。為了形成磁性膜16，可以使用濺射工藝在盤(pán)基材11上沉積針對(duì)磁性區(qū)12a所描述的材料中的一種，以覆蓋細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13。在此過(guò)程中，磁性膜16被形成為as-depo狀態(tài)，在該狀態(tài)中，磁性膜16沿垂直方向被隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。
在圖6(a)，抗蝕劑圖案17被形成在磁性膜16上?？刮g劑圖案17包括根據(jù)非磁性區(qū)12b的圖案所定位的開(kāi)口17a。抗蝕劑圖案17還包括根據(jù)非磁性區(qū)12B的圖案定位的開(kāi)口(沒(méi)有示出)。
然后，利用抗蝕劑圖案17作為掩模，對(duì)磁性膜16執(zhí)行刻蝕工藝，如圖6(b)所示。在此過(guò)程中，可以執(zhí)行使用Ar氣體的干法刻蝕工藝。在此階段，磁性區(qū)12a，12c被形成為as-depo狀態(tài)。
在如圖6(c)所示去除抗蝕劑圖案17之后，非磁性材料18被沉積，如圖6(d)所示。具體地，可以使用濺射工藝沉積針對(duì)非磁性區(qū)12b所描述的非磁性材料中的一種，以至少填充磁性區(qū)之間的溝槽。
在圖7(a)，非磁性材料18的多余部分被去除。對(duì)于所述去除，可以使用機(jī)械拋光工藝。在此階段，非磁性區(qū)12b和非磁性區(qū)12B(沒(méi)有示出)被形成，于是記錄層12的形成被完成。
如圖7(b)所示，覆蓋層14然后被形成在記錄層12上?？梢允褂脼R射工藝在記錄層12上沉積預(yù)定的材料，由此形成覆蓋層14。
現(xiàn)在參考圖7(c)，預(yù)定磁場(chǎng)Hr被共同施加到整個(gè)記錄層12，由此保持用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c的as-depo狀態(tài)，同時(shí)沿相同方向磁化軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)12a，其中，所述預(yù)定磁場(chǎng)Hr強(qiáng)于磁性區(qū)12a的矯頑磁力Hc1，但是弱于磁性區(qū)12c的矯頑磁力Hc2。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的磁性區(qū)12a和多個(gè)非磁性區(qū)12b。在整個(gè)前述的過(guò)程中，可以得到在記錄層12的各個(gè)信息軌道12A中的每一個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中包括軌道伺服信息的磁盤(pán)X1。
在磁盤(pán)X1中，如參考圖7(c)所描述的，向整個(gè)記錄層12共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中沿相同方向磁化磁性區(qū)12a，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁盤(pán)X1還消除了執(zhí)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理的需要，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD 中的磁性區(qū)12c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這是因?yàn)閰⒖紙D7(c)所描述的過(guò)程基于磁性區(qū)12a和12c之間的矯頑磁力的差異，可以允許保持磁性區(qū)12c的as-depo狀態(tài)，所述as-depo狀態(tài)是其初始狀態(tài)。因此，磁盤(pán)X1允許高效地形成軌道伺服信息，并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c成為as-depo狀態(tài)。結(jié)果，磁盤(pán)X1有利于提高制造效率并且減小制造成本。
圖8和9示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的DT型磁盤(pán)X2。圖8是磁盤(pán)X2的局部俯視圖，圖9是沿圖8中的線IX-IX所取的剖視圖。
磁盤(pán)X2具有包括盤(pán)基材21、記錄層12和覆蓋層14(在圖8中沒(méi)有示出)的多層結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成了能夠基于熱輔助磁記錄系統(tǒng)記錄和復(fù)制信息的磁性記錄介質(zhì)。磁盤(pán)X2與磁盤(pán)X1的不同之處在于，其包括盤(pán)基材21而不是盤(pán)基材11，并且不包括細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13。
盤(pán)基材21主要用于保證磁盤(pán)X2的足夠剛度，并且可以由鋁合金、玻璃、硅或者聚碳酸酯樹(shù)脂制成。盤(pán)基材21包括粗糙表面區(qū)21a，用于增大信息軌道12A的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c的矯頑磁力。粗糙表面區(qū)21a位于盤(pán)基材11上的如下區(qū)域，該區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD，但是不包括對(duì)應(yīng)于記錄層12的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的區(qū)域(例如，在除了對(duì)應(yīng)于記錄層12的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的區(qū)域之外的整個(gè)盤(pán)基材11上)。粗糙表面區(qū)21a具有細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)，其向用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的磁性區(qū)12c施加釘扎作用，由此增大磁性區(qū)12c的有效的矯頑磁力。粗糙表面區(qū)21a具有例如0.5到2nm的表面粗糙度Ra，并且粗糙結(jié)構(gòu)的突起部分(生長(zhǎng)出的粒子)的平均直徑(平均粒子尺寸)為例如5到10nm。
雖然在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)12a和在用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c由相同的材料制成，但是，在此實(shí)施例中，因?yàn)榇植诒砻鎱^(qū)21a的釘扎作用，磁性區(qū)12c具有比磁性區(qū)12a更大的矯頑磁力。例如，如圖4所示，可以使得磁性區(qū)12c的矯頑磁力Hc2大于磁性區(qū)12a的矯頑磁力Hc1。
圖10(a)到圖12(c)示出了磁盤(pán)X2的制造方法。這些圖表示與圖9相同的剖面，并且示出了磁盤(pán)X2的制造工藝的過(guò)程。
為了制造磁盤(pán)X2，首先，抗蝕劑圖案25被形成在盤(pán)基材21上，如圖10(a)所示。在此實(shí)施例中，抗蝕劑圖案25具有對(duì)應(yīng)于記錄層12的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的圖案形狀。
在圖10(b)，粗糙表面區(qū)21a被形成在盤(pán)基材21上。為了形成粗糙表面區(qū)21a，可以利用抗蝕劑圖案25作為掩模，在盤(pán)基材21上執(zhí)行干法刻蝕工藝。Ar氣可以被用作刻蝕氣體。
然后，在圖10(c)中，去除抗蝕劑圖案25，之后在圖10(d)中，形成磁性膜16，所述磁性膜16是垂直磁性膜?？梢酝ㄟ^(guò)與第一實(shí)施例類似的方法形成磁性膜16。在此過(guò)程中，磁性膜16被形成為as-depo狀態(tài)，在該狀態(tài)中，磁性膜16被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。
在圖11(a)，抗蝕劑圖案17被形成在磁性膜16上。然后利用抗蝕劑圖案17作為掩模，對(duì)磁性膜16執(zhí)行刻蝕工藝，如圖11(b)所示。在此階段，磁性區(qū)12a，12c被形成為as-depo狀態(tài)。如圖11(d)所示，在如圖11(c)所示去除抗蝕劑圖案17之后，非磁性材料18被沉積。在圖12(a)，非磁性材料18的多余部分被去除。在此階段，非磁性區(qū)12b和非磁性區(qū)12B(沒(méi)有示出)被形成。然后，如圖12(b)所示，覆蓋層14被形成在記錄層12上。從抗蝕劑圖案17的形成到覆蓋層14的形成，這些工藝的具體方法類似于參考第一實(shí)施例所述的方法。
現(xiàn)在參考圖12(c)，預(yù)定磁場(chǎng)Hr被共同施加到整個(gè)記錄層12，由此保持用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c的as-depo狀態(tài)，同時(shí)沿相同方向磁化軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)12a，其中，所述預(yù)定磁場(chǎng)Hr強(qiáng)于磁性區(qū)12a的矯頑磁力Hc1，但是弱于磁性區(qū)12c的矯頑磁力Hc2。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的磁性區(qū)12a和多個(gè)非磁性區(qū)12b。在整個(gè)前述的過(guò)程中，可以得到在記錄層12的各個(gè)信息軌道12A中的每一個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中包括軌道伺服信息的磁盤(pán)X2。
參考圖12(c)，在磁盤(pán)X2中，向整個(gè)記錄層12共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中沿相同方向磁化磁性區(qū)12a，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁盤(pán)X2還消除了執(zhí)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理的需要，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)12c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這是因?yàn)閰⒖紙D12(c)所描述的過(guò)程，基于磁性區(qū)12a和12c之間的矯頑磁力的差異，可以允許保持磁性區(qū)12c的as-depo狀態(tài)，所述as-depo狀態(tài)是其初始狀態(tài)。因此，磁盤(pán)X2允許高效地形成軌道伺服信息，并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)YD中的磁性區(qū)12c成為as-depo狀態(tài)。因此，磁盤(pán)X2有利于提高制造效率并且減小制造成本。
圖13和14示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的DT型磁盤(pán)X3。圖13是磁盤(pán)X3的局部俯視圖，圖14是沿圖13中的線XIV-XIV所取的剖視圖。
磁盤(pán)X3具有包括盤(pán)基材31、記錄層32、細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33(在圖13中沒(méi)有示出)和覆蓋層34(在圖13中沒(méi)有示出)的多層結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成了能夠基于熱輔助磁記錄系統(tǒng)記錄和復(fù)制信息的磁性記錄介質(zhì)。
盤(pán)基材31主要用于保證磁盤(pán)X3的足夠剛度，并且可以由鋁合金、玻璃、或者聚碳酸酯樹(shù)脂制成。
如圖13所示，記錄層32包括多個(gè)信息軌道32A和多個(gè)非磁性區(qū)32B。多個(gè)信息軌道32A圍繞磁盤(pán)X3的旋轉(zhuǎn)中心同心地布置在盤(pán)基材31上。多個(gè)信息軌道32A的一部分在圖13中示出，其分別被分成多個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts和多個(gè)用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD。伺服信號(hào)區(qū)Ts分別包括多個(gè)磁性區(qū)32a和多個(gè)非磁性區(qū)32b，使得相鄰的磁性區(qū)32a被非磁性區(qū)32b彼此隔離。磁性區(qū)32a分別具有所謂的垂直磁性各向異性，并且被沿相同的方向磁化。磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1在室溫下例如為3到5kOe。磁性區(qū)32a和非磁性區(qū)32b可以由參考第一實(shí)施例的磁性區(qū)12a和非磁性區(qū)12b所描述的材料制成。磁性區(qū)32a和非磁性區(qū)32b構(gòu)成軌道伺服信息。用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD包括用戶數(shù)據(jù)被寫(xiě)入其中的磁性區(qū)32c，所述磁性區(qū)32c沿信息軌道32A的延伸方向延伸。磁性區(qū)32c由與磁性區(qū)32a相同的具有垂直磁性各向異性的材料制成，并且在用戶數(shù)據(jù)被第一次寫(xiě)到其上之前處于所謂的“as-depo”狀態(tài)，在該狀態(tài)中，該區(qū)域被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2在室溫下例如為2到4kOe，但是小于磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1。非磁性區(qū)32B被布置在信息軌道32A之間，并且由與非磁性區(qū)32b的相同的非磁性材料制成。這樣構(gòu)造的記錄層12例如具有15nm的厚度。
細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33用于增大信息軌道32A的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)32a的矯頑磁力，并且位于盤(pán)基材31上的如下區(qū)域，該區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts，但是不包括對(duì)應(yīng)于記錄層12的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的區(qū)域(例如，在除了對(duì)應(yīng)于記錄層12的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的區(qū)域之外的整個(gè)盤(pán)基材31上)。細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33在與記錄層32相對(duì)的表面上具有細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)，其向軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)32a施加釘扎作用。除了上面所述的內(nèi)容，細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33的構(gòu)造類似于第一實(shí)施例的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13。
雖然如上所述，在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)32a和在用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c由相同的材料制成，但是，在此實(shí)施例中，因?yàn)榧?xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33的釘扎作用，磁性區(qū)32a具有比磁性區(qū)32c更大的矯頑磁力。圖15是示出了磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1和磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2的溫度依賴性的圖線。在圖15中，水平軸表示溫度，豎軸表示矯頑磁力。雖然磁性區(qū)32a，32c由相同的磁性材料的制成，但是溫度依賴性不同。具體地，在居里溫度Tc以下的溫度范圍中，矯頑磁力Hc1大于矯頑磁力Hc2。
覆蓋層34用于物理地和化學(xué)地保護(hù)記錄層32和細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33免受外部物體的影響，并且可以由SiN、SiO2、或者類金剛石碳制成。
磁盤(pán)X3的多層結(jié)構(gòu)包括盤(pán)基材31、記錄層32、細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33和覆蓋層34，并且如果必要的話，磁盤(pán)X1的多層結(jié)構(gòu)還可包括附加的層。
當(dāng)在磁盤(pán)X3上記錄信息時(shí)，磁頭(沒(méi)有示出)施加記錄磁場(chǎng)，由此在信息軌道32A之一中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c上產(chǎn)生多個(gè)記錄標(biāo)記(磁疇)，所述多個(gè)記錄標(biāo)記沿相反的兩個(gè)方向交替磁化，并且沿盤(pán)的圓周依次排列。在此過(guò)程中，因?yàn)榇艌?chǎng)被順序地施加到其上以記錄信息的信息軌道32A與相鄰的信息軌道32A被非磁性區(qū)32B隔離開(kāi)，所以可以防止消磁或者減弱相鄰信息軌道32A中的記錄標(biāo)記的串寫(xiě)作用。防止串寫(xiě)作用的能力是在實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的軌道間距和更高的記錄密度方面的磁盤(pán)的有利特征。
圖16(a)到圖18(c)示出了磁盤(pán)X3的制造方法。這些圖表示與圖14相同的剖面，并且示出了磁盤(pán)X3的制造工藝的過(guò)程。
為了制造磁盤(pán)X3，首先，抗蝕劑圖案35被形成在盤(pán)基材31上，如圖16(a)所示。在此實(shí)施例中，抗蝕劑圖案35具有對(duì)應(yīng)于記錄層32的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的圖案形狀。
在圖16(b)，細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33被形成在盤(pán)基材31上。細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33可以通過(guò)與形成第一實(shí)施例的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層13類似的方法來(lái)形成。
然后，抗蝕劑圖案35被去除，之后在圖16(c)中，磁性膜36被形成，所述磁性膜36是垂直磁性膜。為了形成磁性膜36，可以執(zhí)行濺射工藝來(lái)在盤(pán)基材31上沉積預(yù)定的磁性材料，以覆蓋細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33。在此過(guò)程中，磁性膜36被形成為as-depo狀態(tài)，在該狀態(tài)中，磁性膜36被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。
在圖16(d)，抗蝕劑圖案37被形成在磁性膜36上?？刮g劑圖案37包括根據(jù)非磁性區(qū)32b的圖案所定位的開(kāi)口37a?？刮g劑圖案37還包括根據(jù)非磁性區(qū)32B的圖案定位的開(kāi)口(沒(méi)有示出)。
然后，利用抗蝕劑圖案37作為掩模，對(duì)磁性膜36執(zhí)行刻蝕工藝，如圖17(a)所示。在此過(guò)程中，可以執(zhí)行使用Ar氣體的干法刻蝕工藝。在此階段，磁性區(qū)32a，32c被形成為as-depo狀態(tài)。
在去除抗蝕劑圖案37之后，預(yù)定的非磁性材料38被沉積，如圖17(b)所示。具體地，可以使用濺射工藝沉積非磁性材料，以至少填充磁性區(qū)之間的溝槽。
在圖17(c)，非磁性材料18的多余部分例如通過(guò)機(jī)械拋光被去除。在此階段，非磁性區(qū)32b和非磁性區(qū)32B(沒(méi)有示出)被形成。
然后如圖17(d)所示，例如通過(guò)濺射在記錄層32上沉積預(yù)定的材料，在記錄層32上形成覆蓋層34。
現(xiàn)在參考圖18(a)，預(yù)定磁場(chǎng)Hr被共同施加到整個(gè)記錄層32，由此沿相同方向磁化磁性區(qū)32a和32c，其中，所述預(yù)定磁場(chǎng)Hr強(qiáng)于磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1(因此也強(qiáng)于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2)。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的磁性區(qū)32a和多個(gè)非磁性區(qū)32b。
然后，將整個(gè)盤(pán)在預(yù)定溫度下加熱，由此保持磁性區(qū)32a(其具有更大的矯頑磁力Hc1)的磁化方向，同時(shí)熱弛豫具有較小矯頑磁力Hc2的磁性區(qū)32c，由此將磁性區(qū)32c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。在整個(gè)前述的過(guò)程中，可以得到在記錄層32的各個(gè)信息軌道32A中的每一個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中包括軌道伺服信息的磁盤(pán)X3。
在磁盤(pán)X3中，如參考圖18(a)所描述的，向整個(gè)記錄層32共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中沿相同方向?qū)⒋判詤^(qū)32a磁化，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁盤(pán)X3還消除了執(zhí)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理的需要，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這是因?yàn)閰⒖紙D18(b)所描述的過(guò)程基于磁性區(qū)32a和32c之間的矯頑磁力的差異，可以允許通過(guò)熱弛豫將磁性區(qū)32c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)，同時(shí)保持磁性區(qū)32a的磁化方向。因此，類似于磁盤(pán)X1，磁盤(pán)X3允許高效地形成軌道伺服信息，并高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c成為as-depo狀態(tài)。結(jié)果，磁盤(pán)X3有利于提高制造效率并且減小制造成本。
在根據(jù)此實(shí)施例的制造方法中，在參考圖17(b)所述的過(guò)程中，可以沉積非磁性材料38，所述非磁性材料38向磁性區(qū)32a施加預(yù)定量的應(yīng)力。通過(guò)控制由用于沉積非磁性材料38的濺射裝置所供應(yīng)的功率和氣體壓強(qiáng)，可以調(diào)節(jié)應(yīng)力的大小。由所沉積的非磁性材料38所施加的應(yīng)力相比于磁性區(qū)32c更顯著地影響每一個(gè)磁性區(qū)32a，因?yàn)榇判詤^(qū)32a實(shí)際上被分成比磁性區(qū)32c更小的多個(gè)部分，因此通過(guò)由非磁性材料38所施加的應(yīng)力而在每一個(gè)磁性區(qū)32a中產(chǎn)生的應(yīng)力大于在磁性區(qū)32c中產(chǎn)生的凈應(yīng)力。在由磁性材料制成的部分中的內(nèi)應(yīng)力的增大可以導(dǎo)致該部分的矯頑磁力的增大。因此，由非磁性材料38(或者由非磁性材料38制成的非磁性區(qū)32B、32b)施加的預(yù)定大小的有效的應(yīng)力作用可以使得磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。或者，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)上面的方法可以使得磁性區(qū)32a中的內(nèi)應(yīng)力大于磁性區(qū)32c中的凈內(nèi)應(yīng)力，以代替設(shè)置細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33，由此使得磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。
在根據(jù)此實(shí)施例的制造方法中，如圖17(b)所示在去除抗蝕劑圖案37之后和沉積非磁性材料38之前，可以利用Ar氣執(zhí)行干法刻蝕工藝，以使磁性區(qū)32a，32c的側(cè)壁變粗糙。在磁性區(qū)32a，32c的側(cè)壁變粗糙之后利用非磁性材料38填充磁性區(qū)之間的溝槽(如參考圖17(b)所述的)，有利于在磁性區(qū)32a，32c中產(chǎn)生或者增大內(nèi)應(yīng)力。側(cè)壁粗糙化的效應(yīng)對(duì)于每一個(gè)磁性區(qū)32a比磁性區(qū)32c更顯著，因?yàn)榇判詤^(qū)32a實(shí)際上被分成比磁性區(qū)32c更小的多個(gè)部分，因此由側(cè)壁的粗糙化效應(yīng)在每一個(gè)磁性區(qū)32a中產(chǎn)生的應(yīng)力大于在磁性區(qū)32c中產(chǎn)生的凈應(yīng)力。在由磁性材料制成的部分中的內(nèi)應(yīng)力的增大可以導(dǎo)致該部分的矯頑磁力的增大。因此，磁性區(qū)的側(cè)壁的粗糙化可以使得磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。或者，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)粗糙化磁性區(qū)的側(cè)壁，可以使得磁性區(qū)32a中的內(nèi)應(yīng)力大于磁性區(qū)32c中的凈內(nèi)應(yīng)力，來(lái)代替設(shè)置細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33，由此使得磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。
圖19和20示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的DT型磁盤(pán)X4。圖20是磁盤(pán)X4的局部俯視圖，圖20是沿圖19中的線XX-XX所取的剖視圖。
磁盤(pán)X4具有包括盤(pán)基材41、記錄層32和覆蓋層34(在圖19中沒(méi)有示出)的多層結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成了能夠基于熱輔助磁記錄系統(tǒng)記錄和復(fù)制信息的磁性記錄介質(zhì)。磁盤(pán)X4與磁盤(pán)X3的不同之處在于，其包括盤(pán)基材41而不是盤(pán)基材31，并且不包括細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層33。
盤(pán)基材41主要用于保證磁盤(pán)X4的足夠剛度，可以由鋁合金、玻璃、硅或者聚碳酸酯樹(shù)脂制成，并且包括粗糙表面區(qū)41a，用于增大信息軌道12A的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)32a的矯頑磁力。粗糙表面區(qū)41a位于盤(pán)基材41上的如下區(qū)域，該區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts，但是不包括對(duì)應(yīng)于記錄層32的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的區(qū)域(例如，在除了對(duì)應(yīng)于記錄層32的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的區(qū)域之外的整個(gè)盤(pán)基材41上)。粗糙表面區(qū)41a具有細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)，其向軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts的磁性區(qū)32a施加釘扎作用，由此增大磁性區(qū)32a的矯頑磁力。粗糙表面區(qū)41a具有例如0.5到2nm的表面粗糙度Ra，并且粗糙結(jié)構(gòu)的突起部分(生長(zhǎng)出的粒子)的平均直徑(平均粒子尺寸)為例如5到10nm。
雖然在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)32a和在用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c由相同的材料制成，但是，在此實(shí)施例中，因?yàn)榇植诒砻鎱^(qū)41a的釘扎作用，磁性區(qū)32a具有比磁性區(qū)32c更大的矯頑磁力。例如，如圖15所示，可以使得磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。
圖21(a)到圖23(b)示出了磁盤(pán)X4的制造方法。這些圖表示與圖20相同的剖面，并且示出了磁盤(pán)X4的制造工藝的過(guò)程。
為了制造磁盤(pán)X4，首先，抗蝕劑圖案45被形成在盤(pán)基材41上，如圖21(a)所示。在此實(shí)施例中，抗蝕劑圖案45具有對(duì)應(yīng)于記錄層32的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的圖案形狀。
在圖21(b)，粗糙表面區(qū)41a被形成在盤(pán)基材41上。為了形成粗糙表面區(qū)41a，可以利用抗蝕劑圖案45作為掩模，在盤(pán)基材41上執(zhí)行干法刻蝕工藝。Ar氣可以被用作刻蝕氣體。
然后，去除抗蝕劑圖案45，之后如圖21(c)所示，形成磁性膜36，所述磁性膜36是垂直磁性膜。為了形成磁性膜36，可以執(zhí)行濺射工藝，以在盤(pán)基材41上沉積預(yù)定的磁性材料。在此過(guò)程中，磁性膜36被形成為as-depo狀態(tài)，在該狀態(tài)中，磁性膜36被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。
在圖21(d)，抗蝕劑圖案37被形成在磁性膜36上。然后利用抗蝕劑圖案37作為掩模，對(duì)磁性膜36執(zhí)行刻蝕工藝，如圖22(a)所示。在此階段，磁性區(qū)32a，32c被形成為as-depo狀態(tài)。在去除抗蝕劑圖案37之后，非磁性材料38被沉積，如圖22(b)所示。在圖22(c)，非磁性材料38的多余部分被去除。在此階段，非磁性區(qū)32b和非磁性區(qū)32B(沒(méi)有示出)被形成。然后，如圖22(d)所示，覆蓋層34被形成。從抗蝕劑圖案37的形成到覆蓋層34的形成，這些工藝的具體方法類似于參考第三實(shí)施例所述的方法。
現(xiàn)在參考圖23(a)，預(yù)定磁場(chǎng)Hr被共同施加到整個(gè)記錄層32，由此沿相同方向磁化磁性區(qū)32a和32c，其中，所述預(yù)定磁場(chǎng)Hr強(qiáng)于磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1(因此也強(qiáng)于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2)。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的磁性區(qū)32a和多個(gè)非磁性區(qū)32b。
然后，將整個(gè)盤(pán)在預(yù)定溫度下加熱，由此保持磁性區(qū)32a(其具有更大的矯頑磁力Hc1)的磁化方向，同時(shí)熱弛豫具有較小矯頑磁力Hc2的磁性區(qū)32c，由此將磁性區(qū)32c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。在整個(gè)前述的過(guò)程中，可以得到在記錄層32的各個(gè)信息軌道32A中的每一個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中包括軌道伺服信息的磁盤(pán)X3。
在磁盤(pán)X4中，如參考圖23(a)所描述的，向整個(gè)記錄層32共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中沿相同方向磁化磁性區(qū)32a，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁盤(pán)X4還消除了執(zhí)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理的需要，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這是因?yàn)閰⒖紙D23(b)所描述的過(guò)程基于磁性區(qū)32a和32c之間的矯頑磁力的差異，可以允許通過(guò)熱弛豫將磁性區(qū)32c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)，同時(shí)保持磁性區(qū)32a的磁化方向。因此，磁盤(pán)X4允許高效地形成軌道伺服信息，以及高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)32c成為as-depo狀態(tài)。結(jié)果，磁盤(pán)X3有利于提高制造效率并且減小制造成本。
在根據(jù)此實(shí)施例的制造方法中，在參考圖22(b)所述的過(guò)程中，可以沉積非磁性材料38，所述非磁性材料38向磁性區(qū)32a施加預(yù)定量的應(yīng)力。如針對(duì)第三實(shí)施例已經(jīng)描述的，由非磁性材料38(或者由非磁性材料38制成的非磁性區(qū)32B、32b)施加的預(yù)定大小的明顯應(yīng)力作用可以導(dǎo)致磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。
在根據(jù)此實(shí)施例的制造方法中，如圖22(b)所示在去除抗蝕劑圖案37之后和沉積非磁性材料38之前，可以利用Ar氣執(zhí)行干法刻蝕工藝，以使磁性區(qū)32a，32c的側(cè)壁變粗糙。如針對(duì)第三實(shí)施例已經(jīng)描述的，磁性區(qū)的側(cè)壁的粗糙化可以使得磁性區(qū)32a的矯頑磁力Hc1大于磁性區(qū)32c的矯頑磁力Hc2。
圖24和25示出了根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的DT型磁盤(pán)X5。圖24是磁盤(pán)X5的局部俯視圖，圖25是沿圖24中的線XXV-XXV所取的剖視圖。
磁盤(pán)X5具有包括盤(pán)基材51、記錄層52、散熱層53(在圖24中沒(méi)有示出)和覆蓋層54(在圖24中沒(méi)有示出)的多層結(jié)構(gòu)，并且構(gòu)成了能夠基于熱輔助磁記錄系統(tǒng)記錄和復(fù)制信息的磁性記錄介質(zhì)。
盤(pán)基材51主要用于保證磁盤(pán)X5的足夠剛度，并且可以由鋁合金、玻璃、或者聚碳酸酯樹(shù)脂制成。
如圖24所示，記錄層52包括多個(gè)信息軌道52A和多個(gè)非磁性區(qū)52B。多個(gè)信息軌道52A圍繞磁盤(pán)X5的旋轉(zhuǎn)中心同心地布置在盤(pán)基材51上。多個(gè)信息軌道52A的一部分示于圖24中，其分別被分成多個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts和多個(gè)用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD。伺服信號(hào)區(qū)Ts分別包括多個(gè)磁性區(qū)52a和多個(gè)非磁性區(qū)52b，使得相鄰的磁性區(qū)52a被非磁性區(qū)52b彼此隔離。磁性區(qū)52a分別具有所謂的垂直磁性各向異性，并且被沿相同的方向磁化。磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1在室溫下例如為3到5kOe。磁性區(qū)52a和非磁性區(qū)52b可以由參考第一實(shí)施例的磁性區(qū)12a和非磁性區(qū)12b所描述的材料制成。磁性區(qū)52a和非磁性區(qū)52b構(gòu)成軌道伺服信息。用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD包括用戶數(shù)據(jù)被寫(xiě)入其中的磁性區(qū)52c，所述磁性區(qū)52c沿信息軌道52A的延伸方向延伸。磁性區(qū)52c由與磁性區(qū)52a相同的具有垂直磁性各向異性的材料制成，并且在用戶數(shù)據(jù)被第一次寫(xiě)到其上之前處于所謂的“as-depo”狀態(tài)，在該狀態(tài)中，該區(qū)域被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2在室溫下例如為3到5kOe，但是等于磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1。非磁性區(qū)52B被布置在信息軌道52A之間，并且由與非磁性區(qū)52B的相同的非磁性材料制成。這樣構(gòu)造的記錄層52例如具有10到20nm的厚度。
散熱層53用于將熱從記錄層52的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts，更具體地，從磁性區(qū)52a傳遞到盤(pán)基材51，并且具有比盤(pán)基材51更高的導(dǎo)熱率。散熱層53位于盤(pán)基材51上的如下區(qū)域，該區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts，但是不包括對(duì)應(yīng)于記錄層52的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的區(qū)域(例如，在除了對(duì)應(yīng)于記錄層52的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的區(qū)域之外的整個(gè)盤(pán)基材51上)。散熱層53由預(yù)定的高導(dǎo)熱材料制成，并且具有例如5到30nm的厚度。合適的高導(dǎo)熱材料包括從由Ag、Al、Au和Pt組成的組中選擇的金屬，或者包括含有這樣的金屬的合金。
覆蓋層54用于物理地和化學(xué)地保護(hù)記錄層52和散熱層53免受外部物體的影響，并且可以由SiN、SiO2、或者類金剛石碳制成。
磁盤(pán)X5的多層結(jié)構(gòu)包括盤(pán)基材51、記錄層52、散熱層53和覆蓋層54，并且如果必要的話，磁盤(pán)X1的多層結(jié)構(gòu)可以還包括附加的層。
當(dāng)在磁盤(pán)X5上記錄信息時(shí)，磁頭(沒(méi)有示出)施加記錄磁場(chǎng)，由此在信息軌道52A之一中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c上產(chǎn)生多個(gè)記錄標(biāo)記(磁疇)，所述多個(gè)記錄標(biāo)記沿相反的兩個(gè)方向交替磁化，并且沿盤(pán)的圓周順序排列。在此過(guò)程中，因?yàn)榇艌?chǎng)被順序地施加到其上以記錄信息的信息軌道52A與相鄰的信息軌道52A被非磁性區(qū)52B隔離開(kāi)，所以可以防止消磁或者減弱相鄰信息軌道52A中的記錄標(biāo)記的串寫(xiě)作用。防止串寫(xiě)作用的能力是在實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的軌道間距和更高的記錄密度方面的磁盤(pán)的有利特征。
圖26(a)到圖28(b)示出了磁盤(pán)X5的制造方法。這些圖表示與圖25相同的剖面，并且示出了磁盤(pán)X5的制造工藝的過(guò)程。
為了制造磁盤(pán)X5，首先，抗蝕劑圖案55被形成在盤(pán)基材51上，如圖26(a)所示。在此實(shí)施例中，抗蝕劑圖案55具有對(duì)應(yīng)于記錄層52的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD的圖案形狀。
在圖26(b)，散熱層53被形成在盤(pán)基材51上。為了形成散熱層53，可以利用濺射工藝在盤(pán)基材51上沉積預(yù)定的高導(dǎo)熱材料。
然后，抗蝕劑圖案55被去除，之后如圖26(c)所示，磁性膜56被形成，所述磁性膜56是垂直磁性膜。為了形成磁性膜56，可以執(zhí)行濺射工藝以在盤(pán)基材51上沉積預(yù)定的磁性材料來(lái)覆蓋散熱層53。在此過(guò)程中，磁性膜56被形成為as-depo狀態(tài)，在該狀態(tài)中，磁性膜56被沿垂直方向隨機(jī)地并且大致均勻地磁化。
在圖26(d)，抗蝕劑圖案57被形成在磁性膜56上。抗蝕劑圖案57包括根據(jù)非磁性區(qū)52b的圖案所定位的開(kāi)口57a?？刮g劑圖案57還包括根據(jù)非磁性區(qū)52B的圖案定位的開(kāi)口(沒(méi)有示出)。
然后，利用抗蝕劑圖案57作為掩模，對(duì)磁性膜56執(zhí)行刻蝕工藝，如圖27(a)所示。在此過(guò)程中，可以執(zhí)行使用Ar氣體的干法刻蝕工藝。在此階段，磁性區(qū)52a，32c被形成為as-depo狀態(tài)。
在去除抗蝕劑圖案57之后，非磁性材料58被沉積，如圖27(b)所示。具體地，可以使用濺射工藝來(lái)沉積參考非磁性區(qū)52b所述的非磁性材料，以至少填充磁性區(qū)之間的溝槽。
在圖27(c)，非磁性材料58的多余部分例如通過(guò)機(jī)械拋光被去除。在此階段，非磁性區(qū)52b和非磁性區(qū)52B被形成。
如圖27(d)所示，然后例如通過(guò)濺射在記錄層52上沉積預(yù)定的材料，在記錄層52上形成覆蓋層54。
現(xiàn)在參考圖28(a)，預(yù)定磁場(chǎng)Hr被共同施加到整個(gè)記錄層52，由此沿相同方向磁化磁性區(qū)52a和52c，其中，所述預(yù)定磁場(chǎng)Hr強(qiáng)于磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1和磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2。施加這樣的磁場(chǎng)導(dǎo)致在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts形成軌道伺服信息，包括多個(gè)沿相同方向磁化的磁性區(qū)52a和多個(gè)非磁性區(qū)52B。
在圖28(b)，從覆蓋層54的方向以預(yù)定功率的激光L照射記錄層52，使得激光L掃過(guò)整個(gè)記錄層52，由此保持磁性區(qū)52a的磁化方向，開(kāi)且通過(guò)熱弛豫將磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。在此實(shí)施例中，用于光磁記錄介質(zhì)的晶體激光器(bulk laser)被用作激光發(fā)射器。晶體激光器可以向記錄層52發(fā)射具有覆蓋多個(gè)信息軌道52A的直徑的激光L，由此有利于高效地完成此過(guò)程。
在磁盤(pán)X5中，磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1和磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2在相同的溫度下基本相同。但是，因?yàn)樵诒P(pán)基材51一側(cè)磁性區(qū)52a被結(jié)合到其上的散熱層53具有比磁性區(qū)52c結(jié)合到其上的盤(pán)基材51更高的導(dǎo)熱率(因此具有更高的散熱效率)，所以當(dāng)從覆蓋層54的方向(與盤(pán)基材51相反)用激光照射記錄層時(shí)，因?yàn)樯釋?3和盤(pán)基材51之間的散熱效率或者熱擴(kuò)散性能的差異，在被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52c獲得比被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52a更高的溫度。溫度差異的增大反過(guò)來(lái)使得被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2小于被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1。因此，圖28(b)的過(guò)程可以允許在被照射區(qū)域中保持具有更低溫度的并且具有更大矯頑磁力的磁性區(qū)52a的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將具有更高溫度和具有較小矯頑磁力的磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。
在整個(gè)前述的過(guò)程中，可以得到在記錄層52的各個(gè)信息軌道52A中的每一個(gè)軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中包括軌道伺服信息的磁盤(pán)X5。
在磁盤(pán)X5中，如參考圖28(a)所描述的，向整個(gè)記錄層52共同施加磁場(chǎng)可以允許在軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中沿相同方向磁化磁性區(qū)52a，這有利于高效地形成軌道伺服信息。磁盤(pán)X5還消除了執(zhí)行參考常規(guī)磁盤(pán)90所描述的AC消磁處理的需要，所述AC消磁處理用于將用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。這是因?yàn)閰⒖紙D28(b)所描述的過(guò)程基于磁性區(qū)52a被結(jié)合到其上的散熱層53和磁性區(qū)52c被結(jié)合到其上的盤(pán)基材51之間的散熱效率或者熱擴(kuò)散性能的差異，可以允許通過(guò)熱弛豫將磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)，同時(shí)保持磁性區(qū)52a的磁化方向。因此，磁盤(pán)X5允許高效地形成軌道伺服信息，并且高效地使得用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c成為as-depo狀態(tài)。因此，磁盤(pán)X5有利于提高制造效率并且減小制造成本。
在磁盤(pán)X5中，可以如圖29所示地設(shè)置散熱層53A，53B，來(lái)代替設(shè)置散熱層53。散熱層53A用于從記錄層52的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts(更具體地從磁性區(qū)52a)向盤(pán)基材51傳遞熱，散熱層53A具有比盤(pán)基材51更高的導(dǎo)熱率，并且被布置在至少軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)52a和盤(pán)基材51之間。另一方面，散熱層53B用于從記錄層52的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c向盤(pán)基材51傳遞熱，散熱層53B具有比盤(pán)基材51更高、但是低于散熱層53A的導(dǎo)熱率，并且被布置在至少用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c和盤(pán)基材51之間。
即使當(dāng)磁盤(pán)X5如此構(gòu)造時(shí)，在參考圖28(b)所描述的過(guò)程中，從覆蓋層54的方向用預(yù)定功率的激光L照射記錄層52使得激光L掃過(guò)整個(gè)記錄層52的操作，可以允許保持磁性區(qū)52a的磁化方向，并且通過(guò)熱弛豫將磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。在圖29所示的磁盤(pán)X5中，在相同的溫度下，磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1和磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2基本相同。但是，因?yàn)樵诒P(pán)基材51一側(cè)磁性區(qū)52a被結(jié)合到其上的散熱層53A具有比在盤(pán)基材51一側(cè)磁性區(qū)52c被結(jié)合到其上的散熱層53B更高的導(dǎo)熱率(因此具有更高的散熱效率)，所以當(dāng)從覆蓋層54的方向(與盤(pán)基材51相對(duì))用激光照射記錄層時(shí)，因?yàn)樯釋?3A和53B之間的散熱效率或者熱擴(kuò)散性能的差異，在被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52c獲得比被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52a更高的溫度。溫度差異的增大反過(guò)來(lái)使得被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2小于被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1。因此，即使當(dāng)磁盤(pán)X5如圖29所示地構(gòu)造時(shí)，參考圖28(b)所述的過(guò)程可以允許在被照射區(qū)域中保持具有更低溫度并具有更大矯頑磁力Hc1的磁性區(qū)52a的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將更高溫度和具有較小矯頑磁力Hc2的磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。
在磁盤(pán)X5中，可以如圖30所示地設(shè)置散熱層53C，來(lái)代替設(shè)置散熱層53。散熱層53C具有比盤(pán)基材51更高的導(dǎo)熱率，并且包括被連續(xù)形成的較厚部分53C’和較薄部分53”。較厚部分53C’用于從記錄層52的軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts(更具體地從磁性區(qū)52a)向盤(pán)基材51傳遞熱，并且被布置在至少軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性區(qū)52a和盤(pán)基材51之間。另一方面，較薄部分53”用于從記錄層52的用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c向盤(pán)基材51傳遞熱，并且被布置在至少用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性區(qū)52c和盤(pán)基材51之間。
即使當(dāng)磁盤(pán)X5如此構(gòu)造時(shí)，在參考圖28(b)所描述的過(guò)程中，從覆蓋層54的方向用預(yù)定功率的激光L照射記錄層52使得激光L掃過(guò)整個(gè)記錄層52的操作，可以允許保持磁性區(qū)52a的磁化方向，并且通過(guò)熱弛豫將磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。在圖30所示的磁盤(pán)X5中，在相同的溫度下，磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1和磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2基本相同。但是，因?yàn)樵诒P(pán)基材51側(cè)磁性區(qū)52a被結(jié)合到其上的較厚部分53C’具有比在盤(pán)基材51側(cè)磁性區(qū)52c被結(jié)合到其上的較薄部分53”更高的導(dǎo)熱率(因此具有更高的散熱效率)，所以當(dāng)從覆蓋層54的方向(與盤(pán)基材51相對(duì))用激光照射記錄層時(shí)，因?yàn)檩^厚部分53C’和較薄部分53”之間的散熱效率或者熱擴(kuò)散性能的差異，在被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52c獲得比被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52a更高的溫度。溫度差異的增大反過(guò)來(lái)使得被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52c的矯頑磁力Hc2小于被照射區(qū)域中的磁性區(qū)52a的矯頑磁力Hc1。因此，即使當(dāng)磁盤(pán)X5如圖30所示地構(gòu)造時(shí)，參考圖28(b)所述的過(guò)程可以允許在被照射區(qū)域中保持具有更低溫度的并具有更大矯頑磁力Hc1的磁性區(qū)52a的磁化方向，同時(shí)通過(guò)熱弛豫將具有更高溫度和較小矯頑磁力Hc2的磁性區(qū)52c轉(zhuǎn)變?yōu)閍s-depo狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)、用于記錄信息的磁性記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括基材；和形成在所述基材上的記錄層；所述記錄層具有多個(gè)圍繞所述旋轉(zhuǎn)中心延伸的平行的信息軌道以及布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)；所述軌道伺服信號(hào)區(qū)具有多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)以及布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)；所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)；并且所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)具有不同的矯頑磁力。
2.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄介質(zhì)，其中，所述第二磁性區(qū)的矯頑磁力大于所述第一磁性區(qū)的矯頑磁力。
3.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄介質(zhì)，其中，所述第一磁性區(qū)的矯頑磁力大于所述第二磁性區(qū)的矯頑磁力。
4.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄介質(zhì)，還包括布置在所述基材與所述第一磁性區(qū)之間或者布置在所述基材與所述第二磁性區(qū)之間的細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層。
5.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄介質(zhì)，其中，所述基材包括粗糙表面區(qū)，并且所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)之一設(shè)置在所述粗糙表面區(qū)上。
6.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄介質(zhì)，其中，所述第一磁性區(qū)包括粗糙化的側(cè)壁。
7.一種圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)、用于記錄信息的磁性記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括基材；和形成在所述基材上的記錄層；所述記錄層具有多個(gè)圍繞所述旋轉(zhuǎn)中心延伸的平行的信息軌道以及布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)；所述軌道伺服信號(hào)區(qū)具有多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)以及布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)；所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)；并且細(xì)微粗糙結(jié)構(gòu)層布置在所述基材與所述第一磁性區(qū)之間或者所述基材與所述第二磁性區(qū)之間。
8.一種圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)、用于記錄信息的磁性記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括基材；和形成在所述基材上的記錄層；所述基材包括粗糙表面區(qū)；所述記錄層具有多個(gè)圍繞所述旋轉(zhuǎn)中心延伸的平行的信息軌道以及布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)；所述軌道伺服信號(hào)區(qū)具有多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)以及布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)；所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)；并且所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)之一設(shè)置在所述粗糙表面區(qū)上。
9.一種圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)、用于記錄信息的磁性記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括基材；和形成在所述基材上的記錄層；所述記錄層具有多個(gè)圍繞所述旋轉(zhuǎn)中心延伸的平行的信息軌道以及布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)；所述軌道伺服信號(hào)區(qū)具有多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)以及布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)；所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)；并且所述第一磁性區(qū)包括粗糙化的側(cè)壁。
10.一種圍繞旋轉(zhuǎn)中心旋轉(zhuǎn)、用于記錄信息的磁性記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)包括基材；和形成在所述基材上的記錄層；所述記錄層具有多個(gè)圍繞所述旋轉(zhuǎn)中心延伸的平行的信息軌道以及布置在相鄰信息軌道之間的非磁性區(qū)，所述信息軌道中的每一個(gè)都包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)；所述軌道伺服信號(hào)區(qū)具有多個(gè)沿軌道延伸方向排列的第一磁性區(qū)以及布置在相鄰的第一磁性區(qū)之間的非磁性區(qū)；所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向延伸的第二磁性區(qū)；并且所述第一磁性區(qū)被結(jié)合到所述基材一側(cè)上的部分具有比所述第二磁性區(qū)被結(jié)合到所述基材一側(cè)上的部分更高的散熱效率。
11.如權(quán)利要求10所述的磁性記錄介質(zhì)，還包括布置在所述基材與所述第一磁性區(qū)之間的散熱層。
12.如權(quán)利要求10所述的磁性記錄介質(zhì)，還包括布置在所述基材與所述第一磁性區(qū)之間的第一散熱層，以及布置在所述基材和所述第二磁性區(qū)之間的第二散熱層，其中，所述第一散熱層具有比所述第二散熱層更高的導(dǎo)熱率。
13.如權(quán)利要求10所述的磁性記錄介質(zhì)，還包括布置在所述基材和所述第一磁性區(qū)之間的第一散熱層，以及布置在所述基材和所述第二磁性區(qū)之間的第二散熱層，其中，所述第一散熱層具有比所述第二散熱層更大的厚度。
14.如權(quán)利要求1到13中的任何一項(xiàng)所述的磁性記錄介質(zhì)，其中，所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)由相同組成的磁性材料制成。
15.一種制造如權(quán)利要求2所述的磁性記錄介質(zhì)的方法，所述方法包括如下步驟將磁場(chǎng)共同地施加到所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)，用于在相同的方向上磁化所述第一磁性區(qū)，所施加的磁場(chǎng)強(qiáng)于所述第一磁性區(qū)的所述矯頑磁力但是弱于所述第二磁性區(qū)的所述矯頑磁力。
16.一種制造如權(quán)利要求3或9所述的磁性記錄介質(zhì)的方法，所述方法包括如下步驟將磁場(chǎng)共同地施加到所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)，用于在相同的方向上磁化所述第一磁性區(qū)及第二磁性區(qū)，所施加的磁場(chǎng)強(qiáng)于所述第一磁性區(qū)的所述矯頑磁力；并且加熱所述第二磁性區(qū)用于熱弛豫。
17.一種制造如權(quán)利要求10到13中的任何一項(xiàng)所述的磁性記錄介質(zhì)的方法，所述方法包括如下步驟將磁場(chǎng)共同地施加到所述第一磁性區(qū)和所述第二磁性區(qū)，用于在相同的方向上磁化所述第一磁性區(qū)及第二磁性區(qū)；并且從與所述基材相對(duì)的一側(cè)用激光照射所述記錄層，用于所述第二磁性區(qū)的熱弛豫。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種包括基材和形成在基材上的記錄層的磁性記錄介質(zhì)。記錄層具有多個(gè)信息軌道，所述信息軌道中的每一個(gè)包括軌道伺服信號(hào)區(qū)和用戶數(shù)據(jù)區(qū)。相鄰信息軌道被非磁性材料分隔開(kāi)。所述軌道伺服信號(hào)區(qū)具有多個(gè)沿軌道延伸方向排列的磁性部分和布置磁性部分之間的非磁性部分。所述用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括沿所述軌道延伸方向排列的磁性部分。軌道伺服信號(hào)區(qū)Ts中的磁性部分的矯頑磁力和用戶數(shù)據(jù)區(qū)YD中的磁性部分的矯頑磁力不同。例如，前者的矯頑磁力小于后者的矯頑磁力。
文檔編號(hào)G11B5/84GK1967664SQ200610145108
公開(kāi)日2007年5月23日 申請(qǐng)日期2006年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
發(fā)明者上村拓也, 松本幸治, 森河剛, 濱口慎吾, 平井由樹(shù)雄 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社