專利名稱：單面讀出型兩層式光盤及再生磁頭的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于實現高密度且單面讀出的兩層式光盤的結構、以及讀出該光盤進行再生的再生磁頭的焦點位置的設計。
近年來，作為數字視頻光盤(DVD)的規(guī)格中一種的能從單側再生兩個信號面的兩層式光盤，有希望成為今后的大容量媒體。
下面，對以往的單面讀出型兩層式光盤的結構進行敘述(a)信號層(信號面第二層)為第一層(讀出激光入射側)，(b)半透明膜為第二層，(c)用于分離兩個信號層的中間層為第三層，(d)反射膜為第四層，(e)在第四層側形成信號坑點的信號層為第五層。
再生這種單面讀出型兩層式光盤的場合，用配置在光盤的第一層一側的再生磁頭、使從再生磁頭來的讀出激光聚光并入射到光盤上，例如設置第一層信號面在其讀出激光最集中的集點位置上，或者設計再生磁頭的焦點位置、使激光在第一層信號面上最集中。
然而，在前述以往技術中，因從再生磁頭讀出激光的最集中的焦點位置在第一層(讀出激光入射側信號層)的信號面上，所以當讀出另一方信號層的第五層的信號面，移動了激光的最集中的焦點位置時，產生由于中間層的厚度引起的(光路長變長)的象散，與第一層再生時相比、激光的集聚斷面變大，其結果，與第一層的信號再生時相比，第五層信號再生時，前后左右的信號坑點也再生，再生信號的偏差(信號讀進散亂率)變壞。
鑒于以往技術中存在的這種問題，本發(fā)明的目的是利用將讀出激光的最集中的位置作為兩個信號層的中間位置，提供能均勻再生信號的偏差的高密度單面讀出型兩層式光盤及再生磁頭。
為達到前述目的，本發(fā)明中權利要求1所述的發(fā)明是一種單面讀出型兩層式光盤，這種光盤包括順次形成第一信號層、半透明膜、中間層、反射膜和第二信號層、在所述第一信號層的所述半透明膜一側形成信號坑點、同時在所述第二信號層的所述反射膜一側形成信號坑點，其特征在于，從再生磁頭靠所述第一信號層側大致垂直地入射讀出激光時，選定所述第一信號層的厚度，使讀出激光最集中的焦點位置設定在所述中間層內，并大致均勻化再生所述第一和第二信號層中各信號坑點時的偏差。
權利要求2所述的發(fā)明其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央上。
權利要求3所述的發(fā)明，其特征在于，以僅為從所述第一信號層的所述讀出激光入射面開始到所述焦點位置為止的距離的所述中間層厚度的約二分之一的薄的厚度，作為所述第一信號層的厚度。
權利要求4所述的發(fā)明，其特征在于，所述第二信號層的厚度與所述第一信號層的厚度相同。
權利要求5所述的發(fā)明，其特征在于，以在所述第一信號層的厚度上增加所述中間層的厚度的約二分之一的厚度作為第二信號層的厚度。
權利要求6所述的發(fā)明，其特征在于，所述第一信號層的厚度是0.56-0.58mm。
權利要求7所述的發(fā)明，其特征在于，所述半透明膜的反射率是20-40％。
權利要求8所述的發(fā)明，其特征在于，所述中間層的厚度是40-60μm。
權利要求9所述的發(fā)明，其特征在于，所述反射膜的反射率在70％以上。
權利要求10所述的發(fā)明，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央和所述半透明膜之間，讀出所述第一和第二信號層中各信號坑點時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＜(從所述反射膜來的返回光強度)。
權利要求11所述的發(fā)明，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的略中央和所述更射膜之間，讀出所述第一和第二信號層中各信號坑點時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＞(從所述反射膜來的返回光強度)。
權利要求12所述的發(fā)明是一種再生磁頭，這種讀出包括出射讀出激光的光源、至少具有一個再生透鏡、順次形成第一信號層、半透明膜、中間層、反射膜和第二信號層的單面讀出型兩層式光盤的再生磁頭，其特征在于，靠所述第一信號層大致垂直地入射所述讀出激光時，選定所述讀出激光的波長和所述再生透鏡的數值孔徑NA，使所述讀出激光最集中的焦點位置設定在所述中間層內，并略均勻化再生所述第一和第二信號層中各信號坑點時的偏差。
權利要求13所述的發(fā)明，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的略中央上。
權利要求14所述的發(fā)明，其特征在于，對于讀出所述第一和第二信號層時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＜(從所述反射膜來的返回光強度)的單面讀出型兩層式光盤，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的略中央和所述半透明膜之間。
權利要求15所述的發(fā)明，其特征在于，對于讀出所述第一和第二信號層時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＞(從所述反射膜來的返回光強度)的單面讀出型兩層式光盤，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的略中央和所述更射膜之間。


圖1表示與本發(fā)明相關的單面讀出型兩層式光盤的剖視圖。
圖2表示與本發(fā)明相關的再生磁頭的概略結構圖。
圖3表示從圖2的再生磁頭將讀出激光最集中的焦點位置設定在單面讀出型兩層式光盤的中間層中光軸方向的略中央的場合的剖視圖。
圖4是表示圖1的單面讀出型兩層式光盤的變形例的剖視圖。
圖5(a)表示用圖1的單面讀出型兩層式光盤、將中間層厚度設定在約30μm的場合、進行偏差測定的結果。
圖5(b)表示用圖1的單面讀出型兩層式光盤、將中間層厚度設定在約40μm的場合、進行偏差測定的結果。
圖5(c)表示用圖1的單面讀出型兩層式光盤、將中間層厚度設定在約50μm的場合、進行偏差測定的結果。
圖6(a)表示用圖4的單面讀出型兩層式光盤、將中間層厚度設定在約30μm的場合、進行偏差測定的結果。
圖6(b)表示用圖4的單面讀出型兩層式光盤、將中間層厚度設定在約40μm的場合、進行偏差測定的結果。
圖6(c)表示用圖4的單面讀出型兩層式光盤、將中間層厚度設定在約50μm的場合、進行偏差測定的結果。
下面，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行說明。
實施例1以用聚碳酸酯為信號層的基板材料、用金(AU)為半透明膜、用UV硬化樹脂為中間層的材料、用鋁(Al)為反射膜、用約650nm為再生系統(tǒng)的激光波長和用0.6為再生磁頭的物鏡的數值孔徑NA的場合為例，對實施例1進行說明。
圖1表示與本發(fā)明相關的單面讀出型兩層式光盤的剖視圖。
在圖1中，2由對于讀出激光幾乎透明(幾乎穿透)、折射率為1.45-1.65左右的讀出激光入射側的第一信號層、并利用樹脂壓縮成形等、在單面上螺旋狀地形成信號坑點的厚度為0.56-0.58mm左右的圓板組成。4是用濺射等方法在第一信號層2的信號面上附膜，在使來自第一信號層2的激光入射的場合，對于其入射光量是具有20-40％左右反射率的半透明膜，并具有部分反射入射的激光、穿透殘留部分的性質，也能用介質膜等光吸收率低的材料來實現。6是對于讀出激光幾乎是透明(幾乎穿透)的折射率為1.35-1.75左右的中間層，從再生磁頭讀出設計成使激光最集中的焦點位置FP，對于光盤面大致垂直地放置在讀出激光的光軸OA方向上分別持有20-30μm左右的厚度。8是在中間層6側形成信號坑點并與第一信號層2有相同結構的第二信號層，由在單面上螺旋狀地形成信號坑點的圓板組成。10是用濺射等方法在第二信號層8上附膜的反射率70％以上的反射膜。RA是光盤旋轉時的旋轉中心軸。
此外，前述反射率是用分光光度計測量的值，對于下面所述的反射率，同樣也是用分光光度計測量的值。
對于前述結構的單面讀出型兩層式光盤，首先，在再生讀出激光入射側的第一信號面的場合，入射到再生磁頭的透鏡中的讀出激光在以旋轉中心軸RA為中心的用固定的線速度旋轉的光盤信號面上，進行再生磁頭的聚焦控制，使激光能量集中，接著，為了追蹤信號序列，進行跟蹤控制，用接收光檢測器檢測從信號面來的反射光，并以模擬信號讀出。此外，在再生作為另一方的信號面的讀出激光入射內側的第二信號面之際，進行再生磁頭的聚焦控制，使激光能在該信號面上最集中，接著，為了追蹤信號序列，進行跟蹤控制，與再生再生光入射側的第一信號面時相同，進行信號的檢測。
表1表示再生與本發(fā)明相關的單面讀出型兩層式光盤的兩信號面時和再生以往的單面讀出型兩層式光盤的兩信號面時的再生信號偏差(信號讀出散亂率)。
表1 由表1可見，與本發(fā)明相關的單面讀出型兩層式光盤與以往的單面讀出型兩層式光盤相比，在各自信號面的再生信號偏差不變，能用幾乎相同條件再生兩信號面。
此外，也能用以往使用的基板厚度約0.6mm制作基板材料，作為讀出激光入射內側的第二信號層8，例如，也能為具有近于讀出激光入射側的第一信號層2的厚度加上中間層6的厚度的約二分之一厚度的信號層。此外，在實施例1中也能用替代所用材料的材料。
實施例2以使用與本發(fā)明相關的再生磁頭讀出以往的單面讀出型兩層式光盤的場合為例，對實施例2進行說明。此外，作為光盤的材料，與實施例1相同，用聚碳酸酯為信號層的基板材料、用金(Au)為半透明膜、用UV硬化樹脂為中間層、用鋁(Al)為反射膜。
如圖2所示，與本發(fā)明相關的再生磁頭H包括作為出射讀出激光的激光光源的半導體激光器12、一方面穿透從該半導體激光器12出射的激光，另一方面90°橫向反射從光盤來的反射光的分光器14、配置在分光器14的光盤例的1/4波長板16、再配置在1/4波長板16的光盤側的至少一個再生透鏡18、集中取入用分光器14反射的激光的集中取入透鏡20和入射用集中取入透鏡20集中取入的激光的接收光檢測器22。
在前述結構的再生磁頭H中，借助于適當選定半導體激光器12，與以往(約650um)相比，縮短出射的激光波長，或者借助于適當選定再生透鏡18，與以往(約0.6)相比，增大其數值孔徑NA，利用再生磁頭H能使最集中的激光焦點位置位于激光入射側的第1信號面和激光入射內側的第二信號面之間，例如在約二分之一地分開中間層厚度的中心線上(參照圖3)。
接著，使用該再生磁頭，對再生以往的單面讀出型兩層式光盤的激光入射側的第一信號面的方法進行說明。
在中心被固定的光盤靠主軸以固定的線速度旋轉，在光盤有彎曲的場合，由于這種旋轉動作，從靜止狀態(tài)的磁頭的焦點位置見到的信號面上下擺動。這時，如圖2所示，調整磁頭或者光盤的高度，使信號面以焦點位置為中心作上下運動。在光盤沒有彎曲的場合，調整磁頭或者光盤的高度，使焦點位置到信號面上。
靠半導體激光器12出射的激光，穿透分光器14和1/4波長板16，由再生透鏡18照射到光盤上。照射到光盤上的激光中，在第一信號面反射的激光，再入射到再生透鏡18上，穿透1/4波長板16，用分光器14反射，用集中取入透鏡20集中取入，并入射到接收光檢測器22中。用接收光檢測器22檢測的激光，作為從激光的焦點位置到信號面為止的偏移量的聚焦誤差信號，利用聚焦誤差檢測電路24檢測，從光信號變換成電信號。將這種電信號輸入到線圈驅動器26中，借助于使磁頭上下驅動用的電流提供給上下驅動用線圈28，使焦點位置和信號面的偏移量抵消，進行磁頭的聚焦控制。接著，用于追蹤信號坑點列的跟蹤誤差信號，由跟蹤誤差檢測電路30檢測，與聚焦控制相同，從光信號變換成電信號。將這種電信號輸入到線圈驅動器32，借助于使磁頭左右驅動用的電流提供給左右驅動用線圈34，使從信號坑點到來的再生激光點偏移量抵消，進行跟蹤控制，并以再生信號作為模擬信號讀出。
另一方面，再生激光入射內側的第二信號面的場合，對再生磁頭H的聚焦進行控制，使激光在第二信號面上最集中，接著，進行用于追蹤信號序列的跟蹤控制，與再生再生光入射側的第一信號面時相同，進行信號的檢測。
圖2表示用與本發(fā)明相關的再生磁頭H再生單面讀出型兩層式光盤的兩信號面時和用以往的再生磁頭再生兩信號面時的再生信號偏差(信號讀出散亂率)。
表2 由表2可見，與本發(fā)明相關的再生磁頭H與以往的再生磁頭相比，再生單面讀出型兩層式光盤的各自的信號面時的再生信號偏差不變，能用幾乎相同條件再生兩信號面。
實施例3作為實施例3的單面讀出型兩層式光盤，與實施例1的單面讀出型兩層式光盤(圖1)進行比較說明。
作為試驗實施例1的單面讀出型兩層式光盤，用聚碳酸酯為信號層2、8的基板材料、同時用金(Au)為半透明膜4，從激光入射側的第一信號層2入射激光，相對于其入射光量有約25％的反射率。用UV硬化樹脂為中間層6，同時用鋁(Al)為反射膜10，借助于使其反射率為70％以上，用反射膜10反射，返回到的再生磁頭的光強度和半透明膜4的反射光強度大約相等。再生系統(tǒng)的激光波長用約650nm，再生磁頭的物鏡的數值孔徑NA用約0.6(在信號層的基板材料及UV硬化樹脂的厚度約0.6mm位置，象散為最小)在采用這種結構時，由再生磁頭將再生光入射到光盤上，用反射膜10反射的再生光返回到再生磁頭上時的光強度，能用下式表示。
(從反射膜來的返回光強度[％])＝(半透明膜的穿透率[％])×(樹脂材料的穿透率[％])×(反射膜的反射率[％])作為試驗實施例3的單面讀出型兩層式光盤，用聚碳酸酯為信號層的基板材料、同時用金(Au)為半透明膜，從激光入射側的第一信號層入射激光，相對于其入射光量有約20％的反射率。用UV硬化樹脂為中間層，同時用鋁(Al)為反射膜，其更射率在70％以上。作為再生系統(tǒng)的激光波長及再生磁頭的物鏡數值孔徑NA，選定與實施例1相同，分別用約650nm及約0.6。
在這種結構中，由再生磁頭將再生光入射到光盤上，用更射膜反射的再生光再次返回到再生磁頭時的光強度，在采用與實施例1相同的樹脂材料作為基板材料時，通過提高半透明膜的穿透率，由反射膜反射，返回到再生磁頭的光強度比半透明膜的反射光強度要大。
圖4是實施例3的單面讀出型兩層式光盤的剖視圖。
在圖4中，42是由對讀出激光幾乎透明，利用樹脂壓縮成形等在單面上形成磁道間隔0.74μm左右，最短坑點長約0.44μm的螺旋狀的信號坑點的讀出激光入射側的的第一信號層，折射率為1.45-1.65左右和厚度為0.56-0.58mm左右的圓板組成。44是用濺射法等方法在第一信號層42的信號面上附膜，從第一信號層42入射激光的場合，對于其入射光量，具有約20％-40％反射率的半透明膜，具有反射一部分入射的激光并穿透殘留部分的特性。46是對于讀出激光透明，在從再生磁頭焦點位置FP，略垂直光盤面地設置讀出激光的光軸OA方向上，分別具有各為20-30μm左右厚度的中間層。48在中間層46側上形成信號坑點，是與第一信號層42相同結構的激光入射內側的第二信號層。它由利用樹脂壓縮成形等在單面上形成磁道間隔0.74μm左右，最短坑點長約0.44μm的螺旋狀的信號坑點，折射率為1.45-1.65左右和厚度為0.56-0.58mm左右的圓板組成。50是用濺射法等方法在第二信號層48的信號面上附膜的反射率為70％以上的反射膜。RA是光盤旋轉時的中心軸。
對于前述結構的單面讀出型兩層式光盤，首先，在再生讀出激光入射側的第一信號面的場合，入射到再生磁頭的透鏡中的讀出激光在以旋轉中心軸RA為中心的旋轉光盤信號面上，進行再生磁頭的聚焦控制，使激光集中取入，接著，為了追蹤信號序列，進行跟蹤控制，接收光檢測器檢測從信號面來的反射光，并以模擬信號讀出。此外，在再生作為另一方的讀出激光入射內側的第二信號面之際，進行再生磁頭的聚焦控制，使激光在該信號面上集中取入，接著，為了追蹤信號序列，進行跟蹤控制，與再生再生光入射側的第一信號面時相同，進行信號的檢測。
圖5(a)、(b)、(c)表示試驗實施例1的單面讀出型兩層式光盤、進行再生測定的結果，圖6(a)、(b)、(c)表示試驗實施例3的單面讀出型兩層式光盤、進行再生測定的結果。各圖以再生信號編差(信號讀出散亂率)作為縱坐標軸、以從再生激光入射到光盤內到再生的信號面為止的距離(光路長)作為橫坐標軸。
圖5(a)是分別用0.54mm、0.56mm、0.58mm為再生光入射側基板2的厚度，約30μm為中間層6的厚度，用從第一信號層2入射激光，對于其入射光量，具有約25％的反射率作為半透明膜4，反射膜10的反射率為70％以上，調整再生光入射內側的第二信號層基板8的厚度，使光盤的總厚度為1.14-1.5mm，再生測定試驗的三種光盤的結果。52是再生測定該光盤的再生光入射例基板2的信號面的結果。54是再生測定再生光入射內側基板8的信號面的結果。圖5(b)是分別用0.54mm、0.56mm、0.58mm、0.6mm為再生光入射例基板2的厚度，約40μm為中間層6的厚度，用從第一信號層2入射激光，半透明膜4對于其入射光量具有約25％的反射率，反射膜10的反射率為70％以上，調整再生光入射內側的第二信號層基板8的厚度，使光盤的總厚度為1.14-1.5mm，再生測定試驗的四種光盤的結果。56是再生測定該光盤的再生光入射側基板2的信號面的結果。58是再生測定再生光入射內側基板8的信號面的結果。圖5(c)是分別用0.61mm、0.62mm、0.63mm為再生光入射側基板2的厚度，約50μm為中間層6的厚度，用從第一信號層入射激光，半透明膜4對于其入射光量具有約25％的反射率，反射膜10的反射率為70％以上，調整再生光入射內側的第二信號層基板8的厚度，使光盤的總厚度為1.14-1.5mm，再生測定試驗的三種光盤的結果。60是再生測定該光盤的再生光入射側基板2的信號面的結果。62是再生測定再生光入射內側基板8的信號面的結果。
這里，在再生光盤信號面的場合，基于各光盤產生彎曲、偏心和多折射等的制造離散性，此外，關于再生磁頭，也產生相同地制造離散性。如果考慮到這種情況，則必須將再生信號的偏差控制在10％以內。
采用圖5(a)，中間層6的厚度約30μm，不滿足前述再生信號的偏差在10％以內。這是因為中間層6的厚度薄，在再生無論哪一信號層時，到再生另一信號層為止，作為信號層間的串擾，使再生信號偏差劣化。
由圖5(b)，中間層6的厚度約40μm，為了滿足再生信號的偏差在10％以內，再半光入射側基板2必須在0.54mm以上。再生磁頭對于能最集中再生光的基板材料及樹脂厚度約0.6mm，借助于有從該位置再生光的光軸方向上等距離分離信號面的位置，在兩信號面上再生信號偏差幾乎相同。
由圖5(c)，中間層6的厚度約50μm，為了滿足再生信號的偏差在10％以內，到再生光入射內側基板2為止的長度必須在0.66mm以下。
然而，關于這種實施例1的單面讀出型兩層式光盤，對于在信號面上附膜的半透明膜4及反射膜10的膜厚、基板2、8及中間層6的厚度的制造離散性，必須高度控制。關于實際的制造工序，半透明膜4的附膜控制，必須有反射率約15％左右的余量。圖6(a)-圖6(c)是根據其制造離散性、能認識光盤再生裝置的半透明膜4及反射膜10的反射率限界條件，也就是說是試驗測定實施例3的單面讀進型兩層式光盤的條件。
圖6(a)是用0.56mm、0.58mm、0.61mm左右為再生光入射側基板42的厚度，約30μm為中間層46的厚度，用從第一信號層42入射激光，半透明膜44對于其入射光量具有約20％左右的反射率，反射膜50的反射率為70％以上，調整再生光入射內側的第二信號層基板48的厚度，使光盤的總厚度為1.14-1.5mm，再生測定試驗的三種光盤的結果。64是再生測定該光盤的再生光入射側基板42的信號面的結果。66是再生測定再生光入射內側基板48的信號面的結果。圖6(b)是用0.54mm、0.58mm、0.6mm左右為再生光入射側基板42的厚度，約40μm為中間層46的厚度，用從第一信號層42入射激光，半透明膜44對于其入射光量具有約20％左右的反射率，反射膜50的反射率為70％以上，調整再生光入射內側的第二信號層基板48的厚度，使光盤的總厚度為1.14-1.5mm，再生測定試驗的三種光盤的結果。68是再生測定該光盤的再生光入射側基板42的信號面的結果。70是再生測定再生光入射內側基板48的信號面的結果。圖6(c)是用0.61mm、0.63mm左右為再生光入射側基板42的厚度，約50μm為中間層46的厚度，用從第一信號層42入射激光，半透明膜44對于其入射光量具有約20％左右的反射率，反射膜50的反射率為70％以上，調整再生光入射內側的第二信號層基板48的厚度，使光盤的總厚度為1.14-1.5mm，再生測定試驗的兩種光盤的結果。72是再生測定再生光入射側基板42的信號面的結果。74是再生測定再生光入射內側基板48的信號面的結果。
根據再生前述實施例3的單面讀出型兩層式光盤時的結果，再生再生光入射側信號面時比再生再生光入射內側信號面時，偏差值更大。這是因為從各信號面上的反射膜50和半透明膜44返回再生磁頭的返回光量上有差別，是因為再生更射光量少的再生光入射例的信號面時的接收光檢測器內返回的光信號及變換該光信號成電信號進行測定為止噪聲成分的影響。
采用圖6(a)，再生中間層46的厚度約30μm的再生光入射側信號層時的再生信號偏差，不滿足在界限的10％以內。這與再生實施例1的單面讀出型兩層式光盤的中間層6的厚度約30μm時相同，因中間層厚度薄，在再生無論哪一信號層時，到再生另一信號層為止，作為信號層間的串擾，使再生信號偏差劣化。
由圖6(b)，中間層46的厚度約40μm，為了滿足再生信號的偏差在10％以內，再生光入射側基板42必須在0.56mm以上。這里，以0.6mm左右作為再生光入射側基板42時，再生再生光入射側信號面時的偏差為8.1％，再生再生光入射內側信號面時的偏差為8.0％，成為均勻分開偏差的結果。這樣，再生再生光入射側信號面時從信號面上的半透明膜來的返回光量少，易受外部噪聲影響，借助于將信號面設定在再生磁頭最集中的位置、即厚度約0.6mm的位置，象散為最小。相反，再生再生光入射內側信號面時，由于從再生磁頭最集中位置、即0.6mm的位置離開中間層的厚度約40μm的象散的偏差劣化，借助于從再生光入射側信號面上的反射膜的返回光量增多，使來自噪聲的影響減小。
也就是說，將激光最集中的焦點位置設定在中間層46的光軸OA方向的大致中央和半透明膜44之間，同時適當選定半透明膜44的反射率，借助于從反射膜返回光強度比從半透明膜返回光強度要大，能大致均勻化再生再生光入射側信號面時和再生再生光入射內側信號面時的偏差。
采用本實施例，當考慮光盤的制造的離散性時，半透明膜及反射膜的反射率余量分別為20-40％左右，光路長、即再生光入射側基板42為0.56mm-0.58mm，中間層厚度為40-60μm(至再生光入射內側基板48的信號面的光路長0.64mm以內)是合適的。
此外，在前述實施例3中，雖然在反射膜反射返回再生磁頭的光強度比半透明膜的反射光量要大，但反過來也可以在反射膜反射返回再生磁頭的光強度比半透明膜的反射光量要小。
也就是說，將激光最集中的焦點位置設定在中間層46的光軸OA方向的大致中央和反射膜50之間，同時適當選定半透明膜44的反射率，借助于從反射膜返回光強度比從半透明膜返回光強度要小，能大略均勻化再生再生光入射側的信號面時和再生再生光入射內側信號面時的偏差。
如前文所述，利用實施例3，在從再生磁頭焦點位置離開不等距離的位置上設置信號面，也能在半透明膜和反射膜返回光量有差別時略均勻化再生各信號層時的偏差。
用半透明膜的反射率為30％、反射膜的反射率為70％以上作為這種單面讀出型兩層式光盤的條件，也能得到與前述實施例相同的光盤結構余量結果。
此外，或者用具有在再生各信號面時返回光量少的信號面?zhèn)壬显O定焦點位置的數值孔徑NA的再生磁頭，或者借助于適當選定從半導體激光器出射的激光波長，也能略均勻化再生各信號層時的偏差。
本發(fā)明因前文說明的結構，所以能達到以下所述的效果。
采用本發(fā)明權利要求1或者權利要求12所述的發(fā)明，因來自讀出激光最集中的焦點位置在兩個信號面之間，所以能大致均勻化再生各信號面時的偏差，并能略同等地做成來自各信號面的再生信號的質量。
采用權利要求2、3或者13所述的發(fā)明，因各信號面在從前述焦點位置在光軸方向上幾乎等距離離開的位置上，所以再生各自的信號面時的各信號面上的光點收縮直徑在由于象散的劣化上幾乎相同，因其返回光強度幾乎相同所以對再生信號的噪聲影響度也幾乎相同，能在幾乎相同的條件下再生兩信號面。
采用權利要求4所述的發(fā)明，因兩個信號層的厚度相同，所以能使用相同基板材料。
采用權利要求5所述的發(fā)明，因在入射側信號層的厚度上增加中間層的厚度的約二分之一的厚度作為入射內側信號層的厚度，所以可不要調整以往使用的基板材料的厚度、作為入射內側信號層制作使用。
采用權利要求10、11、14或者15所述的發(fā)明，根據再生磁頭、信號面從設計成讀出激光最集中的焦點位置遠離，關于由于象差的影響大的信號面，借助于提高從其信號面上的反射膜或者半透明膜向再生磁頭的返回光強度，使噪聲的影響度減低，關于再生另一信號面時，根據再生磁頭、信號面接近設計成讀出激光最集中的焦點位置、由于象差的影響小，借助于降低從其信號面上的反射膜或者半透明膜向再生磁頭的返回光強度，能幾乎相同地做成再生各信號面時的再生信號的質量。
權利要求
1.一種單面讀出型兩層式光盤，這種光盤包括順次形成第一信號層、半透明膜、中間層、反射膜和第二信號層、在所述第一信號層的所述半透明膜一側形成信號坑點、同時在所述第二信號層的所述反射膜一側形成信號坑點，其特征在于，從再生磁頭靠所述第一信號層側大致垂直地入射讀出激光時，選定所述第一信號層的厚度，使讀出激光最集中的焦點位置設定在所述中間層內，并大致均勻化再生所述第一和第二信號層中各信號坑點時的偏差。
2.如權利要求1所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央上。
3.如權利要求1所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，以僅為從所述第一信號層的所述讀出激光入射面開始到所述焦點位置為止的距離的所述中間層厚度的約二分之一的薄的厚度，作為所述第一信號層的厚度。
4.如權利要求3所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，所述第二信號層的厚度與所述第一信號層的厚度相同。
5.如權利要求3所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，以在所述第一信號層的厚度上增加所述中間層的厚度的約二分之一的厚度作為第二信號層的厚度。
6.如權利要求2所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，所述第一信號層的厚度是0.56-0.58mm。
7.如權利要求2所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，所述半透明膜的反射率是20-40％。
8.如權利要求2所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，所述中間層的厚度是40-60μm。
9.如權利要求2所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，所述反射膜的反射率在70％以上。
10.如權利要求1所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央和所述半透明膜之間，讀出所述第一和第二信號層中各信號坑點時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＜(從所述反射膜來的返回光強度)。
11.如權利要求1所述的單面讀出型兩層式光盤，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央和所述反射膜之間，讀出所述第一和第二信號層中各信號坑點時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＞(從所述反射膜來的返回光強度)。
12.一種再生磁頭，這種讀出包括出射讀出激光的光源、至少具有一個再生透鏡、順次形成第一信號層、半透明膜、中間層、反射膜和第二信號層的單面讀出型兩層式光盤的再生磁頭，其特征在于，靠所述第一信號層大致垂直地入射所述讀出激光時，選定所述讀出激光的波長和所述再生透鏡的數值孔徑NA，使所述讀出激光最集中的焦點位置設定在所述中間層內，并略均勻化再生所述第一和第二信號層中各信號坑點時的偏差。
13.如權利要求12所述的再生磁頭，其特征在于，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央上。
14.如權利要求12所述的再生磁頭，其特征在于，對于讀出所述第一和第二信號層時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＜(從所述反射膜來的返回光強度)的單面讀出型兩層式光盤，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央和所述半透明膜之間。
15.如權利要求12所述的再生磁頭，其特征在于，對于讀出所述第一和第二信號層時的返回光強度為(從所述半透明膜來的返回光強度)＞(從所述反射膜來的返回光強度)的單面讀出型兩層式光盤，將所述焦點位置設定在所述中間層中光軸方向的大致中央和所述反射膜之間。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種單面讀出型兩層式光盤及再生磁頭，順次形成第一信號層、半透明膜、中間層、反射膜和第二信號層，制作分別在第一信號層的半透明膜側和第二信號層的反射膜側具有信號坑點的單面讀出型兩層式光盤，對于這種光盤，從再生磁頭靠第一信號層大致垂直地入射讀出激光時，適當選定第一信號層厚度、再生磁頭的數值孔徑或者激光波長，使讀出激光最集中的焦點位置設定在中間層內，并均勻化再生第一和第二信號層中各信號坑點時的偏差。
文檔編號G11B7/00GK1143800SQ9610680
公開日1997年2月26日 申請日期1996年6月10日 優(yōu)先權日1995年6月8日
發(fā)明者富山盛央, 貴志俊法 申請人:松下電器產業(yè)株式會社