專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的增壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，更確切地說是一種用來使系統(tǒng)饋送的電源電壓增升到所需的增壓電平的增壓電路(此處所指的“增壓電路”在這一領(lǐng)域內(nèi)同增升電路、增壓發(fā)生電路、自舉電路等意義相同)。
在諸多動(dòng)態(tài)RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)之類的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，數(shù)據(jù)的傳輸可認(rèn)為是有效勢(shì)的移位。在由CMOS晶體管構(gòu)成的動(dòng)態(tài)RAM中，當(dāng)電位勢(shì)通過MOS晶體管溝道區(qū)進(jìn)行傳輸時(shí)，由于MOS晶體管的閾值電壓而發(fā)生電壓降。這一不可避免的電壓降成為準(zhǔn)確讀寫數(shù)據(jù)的障礙并使數(shù)據(jù)丟失。為解決這一問題，已使用了提高電壓電平的增壓電路。作為這種增壓技術(shù)的有1991年11月7日提出并授予本發(fā)明同一受讓人的題為“增壓電路”的韓國(guó)專利91-19740號(hào)；1992年超大規(guī)模集成電路研討會(huì)論文摘要“一種采用單片增壓電源的35ns 64Mb DRAM”(pp64-65)；授予日本Fujitsu公司的美國(guó)專利第4,704,706號(hào)等。


圖1示意地示出了本技術(shù)領(lǐng)域中一般熟知的前述技術(shù)中所描述的增壓電路的特征部分。輸入節(jié)點(diǎn)2接收振蕩器(未示出)產(chǎn)生的振蕩信號(hào)φOSC。激勵(lì)電容器4的一個(gè)電極引線耦合到輸入節(jié)點(diǎn)2，而另一電極引線耦事到激勵(lì)節(jié)點(diǎn)8。激勵(lì)電容器6的一個(gè)電極引線耦合到輸入節(jié)點(diǎn)2，而另一電極引線耦合到激勵(lì)節(jié)點(diǎn)10。帶有分別連接于激勵(lì)節(jié)點(diǎn)8和10的柵和漏的傳輸晶體管12產(chǎn)生增升電壓VPP。雖然圖1中未繪出，還提供了一個(gè)用來使激勵(lì)節(jié)點(diǎn)8和10預(yù)充電到電源電壓VCC電平的預(yù)充電電路。圖1的結(jié)構(gòu)在本技術(shù)領(lǐng)域中就是通常所說的電荷激勵(lì)電路。當(dāng)增升電壓VPP在芯片加電和激活循環(huán)過程中被內(nèi)部電路降低到低于正常電平的時(shí)候，振蕩器就工作。若振蕩信號(hào)φOSC被饋送到輸入節(jié)點(diǎn)2，激勵(lì)電容器4和6就使激勵(lì)節(jié)點(diǎn)8和10增壓到大約二倍于電源電壓VCC。作為增升電壓VPP的向激勵(lì)節(jié)點(diǎn)10充電的電壓是通過傳輸晶體管12的溝道而產(chǎn)生的。圖1的電路由采用電源電壓VCC作為源電壓的振蕩器來驅(qū)動(dòng)，以便獲得2VCC-VT的增升電壓VPP電平(其中VT是傳輸晶體管12的閾值電壓)。激勵(lì)節(jié)點(diǎn)8和10一開始是被預(yù)充電到電源電壓VCC電平。
圖1的增壓電路用典型的CMOS制造工藝來形成。圖1電路的問題是激勵(lì)效率，其傳輸晶體管12是一個(gè)用CMOS制造工藝制作的NMOS晶體管。如同本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員所熟知的，MOS晶體管的器件特征是其體效應(yīng)隨其源漏間電壓電平的上升而增加。顯然，隨著半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件集成度的進(jìn)一步提高，由于各器件的尺寸縮小且它們之間的距離變小，體效應(yīng)就進(jìn)一步增大。圖1的增壓電路的一個(gè)根本問題就是MOS晶體管亦即傳輸晶體管的器件特征，而不是線路設(shè)計(jì)，使激勵(lì)效率下降。
本發(fā)明的目的是提供一種用來改善激勵(lì)效率的增壓電路。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用來高速產(chǎn)生增升電壓的增壓電路。
本發(fā)明的又一目的是提供一種不理會(huì)體效應(yīng)的出現(xiàn)，即使在增升電壓電平升高時(shí)也能改善激勵(lì)效率的增壓電路。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種用來由傳輸晶體管的器件特性而提高激勵(lì)效率的增壓電路。
根據(jù)本發(fā)明的一種情況，提供了一種經(jīng)由具有雙極晶體管特性的傳輸晶體管來產(chǎn)生增升電壓的增壓電路。此增壓電路包括用典型的CMOS制造工藝的三井工藝制作的傳輸晶體管。此傳輸晶體管的工作如同雙極二極管，它包括一個(gè)形成在第一導(dǎo)電型的襯底上的第二導(dǎo)電型的第一井、一個(gè)形成在第一井之中的第一導(dǎo)電型的第二井、一個(gè)形成在第一井中但不在上述第二井之中的第二導(dǎo)電型的第一擴(kuò)散層(第一擴(kuò)散層連接到接于激勵(lì)電容器的連線上)、一個(gè)形成在上述第二井且連接于上述連線上的第一導(dǎo)電型的第一擴(kuò)散層、以及一個(gè)形成在上述第二井且連接于增壓節(jié)點(diǎn)的第二導(dǎo)電型的第二擴(kuò)散層。
現(xiàn)用舉例的方法，參照附圖，以便更好地了解本發(fā)明及其實(shí)施方法，在這些附圖中圖1是一示意圖，示出了常規(guī)增壓電路的特征部分；圖2是一個(gè)等效電路圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)增壓電路的示意結(jié)構(gòu)；圖3是圖2電路的剖面圖；圖4是一個(gè)電路圖，示出了根據(jù)圖2和3組成的增壓電路的一個(gè)實(shí)施例；以及圖5是一個(gè)波形圖，示出了圖4電路得到的增升電壓VPP的上升斜率。
參照?qǐng)D2，根據(jù)本發(fā)明的增壓電路采用一個(gè)雙極晶體管26作為用來產(chǎn)生增升電壓VPP的傳輸晶體管。應(yīng)該指出的是以下“雙極晶體管”同“雙極二極管”及“雙極傳輸晶體管”意義相同。如同本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員所熟知的，雙極晶體管是一種電流控制器件，而MOS晶體管是電壓控制器件。雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度得到了改善且驅(qū)動(dòng)力提高了。由雙極晶體管構(gòu)成的傳輸晶體管具有極好的增壓電路器件性能，為激勵(lì)效率的改善、向所需增壓電平的高速增壓運(yùn)行以及防止體效應(yīng)。
圖3是圖2電路的剖面圖。雙極晶體管26用典型CMOS制造工藝的三井工藝來制作。現(xiàn)簡(jiǎn)要地描述一下用來制造作為傳輸晶體管的雙極晶體管26的工藝。在P型襯底28上制作一個(gè)N井30。在N井30的中部制作一個(gè)P井32。在制作了P井32以外的N井30中，用注入n+雜質(zhì)的方法制作一個(gè)n+層38。用分別注入p+和n+雜質(zhì)的方法，在P井32中形成一個(gè)p+層40和一個(gè)n+層42。這就完成了圖2所示的雙極晶體管26的結(jié)構(gòu)。在P型襯底28上用注入n+雜質(zhì)的方法形成的n+層34和36以及柵35，構(gòu)成了圖2的激勵(lì)電容器22。由于用典型的制造工藝很容易獲得圖3的結(jié)構(gòu)，故略去諸如掩蔽工序、擴(kuò)散工序之類的細(xì)節(jié)。n+層34和36連接于輸入節(jié)點(diǎn)20并根據(jù)通過節(jié)點(diǎn)20的電壓對(duì)形成于其上的柵35進(jìn)行激勵(lì)，從而激勵(lì)耦合于柵35的激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24。應(yīng)該指出的是激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24共接于N井30中的n+層38和P井32中的p+層40，其細(xì)節(jié)稍后將討論。加有增升電壓VPP的一個(gè)連線連接于P井32中的n+層42。容易理解雙極晶體管26是通過激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24和增升電壓VPP連線之間的P井32而工作的。為了通過雙極晶體管26來激勵(lì)增升電壓VPP，激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24應(yīng)與P型襯底28隔離。否則，充電于激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24的激勵(lì)電壓會(huì)通過襯底28放電。本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員都知道需要在N井30中制作雙極晶體管以防止激勵(lì)電壓被放電。
現(xiàn)描述一下激勵(lì)節(jié)點(diǎn)之所以要共接于N井30中的n+層38和P井32中的p+層40的理由。
倘若激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24不能經(jīng)由n+層38將激勵(lì)電壓加于N井30，亦即，若激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24只將激勵(lì)電壓加于P井32中的p+層40，則形成一個(gè)P-N結(jié)正向偏壓。于是，加于P井32的高壓就漏向N井30。P井32的n+層42就不被激勵(lì)到所需的電平。因此，高壓應(yīng)從N井30饋送。為克服這一問題，希望激勵(lì)節(jié)點(diǎn)24連接于N井30中的n+層38。同時(shí)希望P型襯底28連接于地電壓GND或襯底電壓VBB以便防止P-N結(jié)正向偏壓。如果形成了帶有上述三井結(jié)構(gòu)的雙極晶體管26，則即使增升電壓VPP升高，也不存在電流變動(dòng)，從而使將增升電壓VPP增壓到所需的高電壓的增壓時(shí)間盡可能縮短。因此，提高了激勵(lì)效率且確保了增壓電路的器件工作特性。
圖4是根據(jù)圖2和3的增壓電路的一個(gè)實(shí)施例。圖4的增壓電路示出了充電激勵(lì)電路的結(jié)構(gòu)。增壓電路根據(jù)振蕩器的觸發(fā)振蕩信號(hào)φOSC的邏輯變化而執(zhí)行雙激勵(lì)操作。輸入節(jié)點(diǎn)44接收振蕩器(未示出)產(chǎn)生的振蕩信號(hào)φOSC。第一反相器46的一個(gè)輸入端連接于輸入節(jié)點(diǎn)44。電極二端連接在第一反相器46和第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50之間的第一激勵(lì)電容器48，根據(jù)第一反相器46的輸出信號(hào)電壓電平而激勵(lì)第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50。第一預(yù)充電晶體管52將第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50預(yù)充電到電壓電平VCC-Vtn。NPN晶體管的第一雙極晶體管54的基極和集電極共接于第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50而發(fā)射極連接于增升節(jié)點(diǎn)72用來產(chǎn)生增升電壓VPP。第二反相器60的一個(gè)輸入端連接于輸入節(jié)點(diǎn)44，而第三反相器62的輸入端連接于第二反相器60的輸出端。二個(gè)電極端連接在第三反相器62和第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66之間的第二激勵(lì)電容器64，根據(jù)第三反相器62的輸出信號(hào)電壓電平而激勵(lì)第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66。第二預(yù)充電晶體管68將第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66預(yù)充電到電壓電平VCC-Vtn。NPN晶體管的第二雙極晶體管70的基極和集電極共接于第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66而發(fā)射極連接于增壓節(jié)點(diǎn)72。溝道連接在電源電壓VCC端和第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50之間而柵極連接于第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66的第三預(yù)充電晶體管56，將第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50預(yù)充電到電源電壓VCC電平。溝道連接在第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66和電源電壓VCC端之間而柵極連接于第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50的第四預(yù)充電晶體管58，將第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66預(yù)充電到電源電壓VCC電平。圖4結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是充電激勵(lì)電路采用雙極晶體管作為傳輸晶體管。
現(xiàn)描述圖4電路的工作。在芯片加電之后，當(dāng)保持增升電壓VPP于一所需的電平而使圖4的增壓電路處于停用狀態(tài)時(shí)，或者說在芯片啟動(dòng)之前，激勵(lì)節(jié)點(diǎn)55和66借助于第一和第二預(yù)充電晶體管52和68的預(yù)充電操作而被預(yù)充電到電壓電平VCC-Vtn。其中Vtn是NMOS晶體管的預(yù)充電晶體管52或68的閾值電壓。之后，若芯片被啟動(dòng)，或者增升電壓VPP被降到低于所需電平，則圖4的增壓電路被啟動(dòng)。于是具有恒定周期的方波振蕩信號(hào)φOSC饋送到輸入節(jié)點(diǎn)44。其詳細(xì)描述如下首先，若加于輸入節(jié)點(diǎn)44的振蕩信號(hào)φOSC從邏輯“低”位升高到邏輯“高”位，則第一反相器46產(chǎn)生邏輯“低”位。經(jīng)由第一激勵(lì)電容器48就沒有激勵(lì)操作且第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50保持其預(yù)充電電平。第二和第三反相器60和62分別產(chǎn)生邏輯“低”和“高”位。第二激勵(lì)電容器64將第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66增壓到二倍于VCC-Vtn的電壓電平。被增壓了的第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66的電壓電平經(jīng)由第二雙極晶體管70被傳輸?shù)皆鰤汗?jié)點(diǎn)72以提高增升電壓VPP。第二雙極晶體管70是一種由圖3結(jié)構(gòu)形成的器件。在第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66和增壓節(jié)點(diǎn)72經(jīng)由第二雙極晶體管70進(jìn)行電荷共享操作的過程中，第二雙極晶體管70具有參照?qǐng)D3所描述的特征。于是，充電到激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66的高電壓被高速地傳輸?shù)皆鰤汗?jié)點(diǎn)72，而且即使增壓節(jié)點(diǎn)72成為高電壓電平，也不發(fā)生體效應(yīng)。圖3中第一或第二雙極晶體管54或70的發(fā)射極相當(dāng)于圖3的P井32中的n+層42，其基極是圖3的P井32中的p+層40，而其集電極是圖3的N井30中的n+層38。因此很容易理解即使增壓節(jié)點(diǎn)72被升到高電壓也不發(fā)生體效應(yīng)。激勵(lì)在第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66的電壓電平2(VCC-Vtn)使第三預(yù)充電晶體管56的溝道完全地導(dǎo)通，以致將第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50預(yù)充電到電源電壓VCC電平。
其次，若加于輸入節(jié)點(diǎn)44的振蕩信號(hào)φOSC從“高”邏輯位降到“低”邏輯位，則第一反相器46產(chǎn)生邏輯“高”位。第一激勵(lì)電容器48將第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50從原有的預(yù)充電電平VCC(此電平是在前述過程中經(jīng)由第三預(yù)充電晶體管56而獲得的)激勵(lì)到二倍于預(yù)充電電平VCC。被增壓了的激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50的電壓電平經(jīng)由第一雙極晶體管54被傳輸?shù)皆鰤汗?jié)點(diǎn)72，以將增升電壓VPP提高到高于原有增升電壓電平的較高電平。第一雙極晶體管54也是由圖3結(jié)構(gòu)形成的，而且在第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50和增壓節(jié)點(diǎn)72通過第一雙極晶體管54而進(jìn)行電荷共享操作的過程中保持參照?qǐng)D3所述的器件特性。因此，充電于激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50的高電壓被高速地傳輸?shù)皆鰤汗?jié)點(diǎn)72，并防止由增壓節(jié)點(diǎn)72的提高了的電壓所引起的體效應(yīng)。另一方面，第二和第三反相器60和62分別產(chǎn)生邏輯“高”位和“低”位。經(jīng)由第二激勵(lì)電容器64不存在第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66的激勵(lì)操作。激勵(lì)在第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50的電壓電平2VCC使第四預(yù)充電晶體管58的溝道完全地導(dǎo)通，以將第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)66預(yù)充電到電源電壓VCC電平。這樣，下一激勵(lì)操作的效率就被提高了。
若振蕩信號(hào)φOSC再次從邏輯“低”位升至“高”位，則重復(fù)前述第一過程。第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)50的預(yù)充電電平變?yōu)殡娫措妷篤CC電平，然后繼續(xù)進(jìn)行激勵(lì)操作。重復(fù)進(jìn)行這一系列過程直到增升電壓VPP升高到所需的增升電壓電平，而且通過這些過程，增升電壓VPP被升高到規(guī)定的電壓電平。
圖5示出了圖4運(yùn)行特性引致的增升電壓VPP的上升斜率。如所示，本發(fā)明的增壓電路比之常規(guī)電路，其增升電壓VPP上升到所需的增升電壓電平(約二倍于電源電壓VCC)需要的建立時(shí)間更短。顯然，用根據(jù)圖3結(jié)構(gòu)構(gòu)成的圖4的第一和第二雙極晶體管54和70，可以獲得這些特性。
如上所述，本發(fā)明實(shí)施例的增壓電路用實(shí)現(xiàn)一個(gè)帶有雙極晶體管的電荷激勵(lì)電路的方法來使增升電壓VPP升高到所需的增升電壓電平。即使增壓節(jié)點(diǎn)間的增升電壓上升了，由于不存在流入增壓節(jié)點(diǎn)的電流變化，增壓效率也得到了提高。而且防止了常用增壓電路中正比于增升電壓的上升而增大的體效應(yīng)。
上面的描述僅僅指出了本發(fā)明的一個(gè)最佳實(shí)施例。對(duì)本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員來說，各種不超越本發(fā)明的范圍的修改是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的增壓電路，它包含一個(gè)用來接收具有恒定周期的振蕩信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)；一個(gè)激勵(lì)節(jié)點(diǎn)，上述激勵(lì)節(jié)點(diǎn)被預(yù)充電到規(guī)定的電壓電平；一個(gè)增壓節(jié)點(diǎn)，上述增壓節(jié)點(diǎn)被升高到高于電源電壓的增升電壓；一個(gè)二電極端連接在上述輸入節(jié)點(diǎn)和上述激勵(lì)節(jié)點(diǎn)之間的激勵(lì)電容器，上述激勵(lì)電容器根據(jù)饋送到上述輸入節(jié)點(diǎn)的電壓電平來激勵(lì)上述的激勵(lì)節(jié)點(diǎn)；以及一個(gè)連接在上述激勵(lì)節(jié)點(diǎn)和上述增壓節(jié)點(diǎn)之間、用來將充電到上述激勵(lì)節(jié)點(diǎn)的電壓傳輸?shù)缴鲜鲈鰤汗?jié)點(diǎn)的雙極二極管。
2.權(quán)利要求1所述的增壓電路，其特征在于所述的雙極二極管是一種NPN雙極晶體管。
3.一種用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中且?guī)в性诘谝粚?dǎo)電型襯底上由第二雜質(zhì)形成的激勵(lì)電容器的增壓電路，上述的增壓電路包含一個(gè)雙極二極管的傳輸晶體管，它包含一個(gè)形成在上述襯底上的第二導(dǎo)電型的第一井；一個(gè)形成在上述第一井中的第一導(dǎo)電型的第二井；一個(gè)形成在上述第一井中但不在上述第二井中的第二導(dǎo)電型的第一擴(kuò)散層，上述第一擴(kuò)展層連接到接于上述激勵(lì)電容器的連線上；一個(gè)形成在上述第二井中且連接于上述連線的第一導(dǎo)電型的第一擴(kuò)散層以及一個(gè)形成在上述第二井中且連接于增壓節(jié)點(diǎn)的第二導(dǎo)電型的第二擴(kuò)散層；借此，上述傳輸晶體管產(chǎn)生一個(gè)經(jīng)由上述激勵(lì)電容器向上述增壓節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)激勵(lì)的增升電壓。
4.權(quán)利要求3所述的增壓電路，其特征在于所述的第一導(dǎo)電型是P型，而其中所述的第二導(dǎo)電型是N型。
5.一種用于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的增壓電路、包括一個(gè)用來產(chǎn)生恒定周期的方波振蕩信號(hào)的振蕩器，上述增壓電路包含一個(gè)用來接收上述振蕩信號(hào)的輸入節(jié)點(diǎn)；一個(gè)輸入端連接于上述輸入節(jié)點(diǎn)的第一反相器；一個(gè)二電極端連接在上述第一反相器和第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)之間的第一激勵(lì)電容器，上述第一激勵(lì)電容器根據(jù)上述第一反相器的輸出信號(hào)電平來激勵(lì)上述第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)；一個(gè)用來將上述第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)預(yù)充電到相當(dāng)于電源電壓電平的第一預(yù)充電晶體管；一個(gè)基極和集電極共接于上述第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)而發(fā)射極連接于增壓節(jié)點(diǎn)、用來產(chǎn)生高于上述電源電壓的增升電壓的第一雙極傳輸晶體管；一個(gè)輸入端連接于上述輸入節(jié)點(diǎn)的第二反相器；一個(gè)輸入端連接于上述第二反相器輸出端的第三反相器；一個(gè)二電極端連接在上述第三反相器和第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)之間的第二激勵(lì)電容器，上述第二激勵(lì)電容器根據(jù)上述第三反相器的輸出信號(hào)電壓電平來激勵(lì)上述第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)；一個(gè)用來將上述第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)預(yù)充電到相當(dāng)于上述電源電壓的上述電平的第二預(yù)充電晶體管；以及一個(gè)其基極和集電極共接于上述第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)而發(fā)射極連接于上述增壓節(jié)點(diǎn)的第二雙極傳輸晶體管。
6.權(quán)利要求5所述的增壓電路還包含一個(gè)其溝道連接在上述第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)和電源端之間而柵極連接于上述第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)的第三預(yù)充電晶體管，上述第三預(yù)充電晶體管將上述第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)預(yù)充電到相當(dāng)于總電源電壓的電平；以及一個(gè)其溝道連接在上述第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)和上述電源端之間而柵極連接于上述第一激勵(lì)節(jié)點(diǎn)的第四預(yù)充電晶體管，上述第四預(yù)充電晶體管將上述第二激勵(lì)節(jié)點(diǎn)預(yù)充電到相當(dāng)于上述總電源電壓的上述電平。
全文摘要
一種用來將系統(tǒng)饋送來的電源電壓VCC增長(zhǎng)到所需的增升電壓VPP電平的增壓電路。增壓電路包括一個(gè)用三井工藝制作的傳輸晶體管。傳輸晶體管具有雙極特性且其工作如同雙極二極管。
文檔編號(hào)G11C11/407GK1122943SQ9411894
公開日1996年5月22日 申請(qǐng)日期1994年11月17日 優(yōu)先權(quán)日1993年11月17日
發(fā)明者崔勛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社