專利名稱：帶線圈保護(hù)環(huán)的薄膜傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及盤片驅(qū)動器中所用類型的薄膜傳感器。
用在盤片驅(qū)動器中，對磁性存儲盤片寫入數(shù)據(jù)或從中讀出數(shù)據(jù)的薄膜磁性傳感器已為眾所周知。典型的薄膜傳感器包括一對磁極片，磁極片接合于通常稱為背隙區(qū)的第一區(qū)，而在通常稱為極尖區(qū)的對立區(qū)相互隔開。磁極片在背隙區(qū)與極尖區(qū)之間分離開，以容納一個(gè)與磁極片電絕緣的導(dǎo)電線圈。該線圈通過鄰近襯底表面上所形成的外部導(dǎo)線與相關(guān)的讀/寫電路電氣相連。傳感器一般利用光刻技術(shù)制造在一塊通稱為浮動塊的較厚的襯底上，其極尖區(qū)終止于稱為空氣軸承表面(ABS)的表面處。美國專利第4，458，279號及其中引用的參考文獻(xiàn)描述并圖示了這類傳感器的一個(gè)典型例子，這些文獻(xiàn)的揭示內(nèi)容在此引為參考。
通常在浮動塊表面上制造一對這樣的薄膜傳感器，各傳感器位于浮動塊表面不同的一端，鄰近的一個(gè)凸起部分由遍及浮動塊整個(gè)長度的一條導(dǎo)軌所限定。這樣，在一個(gè)給定的組件中，浮動塊有一對沿其長度方向彼此平行伸展的導(dǎo)軌，而薄膜傳感器同每個(gè)由相關(guān)的導(dǎo)軌所限定的各個(gè)凸起相關(guān)聯(lián)。
對磁性媒介更高的數(shù)據(jù)密度要求導(dǎo)致要有極小的磁跡寬度和極尖區(qū)相應(yīng)小的傳感器。隨著磁極尖縮小，傳感器線圈輸出的電信號幅值也相應(yīng)減小。這是不希望的，因?yàn)樵谧x出操作中，噪聲信號會進(jìn)一步掩蓋線圈所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號，導(dǎo)致錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)取出。以往通過減小各線圈環(huán)的寬度并制造兩層或多層線圈，從而增加傳感器線圈匝數(shù)，以彌補(bǔ)信號幅值的降低。另外，利用超小型薄膜變壓器增強(qiáng)薄膜傳感器輸出的電信號也實(shí)現(xiàn)了信號幅值的提高。在我們同時(shí)提出的專利申請07/463，567號(1990年1月11日申請，名為“薄膜傳感器/變壓器組件”，現(xiàn)已批準(zhǔn))中，描述了一種適當(dāng)?shù)谋∧ぷ儔浩鳎撟儔浩餍纬捎趦蓚€(gè)浮動塊凸起之一，即在已有技術(shù)裝置中通常由薄膜傳感器之一所占據(jù)的位置上。該薄膜變壓器包括一個(gè)底極構(gòu)件、一個(gè)與底極構(gòu)件構(gòu)成閉合磁路的頂極構(gòu)件和一個(gè)線圈。頂、底極構(gòu)件用透磁材料制成。導(dǎo)電線圈定位于頂、底極構(gòu)件之間，線圈有一對端部，兩端部之間有一抽頭接頭。變壓器的底極構(gòu)件包括第1、第2端部和在其間延伸的中間體部。頂極構(gòu)件包括第1、第2端部和在其間延伸的中間體部，該中間體部位于底極構(gòu)件的中間體部之上，形成一個(gè)內(nèi)部空間用于容納線圈，底極構(gòu)件的第1、2端部分別與頂極構(gòu)件的第1、2端部耦合。頂極構(gòu)件的中間體部最好有一下垂延伸至底極構(gòu)件中間體部的中央部，變壓器線圈以置于頂極構(gòu)件的中央部為佳。變壓器除了設(shè)在兩個(gè)凸起之一的部件以外，也可設(shè)于薄膜傳感器同一襯底上的它處，或者可做成一個(gè)獨(dú)立單元。變壓器線圈通過導(dǎo)電引線連至傳感器線圈和后續(xù)電路。與傳感器類似，薄膜變壓器用集成電路制造技術(shù)制成。
在制作薄膜變壓器和薄膜傳感器的過程中，在形成線圈上層之后應(yīng)在其上設(shè)置一絕緣層。然后，在絕緣層上淀積一層形成頂極構(gòu)件的適當(dāng)?shù)蔫F磁材料，在鐵磁材料層之上形成一層光刻膠，通過一適當(dāng)?shù)难谀ざ毓?，形成頂極構(gòu)件所需的輪廓。此后，利用離子束蝕刻工藝蝕去未受曝光后光刻膠保護(hù)的鐵磁材料層，形成最后的頂極結(jié)構(gòu)。雖然離子束蝕刻工藝可以得到仔細(xì)控制，但由于線圈前沿區(qū)域(即鄰近薄膜傳感器中極尖區(qū)的線圈區(qū)域，或者鄰近變壓器中頂、底極區(qū)連接一端的線圈區(qū)域)中保護(hù)性絕緣層較薄，在離子束蝕刻步驟中，經(jīng)常發(fā)生頂部線圈層的最外一圈被損壞的情況。這要?dú)w因于在制造多層線圈和絕緣層的過程中絕緣層所形成的傾斜外形。外側(cè)線圈被損壞的結(jié)果是薄膜傳感器和薄膜變壓器的制造成品率都低于期望值。
本發(fā)明包括用于薄膜傳感器和薄膜變壓器兩者的改進(jìn)型線圈結(jié)構(gòu)，還包括成品率提高和基本上避免離子束蝕刻損壞的制造方法。
本發(fā)明改進(jìn)的線圈結(jié)構(gòu)可適用于薄膜傳感器和薄膜變壓器。在每一種用途中，通過切斷一外側(cè)線圈環(huán)與內(nèi)側(cè)線圈環(huán)的電氣連接，而改變通常的線圈圖形。在一個(gè)實(shí)施例中，這一點(diǎn)如此實(shí)現(xiàn)，將最外側(cè)線圈環(huán)的外端與外部引線斷開，并將該外部引線連接至下一線圈環(huán)的相鄰部分。在另一實(shí)施例中，最外側(cè)線圈環(huán)的外端與其內(nèi)側(cè)下一線圈環(huán)的鄰近部分相連接，并連至外部引線。在兩個(gè)實(shí)施例中，外側(cè)線圈環(huán)局部去除，或者局部不淀積，因而它不能連接其余的線圈構(gòu)造，即，外側(cè)線圈環(huán)在內(nèi)螺旋方向上是斷開的。
將外部引線連至線圈內(nèi)側(cè)的一環(huán)，同時(shí)保留外側(cè)線圈環(huán)的大部分，則用于形成頂極的離子束蝕刻工藝所造成的損壞僅發(fā)生在外側(cè)的虛設(shè)線圈環(huán)上。因而，無需對整個(gè)制造工藝作任何重大的改動，就能大大提高制造成品率。
要完整理解本發(fā)明的性質(zhì)和優(yōu)點(diǎn)，必須聯(lián)系附圖參見后文所作的詳細(xì)說明。


圖1是從浮動塊上側(cè)觀看的理想化透視圖，浮動塊帶有的薄膜傳感器和薄膜變壓器具有本發(fā)明改進(jìn)的線圈結(jié)構(gòu);
圖2是圖1直線2-2處的放大剖視圖，示出薄膜傳感器;
圖3是圖1直線3-3處的放大剖視圖，示出薄膜變壓器;
圖4是表示傳感器與變壓器之間耦合關(guān)系的電路圖;
圖5是放大的詳細(xì)俯視圖，示出頂部和底部薄膜傳感器線圈、外部導(dǎo)體和頂極的組合結(jié)構(gòu)外形;
圖6是顯示底部線圈繞組的俯視圖;
圖7是顯示頂部線圈繞組的俯視圖;
圖8是圖7頂部線圈繞組的放大圖;
圖9類似于圖8，示出本發(fā)明的第1實(shí)施例;
圖10類似于圖8，示出本發(fā)明的第2實(shí)施例。
現(xiàn)在參見附圖，圖1中用標(biāo)號10表示薄膜磁性傳感器，用標(biāo)號40表示薄膜變壓器，兩者做在浮動塊12的同一支撐面11上。浮動塊12包括第1和第2空氣軸承導(dǎo)軌13、14，它們與浮動塊12做成一體，以已知的方式提供空氣軸承表面，用于將浮動塊12支承在移動的磁盤(未示出)上。
薄膜傳感器10在圖2中最為清楚，它包括一層置于浮動塊襯底12的表面11之上，形成第一磁極片15的第一層磁性材料膜。第一磁極片15通常至少在極尖區(qū)15a和背隙區(qū)15b之間保持厚度均勻。在磁極片15之上淀積第一層二氧化硅或氧化鋁之類的非磁性絕緣材料16，它從極尖區(qū)15a延伸至背隙區(qū)15b。
形成導(dǎo)電線圈繞組20a的第一層導(dǎo)電材料淀積在絕緣材料16上，形成適當(dāng)?shù)膱D形，如圖6所示。然后在絕緣層16之上淀積第二層絕緣材料22，其厚度足以覆蓋繞組20a。在絕緣材料層22之上淀積第二層用以形成另一導(dǎo)電線圈繞組20b的導(dǎo)電材料，它有適當(dāng)?shù)膱D形，如圖7所示那樣。第三絕緣層24覆蓋第二線圈繞組20b。第一和第二線圈繞組層20a和20b在其各自的中央部位21a、21b(圖6和圖7)處相連，形成兩層連續(xù)的線圈，它環(huán)繞背隙區(qū)15b，將其圍住。
淀積形成第二磁極片26的第二層磁性材料，在背隙區(qū)15b中淀積在第一磁極片15之上，在導(dǎo)電線圈繞組20a和20b所占據(jù)的區(qū)域中，它淀積于絕緣層22和24之上，而在極尖區(qū)15a中則淀積于絕緣層16之上。在極尖區(qū)，磁極片15和26由絕緣層16隔開，以在其間形成傳感縫隙。第一繞組20a的一端和第二繞組20b的一端與獨(dú)立的導(dǎo)電路徑30、31的第一端連接，以將傳感器10的線圈電連接至變壓器40的線圈，這在下面進(jìn)一步說明。
如圖1所示，薄膜傳感器10的線圈20a、20b通過導(dǎo)電引線30、31電連接至薄膜變壓器40。圖3顯示得最清楚，薄膜變壓器40包括一下磁極或下磁棒60、在前端63和后端64處與下磁棒60相結(jié)合的上磁極或上磁棒62、一對導(dǎo)電線圈繞組66a和66b及三個(gè)絕緣層67、68、69。線圈繞組66a、66b構(gòu)形方式類似于前文中對薄膜傳感器10的線圈繞組20a、20b所作的說明，兩者均在各自的中央處相連。另外，線圈繞組66a和66b的中央連線從線圈結(jié)構(gòu)中引出，連至導(dǎo)電引線30。這樣，電路連接如圖4所示，其中，上線圈繞組66b的端部通過導(dǎo)電引線30、31連至薄膜傳感器的線圈，同時(shí)，下線圈繞組66a的一端和上線圈繞組66b的一端連至導(dǎo)電引線31、33。為了便于連接外部電路，如圖1所示，設(shè)置了擴(kuò)大的接觸區(qū)34、35。
本領(lǐng)域中的熟練人員會理解，變壓器40用于改變讀出操作中傳感器10在導(dǎo)電路徑30、31上產(chǎn)生的信號。具體而言，傳感器10的信號電壓電平被變壓器40升高或提升。信號電平的提升量由線圈66a、66b的匝數(shù)比決定。在圖4所示結(jié)構(gòu)中，信號輸入側(cè)的匝數(shù)N1即為線圈66b的匝數(shù)，而信號輸出側(cè)的匝數(shù)N2是線圈66a和66b的匝數(shù)相加值。對于任何特定用途，這些數(shù)值可以憑經(jīng)驗(yàn)確定。
本領(lǐng)域的熟練人員會理解，薄膜傳感器10和薄膜變壓器40可以同時(shí)制造，形成上述傳感器/變壓器組件，或者可以分開制造，隨后組合。傳感器10和變壓器40利用本領(lǐng)域的熟練人員所熟知的常規(guī)薄膜加工步驟制造。具體講，首先準(zhǔn)備襯底12，隨后先淀積鐵鎳合金之類適當(dāng)?shù)耐复挪牧现令A(yù)定厚度，然后進(jìn)行選擇性光掩膜成形和蝕刻，從而形成傳感器10的底磁極15和變壓器40的底磁極60。下一步淀積二氧化硅之類絕緣材料，進(jìn)而進(jìn)行光掩膜成形和蝕刻，形成第一絕緣層16和67。作為替換方式，可在底磁極15、60和襯底12上涂一層光致抗蝕劑，進(jìn)而作光掩膜成形和硬焙燒(固化)。下一步用銅、銀、金等適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料制作第一線圈繞組20a和66a，首先淀積一薄膜籽晶層，厚約200 ，隨后淀積導(dǎo)電材料至適當(dāng)厚度，進(jìn)行光掩膜成形、軟焙燒和電鍍，再剝除光致抗蝕劑并蝕刻籽晶層。接著形成第二絕緣層22、68，然后形成線圈20b、66b，絕緣層24、69和和頂磁極片26、62。在形成絕緣層22、68的過程中留出適當(dāng)?shù)拈_孔，以便利在適當(dāng)?shù)木€圈端子(例如線圈繞組20a、20b的中央端21a、21b)之間形成電連接。與此類似，在形成絕緣層69時(shí)也蝕刻出適當(dāng)?shù)拈_孔，形成一個(gè)中央開口，以方便線圈66b的內(nèi)端與導(dǎo)電引線30之間的抽頭連接。
在形成頂磁極片26、62的過程中，至少在傳感器10和變壓器40的絕大部分線圈之上淀積一層磁性材料。隨后在淀積的磁性材料層上覆蓋一層光致抗蝕劑，并利用常規(guī)技術(shù)進(jìn)行光掩膜成形，形成一層保護(hù)性光致抗蝕劑，其形狀為傳感器頂磁極片26和變壓器頂磁極片62。然后利用離子束蝕刻除去周圍多余的磁性材料層。在離子束蝕刻過程中，通常會蝕去部分上絕緣層24和69。只要蝕刻不深入到線圈層，就不會產(chǎn)生不利影響。然而，由于尺寸極小，發(fā)現(xiàn)上線圈繞組20b和66b在離子束蝕刻中受損。更仔細(xì)地研究線圈繞組的結(jié)構(gòu)對于理解這種現(xiàn)象會有幫助。圖6示出薄膜傳感器中典型的下線圈繞組20a。如圖所示，線圈有一獨(dú)特的形狀，其終止于中央端21a處。圖7示出現(xiàn)有技術(shù)中帶中央端21b的頂線圈繞組20b。圖8放大了圖7所示的頂線圈繞組20b。在圖8中可見，線圈繞組20b的外環(huán)25b在其外端處連至導(dǎo)電引線30。從圖8中看，線圈外環(huán)25b朝著傳感器10結(jié)構(gòu)的前沿向下延伸，向右穿過極尖區(qū)，再向上經(jīng)過導(dǎo)電引線31，差不多以圓弧狀繞過線圈背部，到達(dá)與導(dǎo)電引線30相連的區(qū)域。線圈的路徑以圖示的內(nèi)螺旋方式延伸，最后終止于中央端21b。在經(jīng)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，外環(huán)25b極易受到離子束蝕刻損壞的部分為標(biāo)號27b、28b所指的兩個(gè)區(qū)域，它們鄰近極尖區(qū)15a。易于受損的原因似乎在于上絕緣層24(圖2)外沿的傾斜特征，該絕緣層覆蓋頂線圈繞組20b，越接近外沿材料厚度越小。在頂磁極片26的離子束蝕刻過程中，絕緣層24鄰近正在處理的頂磁極片26外沿的部分必然暴露于離子束下。依靠經(jīng)驗(yàn)已經(jīng)斷定，這導(dǎo)致離子束以很高的發(fā)生率在區(qū)域27b和28b穿過頂線圈繞組20b的外沿層25b。情況嚴(yán)重時(shí)，離子束會將外側(cè)繞組25b整個(gè)切斷。結(jié)果，連續(xù)的通路被中斷，導(dǎo)電引線30和中央端21b的電連接受干擾(即使外側(cè)繞組25b與導(dǎo)電引線30之間常常保持實(shí)際的連接)。線圈繞組20b因此變得無用，導(dǎo)致傳感器10也無效。圖9示出一種第一頂線圈繞組20b，它設(shè)計(jì)得能極大地減少傳感器因離子束對外側(cè)繞組25b的蝕刻或毀壞而導(dǎo)致的失效問題，從而提高了本發(fā)明制造的傳感器的成品率。在圖9中可見，通常用標(biāo)號80表示的頂線圈繞組，其中央端81基本上類似于圖8所示現(xiàn)有技術(shù)頂線圈20b中央端21b，并有一斷開的外側(cè)線圈環(huán)82。用標(biāo)號83表示的繞組80下一內(nèi)線圈環(huán)經(jīng)由一過渡區(qū)85連至導(dǎo)電引線30。在這種結(jié)構(gòu)中，斷開的外環(huán)82作為“虛線圈環(huán)”，它被故意從導(dǎo)電引線30與繞組80中央端81之間的導(dǎo)電路徑中分開。繞組80的圖形基本類似于現(xiàn)有技術(shù)制作的繞組20b的圖形，但是，現(xiàn)有技術(shù)中的外環(huán)25b有意未連至導(dǎo)電引線30，其半圓形的背部從圖案中被除去，形成大致呈U形的虛線圈環(huán)82。在這種結(jié)構(gòu)中，任何離子束蝕刻引起的損壞基本上只發(fā)生在最外側(cè)的虛環(huán)82上，從而，線圈繞組80在引線30與中央端81之間的導(dǎo)電路徑保持完整無缺。
圖10示出本發(fā)明的另一實(shí)施例，其中，導(dǎo)電引線30經(jīng)由過渡區(qū)87連至虛環(huán)82和下一內(nèi)層環(huán)83。與圖9的實(shí)施例相同，現(xiàn)有技術(shù)制作的線圈繞組20b外環(huán)的半圓形背部被除去，形成外側(cè)的虛環(huán)82。
經(jīng)由頂線圈繞組80的下一內(nèi)環(huán)83形成導(dǎo)電引線30與中央端81之間的電連接，藉此極大地提高了制造成品率，這已得到證實(shí)。這種解決離子束蝕刻損傷頂線圈繞組問題的方案可以用極低的成本實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樗恍枰淖冺斁€圈繞組的形狀，這用適當(dāng)修改后的掩膜即可做到。應(yīng)該注意到，本發(fā)明所實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)以除去傳感器線圈的一匝為代價(jià)。但是，在傳感器與一薄膜變壓器40(或其它適當(dāng)?shù)男盘柼嵘b置)聯(lián)用的情況下，傳感器10輸出信號幅值的降低很容易通過變壓器40對信號的提升加以彌補(bǔ)。
上文對本發(fā)明的較佳實(shí)施例作了全面而充分的說明，但本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員可作出各種修改、替換結(jié)構(gòu)和同類結(jié)構(gòu)。例如，可以采用不同于圖5-10所示的線圈形狀，而不致背離本發(fā)明的精神。另外，對本發(fā)明的描述具體參照傳感器10的頂線圈繞組20b，但可以理解，本發(fā)明的原則同樣適用于薄膜變壓器40的頂線圈繞組66b。再者，圖1所示實(shí)施例在浮動塊12的左凸起13上有一傳感器，在右凸起14上有一變壓器，但可以想見，傳感器10和變壓器40的位置可以對換。在某些情況下，離子束蝕刻損傷會向內(nèi)波及頂線圈繞組的下一內(nèi)環(huán)，或者向下達(dá)到底線圈繞組的外環(huán)。在前一種情況下，外部導(dǎo)體30與中央端81之間的連接可以經(jīng)由更接近線圈繞組結(jié)構(gòu)中心的線圈內(nèi)環(huán)實(shí)現(xiàn)，例如采用第二最近鄰內(nèi)環(huán)88(圖9)、第三最近鄰內(nèi)環(huán)89等等。在后一種情況下，底線圈繞組20a、66b可以以頂線圈繞組20b、66b的方式進(jìn)行修改。與此類似，在每一凸起有一傳感器，并在其鄰近處設(shè)置一個(gè)輔助信號提升器的實(shí)施例也是可以想象的。因而，上述說明不應(yīng)用于限制由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種薄膜感應(yīng)裝置，具有頂、底磁極和至少與一個(gè)所述磁極感應(yīng)耦合的多匝線圈，所述線圈有一耦合至外部可觸及引線的中央端和外端、一個(gè)外環(huán)和至少一個(gè)內(nèi)環(huán)，其特征在于，所述外部可觸及的引線之一耦合至所述內(nèi)環(huán)，所述外環(huán)的一端與所述線圈斷開。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜感應(yīng)裝置，其特征在于，所述外環(huán)有一外端和一內(nèi)端，所述外環(huán)與線圈斷開的端部包括外端。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜感應(yīng)裝置，其特征在于，所述外環(huán)有一外端和一內(nèi)端，所述外環(huán)與所述線圈斷開的端部包括內(nèi)端。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜感應(yīng)裝置，其特征在于，所述薄膜感應(yīng)裝置包括一個(gè)薄膜傳感器。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜感應(yīng)裝置，其特征在于，它包括一個(gè)薄膜變壓器。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜感應(yīng)裝置，其特征在于，所述線圈包括一頂部繞組和一低部繞組，所述外環(huán)和所述內(nèi)環(huán)都包含在所述頂部繞組中。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜感應(yīng)裝置，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)包括與所述外環(huán)緊鄰的線圈環(huán)。
8.一種制造薄膜感應(yīng)裝置的方法，該裝置具有頂、底磁極和與至少一個(gè)所述磁極感應(yīng)耦合的多匝線圈，其特征在于，所述方法包括下列步驟(a)形成一底磁極;(b)在底磁極之上形成一多匝線圈，該線圈有一外環(huán)部分和一內(nèi)環(huán)部分，外環(huán)部分與線圈的內(nèi)部在電氣上斷開;(c)形成一頂磁極;(d)形成外部至內(nèi)環(huán)部分的電連接。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟(d)包括將外環(huán)部分的外端與內(nèi)環(huán)部分連在一起的步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，步驟(d)包括建立外部與線圈內(nèi)環(huán)部分外端的電連接的步驟。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成頂磁極的步驟(c)包括下述步驟在所述頂、底磁極的第一區(qū)域之間形成直接磁耦合，在其它區(qū)域形成縫隙，從而使所述裝置包括一個(gè)薄膜傳感器。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成頂磁極的步驟(c)包括下述步驟在所述頂、底磁極的第一和第二部分之間形成直接磁耦合，使得所述薄膜感應(yīng)裝置包括一變壓器。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，形成多匝線圈的步驟(b)包括形成一多層線圈的步驟。
全文摘要
一種薄膜傳感器有一通過離子束蝕刻形成的頂磁極、底磁極和與磁極感應(yīng)耦合的多匝線圈。該多匝線圈有一與其余線圈部分電氣上斷開的虛外環(huán)，因而，外部與線圈外側(cè)部分的電連接連至內(nèi)側(cè)部分。在制造頂磁極過程中，離子束蝕刻對已做成的線圈的損傷發(fā)生在虛環(huán)上，而不發(fā)生在作電連接的內(nèi)側(cè)部分上。薄膜變壓器配有同樣的虛環(huán)結(jié)構(gòu)。
文檔編號G11B5/31GK1107992SQ9410267
公開日1995年9月6日 申請日期1994年3月1日 優(yōu)先權(quán)日1994年2月10日
發(fā)明者林豐杰, 朱生勃 申請人:麥格耐克斯有限公司