專利名稱：磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤裝置，特別是關(guān)于在使用高密度和低密度兩種記錄介質(zhì)磁盤的各記錄/再生方式中，能夠進(jìn)行良好的記錄/再生處理的磁盤裝置。
以既有的軟盤作為記錄介質(zhì)的低密度錄/放磁盤裝置中，為了確保在記錄時具備足夠的越限特性，提高可讀極限，從而將所使用的盤上的磁膜磁化到深處。為此，將記錄/再生磁頭的磁心間隙寬度設(shè)定在由于記錄/再生信號電流引起的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.6倍，以下并且將磁盤里圈磁道的分辨率的絕對值設(shè)定在70%以上。
另一方面，新近提供的能進(jìn)行高密度記錄/再生的磁盤裝置，為了減小最小磁通反轉(zhuǎn)間隔，而將記錄/再生磁頭的磁心間隙寬度設(shè)定得較小，同時，由于磁化深度減小，從而將所用盤上的磁膜也設(shè)計(jì)得較薄。
此外，為了使之具有互換性，能夠進(jìn)行工作方式的轉(zhuǎn)換，還提供了與低密度記錄/再生和高密度記錄/再生兩種磁盤相對應(yīng)的磁盤裝置。這種磁盤裝置能夠利用一個記錄/再生磁頭進(jìn)行高密度和低密度兩種方式的記錄/再生處理。
但是，在上述高、低密度兩種方式兼用的磁盤裝置中，存在下述問題。以下以記錄密度為2MB的高密度記錄/再生方式和記錄密度為1MB的低密度記錄/再生方式、直徑為90mm(3.5英吋)的兩用磁盤裝置為例，進(jìn)行說明。
在2MB方式(高密度方式)中，為了確保磁盤里圈磁道的分辨率的絕對值大于70%，磁頭的磁心間隙寬度必須設(shè)定在0.9μm以下(1.46μm×0.60≈0.876≈0.9μm，此外，此式中的1.46μm是2MB記錄時的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔)。
在2MB用磁盤的記錄部分的磁層厚度(即磁膜厚度)，平均約為1.0μm。而1MB用磁盤的磁性涂層厚度約為2.0μm，是2MB用磁盤的2倍左右。另外，與此相對應(yīng)，2MB記錄時的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔(min、FCL)為1.46μm，1MB記錄時的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔為2.91μm。
在2MB專用磁盤中，由于磁層較薄(約1μm)，所以，在此厚度中，在以上述間隙寬度(0.9μm)的磁頭進(jìn)行記錄時，磁化深度可以達(dá)到很深處。但是，當(dāng)把磁層厚度較大(約2μm)的1MB專用磁盤用于備有上述磁頭(間隙寬度0.9μm)的兩用型磁盤時，磁化作用卻不可能達(dá)到約2倍厚度的磁層深處。
圖4是表示這種狀態(tài)的說明圖，圖中的1和2是磁頭磁心，g是磁心間隙，3是磁盤的磁層的剖面，4是盤基的剖面。當(dāng)利用與2MB相對應(yīng)的窄間隙磁頭記錄最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的信號時，記錄/再生磁頭的磁通分布曲線的最深處只能達(dá)到圖示d的位置。因此，如圖4所示，既有形式的(窄間隙)磁頭寫入的舊數(shù)據(jù)，其超限特性不會有什么問題，但是，對于用1MB專用的裝置(寬間隙，間隙寬度約為1.3～1.5μn)寫進(jìn)的舊數(shù)據(jù)，其超限特性將會變壞。
在既有的2種方式兼用的磁盤裝置中，將上述間隙寬度窄的記錄/再生磁頭兼用于2種方式的結(jié)果是，當(dāng)把磁心間隙設(shè)定為0.6～0.9μm時，2MB的磁盤記錄時沒有什么問題，但在用1MB的磁盤進(jìn)行記錄時，與之相對應(yīng)的磁盤的磁層厚度就不能充分磁化，從而使超限特性變壞。
如果將磁頭磁心的間隙寬度擴(kuò)大到可將1MB專用盤的磁層磁化到深處的程度，則在進(jìn)行高密度記錄(2MB)時，分辨率將會降低，當(dāng)降低到60%以下時，相鄰比特波形的干涉將會增大，于是將會發(fā)生圖5所示的峰值漂移，從而不能進(jìn)行良好的記錄/再生處理。
另外，圖5是高密度記錄時的輸入數(shù)據(jù)再生波形。圖中，(A)是數(shù)據(jù)形式，(B)是寫入的數(shù)據(jù)，(C)是記錄電流。(C)中記錄電流的時間(圖中用X表示)與最小磁通反轉(zhuǎn)間隔相對應(yīng)。(D)是與分辨率為100%相對應(yīng)的各磁化反轉(zhuǎn)形成的單個再生波，(E)是與分辨率為60%相對應(yīng)的各磁化反轉(zhuǎn)形成的單個再生波。如圖所示，當(dāng)分辨率為60%左右時，相鄰比特的波形發(fā)生干涉，從而發(fā)生圖中用△I所示的峰值漂移。
這樣，若僅設(shè)定與低密度記錄相對應(yīng)的磁心間隙寬度，高密度記錄時的可讀極限將不可避免地要降低，為了補(bǔ)償這種相反的因素，不得不在能得到適當(dāng)特性的范圍內(nèi)謀求折衷方案。
因此，本發(fā)明的總目的旨在提供一種能夠解決上述問題的新型有用的磁盤裝置。
本發(fā)明較之其它更為具體的目的，是想提供在高、低密度錄/放的兩旋方式中都能獲得良好的記錄/再生特性的磁盤裝置。
本發(fā)明的另一個目的是想提供這樣一種磁盤裝置，它具備能夠用一個記錄/再生磁頭對高密度和低密度兩種磁盤進(jìn)行記錄/再生的相應(yīng)結(jié)構(gòu)的磁盤裝置，上述記錄/再生磁頭的磁心間隙寬度設(shè)定為由記錄/再生信號引起的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.60～1.20倍，同時，在向上述記錄/再生磁頭提供再生信號的再生電路中，設(shè)有余弦平衡電路。
按照本發(fā)明，記錄/再生磁頭的磁心間隙寬度較大，從而可將低密度記錄用磁盤的磁層磁化到深處，借以防止再生極限減小。另外，通過設(shè)置余弦平衡電路，可以補(bǔ)償由于大于通常值的間隙寬度引起的峰值漂移，從而可以同時改善兩種方式的記錄/再生特性。
這樣，就一舉解決了在既有的兼用高、低密度兩種磁盤的磁盤裝置中為了解決互相矛盾的問題而不得不采取折衷方案，從而使超限特性和可讀極限降低以及發(fā)生峰值漂移的問題，使兩種磁盤都可以發(fā)揮十分良好的讀/寫(R/W)特性。特別是本發(fā)明應(yīng)用于直徑為90mm(3.5英吋)的小型軟盤裝置，可以獲得顯著的效果。


圖1是用于說明在本發(fā)明的一個實(shí)施例的磁盤裝置中，利用記錄/再生磁頭在磁盤上形成磁化的示意圖。
圖2是余弦平衡電路的電路圖。
圖3是余弦平衡電路中各部分的波形圖。
圖4是用于說明在既有的磁盤裝置中，利用記錄/再生磁頭在磁盤上形成磁化的示意圖。
圖5是用于說明在既有的磁盤裝置中發(fā)生峰值漂移的波形圖。
下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的磁盤裝置。
本發(fā)明的第1個特征是，如圖1所示，將記錄/再生磁頭5(由磁頭磁心6和7構(gòu)成)的間隙寬度g0設(shè)定為最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.6～1.20倍。而在既有的高、低密度兼用的磁盤裝置中，間隙寬度g小于最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.6倍，與此相比，本發(fā)明的記錄/再生磁頭5的間隙寬度g0設(shè)定得比它寬。
因此，當(dāng)在低密度錄/放用磁盤8(由磁性層9和盤基10構(gòu)成)上利用大間隙寬度g0的記錄/再生磁頭5進(jìn)行記錄時，能夠磁化到磁層9的深處(圖中用d0表示)，所以，磁化深度增大。這樣，便可使低密度方式時的越限特性和再生極限確保在十分良好的狀態(tài)。也就是說，上述第1個特征在低密度方式中有效地發(fā)揮作用，同時還可以提高同一方式的記錄/再生特性。
本發(fā)明的第2個特征是，在磁盤裝置中的再生電路內(nèi)設(shè)有余弦平衡電路。圖2是余弦平衡電路11的基本結(jié)構(gòu)。圖中，12是差動放大器，13是調(diào)整增益用的可變電阻，14是延遲線(延遲時間為τ)，15是耦合電阻。另外，當(dāng)在輸入端子上輸入圖3(A)所示波形的信號時，圖2中A～D各點(diǎn)的波形如圖3所示。由圖可見，通過適當(dāng)選擇延遲時間τ，余弦平衡電路11就能夠減輕輸入的再生信號中所含的峰值漂移量。也就是說，余弦平衡電路11可以作為補(bǔ)償峰值漂移引起的特性變化的電路使用(關(guān)于余弦平衡電路用于減輕峰值漂移的詳細(xì)報(bào)導(dǎo)，請參看日本通信技術(shù)株式會社技術(shù)報(bào)告NK-6759號“磁氣記錄
ける再生波形修正構(gòu)(磁性記錄再生波形的補(bǔ)償)(1984年10月發(fā)行)。
以下研究將高密度記錄/再生用的磁盤裝入磁盤裝置以高密度方式進(jìn)行記錄/再生的特性。如前所述，由于間隙寬度g0已經(jīng)增大，所以，會擔(dān)心有可能引起分辨率降低和相鄰比特波形的干涉增大而發(fā)生峰值漂移現(xiàn)象。但是，由于在再生處理電路中設(shè)置了余弦平衡電路11，從而能夠防止在高密度方式中產(chǎn)生峰值漂移和分辨率降低的問題。也就是說，上述第2個特征在高密度方式中有效地發(fā)揮作用，可以提高該方式的記錄/再生特性。因此，按照本發(fā)明構(gòu)成的磁盤裝置，在高、低密度兩種方式中都可以獲得十分良好的記錄/再生特性。
然而，上述第1個特征和第2個特征并不是完全弧立存在，而是有密切的相互關(guān)系。例如，在低密度方式中，當(dāng)將間隙寬度g0提高到高密度記錄時的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的1.20倍以上時，磁層9將被磁化到更深處，從而提高越限特性和可讀極限。但是，如果將該記錄/再生磁頭在高密度方式中使用時，由此而引起的峰值漂移已不能利用余弦平衡電路11進(jìn)行補(bǔ)償，高密度方式的記錄/再生特性將變壞。另一方面，如果為了提高高密度方式的記錄/再生特性而將間隙寬度g0減小時，則如前所述，又會使低密度方式的特性變壞。
因此，為了最大限度地發(fā)揮余弦平衡電路11的作用，并保持在低密度方式下有足夠的磁化深度，根據(jù)本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)，如前所述，將間隙寬度g0的范圍設(shè)定最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.6～1.20倍。因此，將間隙寬度g0設(shè)定在此范圍內(nèi)，便可在高密度和低密度兩種方式中都能夠獲得良好的記錄/再生特性。
現(xiàn)將既有的2MB/1MB兩種方式兼用小型磁盤裝置的示例與本發(fā)明實(shí)施例的各項(xiàng)特性的比較列于下表。
權(quán)利要求
1.一種用一個錄/放磁頭可對高密度和低密度兩種磁盤進(jìn)行記錄/再生的結(jié)構(gòu)的磁盤裝置，其特征是將上述記錄/再生磁頭磁心的間隙寬度設(shè)定在由于高密度記錄時的記錄/再生信號引起的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.6～1.20倍，并在向上述記錄/再生磁頭提供再生信號的再生電路中設(shè)有余弦平衡電路。
2.按權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，在上述高密度時的磁記錄密度為2MB，在低密度時的磁記錄密度為1MB。
3.按權(quán)利要求2所述的磁盤裝置，其最小磁通反轉(zhuǎn)間隔為1.46μm。
4.按權(quán)利要求2所述的磁盤裝置，該磁盤上的磁膜厚度約為1.0μm～2.0μm。
5.按權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，該磁盤的直徑為90mm(3.5英吋)。
6.按權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，該磁盤是軟盤。
7.一種磁盤裝置，其余弦平衡電路的結(jié)構(gòu)允許選定延遲時間。
全文摘要
一種用一個錄/放磁頭可對高密度和低密度兩種磁盤進(jìn)行記錄/再生的結(jié)構(gòu)的磁盤裝置，其特征是將上述記錄/再生磁頭磁心的間隙寬度設(shè)定在由于高密度記錄時的記錄/再生信號引起的最小磁通反轉(zhuǎn)間隔的0.6～1.20倍，并在向上述記錄/再生磁頭提供再生信號的再生電路中設(shè)有余弦平衡電路。
文檔編號G11B5/012GK1049736SQ8910643
公開日1991年3月6日 申請日期1989年8月21日 優(yōu)先權(quán)日1989年8月21日
發(fā)明者相川進(jìn)一, 坂進(jìn)淑晃, 露口裕司, 長瀨文雄 申請人:蒂雅克株式會社