專利名稱:可逆的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)的制作方法
本發(fā)明是關(guān)于用激光束對情報(bào)進(jìn)行記錄、重放、抹除、重寫功能的相變化型可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。
眾所周知以Te(端)為基質(zhì)的某種合金薄膜，在激光光束的照射下，比較容易產(chǎn)生可逆相變態(tài)。特別是對于Te成分含量多時(shí)，用能量比較低的激光源照射就可以產(chǎn)生非結(jié)晶化現(xiàn)象，根據(jù)這種現(xiàn)象就將其應(yīng)用到記錄介質(zhì)上。
例如S·R·Ovsinsky等，在美國專利U·S·P3，530，441中首先披露了對Te85Ge15，Te81Ge15S2Sb2等薄膜使用激光束等高密度能量光線照射，會(huì)產(chǎn)生可逆的相變態(tài)。另外，A·W Smith明確指出了以Te92Ge2As5為代表構(gòu)成的薄膜能進(jìn)行104次記錄(非結(jié)晶化)及抹除(結(jié)晶化)。(Applied Physic′s Letters 18(1971)P25A)。進(jìn)一步，由M·Chen等公布的以Te87Ge8Sn5為代表的薄膜如果作靜態(tài)試驗(yàn)，可以重復(fù)106次以上。(Applied Physic′s Letters 46(1985)P734)。
一般來說，在利用非結(jié)晶-結(jié)晶之間的相變化的記錄介質(zhì)，重視記錄速度，從結(jié)晶向非結(jié)晶化的變化過程作為記錄，上述各種組成都是利用Te和添加物的共晶附近的組成，熔點(diǎn)都低于400℃，所以容易形成非結(jié)晶。另外，抹除是利用從非結(jié)晶向結(jié)晶化的變化過程。在上述各種組成中，其內(nèi)部存在的許多自由Te鏈妨礙結(jié)晶化的進(jìn)行。即在固化后其內(nèi)部也殘存無規(guī)則的鏈。為使其定向一致，也就是為得到完全的結(jié)晶狀態(tài)，有必要充分保持長時(shí)間的高溫(Tg附近)。亦即，若存在著富Te的成分，則在原理上存在不能提高抹除速度的問題。
自由Te原子的存在，使得長期熱穩(wěn)定性，特別是反復(fù)記錄/抹除后的熱穩(wěn)定性降低，同時(shí)也成為限制反復(fù)次數(shù)的原因?？傊诖鎯?as depo)狀態(tài)的薄膜中可以認(rèn)為Te原子是均一分散在膜內(nèi)的。而在記錄/抹除反復(fù)期間，則分成為富Te的部分(較低融點(diǎn)的)及Te與添加物質(zhì)之間的穩(wěn)定化合物多的部分(較高融點(diǎn)的)?？傊?，分離產(chǎn)生記錄特性變化。這種情況下，Te極高的組成使結(jié)晶化溫度降低。非結(jié)晶極不穩(wěn)定，結(jié)果使其熱穩(wěn)定性降低?？梢哉J(rèn)為這種現(xiàn)象主要是由于共晶附近的組成不存在穩(wěn)定的化合物，內(nèi)能向穩(wěn)定狀態(tài)遷移，而產(chǎn)生的結(jié)果。由于結(jié)晶化產(chǎn)生的Te和添加物之間的化合物的特性，主要是其融點(diǎn)與Te極為不同的情況下晶相分離(phase Segrogation)更迅速地進(jìn)行，分離后的晶相(phase)再返回均一狀態(tài)是困難的。其結(jié)果，無論記錄還是抹除都不能進(jìn)行。作為解決這個(gè)問題的手段，提高激光功率，以使其長時(shí)間保持在兩者融點(diǎn)以上的溫度，在充分混合均勻后，再速冷(queuch)是必要的;Te的過剩使提高記錄靈敏度失去意義。而且實(shí)際上在動(dòng)態(tài)系統(tǒng)上是不可能的。也就是只要Te過剩，就不能充分滿足讀寫速度、熱穩(wěn)定性及反復(fù)特性的要求。
本發(fā)明的目的是提供一種不降低記錄靈敏度而使抹除速度提高的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。另外，本發(fā)明還有一個(gè)目的是提供一種記錄/抹除反復(fù)壽命長的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供一種反復(fù)記錄操作后，熱穩(wěn)定性無變化的，高可靠性的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。
圖1為表示本發(fā)明的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)實(shí)施例構(gòu)成的斷面圖。圖2為表示適用于本發(fā)明的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)記錄膜的主要組成及組成的允許量的組成圖。圖3為具有主要組成的記錄膜的相變溫度圖。圖4為表示具有相同主要組成的記錄膜非結(jié)晶靈敏度的圖表。圖5為表示具有相同主要組成的記錄膜結(jié)晶化速度的圖表。圖6表示在主要組成中添加Se時(shí)的非結(jié)晶化靈敏度及結(jié)晶化速度的變化圖表。
本發(fā)明的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)是由如圖1a～c所示在PMMA、聚碳酸脂等樹脂、鋁、銅等金屬、玻璃等表面平滑的基片1上形成的SiO2，Al2O3，ZnS 2、3把記錄層4夾心而構(gòu)成。盡管電介質(zhì)對本發(fā)明來說并非必要，但對減少因激光反復(fù)照射而引起的樹脂材料的熱損傷或記錄層本身的變形、蒸發(fā)是有效的;而且使貼上保護(hù)板成為可能。
本發(fā)明是以記錄層的特征為根據(jù)的。記錄層是由如Te，Ge，Sb/或Bi三元素，或把Te的一部分置換為Se的四元素所構(gòu)成的。其主要組如圖2(a)中粗線所示的那樣，位于Ge50Te50組成點(diǎn)和Sb2Te3/或Bi2Te3組成點(diǎn)的連線上。即在本發(fā)明中其主要組成可用下列公式表示X·Ge50(Te，Se)50+(1-X)·Sb40(Te，Se)60/或(1-X)Bi40(Te2Se)60(0.05≤X≤0.8)這里Se的含量與X值無關(guān)，將所有的30ut%為最大值，并在其下。各組份，如圖2(b)所示，允許有某種寬度擴(kuò)展。
下面將闡述本發(fā)明的記錄介質(zhì)中的記錄層構(gòu)成的基本構(gòu)思，具體構(gòu)成元素及確定其濃度的依據(jù)。
首先，在Te系的相變型記錄膜方面，Te同其添加物形成的化合物有過剩時(shí)，成為限制抹除速度(結(jié)晶化速度)及熱穩(wěn)定性(Cyclability)的原因，前面已經(jīng)闡述過。因此，想辦法控制添加物質(zhì)的濃度以使Te不過剩。
但是，只加一種元素，Te合金如CdTe，SnTe，PbTe，ZnTe，Sb2Te3，GeTe等存在如下問題1)融點(diǎn)過高，在激光短脈沖下，不易熔融;2)結(jié)晶化溫度過低，得不到穩(wěn)定的非結(jié)晶;3)結(jié)晶速度過高，不易得到非結(jié)晶化所需的充分必要的速冷條件。根據(jù)上述理由，對于記錄層是不適宜的。其中，GeTe穩(wěn)定的非結(jié)晶相熔點(diǎn)為725℃，與其它組份相比，雖具有比較低的熔點(diǎn)，但考慮現(xiàn)在實(shí)用半導(dǎo)體激光目的輸出功率(高于25MW)，對于非結(jié)晶化(記錄)無論如何也是困難的。
因此，嘗試采用多種添加物質(zhì)的方法。即嘗試一種用多種元素的Te合金的固熔體來降低融點(diǎn)。同時(shí)穩(wěn)定非結(jié)晶相的方法。形成固熔體，不但其熔點(diǎn)低，而且在反復(fù)記錄/抹除時(shí)不易引起相分離;同時(shí)結(jié)晶化也十分迅速。(當(dāng)然也不能過快)。
在本發(fā)明中，例如將作為添加物的Ge及Sb/或Bi二者并用，則可以獲得較低的融點(diǎn)、穩(wěn)定的非結(jié)晶相及高結(jié)晶化速度。
在進(jìn)行結(jié)晶化時(shí)，由于Te全部被GeTe及Sb2Te5/或Bi2Te5(作為化學(xué)計(jì)量的)化合物所固定，所以同Te過剩狀態(tài)相比，結(jié)晶化速度提高了。不過應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是在該組成中突出的、極為重要的特點(diǎn)如下首先，第一點(diǎn)，GeTe和Sb2Te3/或Bi2Te3之間有多種化學(xué)計(jì)量的化合物，即GeSb4Te7/或GeBi4Te7(GeTe+2Sb2Te3/或2Bi2Te3)，GeSb2Te4/或GeSb2Te4(GeTe+Sb2Te3/或BiTe3)，Ge2Sb2Te5/或Ge2Bi2Te5(2GeTe+Sb2Te3/或BiTe3)這樣就存在兩端的相之間的晶相?；瘜W(xué)計(jì)量的相結(jié)晶狀態(tài)內(nèi)部能量低，因?yàn)榉墙Y(jié)晶化與能量單位差大，故可以得到非常快的結(jié)晶速度;第二點(diǎn)，上述各化合物的相具有非常相似的結(jié)晶結(jié)構(gòu)及各種非常相近的特性。這樣就有如下的效果，即將典型膜組成作為整體同上述化學(xué)計(jì)量的化合物晶相之一相比不一致，作為整體可以認(rèn)為是上述三種相之間的混合物，整體的特性肯定屬于寬組成范圍?？傊?，即使因反復(fù)記錄/抹除而引起晶相分離，處于兩端的組成晶相也沒有完全分離，而得到膜特性幾乎不變化的優(yōu)點(diǎn);第三點(diǎn)，上述各晶相的融點(diǎn)低且相近。GeTe-Sb2Te3系列的融點(diǎn)為600℃左右，GeTe-Bi2Te3系列的融點(diǎn)為570℃左右。比起GeTe單體的725℃融點(diǎn)來說低100℃以上。因此用激光光束可比較容易進(jìn)行熔融。另外，由于上述各相熔點(diǎn)相近，具有不易產(chǎn)生第二點(diǎn)所指出的相分離的優(yōu)點(diǎn);第四點(diǎn)，在結(jié)晶化過程中發(fā)現(xiàn)，在GeTe-Sb2Te3/或Bi2Te3的系列里，其穩(wěn)定的結(jié)晶形是六方晶體。激光照射結(jié)晶化時(shí)，最初是Ge，Te，Sb或Ge，Te，Bi三種元素形成單一的NaCl型的立方晶相。(加Se時(shí)相同。)為使結(jié)晶化圓滿地進(jìn)行，應(yīng)該只得到正方形的結(jié)晶體(即與液相，非結(jié)晶相的原子結(jié)構(gòu)相似)。即縮短原子的擴(kuò)散距離及縮短結(jié)晶化必要的退火時(shí)間;第五點(diǎn)，GeTe-Sb2Te3/或Bi2Te3的組成范圍寬，為了非結(jié)晶相的穩(wěn)定，可以得到十分高的結(jié)晶化溫度。由圖3的(a)(b)可知，因Sb2Te3/或Bi2Te3的單體晶相非常接近，則可得到很高的結(jié)晶化溫度。
本發(fā)明具有上述一～五個(gè)重要特征，添加Se則可進(jìn)一步得到如下的優(yōu)點(diǎn)。
Se與Te，Ge，Sb/或Bi的濃度可保持平衡。添加的Se僅與Te置換。Se的添加效果(一)提高組成的粘性。添加的Se在結(jié)晶時(shí)形成GeSe，GeSe2，Sb2Se3/或Bi2Se3的Se化物，這些物質(zhì)和同種元素的Te化物比較具有較高結(jié)合能量，即使在液相時(shí)也不能完全斷開，所以，其融液的粘度高，易于形成非結(jié)晶化。總之，為形成非結(jié)晶的急冷條件，可以稍微放寬點(diǎn)。
這里重要的是，其特性并不因添加Se而變成不連續(xù)變化。即其組成的結(jié)晶化速度與粘性成反比而變慢，根據(jù)Se的濃度，這種變化是連續(xù)的，而且該變化也是可以控制的。因此，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)上，在有必要以高速進(jìn)行記錄、抹除時(shí)，應(yīng)降低Se濃度，并采用偏重結(jié)晶化速度的組成;另外，有必要以低速來進(jìn)行記錄抹除時(shí)，應(yīng)提高Se的濃度，采用偏重非結(jié)晶形成條件的組成。這些組成上的微小對應(yīng)是可行的。實(shí)際中，Se的濃度最大不應(yīng)超過30at%，若超出該最大值則結(jié)晶化速度就不夠了。添加Se的效果的第二點(diǎn)提高組分的結(jié)晶化溫度，特別是在含GeTe成分的貧 的組成里是有效果的，提高非結(jié)晶相(記錄過的信號)的穩(wěn)定性 。添加Se后其融點(diǎn)不變?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)門e化物與Se化物融點(diǎn)相近。重要的一點(diǎn)是，添加Se后，記錄靈敏度不變。
綜上所述，以Te，Ge，Sb/或Bi的三種元素組成或以Se來置換部分Te的四種元素組成，以作為換寫光盤的記錄介質(zhì)，其優(yōu)越性已經(jīng)明確了。
以下說明本發(fā)明的制造方法。本發(fā)明的記錄介質(zhì)可以采用真空蒸涂發(fā)，濺散涂敷法等方法制成。對于濺散涂敷法，可以采用根據(jù)所要求的組成推算出的合金靶;也可以采用對應(yīng)于各種組成比的面積的復(fù)合鑲嵌靶。關(guān)于真空蒸發(fā)法，須準(zhǔn)備多源，采用共蒸涂敷法來控制組成較為便利。這種情況下，可以準(zhǔn)備4個(gè)電子槍及其電源，4個(gè)膜厚度傳感器(例如水晶振動(dòng)子)。重要的是要完全獨(dú)立地控制源的蒸法速率;在蒸發(fā)時(shí)，真空度在10-4～10-7ton即可。
下面將詳細(xì)地介紹本發(fā)明的實(shí)施例。
(實(shí)施例1)根據(jù)上述真空蒸發(fā)法，準(zhǔn)備各種組成的Te，Ge，Sb/或Bi三種元素類記錄膜的樣片，以研究它們的特性。樣片為厚度0.3mm，φ8mm的玻璃圓片，記錄層的膜厚約為1000
。
特性的評價(jià)Ⅰ相變溫度TxⅡ非結(jié)晶化開始所需要的激光功率Pa從3點(diǎn)進(jìn)行。
Ⅲ結(jié)晶化開始所需要的激光照射時(shí)間τx。
Tx定義為存儲狀態(tài)的樣片順序加熱升溫的情況下，其透射率開始變化的溫度。升溫以1℃/Sec的速度進(jìn)行;在其過程中透射率的變化用He-Ne激光監(jiān)測器檢測出變化點(diǎn)。以此來評價(jià)非結(jié)晶相的穩(wěn)定性。Pa為非結(jié)晶化開始時(shí)，照射入結(jié)晶狀態(tài)的記錄膜面所必要的激光功率測定值。這種情況下，預(yù)先以2mw的激光對各樣片進(jìn)行30us的照射，使其充分預(yù)結(jié)晶化，然后以脈寬0.2us的激光脈沖照射，改變照射功率，測定開始非結(jié)晶化的激光功率，并以此評價(jià)非結(jié)晶化靈敏度(記錄靈敏度)。
τx是把激光二極管的光束用透鏡在存儲狀態(tài)的記錄膜上照射1μm直徑的斑點(diǎn)時(shí)，開始結(jié)晶化所必要的照射時(shí)間。這時(shí)，對該結(jié)晶化過程作二個(gè)假設(shè)，從兩個(gè)觀點(diǎn)對τx進(jìn)行評價(jià)，一是假設(shè)以固相狀態(tài)的結(jié)晶化過程;照射功率為2mw的較弱的激光功率照射時(shí)，開始結(jié)晶化所必要的激光照射時(shí)間為τx1;二是以上述的Pa為照射功率，從熔融狀態(tài)到冷卻時(shí)，所引起的結(jié)晶化所必要的照射時(shí)間為τx2。τx1包括結(jié)晶化開始所必要的能量與結(jié)晶化進(jìn)行速度兩個(gè)方面，其值與Tx密切相關(guān)。τx2評價(jià)結(jié)晶化進(jìn)行速度。此時(shí)，與非結(jié)晶化時(shí)用同等的激光功率是必要的。
圖3表示在Ge-Te-Sb/或Bi的三角圖形上，可對于在GeTe的組成點(diǎn)與Sb2Te3/或Bi2Te3的組成點(diǎn)連線上的組成研究Tx的結(jié)果。
它表示，GeTe-Sb2Te3類，GeTe-Bi2Te3類的相變溫度在GeTe 3～5%以上的情況下，比室溫高100℃以上，且非結(jié)晶相是穩(wěn)定的。
圖4表示相同組成的非結(jié)晶化靈敏度Pa。非結(jié)晶化靈敏度隨GeTe的比例增加而有增加的趨勢。當(dāng)GeTe比例在80～90%時(shí)，靈敏度明顯增加。即若GeTe比例在80%以下，可獲得高記錄靈敏度。
圖5表示組成相同時(shí)，結(jié)晶化開始所必要的照射時(shí)間τx1，τx2。τx1隨GeTe的比例增加而有增加的趨勢;τx2隨GeTe的比例減少而有增加的傾向;而當(dāng)GeTe低于30%時(shí)，這種趨勢就不存在了。τx1和τx2曲線在GeTe濃度為30～40male%的附近相交，固相消失;GeTe的組成比在40%以上合適。
下面說明在上述連線上的組成中，加Se以置換一部分Te的實(shí)施例。
(實(shí)施例2)選Ge20Te56Sb24作為實(shí)施例1的代表組成，準(zhǔn)備了以Te56-XSexGe20Sb24的形式來加Te置換一部分Te的樣片。并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的測定，得到如下結(jié)果。
首先確認(rèn)Tx隨Se的濃度增加而單調(diào)增加。
圖6表示對應(yīng)Se的濃度，非結(jié)晶化靈敏度Pa以及結(jié)晶化時(shí)間τx1，τx2的變化。根據(jù)此圖，Pa因Se添加而減少;大約在10at%時(shí)飽和;τx1，τx2隨Se的濃度增大而連續(xù)單調(diào)地增大。τx1在Se的濃度超過20at%時(shí)極劇增大;另外τx2在Se濃度到大約15at%時(shí)單調(diào)增加;Se的濃度超出該值之上則τx不存在。(即結(jié)晶化困難)。
因此，用Se置換Te可以使記錄靈敏度、抹除速度連續(xù)變化;對照系統(tǒng)說明書可以較容易地進(jìn)行膜特性的微調(diào)。此時(shí)，Se的添加濃度高達(dá)30at%;在該值之上時(shí)，結(jié)晶化速度極劇降低。而且，為了從液相結(jié)晶化，Se的濃度最高為15at%;進(jìn)一步而言，考慮記錄靈敏度時(shí)，Se的濃度在5～15at%時(shí)最為適宜。
對改變Te-Ge-Sb的組成進(jìn)行同樣的實(shí)驗(yàn)，與添加Se的效果相同。Te-Ge-Bi的組成也有相同效果。
(實(shí)施例3)從上述連線上，對于不同的組成與實(shí)施例1相同的實(shí)驗(yàn)。對于該連線上的組成，固定Ge的濃度，使Sb/或Bi的組成在±15at%的范圍內(nèi)變化。其結(jié)果，對于Tx，Pa與該連線上的組成沒有太大的差別;τx則有某些偏差，顯示稍大的值。
(實(shí)施例4)對實(shí)例1、2、3的各組成點(diǎn)光盤化，研究其反復(fù)記錄、抹除的特性。光盤為φ130mm，厚1.2mm的PMMA樹脂基片，該光盤上備有光導(dǎo)軌;Zns，記錄層、Zns按順序壓層，其表面貼有紫外線硬化樹脂保護(hù)層。各層的厚度，從下至上約為800
，1000
，1600
，設(shè)計(jì)上是為提高記錄層的光吸收效果。激光光線從基片側(cè)射入。動(dòng)態(tài)光柵有作為記錄用的φ0.9μm的圓形激光點(diǎn)，也有作為抹除用的1×8μm的橢圓形激光點(diǎn)。三種光點(diǎn)，在一個(gè)光學(xué)頭中連續(xù)配置。研究以5m/S的周速反復(fù)記錄、抹除的壽命。分別選擇與光特性相適應(yīng)的記錄和抹除功率，用2MHz的單一頻率模式進(jìn)行記錄。其壽命界限可定義為由初始時(shí)的S/N減少3dB的次數(shù)，由此可得到如下四個(gè)結(jié)論Ⅰ連線上的組成，初始C/N為50dB以上，反復(fù)次數(shù)為106，存在寬的功率條件。
Ⅱ若與連線上的組成有較大的偏離，會(huì)產(chǎn)生大約102次噪聲。
Ⅲ組成的偏差容許范圍如圖2的A1，B1，C1，D1所示，固定Ge的濃度時(shí)，在向富Se側(cè)偏+10at%，向貧Sb側(cè)偏-10at%的范圍內(nèi)，存在可能的功率條件為反復(fù)104次。同樣，在+7at%至-5at%的范圍A2，B2，C2，D2內(nèi)存在可能的功率條件為反復(fù)105次。另外，在+5at%至-3at%的A3，B3，C3，D3范圍內(nèi)與連線上的組成相比較雖然狹窄，但存在可能功率條件為反復(fù)106次。特別是在A4，B4，C4，D4的范圍內(nèi)，用較低的功率就能反復(fù)記錄/抹除。
各點(diǎn)的組成見第一表。
ⅣSe的濃度與Cyclability無明顯的關(guān)系。
(實(shí)施例5)采用實(shí)施例4的方法，將Te58Ge12Sb30的三種元素膜及Te48Ge12Sb30Se10的四種元素的光盤作為典型的組成研究其Cyclability。
對于前者，以記錄功率8mW及抹除功率8mW反復(fù)記錄/抹除;初始C/N為53dB，反復(fù)10萬次后，其C/N為51dB。
對于后者，以記錄功率7mW及抹除功率10mW反復(fù)記錄/抹除;初始C/N為54dB，反復(fù)10萬次后，其C/N為52dB。
對于上述組成，將Sb置換為Bi后，作同樣試驗(yàn)。采用Te58Ge12Bi30的三種元素的光盤，其記錄功率為7mW，抹除功率為7mW;其初始C/N為50dB，反復(fù)10萬次后，其C/N為48dB?；蛘卟捎肨e48Ge12Sb30Se10的四種元素的光盤，其記錄功率為6mW，抹除功率為9mW;其初始C/N為52dB，反復(fù)10萬次后，其C/N為50dB。
(實(shí)施例6)對實(shí)施例5的光盤進(jìn)行環(huán)境試驗(yàn)。即對各光盤的反復(fù)10萬次記錄/抹除軌跡及相鄰軌跡信號記錄其C/N的測定值。將其放置于80℃且80%RH的恒溫、恒濕槽中;2個(gè)月后，將其拿出并測定各軌跡的C/N，結(jié)果軌跡的C/N僅變化-0.5～1.5dB，即小到可以忽略不計(jì)。此外，用金屬顯微鏡進(jìn)行觀察，該光盤上沒有發(fā)現(xiàn)明顯的銹斑和破損。
綜上所述，本發(fā)明提供高靈敏度的、具有耐熱及耐濕優(yōu)點(diǎn)的、反復(fù)記錄/抹除壽命長的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征在于在基片上設(shè)置有用激光等照射使之在非結(jié)晶-結(jié)晶間產(chǎn)生可逆相變的記錄薄膜，上述的記錄介質(zhì)在其結(jié)晶時(shí)有以多個(gè)Te或Se構(gòu)成化學(xué)量組成的化合物主成分的結(jié)晶相，而且在多個(gè)成分之間存在化學(xué)量組成的穩(wěn)定化合物相。
2.按照權(quán)利要求
1所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，結(jié)晶化時(shí)，首先形成準(zhǔn)穩(wěn)定的單一相。
3.按照權(quán)利要求
2所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，準(zhǔn)穩(wěn)定相具有對稱性的良好的結(jié)晶構(gòu)造。
4.按照權(quán)利要求
1所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，構(gòu)成結(jié)晶的成分Ge，Sb/或Bi的Te化物。
5.按照權(quán)利要求
1所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，構(gòu)成結(jié)晶相的成分Ge，Sb/或Bi的Te化物及Se化物。
6.按照權(quán)利要求
1和4所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，記錄膜組成的主要成分為Te，Ge，Sb/或Bi，其原子數(shù)比在表示組成范圍的三角圖形上，在A1(Te38，Ge59，Sb/或Bi3)，B1(Te50，Ge2，Sb/或Bi48)，C1(Te70，Ge2，Sb/或Bi28)，D1(Te63，Ge34，Sb/或Bi3)各點(diǎn)圍成的區(qū)域內(nèi)。
7.按照權(quán)利要求
1和6所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比在表示組成范圍的三角圖形上，在A2(Te42，Ge55，Sb/或Bi3)，B2(Te53，Ge2，Sb/或Bi45)，C2(Te64.5，Ge2，Sb/或Bi33.5)，D2(Te57，Ge40，Sb/或Bi3)各點(diǎn)圍成的區(qū)域內(nèi)。
8.按照權(quán)利要求
1和7所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比其組成在表示組成范圍的三角圖形上，在A3(Te44.5，Ge52.5，Sb/或Bi3)，B3(Te55，Ge2，Sb/或Bi43)，C3(Te63，Ge2，Sb/或Bi35)，D3(Te54，Ge43，Sb/或Bi3)各點(diǎn)圍成的區(qū)域內(nèi)。
9.按照權(quán)利要求
1和8所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比，其組成在表示組成范圍的三角圖形上，在A4(Te46.5，Ge41.5，Sb/或Bi12)，B4(Te63，Ge2，Sb/或Bi35)，C4(Te62，Ge4，Sb/或Bi34)，D4(Te55，Ge39，Sb/或Bi6)各點(diǎn)圍成的區(qū)域內(nèi)。
10.按照權(quán)利要求
1和9所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比滿足公式X·Ge50Te50+(1-X)·Sb40Te60/或(1-X)·Bi40Te6(0.05≤X≤0.8)。
11.按照權(quán)利要求
1和5所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，以Te，Ge，Sb/或Bi及Se為主成分，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比在表示組成范圍的三角圖形上。在A1(Te38，Ge59，Sb/或Bi3)，B1(Te50，Ge2，Sb/或Bi48)，C1(Te70，Ge2，Sb/或Bi48)，D1(Te63，Ge34，Sb/或Bi3)各點(diǎn)圍成的區(qū)域內(nèi)，同時(shí)在具有記錄薄膜的基片上Se的濃度(at%)在用(Tex，Gey，Sb/或Biz)100-mSem表示全部組成時(shí)，0≤m≤30at%。
12.按照權(quán)利要求
1和11所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比在表示組成范圍的三角圖形上，在A2(Te42，Ge55，Sb/或Bi3)，B2(Te53，Ge2，Sb/或Bi45)，C2(Te64.5，Ge2，Sb/或Bi33.5)，D2(Te57，Ge40，Sb/或Bi3)各點(diǎn)所圍成的區(qū)域內(nèi)。
13.按照權(quán)利要求
1和12所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比在表示組成范圍的三角圖形上，在A3(Te44.5，Ge52.5，Sb/或Bi3)，B3(Te55，Ge2，Sb/或Bi35)，C3(Te63，Ge2，Sb/或Bi35)，D3(Te54，Ge53，Sb/或Bi3)各點(diǎn)所圍成的區(qū)域內(nèi)。
14.按照權(quán)利要求
1和13所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，Te，Ge，Sb/或Bi的原子數(shù)比在表示組成范圍的三角圖形上，在A4(Te46.5，Ge41.5，Sb/或Bi12)，B4(Te55，Ge2，Sb/或Bi35)，C4(Te62，Ge4，Sb/或Bi34)，D4(Te55，Ge39，Sb/或Bi6)各點(diǎn)所圍成的區(qū)域內(nèi)。
15.按照權(quán)利要求
1和14所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，由Te，Ge，Sb/或Bi，Se四種元素構(gòu)成，其原子數(shù)比滿足公式X·Ge50(Te，Se)50+(1-X)·Sb40(Te，Se)60/或(1-X)Bi40(Te，Se)60(0.05≤X≤0.8);且Se的濃度占全體的30at%以下。
16.按照權(quán)利要求
1和15所述的光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，其特征為，用(Tex，Gey，Sb/或Biz)100-mSem來表示全體的組成時(shí)，其Se的濃度m的范圍為5≤m≤15at%。
專利摘要
用激光對情報(bào)進(jìn)行記錄、重放、抹除及改寫的相變化型的可逆光學(xué)情報(bào)記錄介質(zhì)，是在玻璃、樹脂等表面平滑的基片上涂復(fù)Ge、Te、Sb(或Bi)三元素、或?qū)e的一部分置換成Se的四元素記錄薄膜。該介質(zhì)在其結(jié)晶時(shí)有以多個(gè)Te或Se構(gòu)成化學(xué)量組成的化合物為主的結(jié)晶相，且各成分間存在化學(xué)量組成的穩(wěn)定化合物相，從而提高了結(jié)晶速度及延長了反復(fù)記錄/抹除的壽命，提高Se粘性可易于結(jié)晶化。如Te置換量適當(dāng)，可得到記錄/抹除兼優(yōu)膜的組成。
文檔編號G11B7/24GK86107003SQ86107003
公開日1987年8月19日 申請日期1986年9月22日
發(fā)明者山田升, 木村邦夫, 高尾正敏, 佐內(nèi)進(jìn) 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan