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多功能芯片插座的制作方法

文檔序號(hào):6758747閱讀:769來源:國知局
專利名稱:多功能芯片插座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
一種芯片插座,特別適合用于RAM芯片的寫保護(hù)和數(shù)據(jù)抗干擾脫機(jī)存儲(chǔ)。
現(xiàn)有RAM芯片本身都不具備數(shù)據(jù)脫機(jī)抗干擾存儲(chǔ)和寫保護(hù)功能,而現(xiàn)有的芯片插座只能起到連接作用。這對(duì)許多實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合來說很不方便或根本無法達(dá)到預(yù)期的目的。(例如工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)儲(chǔ))本實(shí)用新型的目的在于設(shè)計(jì)一種簡(jiǎn)便的RAM芯片插座,使RAM芯片既能脫機(jī)抗干擾存儲(chǔ),又能實(shí)現(xiàn)寫保護(hù)。它成本低,工作可靠,易實(shí)現(xiàn)。
本實(shí)用新型的工作原理當(dāng)把RAM芯片插在多功能插座上使用時(shí),RAM芯片的片選信號(hào)受開關(guān)(K1)的控制,寫信號(hào)受開關(guān)(K2)的控制,RAM芯片的電源端通過二極管和電阻與多功能插座上的電源正極相連,RAM芯片地電位端與多功能插座上的電源負(fù)極相連,當(dāng)RAM中內(nèi)容需要脫機(jī)存儲(chǔ)時(shí),開關(guān)(K1)置于(2)的位置,片選信號(hào)失效,RAM芯片呈非選態(tài),并且RAM芯片由多功能插座中電源供電,所以RAM芯片與多功能插座一起脫機(jī)后,RAM中內(nèi)容不會(huì)丟失。RAM芯片正常讀/寫時(shí)(K1)置于(1)位置。
需要防止RAM芯片中內(nèi)容被非法或意外的修改時(shí),將開關(guān)(K2)置于(4)的位置,RAM芯片的寫信號(hào)被置成高電平并與外界斷開,從而時(shí)現(xiàn)了寫保護(hù),正常讀/寫時(shí)(K2)置于(3)的位置。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是方法簡(jiǎn)單,工作可靠、穩(wěn)定,它是利用現(xiàn)有芯片插座進(jìn)行改造,因此成本低,易推廣,效果好。
圖(1)是電路原理圖CZ普通芯片插座,E電源,R電阻,C電容,D二極管,K1開關(guān)K1,K2開關(guān)K2,Vss與RAM芯片地電位端相對(duì)應(yīng)的那個(gè)管腳,Vcc與RAM芯片電源端相對(duì)應(yīng)的那個(gè)管腳,CS與RAM芯片片選信號(hào)管腳對(duì)應(yīng)的那個(gè)管腳,WRu和Wd分別是與RAM芯片寫信號(hào)相對(duì)應(yīng)那個(gè)管腳的上半部分和下半部分。當(dāng)RAM芯片插在多功能插座上時(shí),WRu與RAM芯片寫信號(hào)管腳相接,WRd與外界電路相接。
圖(2)是6264RAM芯片與多功能芯片插座連接實(shí)施例。CZ28腳多功能芯片插座,E4.5V直流電源,C0.01vf電容,R300歐姆電阻,D二極管,K1開關(guān),K2開關(guān),27u28管腳多功能插座第27腳的上半部分與RAM芯片寫信號(hào)相接,27d28管腳多功能插座第27腳的下半部分與外界電路相接。
本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)方法是按圖(1)所示電路制板后,將電源(E)、電容(C)、電阻(R)、二極管(D)、開關(guān)(K1)、開關(guān)(K2)焊接在電路板上,一同裝入芯片插座中。把多功能插座中與RAM芯片寫信號(hào)相對(duì)應(yīng)的那個(gè)管腳斷開后,用還氧樹脂絕緣,再將其兩端連上導(dǎo)線與開關(guān)(K2)相接。
權(quán)利要求1.一種多功能芯片插座,其特征在于由開關(guān)(K1)、開關(guān)(K2)、電源(E)、二極管(D)、電容(C)、電阻(R)構(gòu)成的數(shù)據(jù)抗干擾脫機(jī)存儲(chǔ)和寫保護(hù)RAM芯片插座,多功能插座中與RAM芯片的片選信號(hào)管腳相對(duì)應(yīng)的那個(gè)管腳接開關(guān)(K1),與RAM芯片的寫信號(hào)相對(duì)應(yīng)的那個(gè)管腳斷開后,中間用還氧樹脂絕緣,再把其兩端連上導(dǎo)線,然后與開關(guān)(K2)相接,電源和電容并聯(lián)后,再與電阻和二極管串聯(lián),接在與RAM芯片的電源端和地端相對(duì)應(yīng)的那兩個(gè)插座管腳之間;RAM芯片正常讀寫時(shí)(K1)置于(1)的位置,(K2)置于(3)的位置,需要數(shù)據(jù)脫機(jī)抗干擾存儲(chǔ)時(shí),開關(guān)(K1)置于(2)的位置,RAM芯片處于非選態(tài),需要數(shù)據(jù)寫保護(hù)時(shí),開關(guān)(K2)置于(4)的位置,寫信號(hào)與外界斷開,RAM芯片被寫保護(hù)。
2.如權(quán)利要求1所述多功能插座,其特征在于插座中裝有電池、二極管、電阻、電容、兩個(gè)開關(guān)和一塊電路板。
專利摘要一種芯片插座,特別適合用于RAM芯片的數(shù)據(jù)抗干擾脫機(jī)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)寫保護(hù)?,F(xiàn)有芯片本身無脫機(jī)抗干擾存儲(chǔ)和寫保護(hù)功能,現(xiàn)有插座也只起連接作用。本實(shí)用新型是在芯片插座中裝入控制開關(guān)(K1)、(K2),不間斷電源(E),電容(C),電阻(R)和二極管(D)。正常時(shí)開關(guān)(K1)置于(1)的位置、開關(guān)(K2)置于(3)的位置。當(dāng)開關(guān)(K1)置于(2)的位置時(shí),片選信號(hào)失效,輸入輸出呈高阻態(tài)即可實(shí)現(xiàn)抗干擾脫機(jī)存儲(chǔ)。開關(guān)(K2)置(4)的位置時(shí),RAM芯片寫信號(hào)被斷開,RAM被寫保護(hù)。
文檔編號(hào)G11C7/04GK2047058SQ8822099
公開日1989年11月1日 申請(qǐng)日期1988年12月14日 優(yōu)先權(quán)日1988年12月14日
發(fā)明者賈曉娟 申請(qǐng)人:賈曉娟