本申請案主張美國第18/196,095號專利申請案的優(yōu)先權(quán)(即優(yōu)先權(quán)日為“2023年5月11日”)，其內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開內(nèi)容關(guān)于一種半導(dǎo)體元件及其制備方法，特別是關(guān)于一種包括埋入字元線的半導(dǎo)體元件。

背景技術(shù)：

1、隨著電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，集成電路(ic)已經(jīng)實現(xiàn)高性能及小型化。集成電路在材料及設(shè)計方面的技術(shù)進步更持續(xù)產(chǎn)生新一代的集成電路，而且每一代都比上一代的電路更小、更復(fù)雜。

2、動態(tài)隨機存取存儲器(dram)元件是一種隨機存取存儲器，它將每一位元數(shù)據(jù)儲存在集成電路內(nèi)的單獨的電容器中。通常情況下，dram以每個存儲胞(cell)具有一個電容器與晶體管的方形陣列排列。當(dāng)前，4f2?dram存儲胞的垂直晶體管已被開發(fā)，其中f代表光學(xué)微影最小特征寬度或關(guān)鍵尺寸(cd)。然而，隨著字元線間距的不斷縮小，dram制造商在縮小儲存存儲胞面積的方面存在巨大挑戰(zhàn)。

3、上文的“先前技術(shù)”說明僅是提供背景技術(shù)，并未承認上文的“先前技術(shù)”說明揭示本公開的標的，不構(gòu)成本公開的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的一個方面提供一種半導(dǎo)體元件。該半導(dǎo)體元件包括一基底、一第一字元線、一位元線以及一第一電容器。該基底具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面。該第一字元線設(shè)置于該基底內(nèi)。該位元線設(shè)置于該基底的該第一表面上。該第一電容器設(shè)置于該基底的該第二表面上。

2、本公開的另一個方面提供一種半導(dǎo)體元件。該半導(dǎo)體元件包括一基底、一第一字元線、一位元線以及一第一電容器。該基底具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面。該第一字元線設(shè)置于該基底內(nèi)。該第一字元線從該基底的該第二表面曝露。該位元線設(shè)置于于該基底的該第一表面上。該第一電容器設(shè)置于該基底的該第二表面上。

3、本公開的另一個方面提供一種半導(dǎo)體元件的制備方法。該制備方法包括：提供一基底，具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面；在該基底內(nèi)形成一字元線；在該基底的該第一表面上形成一位元線；以及在該基底的該第二表面上形成一第一電容器。

4、本公開的實施例提供一種半導(dǎo)體元件。該半導(dǎo)體元件包括一基底、一字元線、一位元線以及一電容器。該字元線埋于該基底的一溝槽內(nèi)。該位元線與該電容器設(shè)置于該基底的兩個相對的側(cè)邊。半導(dǎo)體元件的每個單元胞可以包括兩個晶體管以及一電容器，這增強了驅(qū)動電流。此外，字元線可以作為共同的開關(guān)以打開以及/或關(guān)閉兩個晶體管，這減少了半導(dǎo)體元件的尺寸。與現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件相比，本公開的半導(dǎo)體元件具有更好的性能。

5、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開的技術(shù)特征及優(yōu)點，使下文的本公開詳細描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實施例可作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)或過程而實現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體元件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該基底定義一開口，并且該第一字元線設(shè)置于該開口內(nèi)。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該基底在該第一字元線的一第一側(cè)上定義一第一通道，在該第一字元線的一第二側(cè)上定義一第二通道。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線、該基底、以及該位元線共同定義一第一晶體管與一第二晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一電容器與該第一晶體管以及該第二晶體管電連接。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，更包括：

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線在該開口的一邊緣部分有一第一厚度，而在該開口的一中心部分有不同于該第一厚度的一第二厚度。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一厚度大于該第二厚度。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線從該基底的該第二表面曝露。

10.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，更包括：

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體元件，更包括；

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該基底包括具有一第一導(dǎo)電類型并與該第一表面相鄰的一第一摻雜區(qū)、具有該第一導(dǎo)電類型并與該第二表面相鄰的一第二摻雜區(qū)、以及具有一第二導(dǎo)電類型并從該第一表面連續(xù)延伸至該第二表面的一第三摻雜區(qū)。

13.一種半導(dǎo)體元件，包括：

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該基底定義一開口，在該第一表面與該第二表面之間延伸，并且該第一字元線設(shè)置于該開口內(nèi)。

15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件，更包括：

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，更包括：

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一柵極介電層與該隔離層接觸。

18.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該隔離層從該基底的該第一表面曝露。

19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該基底包括具有一第一導(dǎo)電類型的一阱區(qū)，以及具有不同于該第一導(dǎo)電類型的一第二導(dǎo)電類型的一摻雜區(qū)，并且該摻雜區(qū)在該基底的該第一表面與該第二表面之間連續(xù)延伸。

20.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線、該基底、以及該位元線共同定義一第一晶體管與一第二晶體管。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體元件及其制備方法。該半導(dǎo)體元件包括一基底、一第一字元線、一位元線以及一第一電容器。該基底具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面。該第一字元線設(shè)置于該基底內(nèi)。該位元線設(shè)置于該基底的該第一表面上。該第一電容器設(shè)置于該基底的該第二表面上。

技術(shù)研發(fā)人員：丘世仰
受保護的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/14