本申請涉及老化測試，特別是涉及一種存儲裝置的老化測試方法和老化測試設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、存儲設(shè)備是計算機、嵌入式系統(tǒng)、用戶設(shè)備等裝置的關(guān)鍵部件之一，它決定著上述裝置運行的穩(wěn)定性，因此對存儲設(shè)備進行測試非常必要。

2、老化測試是存儲設(shè)備測試的一環(huán)。目前，對不同存儲顆粒的存儲設(shè)備或不同批次的存儲設(shè)備進行老化測試之前，需要測試人員費時在老化測試設(shè)備的固件中調(diào)整老化測試流程以及老化測試的溫度，大幅增加了測試時長。如此曠日費時的測試方式不符合現(xiàn)今對高效率生產(chǎn)制作的需求。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┐鎯ρb置的老化測試方法和老化測試設(shè)備。

2、本申請采用的一個技術(shù)方案是提供一種存儲裝置的老化測試方法，方法包括：

3、獲取被測存儲裝置的閃存顆粒類型；

4、利用閃存顆粒類型從配置文件中獲取對應(yīng)的測試參數(shù)；

5、基于測試參數(shù)形成對應(yīng)的老化測試程序；

6、利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試。

7、其中，測試參數(shù)至少包括測試類型，閃存顆粒類型包括slc顆粒和非slc顆粒；測試類型包括讀取、編程、擦除中的一種或多種；

8、利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試，包括：

9、響應(yīng)于閃存顆粒類型為slc顆粒，對被測存儲裝置進行編程及擦除測試和/或低格測試，低格測試包括對被測存儲裝置進行擦除、編程和讀取測試。

10、其中，利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試，還包括：

11、響應(yīng)于閃存顆粒類型為非slc顆粒，對被測存儲裝置進行讀取測試、編程及擦除測試、低格測試、最高閾值電壓低格測試、slc編程及擦除測試、slc低格測試中的一種或多種測試，其中，最高閾值電壓低格測試包括對被測存儲裝置在閃存顆粒對應(yīng)的最高閾值電壓下進行擦除和編程測試。

12、其中，非slc顆粒至少包括mlc顆粒、tlc顆粒或qlc顆粒，其中，閃存顆粒為tlc顆粒時，最高閾值電壓為l7電壓；閃存顆粒為qlc顆粒時，最高閾值電壓為l15電壓。

13、其中，利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試，包括：

14、響應(yīng)于閃存顆粒類型為非slc顆粒，按照slc顆粒對應(yīng)的老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試。

15、其中，測試參數(shù)還包括被測存儲裝置的技術(shù)規(guī)格，技術(shù)規(guī)格包括第一技術(shù)規(guī)格和第二技術(shù)規(guī)格，第一技術(shù)規(guī)格與第二技術(shù)規(guī)格不同；

16、利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試的步驟之前，還包括：

17、響應(yīng)于被測存儲裝置的技術(shù)規(guī)格為第一技術(shù)規(guī)格，確定被測存儲裝置的老化溫度區(qū)間為第一溫度區(qū)間；

18、利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試，包括：

19、在第一溫度區(qū)間內(nèi)利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試。

20、其中，利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試的步驟之前，還包括：

21、響應(yīng)于被測存儲裝置的技術(shù)規(guī)格為第二技術(shù)規(guī)格，確定被測存儲裝置的老化溫度區(qū)間為第一溫度區(qū)間和第二溫度區(qū)間；第一溫度區(qū)間大于第二溫度區(qū)間；

22、利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試，包括：

23、交替在第一溫度區(qū)間內(nèi)和第二溫度區(qū)間內(nèi)利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試。

24、其中，獲取被測存儲裝置的閃存顆粒類型，還包括：

25、獲取被測存儲裝置的閃存批次信息；

26、利用閃存顆粒類型從配置文件中獲取對應(yīng)的測試參數(shù)，還包括：

27、利用閃存顆粒類型和閃存批次信息從配置文件中獲取對應(yīng)的測試參數(shù)。

28、本申請采用的另一個技術(shù)方案是提供一種存儲裝置的老化測試系統(tǒng)，存儲裝置老化測試設(shè)備包括主控設(shè)備和至少一個被測存儲裝置；

29、主控設(shè)備包括至少一個控制單元，至少一個被測存儲裝置耦接控制單元，控制單元在對至少一個被測存儲裝置進行老化測試時，實現(xiàn)如上述的老化測試方法。

30、其中，老化測試設(shè)備中的每一批次的被測存儲裝置為同一技術(shù)規(guī)格的存儲裝置。

31、本申請的有益效果是：獲取被測存儲裝置的閃存顆粒類型；利用閃存顆粒類型從配置文件中獲取對應(yīng)的測試參數(shù)；基于測試參數(shù)形成對應(yīng)的老化測試程序；使用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試的方式，利用被測存儲裝置的閃存顆粒類型自動匹配出對應(yīng)的測試參數(shù)并確定出對應(yīng)的老化測試程序，無需測試人員因應(yīng)不同的閃存顆粒調(diào)節(jié)測試參數(shù)，提高了老化測試的效率。進一步地，由于無需測試人員手動調(diào)節(jié)測試參數(shù)，也提升了老化測試的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種存儲裝置的老化測試方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的老化測試方法，其特征在于，所述測試參數(shù)至少包括測試類型，所述閃存顆粒類型包括slc顆粒和非slc顆粒；所述測試類型包括讀取、編程、擦除中的一種或多種；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的老化測試方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的老化測試方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的老化測試方法，其特征在于，所述利用所述老化測試程序?qū)λ霰粶y存儲裝置進行老化測試，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的老化測試方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的老化測試方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的老化測試方法，其特征在于，

9.一種存儲裝置的老化測試設(shè)備，其特征在于，所述存儲裝置的老化測試設(shè)備包括主控設(shè)備和至少一個被測存儲裝置；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的老化測試設(shè)備，其特征在于，所述老化測試設(shè)備中的每一批次的所述被測存儲裝置為同一技術(shù)規(guī)格的存儲裝置。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種存儲裝置的老化測試方法和老化測試設(shè)備，該老化測試方法包括：獲取被測存儲裝置的閃存顆粒類型；利用閃存顆粒類型從配置文件中獲取對應(yīng)的測試參數(shù)；基于測試參數(shù)形成對應(yīng)的老化測試程序；利用老化測試程序?qū)Ρ粶y存儲裝置進行老化測試。本申請的老化測試方法能夠利用被測存儲裝置的閃存顆粒類型自動匹配出對應(yīng)的測試參數(shù)并確定出對應(yīng)的老化測試程序，無需測試人員因應(yīng)不同的閃存顆粒調(diào)節(jié)測試參數(shù)，提高了老化測試的效率。

技術(shù)研發(fā)人員：蔣業(yè)尚,鐘澤群,張嘎
受保護的技術(shù)使用者：上海江波龍數(shù)字技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17