本實(shí)用新型涉及移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤。

背景技術(shù)：

目前，市場(chǎng)上服務(wù)器和大數(shù)據(jù)采集設(shè)備存儲(chǔ)部分采用PCI-e卡或PCI-e硬盤，以滿足高速的讀寫性能要求以及可靠的數(shù)據(jù)安全性。PCI-e卡或PCI-e硬盤一般采用以下兩種架構(gòu)：一種采用PCI-e Gen3 X4板載四組閃存顆粒的方式；一種采用PCI-e Gen3 X8板載固態(tài)SSD模塊的方式；前者抗震效果好，但在讀寫性能上會(huì)受限于帶寬，讀寫速度難以保證；后者雖然性能上可以保證，但由于采用連接插件連接固態(tài)SSD模塊的方式，抗震性較差，容易脫落或接觸不良，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全可靠性難以保證。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中PCI-e硬盤讀寫性能及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)安全可靠性無(wú)法同時(shí)保證的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤，采用規(guī)格為PCI-e Gen3×8的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制芯片將PCI-e信號(hào)轉(zhuǎn)換為8組SATA信號(hào)，分別連接八片由固態(tài)硬盤控制芯片和閃存芯片組成的存儲(chǔ)單元，八組閃存芯片組成RAID存儲(chǔ)陣列，不僅滿足了PCI-e硬盤讀寫性能的要求，也保證了存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全可靠性，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、抗震性好及可靠性佳等特點(diǎn)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是：一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤，包括設(shè)置于同一PCB板上兩兩相連的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元、存儲(chǔ)單元及電源管理單元；其中，所述存儲(chǔ)單元包括封裝為一體且相連的固態(tài)硬盤控制芯片及閃存芯片，所述固態(tài)硬盤控制芯片及所述閃存芯片組成RAID存儲(chǔ)陣列，所述PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元的一端與外部HOST端接口相連，另一端分別與所述固態(tài)硬盤控制芯片相連。

優(yōu)選地，所述PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元采用規(guī)格為PCI-e Gen3×8的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制芯片，用于將PCI-e信號(hào)轉(zhuǎn)換為八組SATA信號(hào)。

優(yōu)選地，所述閃存芯片為NAND型閃存顆粒。

優(yōu)選地，所述固態(tài)硬盤控制芯片及所述閃存芯片的數(shù)量均為八組。

優(yōu)選地，所述RAID存儲(chǔ)陣列采用RAID0、RAID1及RAID10中的一種。

本實(shí)用新型的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤采用規(guī)格為PCI-e Gen3×8的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制芯片將PCI-e信號(hào)轉(zhuǎn)換為八組SATA信號(hào)，分別連接八片由固態(tài)硬盤控制芯片和閃存芯片組成的存儲(chǔ)單元，八組芯片組成RAID存儲(chǔ)陣列，保證了存儲(chǔ)設(shè)備高速讀寫性能的要求。另外，本實(shí)用新型將所有部件集成在一片PCB板上，沒(méi)有采用連接插接件，避免了在震動(dòng)環(huán)境中或者長(zhǎng)途運(yùn)輸中使用造成的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。本實(shí)用新型不僅滿足了PCI-e硬盤讀寫性能的要求，也保證了存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全可靠性，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、抗震性好及可靠性佳等特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。

請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型提供一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤1，包括設(shè)置于同一PCB板上兩兩相連的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元101、存儲(chǔ)單元102及電源管理單元103；其中，存儲(chǔ)單元102包括封裝為一體且相連的固態(tài)硬盤控制芯片102a及閃存芯片102b，固態(tài)硬盤控制芯片102a及閃存芯片102b組成RAID存儲(chǔ)陣列，PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元101的一端與外部HOST端接口相連，另一端分別與固態(tài)硬盤控制芯片102a相連。

在本實(shí)用新型中，PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元101采用規(guī)格為PCI-e Gen3×8的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制芯片，用于將PCI-e信號(hào)轉(zhuǎn)換為八組SATA信號(hào)。PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制芯片101具有組成磁盤陣列的功能，可實(shí)現(xiàn)容量和讀寫性能疊加以及數(shù)據(jù)備份等功能。

在本實(shí)用新型中，閃存芯片102b為NAND型閃存顆粒，通過(guò)固態(tài)硬盤控制芯片102a來(lái)讀寫數(shù)據(jù)。在本實(shí)用新型中，固態(tài)硬盤控制芯片102a及閃存芯片102b的數(shù)量均為八組，也可根據(jù)實(shí)際的需要，選用不同容量的閃存顆粒滿足容量要求。固態(tài)硬盤控制芯片102a用于對(duì)閃存芯片102b進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫、壞塊管理以及均衡磨損等智能化管理；八組閃存芯片102b組成RAID存儲(chǔ)陣列，RAID存儲(chǔ)陣列采用RAID0、RAID1及RAID10中的一種。

在本實(shí)用新型中，電源管理單元103分別與PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元101及存儲(chǔ)單元102相連，用于提供PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元101及存儲(chǔ)單元102所需要的電壓和電流，確保它們的正常運(yùn)行。

請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本實(shí)用新型基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤的使用過(guò)程如下：

使用者只需將本實(shí)用新型PCI-e固態(tài)硬盤1與主機(jī)端的HOST端相連接，PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制單元101將PCI-e信號(hào)轉(zhuǎn)化成八組SATA信號(hào)，分別傳送給八片固態(tài)硬盤控制芯片102a，進(jìn)而控制八組閃存芯片102b組成的RAID陣列與主機(jī)端進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，八組閃存芯片102b組成的RAID陣列在容量及讀寫性能形成疊加，從而滿足了存儲(chǔ)設(shè)備高速傳輸讀寫性能的要求。

本實(shí)用新型一種基于RAID技術(shù)的PCI-e固態(tài)硬盤采用規(guī)格為PCI-e Gen3×8的PCI-e轉(zhuǎn)SATA控制芯片將PCI-e信號(hào)轉(zhuǎn)換為八組SATA信號(hào)，分別連接八片由固態(tài)硬盤控制芯片和閃存芯片組成的存儲(chǔ)單元，八組芯片組成RAID存儲(chǔ)陣列，保證了存儲(chǔ)設(shè)備高速讀寫性能的要求。另外，本實(shí)用新型將所有部件集成在一片PCB板上，沒(méi)有采用連接插接件，避免了在震動(dòng)環(huán)境中或者長(zhǎng)途運(yùn)輸中使用造成的數(shù)據(jù)丟失問(wèn)題。本實(shí)用新型不僅滿足了PCI-e硬盤讀寫性能的要求，也保證了存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的安全可靠性，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便、抗震性好及可靠性佳等特點(diǎn)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。