本實用新型涉及一種信息記錄磁盤驅(qū)動器，更具體地涉及一種磁頭保護膜、磁頭、設(shè)有該磁頭的磁頭折片組合及磁盤驅(qū)動器。

背景技術(shù)：

大家熟悉的信息存儲裝置一般指磁盤驅(qū)動裝置，其利用磁性介質(zhì)存儲信息，一個可移動的磁頭置于所述磁介質(zhì)之上用于選擇地從磁盤中讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。

圖1a展示了一種現(xiàn)有磁盤驅(qū)動單元100，并展示了裝于主軸馬達120上用于高速存儲數(shù)字信息的的磁盤110，所述主軸馬達120用以旋動所述磁盤110。磁頭懸臂組合130繞軸承(圖未示)旋轉(zhuǎn)以訪問宿松磁盤110上的磁軌數(shù)據(jù)。所述磁頭懸臂組合130包括驅(qū)動臂160和磁頭折片組合150。所述磁頭折片組合150包括設(shè)有讀/寫頭的用于電/磁信號轉(zhuǎn)換的磁頭180及安裝所述磁頭180的懸臂件140。所述磁頭折片組合150連接驅(qū)動臂160，所述驅(qū)動臂160圍繞軸承轉(zhuǎn)動。音圈馬達(圖未示)用來控制軸承的轉(zhuǎn)動從而控制驅(qū)動臂160的運動，進而控制磁頭180在磁盤110的表面上的磁軌之間的移動，最終實現(xiàn)讀寫頭在磁盤110上數(shù)據(jù)的讀寫。在工作狀態(tài)時，包含讀寫頭的磁頭180與旋轉(zhuǎn)的磁盤110之間形成空氣動力性接觸，并產(chǎn)生升力。該升力與大小相等方向相反的由磁頭折片組合(HGA)150施加的彈力互相平衡，進而導致在驅(qū)動臂160的整個徑向行程中，旋轉(zhuǎn)的磁盤110的表面上方形成并維持預定的飛行高度。

圖1b詳細展示了磁頭折片組合(HGA)的結(jié)構(gòu)。HGA 150包括嵌有讀寫傳感器(圖未示)的磁頭103以及支撐該磁頭103的懸臂件190。當硬盤驅(qū)動器運作時，主軸馬達102使得磁盤101高速旋轉(zhuǎn)，而磁頭103因磁盤101旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣壓而在磁盤101上方飛行。該磁頭103在音圈馬達的控制下，在磁盤101的表面以半徑方向移動。對于不同的磁軌，磁頭103能夠從磁盤表面上讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫進磁盤101。

如圖1c所示，磁頭103大體呈長方體狀，其前后兩個側(cè)邊分別稱為前邊(leading edge)121及尾邊(trailing edge)123。其中，尾邊中央通過積淀方式(deposition)形成極尖(pole tip，其內(nèi)形成有讀寫元件)126。該尾邊上還設(shè)置多個電連接觸點124(用于將磁頭的讀寫元件與外部控制系統(tǒng)連接)。磁頭面向磁盤的表面上形成空氣承載面125(air bearing surface,ABS)。

極尖126是磁頭實現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫操作的關(guān)鍵元件。該極尖內(nèi)設(shè)置有讀元件及/或?qū)懺?。圖1d為從空氣承載面觀察的磁頭視圖；圖1e為圖1d中極尖區(qū)域的放大視圖；圖1f為圖1d中A-A方向的局部剖視圖。磁頭103的主體部分(相對于極尖區(qū)域)通常稱為襯底(substrate)1221。所述極尖區(qū)域包括形成于磁頭襯底(即磁頭的尾邊)的第一屏蔽層(first shielding layer)1222、第二屏蔽層(second shielding layer)1223、第一寫磁極(first write pole)1224及第二寫磁極(second write pole)1225。所述第一屏蔽層1222與第二屏蔽層1223之間設(shè)置用于讀取數(shù)據(jù)的磁阻元件(magneto-resistive element,MR element)128。所述第一寫磁極1224與第二寫磁極1225之間設(shè)置線圈(coils)129。上述第一屏蔽層1222、第二屏蔽層1223及嵌設(shè)于兩者之間的磁阻元件128共同構(gòu)成了磁頭的讀元件；而上述第一寫磁極1224、第二寫磁極1225及銅線圈129共同構(gòu)成了磁頭的寫元件。

此外，上述所有部件表面(即極尖區(qū)域面向空氣承載面的表面)上形成有保護膜(overcoat)127，以便在磁頭使用過程中防止或減弱周圍環(huán)境對磁頭(主要是極尖區(qū)域)的侵蝕影響。

如圖1g所示，在現(xiàn)有技術(shù)中的磁頭保護膜127通常包括覆蓋在磁頭103上的硅材料鍍層(silicon coating)1271及類金剛石材料鍍層(diamond-like carbon coating,DLC coating)1272。

但是，在TAMR(Thermal Assistant Magnetic Resistance，熱敏電阻)磁頭中，覆蓋在TAMR磁頭上的保護層如果使用如圖1g所示的磁頭保護膜127，在激光輻射的400度環(huán)境下，硅材料鍍層及類金剛石材料鍍層結(jié)合的磁頭保護膜127會受熱而發(fā)生嚴重形變及損壞(如圖1h所示)，從而無法有效覆蓋及保護磁頭，在磁頭使用過程中不能有效防止或減弱周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響。

因此，有必要提供一種設(shè)有改進的用于磁頭保護膜及其制造方法來克服上述缺陷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是提供一種磁頭保護膜，能夠獲得高粘附性、高耐熱性和低表面能，在磁頭使用過程中能夠有效保護磁頭，防止周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響。

本實用新型的另一目的是提供一種磁頭，所述磁頭設(shè)有磁頭保護膜，能夠獲得高粘附性、高耐熱性和低表面能，在磁頭使用過程中能夠有效保護磁頭，防止周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響。

本實用新型的另一目的是提供一種的磁頭折片組合，所述磁頭折片組合設(shè)有磁頭，能夠獲得高粘附性、高耐熱性和低表面能，在使用過程中能夠有效防止周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響。

本實用新型的再一目的是提供一種磁盤驅(qū)動器,能夠獲得高粘附性、高耐熱性和低表面能，在使用過程中能夠有效防止周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響。

為達到上述目的，本實用新型提供一種磁頭保護膜，包括：

一金屬層，所述金屬層層壓于磁頭或長形條上；

一金屬氧化物層，所述金屬氧化物層層壓于所述金屬層；其中，所述金屬氧化物層與所述金屬層為同一金屬元素；

一DLC層，所述DLC層層壓于所述金屬氧化物層；

一氟化碳層，所述氟化碳層層壓于所述DLC層。

較佳地，所述金屬層為Ta層，所述金屬氧化物層為TaOx層，其中，0＜x＜3。

較佳地，所述金屬層為Hf層，所述金屬氧化物層為HfOx層，其中，0＜x＜3。

較佳地，還包括層壓于所述TaOx層與所述DLC層之間的TaOx-碳混合層。

較佳地，還包括層壓于所述DLC層與所述氟化碳層之間的碳-氟混合層。

較佳地，還包括層壓于所述TaOx層與所述氟化碳層之間的TaOx-碳-氟混合層。

較佳地，所述金屬層的厚度為5～10埃；所述金屬氧化物層的厚度為20～60埃；所述DLC層的厚度為10～20埃；以及所述氟化碳層的厚度為2～10埃。

較佳地，所述DLC層為不含H的DLC層。

較佳地，所述金屬層通過濺射方式形成在所述磁頭或長形條上。

較佳地，所述金屬氧化物層通過ECR、IBE或IBAD將O2等離子體與所述金屬層的金屬離子結(jié)合而形成。

較佳地，所述DLC層通過FCVA形成在所述金屬氧化物層上。

較佳地，所述氟化碳層通過ECR、IBE方式將氟元素摻入到所述DLC層中以形成。

本實用新型實施例還提供了一種磁頭，包括空氣承載面、設(shè)于所述空氣承載面上的極尖區(qū)域以及形成在所述極尖區(qū)域上的如上所述的磁頭保護膜。

本實用新型實施例還提供了一種磁頭折片組合，包括：

如上所述的磁頭；以及

與所述磁頭連接的懸臂撓性件。

本實用新型實施例還提供了一種磁盤驅(qū)動器，包括：

磁盤；

用以旋轉(zhuǎn)所述磁盤的主軸馬達；以及

磁頭折片組合，所述磁頭折片組合包括如上所述的磁頭及與所述磁頭連接的懸臂撓性件。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的磁頭保護膜能夠獲得高粘附性、高耐熱性和低表面能，使用壽命更長，在磁頭使用過程中能夠有效保護磁頭，防止周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響,從而提高磁頭的性能，最終提高磁盤驅(qū)動單元的整體。本實用新型提供的磁頭保護膜為多層復合膜，包括覆蓋在磁頭或長形條上的金屬層，例如Ta層或Hf層，從而提高粘附性；包括覆蓋在金屬層上的金屬氧化物層，例如TaOx層或HfOx層，以提高耐熱性(熱穩(wěn)定性)；包括覆蓋在金屬氧化物層上的DLC層，以提高可靠性；還包括覆蓋在DLC層上的氟化碳層，從而減少表面能，明顯提高水接觸角(water contact angle,WCA)，例如95度。另外，為了獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能，本實用新型實施例的磁頭保護膜還包括層壓于所述TaOx層與所述DLC層之間的TaOx-碳混合層，層壓于所述DLC層與所述氟化碳層之間的碳-氟混合層或?qū)訅河谒鯰aOx層與所述氟化碳層之間的TaOx-碳-氟混合層。

通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實用新型的實施例。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a為傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動單元的示意圖。

圖1b為圖1a所示傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動單元的磁頭折片組合的立體圖。

圖1c為傳統(tǒng)的磁頭的立體圖。

圖1d為圖1c所示空氣承載面觀察的磁頭視圖。

圖1e為圖1d中極尖區(qū)域的放大視圖。

圖1f為圖1d中A-A方向的局部剖視圖。

圖1g為圖1f中的磁頭保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1h為圖1g中所示的磁頭保護膜發(fā)送形變損壞后的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型實施例提供的一種磁頭的立體圖。

圖3為圖2所示空氣承載面觀察的磁頭視圖。

圖4為圖2中極尖區(qū)域的放大視圖。

圖5為圖2中A-A方向的局部剖視圖。

圖6是本實用新型實施例提供的第一種磁頭保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是本實用新型實施例提供的第二種磁頭保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本實用新型實施例提供的第三種磁頭保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是本實用新型實施例提供的第四種磁頭保護膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10是本實用新型實施例提供的一種磁頭保護膜的制作方法的流程圖。

圖11是本實用新型實施例提供的一種磁頭的制造方法的流程圖。

圖12是本實用新型實施例提供的一種磁頭折片組合的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖13是本實用新型實施例提供的一種磁盤驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖2～5展示了本實用新型的磁頭的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，磁頭203大體呈長方體狀，其前后兩個側(cè)邊分別稱為前邊(leading edge)221及尾邊(trailing edge)223。其中，尾邊中央通過積淀方式(deposition)形成極尖(pole tip，其內(nèi)形成有讀寫元件)226。該尾邊上還設(shè)置多個電連接觸點224(用于將磁頭的讀寫元件與外部控制系統(tǒng)連接)。磁頭面向磁盤的表面上形成空氣承載面225(air bearing surface,ABS)。

極尖226是磁頭實現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫操作的關(guān)鍵元件。該極尖內(nèi)設(shè)置有讀元件及/或?qū)懺?。圖3為從空氣承載面觀察的磁頭視圖；圖4為圖3中極尖區(qū)域的放大視圖；圖5為圖3中A-A方向的局部剖視圖。磁頭203的主體部分(相對于極尖區(qū)域)通常稱為襯底(substrate)2221。所述極尖區(qū)域包括形成于磁頭襯底(即磁頭的尾邊)的第一屏蔽層(first shielding layer)2222、第二屏蔽層(second shielding layer)2223、第一寫磁極(first write pole)2224及第二寫磁極(second write pole)2225。所述第一屏蔽層2222與第二屏蔽層2223之間設(shè)置用于讀取數(shù)據(jù)的磁阻元件(magneto-resistive element,MR element)228。所述第一寫磁極2224與第二寫磁極2225之間設(shè)置線圈(coils)229。上述第一屏蔽層2222、第二屏蔽層2223及嵌設(shè)于兩者之間的磁阻元件228共同構(gòu)成了磁頭的讀元件；而上述第一寫磁極2224、第二寫磁極2225及銅線圈229共同構(gòu)成了磁頭的寫元件。

此外，上述所有部件表面(即極尖區(qū)域面向空氣承載面的表面)上形成有磁頭保護膜(overcoat)227，以便在磁頭使用過程中防止或減弱周圍環(huán)境對磁頭(主要是極尖區(qū)域)的侵蝕影響。

圖6展示了本實用新型的磁頭保護膜的第一個實施例的結(jié)構(gòu)。如圖6所示，本實施例的磁頭保護膜227為多層復合膜，包括依次覆蓋上磁頭203(或長形條，the low bar)上的金屬層2271、金屬氧化物層2272、DLC層2273以及氟化碳層2274，其中：

所述金屬層2271通過濺射方式(例如，ECR或PVD)形成在所述磁頭或長形條上。所述金屬層2271的厚度為5～10埃。在本實施例中，所述金屬層2271為Ta層。在其他實施例中，所述金屬層2271可為Hf層或其他。本實施例的金屬層2271用于提高與磁頭的粘附性，因此，所述金屬層2271可采用任何具有高粘附性的金屬元素來形成。

所述金屬氧化物層2272為通過ECR、IBE或IBAD等方式將O2等離子體與所述金屬層2271的金屬離子結(jié)合而形成。也就是說，所述金屬氧化物層2272與所述金屬層2271為同一金屬元素，當所述金屬層為Ta層，所述金屬氧化物層為TaOx層，其中，0＜x＜3；當所述金屬層為Hf層，所述金屬氧化物層為HfOx層，其中，0＜x＜3。所述金屬氧化物層2272的厚度為20～60埃。形成在金屬層2271上的金屬氧化物層2272能夠提高耐熱性(熱穩(wěn)定性)。

所述DLC層(類金剛石碳層)2273通過FCVA形成在所述金屬氧化物層2272上。在形成所述DLC層2273時，利用純石墨柱(graphitecylinder)作為FCVA靶材。在本實施例中，DLC層為不包含H的DLC層，其厚度為10～20埃。本實施例的DLC層用于增強磁頭保護膜的硬度，從而提高可靠性。

所述氟化碳層2274通過ECR、IBE方式將氟元素摻入到所述DLC層2273中以形成。具體的，利用射頻源將CF4氣體生成CF4等離子體，擴散的F離子與C元素結(jié)合形成碳化學鍵。所述氟化碳層2274的厚度為2～10埃，用于減少表面能，并提高水接觸角(water contact angle,WCA)。

圖7展示了本實用新型的磁頭保護膜的第二個實施例的結(jié)構(gòu)。本實施例的磁頭保護膜與圖6所示的磁頭保護膜一樣，包括依次覆蓋上磁頭203(或長形條，the low bar)上的金屬層2271、金屬氧化物層2272、DLC層2273以及氟化碳層2274。與圖6所示的磁頭保護膜不同的是，本實施了的磁頭保護膜還包括層壓于所述金屬氧化物層2272與所述DLC層2273之間的金屬氧化物-碳混合層2275。例如，當所述金屬氧化物層2272為TaOx時，所述金屬氧化物-碳混合層2275為TaOx-碳混合層。具體的，通過在所述TaOx上形成DLC層時，其中，作為靶材的純石墨與所述TaOx發(fā)生反應而生成該TaOx-碳混合層。該TaOx-碳混合層能夠進一步獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能。

圖8展示了本實用新型的磁頭保護膜的第三個實施例的結(jié)構(gòu)。本實施例的磁頭保護膜與圖6所示的磁頭保護膜一樣，包括依次覆蓋上磁頭203(或長形條，the low bar)上的金屬層2271、金屬氧化物層2272、DLC層2273以及氟化碳層2274。與圖6所示的磁頭保護膜不同的是，本實施了的磁頭保護膜還包括層壓于所述DLC層2273與所述氟化碳層2274之間的碳-氟混合層2276。具體的，通過在所述DLC層2273上形成氟化碳層2274時，其中，擴散的F離子與所述DLC層發(fā)生反應而生成該碳-氟混合層2276。該碳-氟混合層2276能夠進一步獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能。

圖9展示了本實用新型的磁頭保護膜的第四個實施例的結(jié)構(gòu)。本實施例的磁頭保護膜與圖6所示的磁頭保護膜一樣，包括依次覆蓋上磁頭203(或長形條，the low bar)上的金屬層2271、金屬氧化物層2272、DLC層2273以及氟化碳層2274。與圖6所示的磁頭保護膜不同的是，本實施了的磁頭保護膜還包括層壓于所述金屬氧化物層2272與所述DLC層2273之間的金屬氧化物-碳混合層2275、層壓于所述DLC層2273與所述氟化碳層2274之間的碳-氟混合層2276、以及層壓于所述金屬氧化物層2272與所述氟化碳層之間的金屬氧化物-碳-氟混合層2277。其中，金屬氧化物-碳混合層2275和碳-氟混合層2276的形成過程請參考上述實施例。其中，當所述金屬氧化物層2272為TaOx時，所述金屬氧化物-碳-氟混合層2277為TaOx-碳-氟混合層。具體的，通過在所述TaOx上依次形成DLC層和氟化碳層2274時，其中，作為靶材的純石墨、擴散的F離子與所述TaOx發(fā)生反應而生成該TaOx-碳-氟混合層。該TaOx-碳-氟混合層能夠進一步獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能。

可見，本實用新型實施例公開的磁頭包括磁頭保護膜，該磁頭保護膜為多層復合膜，包括覆蓋在磁頭或長形條上的金屬層以提高粘附性；包括覆蓋在金屬層上的金屬氧化物層以提高耐熱性(熱穩(wěn)定性)；包括覆蓋在金屬氧化物層上的DLC層以提高可靠性；以及包括覆蓋在DLC層上的氟化碳層，從而減少表面能，明顯提高水接觸角。因此，利用這樣高粘附性、高耐熱性和低表面能的磁頭保護膜，在磁頭使用過程中能夠有效保護磁頭，防止周圍環(huán)境對磁頭的侵蝕影響,從而提高磁頭的性能，使磁頭使用壽命更長。

參考圖10，本實用新型實施例公開了一種磁頭保護膜的制作方法，該方法包括步驟S101～S104：

S101、提供一金屬層，所述金屬層層壓于磁頭或長形條上。

在執(zhí)行步驟S101前，優(yōu)選還包括以下步驟：

S001、使用超聲波及清洗溶劑對所述磁頭或長形條進行預清洗；

其中，清洗溶劑可采用甲基吡咯烷酮(N-methylpyrrolidone,NMP)和異丙醇(Iso Propyl Alcohol,IPA)。

S002、預清洗完成后，采用離子束蝕刻清洗所述磁頭或長形條。

通常的，可利用氬的等離子體、氬氣和氧氣的混合氣體或者氬氣和乙烷的混合氣體來進行清洗。

在步驟S101中，所述金屬層通過濺射方式(例如，ECR或PVD)形成在所述磁頭或長形條上。所述金屬層的厚度優(yōu)選為5～10埃。其中，所述金屬層的厚度可通過調(diào)節(jié)濺射時間來控制。

在本實施例中，所述金屬層為Ta層。在其他實施例中，所述金屬層可為Hf層或其他。本實施例的金屬層用于提高與磁頭的粘附性，因此，所述金屬層可采用任何具有高粘附性的金屬元素來形成。

S102、提供一金屬氧化物層并層壓于所述金屬層；其中，所述金屬氧化物層與所述金屬層為同一金屬元素。

在該步驟中，所述金屬氧化物層可通過ECR、IBE或IBAD等方式將O2等離子體與步驟S101形成的所述金屬層的金屬離子結(jié)合而形成。也就是說，所述金屬氧化物層與所述金屬層為同一金屬元素，當所述金屬層為Ta層，所述金屬氧化物層為TaOx層，其中，0＜x＜3；當所述金屬層為Hf層，所述金屬氧化物層為HfOx層，其中，0＜x＜3。所述金屬氧化物層的厚度優(yōu)選為20～60埃。在所述金屬層上形成金屬氧化物層能夠提高耐熱性(熱穩(wěn)定性)。

S103、提供一DLC層并層壓于所述金屬氧化物層。

在該步驟中，可通過FCVA在所述金屬氧化物層上形成所述DLC層(類金剛石碳層)。具體的，在形成所述DLC層時，利用純石墨柱(graphitecylinder)作為FCVA靶材。在本實施例中，DLC層為不包含H的DLC層，其厚度為10～20埃。本步驟形成的DLC層用于增強磁頭保護膜的硬度，從而提高可靠性。

S104、提供一氟化碳層并層壓于所述DLC層。

在該步驟中，可通過ECR、IBE方式將氟元素摻入到所述DLC層中以形成所述氟化碳層。具體的，利用射頻源將CF4氣體生成CF4等離子體，擴散的F離子與C元素結(jié)合形成碳化學鍵。所述氟化碳層的厚度優(yōu)選為2～10埃，用于減少表面能，并提高水接觸角(water contact angle,WCA)。

本實用新型另一實施例提供了一種磁頭保護膜的制作方法，該實施例提供的磁頭保護膜的制作方法在圖10的基礎(chǔ)上，還包括步驟S105：S105、提供一TaOx-碳混合層，所述TaOx-碳混合層層壓于所述TaOx層與所述DLC層之間。

在該步驟中，當所述金屬氧化物層為TaOx時，所述金屬氧化物-碳混合層為TaOx-碳混合層。具體的，通過在所述TaOx上形成DLC層時，其中，作為靶材的純石墨與所述TaOx發(fā)生反應而生成該TaOx-碳混合層。該TaOx-碳混合層能夠進一步獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能。

本實用新型又一實施例提供了一種磁頭保護膜的制作方法，該實施例提供的磁頭保護膜的制作方法在圖10或上一實施例的磁頭保護膜的制作方法的基礎(chǔ)上，還包括步驟S106：

S106、提供一碳-氟混合層，所述碳-氟混合層層壓于所述DLC層與所述氟化碳層之間。

具體的，通過在所述DLC層上形成氟化碳層時，其中，擴散的F離子與所述DLC層發(fā)生反應而生成該碳-氟混合層。該碳-氟混合層能夠進一步獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能。

本實用新型又一實施例提供了一種磁頭保護膜的制作方法，該實施例提供的磁頭保護膜的制作方法在前述三個實施例的磁頭保護膜的制作方法的基礎(chǔ)上，還包括步驟S107：

S107、提供一TaOx-碳-氟混合層，所述TaOx-碳-氟混合層層壓于所述TaOx層與所述氟化碳層之間。

其中，當所述金屬氧化物層為TaOx時，所述金屬氧化物-碳-氟混合層為TaOx-碳-氟混合層。具體的，通過在所述TaOx上依次形成DLC層和氟化碳層時，其中，作為靶材的純石墨、擴散的F離子與所述TaOx發(fā)生反應而生成該TaOx-碳-氟混合層。該TaOx-碳-氟混合層能夠進一步獲得更高的粘附性、耐熱性以及更低的表面能。

參考圖11，本實用新型實施例公開了一種磁頭的制造方法，該方法包括步驟S111～S115：

S111、提供一晶圓；

S112、將晶圓切割成多個長形條；

磁頭制造首先是從晶圓(wafer)加工開始的。首先，利用適當長晶法在特定設(shè)備內(nèi)形成晶棒，然后利用切割設(shè)備將晶棒切割成薄餅狀的材料，即晶圓。經(jīng)過一系列加工工藝包括研磨(lapping)、清洗(cleaning)、蝕刻(etching)或積淀(deposition)等工藝后，晶圓被切割成條狀體，即長形條(row bar)。

S113、對所述長形條的表面進行光刻，形成空氣承載面；

光刻(photolithography)可以用于在長形條的表面比如用于形成空氣承載面的表面上形成凹凸形態(tài)的空氣承載面形貌或在已經(jīng)形成的空氣承載面上加工微紋(micro-texture，用于提高磁頭的飛行特性。

其中，光刻工藝包括上光阻(photo-resist spraying)、曝光(exposure)、烘焙(baking)、顯影(development)、蝕刻(etching)及去光阻(photo-resist removing)等步驟。上光阻就是將感光物質(zhì)即光阻(photo-resist)借助光阻噴射設(shè)備(dispenser)噴射到長形條的待加工表面(即用于形成空氣承載面的表面)上。然后，將適當曝光光源(比如深紫外線或激光或電子束或X射線)穿過光罩(reticle，有些場合也稱為photo-mask，兩者稍有區(qū)別)上的空心圖案而照射到光阻上，使得光阻被選擇性地曝光，從而在光阻上形成被曝光的區(qū)域(exposed region)。然后，對光阻進行烘焙，使光阻牢牢地貼在長形條表面而不會剝落。接下來，用顯影液清洗光阻，使得被曝光的區(qū)域通過與顯影液的化學反應而被去掉，從而使長形條的部分表面暴露出來。然后，蝕刻暴露于被曝光區(qū)域的長形條表面，從而在該表面形成特定的幾何結(jié)構(gòu)。最后，將長形條表面剩余的光阻去掉，從而完成光刻過程。

S114、利用如上所述的磁頭保護膜的制作方法，在所述空氣承載面上形成磁頭保護膜。

在該步驟中，具體通過積淀(deposition)在已經(jīng)形成的空氣承載面上覆蓋磁頭保護膜，具體的實施過程請參考上述有關(guān)步驟。

S115、將所述長形條切成單獨的磁頭。

在長形條經(jīng)過蝕刻/積淀工藝處理后，長形條被金剛石切割工具切割成單獨的磁頭，從而完成磁頭的制造流程。

參考圖12，本實用新型實施例的磁頭折片組合350包括懸臂件340和磁頭203。所述懸臂件340包括撓性件344，所述撓性件344包括設(shè)有多個導線觸點的舌片、設(shè)有多個連接觸點的尾部、及延伸于所述導線觸點與所述連接觸點之間并電連接所述導線觸點與所述連接觸點的多個導線，所述導線排列成至少兩層，且每兩個相鄰層之間設(shè)有一個隔離層。所述磁頭203通過多個磁頭觸點與所述導線觸點焊接從而與所述撓性件344連接起來。其中，所述磁頭203的具體結(jié)構(gòu)已經(jīng)詳細敘述，在此不再重復詳述。

如圖13所示，根據(jù)本實用新型磁盤驅(qū)動器的一個實施例，一種磁盤驅(qū)動器200由磁頭折片組合350、連接所述磁頭折片組合350的驅(qū)動臂360、磁盤310和用于驅(qū)動所述磁盤310的主軸馬達320組裝在一個機盒里。由于本實用新型所述磁盤驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)及/或裝配流程為業(yè)界普通技術(shù)人員所熟悉，在此不再詳述。

以上結(jié)合最佳實施例對本實用新型進行了描述，但本實用新型并不局限于以上揭示的實施例，而應當涵蓋各種根據(jù)本實用新型的本質(zhì)進行的修改、等效組合。