本發(fā)明涉及一種移位暫存器，特別是一種用于觸控面板的移位暫存器。

背景技術(shù)：

在內(nèi)嵌式(in-cell)觸控面板中，內(nèi)嵌式觸控面板在同一塊基板上設(shè)置有柵極驅(qū)動(dòng)電路以及觸控電路，且柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)線與觸控信號(hào)線彼此的距離可能會(huì)很小，因此柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)與觸控信號(hào)會(huì)彼此干擾。由于柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的強(qiáng)度較強(qiáng)，經(jīng)由電容耦合效應(yīng)，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)往往會(huì)造成噪音而干擾觸控信號(hào)，而降低了觸控操作的信噪比(signal to noise ratio,SNR)。

在一種作法中，為了避免觸控信號(hào)被柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)所干擾，一般會(huì)在致能觸控電路時(shí)，將移位暫存器中的幾個(gè)特定信號(hào)拉低至低準(zhǔn)位，以避免柵極驅(qū)動(dòng)電路與觸控電路同時(shí)運(yùn)作而彼此干擾。但于此同時(shí)，如何讓柵極驅(qū)動(dòng)電路于觸控電路被致能的此期間過(guò)后能快速地重新正常運(yùn)作，則成為必須克服的難關(guān)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種移位暫存器，以克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種移位暫存器，所述的移位暫存器具有開關(guān)模塊、上拉模塊、下拉模塊、箝制模塊與補(bǔ)償模塊。上拉模塊耦接開關(guān)模塊。下拉模塊耦接上拉模塊。箝制模塊耦接上拉模塊。補(bǔ)償模塊耦接上拉模塊。開關(guān)模塊依據(jù)啟動(dòng)信號(hào)拉升控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位。上拉模塊依據(jù)控制信號(hào)將輸出信號(hào)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整為第一時(shí)脈信號(hào)的電位。下拉模塊依據(jù)控制信號(hào)、下拉信號(hào)與第二時(shí)脈信號(hào)將輸出信號(hào)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整至參考電壓。箝制模塊依據(jù)至少一箝制信號(hào)將控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位與輸出信號(hào)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整至參考電壓。補(bǔ)償模塊具有一儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。補(bǔ)償模塊依據(jù)第二時(shí)脈信號(hào)選擇性地將控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位儲(chǔ)存至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。補(bǔ)償模塊依據(jù)觸控停能信號(hào)與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位。

本發(fā)明的技術(shù)效果在于：

綜合以上所述，本發(fā)明的移位暫存器在進(jìn)行觸控檢測(cè)的期間，將控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位暫存至補(bǔ)償模塊的儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)，并在觸控檢測(cè)的期間結(jié)束后，依據(jù)觸控停能信號(hào)與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)的電壓準(zhǔn)位再調(diào)整控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位，以使控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位回到觸控檢測(cè)期間前的電壓準(zhǔn)位。借此，得以在觸控檢測(cè)間結(jié)束之后，再以具有相仿電壓準(zhǔn)位的控制信號(hào)控制移位暫存器內(nèi)的相關(guān)元件輸出正確的輸出信號(hào)。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。

附圖說(shuō)明

圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖；

圖2為根據(jù)圖1所繪示的移位暫存器的時(shí)序示意圖；

圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖；

圖4為根據(jù)本發(fā)明更一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖；

圖5為根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖；

圖6為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖。

其中，附圖標(biāo)記

1～5 移位暫存器

11～51 開關(guān)模塊

13～53 上拉模塊

15～55 下拉模塊

17～57 箝制模塊

18～58 輔助下拉模塊

19～59 補(bǔ)償模塊

192～592 暫存電路

C1、C2 電容

G(n-1)、G(n) 輸出信號(hào)

HC1～HC4 時(shí)脈信號(hào)

K(n) 電壓準(zhǔn)位

NS 儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)

P(n) 箝制信號(hào)

Q(n) 控制信號(hào)

Q’(n) 電壓準(zhǔn)位

T11～T75 晶體管

TP_EN 觸控致能信號(hào)

TP_OFF 觸控停能信號(hào)

t1～t8 時(shí)間點(diǎn)

ST(n-1) 啟動(dòng)信號(hào)

ST(n) 下拉信號(hào)

ST(n+2) 箝制信號(hào)

VSS 參考電壓

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述：

以下在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本發(fā)明的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)，其內(nèi)容足以使本領(lǐng)域技術(shù)人員了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容、權(quán)利要求書及圖式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)。以下的實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的觀點(diǎn)，但非以任何觀點(diǎn)限制本發(fā)明的范疇。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖。移位暫存器1具有開關(guān)模塊11、上拉模塊13、下拉模塊15、箝制模塊17與補(bǔ)償模塊19。上拉模塊13耦接開關(guān)模塊11。下拉模塊15耦接上拉模塊13。箝制模塊17耦接上拉模塊13。補(bǔ)償模塊19耦接上拉模塊13。移位暫存器1例如是以非晶硅(Amorphous Silicon,A-Si)工藝、多晶硅(Poly-Silicon)工藝或低溫硅基板(low-temperature silicon substrate)工藝制成，在此并不加以限制。在此實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)電路1采用一傳二的結(jié)構(gòu)，而并不以此為限。而在后續(xù)的實(shí)施例中，皆舉以N型摻雜的薄膜晶體管(thin film transistor,TFT)為例進(jìn)行說(shuō)明。然各薄膜晶體管經(jīng)考量與相關(guān)控制信號(hào)配合后，也可置換為P型的薄膜晶體管，而不以所舉之例為限制。

開關(guān)模塊11用以依據(jù)啟動(dòng)信號(hào)ST(n-1)拉升控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位。在此實(shí)施例中，當(dāng)啟動(dòng)信號(hào)ST(n-1)的電壓準(zhǔn)位為高準(zhǔn)位時(shí)，開關(guān)模塊11依據(jù)啟動(dòng)信號(hào)ST(n-1)將控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位拉升至前一級(jí)的輸出信號(hào)G(n-1)的電壓準(zhǔn)位。

上拉模塊13依據(jù)控制信號(hào)Q(n)將輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整為第一時(shí)脈信號(hào)HC1的電位。在此實(shí)施例中，當(dāng)控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位為高準(zhǔn)位時(shí)，開關(guān)模塊11依據(jù)控制信號(hào)Q(n)將輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整為第一時(shí)脈信號(hào)HC1的電壓準(zhǔn)位。

在此實(shí)施例中，上拉模塊13包括電容C1與上拉晶體管T21。上拉晶體管T21的一端用以接收第一時(shí)脈信號(hào)HC1。上拉晶體管T21的另一端耦接至輸出信號(hào)G(n)。上拉晶體管T21的控制端用以接收控制信號(hào)Q(n)。電容C1的兩端分別用以接收控制信號(hào)Q(n)與輸出信號(hào)G(n)。于實(shí)務(wù)上，上拉模塊13還可具有上拉晶體管T22。上拉晶體管T22的一端用以接收第一時(shí)脈信號(hào)HC1。上拉晶體管T22的另一端耦接至下拉信號(hào)ST(n)。上拉晶體管T22的控制端耦接至電容C1，且上拉晶體管T22的控制端用以接收控制信號(hào)Q(n)。

下拉模塊15依據(jù)控制信號(hào)Q(n)、下拉信號(hào)ST(n)與第二時(shí)脈信號(hào)HC4將輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整至參考電壓VSS。在此實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙r(shí)脈信號(hào)HC4為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位被調(diào)整至參考電壓VSS。在此實(shí)施例中，參考電壓VSS例如為一相對(duì)低的電壓準(zhǔn)位，然在此并不限定其實(shí)質(zhì)大小。

箝制模塊17依據(jù)箝制信號(hào)P(n)或箝制信號(hào)ST(n+2)將控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位與輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整至參考電壓VSS。在此實(shí)施例中，當(dāng)箝制信號(hào)P(n)與箝制信號(hào)ST(n+2)為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位與輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位對(duì)應(yīng)地被調(diào)整至參考電壓VSS。

補(bǔ)償模塊19具有儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。后續(xù)以電壓準(zhǔn)位Q’(n)簡(jiǎn)要表示儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位。補(bǔ)償模塊19依據(jù)第二時(shí)脈信號(hào)HC4選擇性地將控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位儲(chǔ)存至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。補(bǔ)償模塊19依據(jù)觸控停能信號(hào)TP_off與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位調(diào)整控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位。更詳細(xì)地來(lái)說(shuō)，補(bǔ)償模塊19具有暫存電路192與電容C2。電容C2的第一端耦接儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。暫存電路192耦接電容C2的兩端，且暫存電路192依據(jù)第二時(shí)脈信號(hào)HC4將電容C2的第一端的端電壓調(diào)整為控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位。在此實(shí)施例中，當(dāng)?shù)诙r(shí)脈信號(hào)HC4為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，暫存電路192依據(jù)第二時(shí)脈信號(hào)HC4將電容C2的第一端的端電壓調(diào)整為控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位。從另一個(gè)角度來(lái)說(shuō)，暫存電路192依據(jù)第二時(shí)脈信號(hào)HC4將控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位暫存至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。

暫存電路192具有第一晶體管T73、第二晶體管T74與第三晶體管T75。就作動(dòng)上而言，第一晶體管T73依據(jù)第二時(shí)脈信號(hào)的電位調(diào)整儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位至控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位。第二晶體管T74依據(jù)觸控停能信號(hào)TP_OFF調(diào)整控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位至儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位。第三晶體管T75依據(jù)儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位與觸控停能信號(hào)TP_OFF的電壓準(zhǔn)位調(diào)整電容C2的第二端的電壓準(zhǔn)位K(n)。

暫存電路192具有多種不同的實(shí)施態(tài)樣，請(qǐng)容后一一舉例說(shuō)明。在圖1所示的實(shí)施例中，第一晶體管T73的第一端耦接開關(guān)模塊11中的晶體管T11的一端，且第一晶體管T73的第一端耦接上拉模塊13中的晶體管T22的控制端與晶體管T24的控制端。第一晶體管T73的第二端耦接儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。第一晶體管T73的控制端用以接收第二時(shí)脈信號(hào)HC4。第二晶體管T74的第一端耦接儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。第二晶體管T74的第二端用以接收控制信號(hào)Q(n)。第二晶體管T74的控制端用以接收觸控停能信號(hào)TP_OFF。第三晶體管T75的第一端耦接電容C2，第三晶體管T75的第二端用以接收觸控停能信號(hào)TP_OFF，第三晶體管T75的控制端耦接儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS。其中，上拉模塊13中的電容C1的電容值為補(bǔ)償模塊19中的電容C2的電容值的兩倍。

在一實(shí)施例中，第一晶體管T73的尺寸相當(dāng)于圖1中的晶體管T54，第二晶體管T74的尺寸相當(dāng)于圖1中的晶體管T22，第三晶體管T75的尺寸相當(dāng)于圖1中的晶體管T52。借此，得以妥善地協(xié)調(diào)各晶體管的充放電能力，以使各對(duì)應(yīng)節(jié)點(diǎn)被充放至所欲的電壓準(zhǔn)位。

除了上述元件之外，如圖1所示，移位暫存器1還可具有輔助下拉模塊18。輔助下拉模塊18依據(jù)觸控致能信號(hào)TP_EN調(diào)整輸出信號(hào)G(n)的電壓準(zhǔn)位至參考電壓VSS的電壓準(zhǔn)位。且輔助下拉模塊18依據(jù)觸控致能信號(hào)TP_EN調(diào)整控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位至參考電壓VSS的電壓準(zhǔn)位。

輔助下拉模塊18可具有多種的實(shí)施態(tài)樣。在圖1所示的實(shí)施例中，輔助下拉模塊18具有第四晶體管T71與第五晶體管T72。第四晶體管T71的一端用以接收輸出信號(hào)G(n)。第四晶體管T71的另一端用以接收參考電壓VSS。第四晶體管T71的控制端用以接收觸控致能信號(hào)TP_EN。第五晶體管T72的一端用以接收控制信號(hào)Q(n)。第五晶體管T72的另一端用以接收參考電壓VSS。第五晶體管T72的控制端用以接收觸控致能信號(hào)TP_EN。

第四晶體管T71用以依據(jù)觸控致能信號(hào)TP_EN調(diào)整輸出信號(hào)G(n)至第二參考電壓VSS。第五晶體管T72用以依據(jù)觸控致能信號(hào)TP_EN調(diào)整控制信號(hào)Q(n)至第二參考電壓VSS。在此實(shí)施例中，當(dāng)觸控致能信號(hào)TP_EN為高電壓準(zhǔn)位時(shí)，第四晶體管T71與第五晶體管T72被導(dǎo)通而分別將輸出信號(hào)G(n)與控制信號(hào)Q(n)的電壓準(zhǔn)位調(diào)整至參考電壓VSS的電壓準(zhǔn)位。需注意的是，輔助下拉模塊18為一選擇性的設(shè)計(jì)，移位暫存器1并不一定要具有輔助下拉模塊18。

請(qǐng)接著參照?qǐng)D2以說(shuō)明圖1所示的實(shí)施例的控制時(shí)序，圖2為根據(jù)圖1所繪示的移位暫存器的時(shí)序示意圖。在圖2中標(biāo)示有時(shí)間點(diǎn)t1～t8，并繪示有各時(shí)脈信號(hào)HC1～HC4、觸控致能信號(hào)TP_EN、觸控停能信號(hào)TP_OFF、控制信號(hào)Q(n)、電壓準(zhǔn)位Q’(n)與電壓準(zhǔn)位K(n)的相對(duì)時(shí)序。其中，時(shí)脈信號(hào)HC1為前述的第一時(shí)脈信號(hào)，時(shí)脈信號(hào)HC4為前述的第二時(shí)脈信號(hào)，且移位暫存器1實(shí)際上還可關(guān)聯(lián)于更多的時(shí)脈信號(hào)，而不僅以所舉的時(shí)脈信號(hào)HC1至?xí)r脈信號(hào)HC4為限制。于一實(shí)施例的一操作周期中，第二時(shí)脈信號(hào)HC4的時(shí)序先于第一時(shí)脈信號(hào)HC1的時(shí)序。所述的操作周期例如是以時(shí)間點(diǎn)t2作為起點(diǎn)，以就是以第二時(shí)脈信號(hào)HC4被拉高的其中一個(gè)時(shí)間點(diǎn)作為起點(diǎn)。

觸控致能信號(hào)TP_EN用以指示系統(tǒng)是否正進(jìn)行觸控檢測(cè)。在此實(shí)施例中，當(dāng)系統(tǒng)正進(jìn)行觸控檢測(cè)時(shí)，觸控致能信號(hào)TP_EN為高電壓準(zhǔn)位。于另一實(shí)施例子中，當(dāng)系統(tǒng)正進(jìn)行觸控檢測(cè)時(shí)，觸控致能信號(hào)TP_EN為低電壓準(zhǔn)位。觸控停能信號(hào)TP_OFF用以指示系統(tǒng)是否停止觸控檢測(cè)。在此實(shí)施例中，當(dāng)系統(tǒng)停止觸控檢測(cè)后的一段預(yù)設(shè)區(qū)間中，觸控致能信號(hào)TP_EN為高電壓準(zhǔn)位。在另一實(shí)施例中，當(dāng)系統(tǒng)停止觸控檢測(cè)后的一段預(yù)設(shè)區(qū)間中，觸控致能信號(hào)TP_EN為低電壓準(zhǔn)位。在此并不限制所述的預(yù)設(shè)區(qū)間的長(zhǎng)度。上述僅為舉例示范，然各信號(hào)實(shí)際上的實(shí)施態(tài)樣并不以所舉之例為限。

自時(shí)間點(diǎn)t1始，時(shí)脈信號(hào)HC1以至?xí)r脈信號(hào)HC4依序被調(diào)高，而使移位暫存器1及其前后級(jí)的移位暫存器開始作動(dòng)。

于時(shí)間點(diǎn)t2，時(shí)脈信號(hào)HC4與控制信號(hào)Q(n)被拉至高電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，第一晶體管T73導(dǎo)通，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)被對(duì)應(yīng)地拉至高電壓準(zhǔn)位。

于時(shí)間點(diǎn)t3，觸控致能信號(hào)TP_EN被拉至高電壓準(zhǔn)位，時(shí)脈信號(hào)HC4被拉至低電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，控制信號(hào)Q(n)被輔助下拉模塊18拉至低電壓準(zhǔn)位，而儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)則是維持高電壓準(zhǔn)位。

于時(shí)間點(diǎn)t4，觸控致能信號(hào)TP_EN被拉至低電壓準(zhǔn)位，觸控停能信號(hào)TP_OFF被拉至高電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，電壓準(zhǔn)位K(n)經(jīng)由第三晶體管T75被拉至高電壓準(zhǔn)位。經(jīng)由電容耦合效應(yīng)，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)被從原先的高電壓準(zhǔn)位再被推得更高。由于觸控停能信號(hào)TP_OFF被拉至高電壓準(zhǔn)位，第二晶體管T74被導(dǎo)通，控制信號(hào)Q(n)依據(jù)儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)而被拉至高電壓準(zhǔn)位。另一方面，在時(shí)間點(diǎn)t3至?xí)r間點(diǎn)t4之間，由于觸控致能信號(hào)TP_EN為高電壓準(zhǔn)位，時(shí)脈信號(hào)HC1至?xí)r脈信號(hào)HC4維持低電壓準(zhǔn)位，而使移位暫存器1暫時(shí)停能。

于時(shí)間點(diǎn)t5，時(shí)脈信號(hào)HC1被拉至高電壓準(zhǔn)位，經(jīng)由電容C1的電容耦合效應(yīng)而將控制信號(hào)Q(n)自原本的高電壓準(zhǔn)位推得更高，以使移位暫存器1穩(wěn)定輸出具有高電壓準(zhǔn)位的輸出信號(hào)G(n)。

于時(shí)間點(diǎn)t6，觸控停能信號(hào)TP_OFF被拉至低電壓準(zhǔn)位，使得電壓準(zhǔn)位K(n)被拉至低電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)被拉回原本的高電壓準(zhǔn)位。

于時(shí)間點(diǎn)t7，時(shí)脈信號(hào)HC3被拉至高電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，對(duì)應(yīng)于時(shí)脈信號(hào)HC3，箝制信號(hào)ST(n+2)被對(duì)應(yīng)地拉高，而將控制信號(hào)Q(n)拉至低電壓準(zhǔn)位。

于時(shí)間點(diǎn)t8，時(shí)脈信號(hào)HC4被拉至高電壓準(zhǔn)位。此時(shí)，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS則經(jīng)由下拉模塊15所提供的電流路徑放電，而將儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)拉至低電壓準(zhǔn)位。

請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D3，圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖。如圖3所示，移位暫存器2具有與圖1所示的移位暫存器1相仿的電路結(jié)構(gòu)。與圖1所示的移位暫存器1不同的是，圖3所示的移位暫存器2的補(bǔ)償模塊29的第一晶體管T73耦接至開關(guān)模塊21中晶體管T11的另一端。從另一個(gè)角度來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)經(jīng)由第一晶體管T73而直接被前一級(jí)的輸出信號(hào)G(n-1)選擇性地拉高。

請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為根據(jù)本發(fā)明更一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖。如圖4所示，移位暫存器3具有與圖1所示的移位暫存器1相仿的電路結(jié)構(gòu)。與圖1所示的移位暫存器1不同的是，圖4所示的移位暫存器3的補(bǔ)償模塊39的第一晶體管T73耦接至開關(guān)模塊31中晶體管T11的控制端。從另一個(gè)角度來(lái)說(shuō)，儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS的電壓準(zhǔn)位Q’(n)經(jīng)由第一晶體管T73而直接被啟動(dòng)信號(hào)ST(n-1)選擇性地拉高。

請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5為根據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖。如圖5所示，移位暫存器4具有與圖1所示的移位暫存器1相仿的電路結(jié)構(gòu)。與圖1所示的移位暫存器1不同的是，移位暫存器4的補(bǔ)償模塊49的電容C2的第一端耦接儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS與第一晶體管T73，而補(bǔ)償模塊49的電容C2的第二端耦接第二晶體管T74與第三晶體管T75。

請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例所繪示的移位暫存器的電路示意圖。如圖6所示，移位暫存器5具有與圖5所示的移位暫存器4相仿的電路結(jié)構(gòu)。與圖5所示的移位暫存器4不同的是，移位暫存器5的補(bǔ)償模塊59的第二晶體管T74的控制端是耦接儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)NS與第三晶體管T75的控制端。

在圖3以至圖6所示的相關(guān)實(shí)施例中，各移位暫存器同樣可適用于如圖2所示的控制時(shí)序當(dāng)中。相關(guān)細(xì)節(jié)當(dāng)為本領(lǐng)域技術(shù)人員經(jīng)詳閱本說(shuō)明書后可自由推知，于此不再重復(fù)贅述。

綜合以上所述，本發(fā)明提供了一種移位暫存器，所述的移位暫存器在進(jìn)行觸控檢測(cè)的期間，將控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位暫存至補(bǔ)償模塊的儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)，并在觸控檢測(cè)的期間結(jié)束后，依據(jù)觸控停能信號(hào)與儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)的電壓準(zhǔn)位再調(diào)整控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位，以使控制信號(hào)的電壓準(zhǔn)位回到觸控檢測(cè)期間前的電壓準(zhǔn)位。借此，得以在觸控檢測(cè)期間結(jié)束之后，再以具有相仿電壓準(zhǔn)位的控制信號(hào)控制移位暫存器內(nèi)的相關(guān)元件輸出正確的輸出信號(hào)。

當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。