技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置。更具體地，本公開(kāi)涉及一種提供減小的瞬時(shí)電壓降(IVD)的電力頭(power header)。

背景技術(shù)：

當(dāng)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)之內(nèi)的給定塊或區(qū)域處于未使用的狀態(tài)時(shí)，門(mén)控電源對(duì)于降低電路泄漏是必不可少的。流過(guò)門(mén)控電源的電力網(wǎng)的電流產(chǎn)生在電力頭的負(fù)載側(cè)的邏輯裝置處經(jīng)受的瞬時(shí)電壓降(IVD)。IVD由流過(guò)電力網(wǎng)中任意電阻的電流產(chǎn)生。IVD對(duì)與硅至金屬(硅-金屬)界面相關(guān)聯(lián)的電阻是尤其顯著的。因?yàn)殡娏︻^的負(fù)載側(cè)經(jīng)受的電壓會(huì)顯著小于芯片供應(yīng)電壓，所以IVD限制SRAM的性能。另外，硅-金屬界面因電遷移而內(nèi)在地向金屬(和通孔)施壓，并因?yàn)楣?金屬界面相對(duì)大而使電流降低。

在高速SRAM設(shè)計(jì)中，當(dāng)使用門(mén)控電源時(shí)，預(yù)充電電路呈現(xiàn)出特殊的挑戰(zhàn)。SRAM的位線被同時(shí)預(yù)充電，這造成相對(duì)高的電流流過(guò)預(yù)充電裝置并且產(chǎn)生大的IVD。因此，與電力頭的IVD組合的大位線電容趨向于限制SRAM的高頻性能。此外，預(yù)充電裝置趨向于在物理上全部對(duì)準(zhǔn)(aligned)，這導(dǎo)致從電力網(wǎng)的相對(duì)小部分中得到極大量的電流。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

實(shí)施例提供了一種電力頭，所述電力頭包括：第一導(dǎo)線；以及包括源極區(qū)和漏極區(qū)的第一電力使能控制裝置，第一電力使能控制裝置的漏極區(qū)通過(guò)僅硅的連接結(jié)合到第一導(dǎo)線，第一電力使能控制裝置的源極區(qū)結(jié)合到電源。

另一實(shí)施例提供了一種電力頭，所述電力頭包括：包括第一控制裝置的第一電路，第一控制裝置包括源極區(qū)和漏極區(qū)；以及包括源極區(qū)和漏極區(qū)的第一電力使能控制裝置，第一電力使能控制裝置的漏極區(qū)是第一控制裝置的源極區(qū)，第一電力使能控制裝置的源極區(qū)結(jié)合到電源。第一電路可以包括至少一個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元預(yù)充電電路、邏輯電路或緩沖器電路。

實(shí)施例提供了一種電力頭，所述電力頭包括：將要被供應(yīng)以電力的第一線；以及包括源極區(qū)和漏極區(qū)的第一電力使能控制裝置，第一電力使能控制裝置的漏極區(qū)通過(guò)僅硅的連接結(jié)合到第一線，第一電力使能控制裝置的源極區(qū)結(jié)合到電源。在一個(gè)實(shí)施例中，第一線可以通過(guò)僅硅的連接結(jié)合到邏輯電路。在另一實(shí)施例中，第一線可以通過(guò)僅硅的連接結(jié)合到緩沖器電路。在又一實(shí)施例中，第一線可以結(jié)合到靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元預(yù)充電電路。

附圖說(shuō)明

在下面的部分中，將參照附圖中示出的示例性實(shí)施例描述這里公開(kāi)的主題的方面，其中：

圖1A描繪了用于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的傳統(tǒng)電力頭/位線預(yù)充電電路的典型構(gòu)造；

圖1B描繪了用于圖1A中示出的傳統(tǒng)電力頭-位線預(yù)充電電路的典型構(gòu)造的等效電路圖；

圖2A描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路的示例實(shí)施例；

圖2B描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于圖2A中示出的電力頭/位線預(yù)充電電路的示例實(shí)施例的等效電路圖；

圖2C描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于典型邏輯門(mén)電路的電力頭的示例實(shí)施例；

圖2D描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的電力頭至驅(qū)動(dòng)器電路或緩沖器電路的示例實(shí)施例；

圖3描繪了針對(duì)圖2A中示出的電路的用于電力使能信號(hào)和預(yù)充電控制信號(hào)的示例時(shí)序圖；

圖4A描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路的物理電路布局的一個(gè)示例實(shí)施例的平面圖；

圖4B描繪了沿著圖4A中的線A-A′截取的根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路的物理布局的所述示例實(shí)施例的剖視圖；

圖5是根據(jù)這公開(kāi)的主題的用于SRAM的用于形成電力頭/位線預(yù)充電電路的流程圖；

圖6描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例的電子裝置，該電子裝置包括一個(gè)或更多個(gè)集成電路(芯片)，所述集成電路(芯片)包括通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管的至少一個(gè)電力頭，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面；以及

圖7描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以包括一個(gè)或更多個(gè)集成電路(芯片)，所述集成電路(芯片)包括通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管的至少一個(gè)電力頭，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面。

具體實(shí)施方式

這里公開(kāi)的主題涉及提供減小的IVD的電力頭。

在下面的詳細(xì)描述中，為了提供本公開(kāi)的全部理解，闡述了許多具體細(xì)節(jié)。然而，將被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解的是，可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)現(xiàn)公開(kāi)的方面。在其他示例中，為了不會(huì)使這里公開(kāi)的主題模糊，沒(méi)有詳細(xì)描述公知的方法、過(guò)程、組件和電路。

在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，參考“一個(gè)實(shí)施例”或“一種實(shí)施例”意味著：與實(shí)施例關(guān)聯(lián)地描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)被包括在這里公開(kāi)的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在整個(gè)說(shuō)明書(shū)的各種位置處出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”或者“在實(shí)施例中”或者“根據(jù)一個(gè)實(shí)施例”(或具有相似含義的其他短語(yǔ))不一定全都指同一個(gè)實(shí)施例。如這里使用的，詞語(yǔ)“示例性”意味著“用作示例、實(shí)例或說(shuō)明”。這里描述為“示例性”的任意實(shí)施例不被解釋為必須優(yōu)選或優(yōu)于其他實(shí)施例。此外，特定特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)可以在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例中以任意合適的方式被組合。另外，根據(jù)這里討論的上下文，單數(shù)術(shù)語(yǔ)可以包括相應(yīng)的復(fù)數(shù)形式，復(fù)數(shù)術(shù)語(yǔ)可以包括相應(yīng)的單數(shù)形式。進(jìn)一步注意的是，這里示出和討論的各種附圖(包括組件圖)僅用于說(shuō)明目的，而不是按比例繪制。相似地，各種波形圖和時(shí)序圖僅出于示例性目的示出。

除非像這樣明確地定義，否則這里使用的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等用作它們之后的名詞的標(biāo)簽，并不意指任何類(lèi)型的排序(例如，空間、時(shí)間、邏輯等)。此外，相同的附圖標(biāo)記可以用來(lái)遍及兩個(gè)或更多個(gè)附圖以表示具有相同或相似功能的部分、組件、塊、電路、單元或模塊。然而，這種用法僅出于簡(jiǎn)化說(shuō)明和易于討論的目的；不意味著這樣的組件或單元的構(gòu)造或建筑細(xì)節(jié)與遍及所有實(shí)施例相同，或者這樣通用參考的部分/模塊是實(shí)施這里公開(kāi)的特定實(shí)施例的教導(dǎo)的唯一途徑。

傳統(tǒng)電力頭用于控制至半導(dǎo)體電路的塊或區(qū)域的電力；然而，電力頭的傳統(tǒng)構(gòu)造在電力頭導(dǎo)電時(shí)增加了到本地電源的電阻。在許多情況下，與傳統(tǒng)電力頭相關(guān)聯(lián)的大多數(shù)電阻與電力頭結(jié)構(gòu)之內(nèi)的硅-金屬界面有關(guān)。這樣的傳統(tǒng)電力頭構(gòu)造包括三個(gè)這樣的硅-金屬界面。即，典型的傳統(tǒng)電力頭構(gòu)造包括在電力頭的輸入側(cè)的硅-金屬界面、在電力頭的輸出側(cè)的硅-金屬界面以及在邏輯裝置的輸入側(cè)的硅-金屬界面。此外，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)模越小，半導(dǎo)體裝置的幾何結(jié)構(gòu)變得相應(yīng)地越小，從而引起半導(dǎo)體裝置的截面電阻增大。此外，隨著晶體管性能的提高，電流相應(yīng)地增大。電流和電阻的組合增大導(dǎo)致由傳統(tǒng)電力頭構(gòu)造之內(nèi)的硅-金屬界面產(chǎn)生的IVD增大。

這里公開(kāi)的實(shí)施例使由電力頭產(chǎn)生的以及由電力頭的負(fù)載側(cè)的裝置經(jīng)受的IVD減小。這里公開(kāi)的實(shí)施例提供了：電力頭通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面。即，不使用金屬來(lái)進(jìn)行電力頭晶體管與預(yù)充電控制晶體管之間的連接，使得電力頭晶體管與預(yù)充電控制晶體管之間沒(méi)有硅-金屬界面。此外，因?yàn)檫@里公開(kāi)的實(shí)施例從電力頭與預(yù)期的邏輯裝置之間消除了金屬，所以電遷移問(wèn)題被類(lèi)似地消除。這里公開(kāi)的實(shí)施例提供了：將每個(gè)預(yù)充電裝置與位于同一擴(kuò)散區(qū)的相應(yīng)的本地電力頭布置或配對(duì)，從而顯著地減小在電力頭至預(yù)充電控制晶體管路徑中的串聯(lián)電阻。因此，這里公開(kāi)的實(shí)施例提供了：IVD在預(yù)充電控制晶體管處顯著減小，從而改善SRAM性能并且限制關(guān)于在硅-金屬界面處的電遷移的問(wèn)題。這里公開(kāi)的實(shí)施例不限于針對(duì)SRAM裝置的電力頭-預(yù)充電控制晶體管構(gòu)造，并可以用來(lái)減小用于例如大驅(qū)動(dòng)器、中繼器、時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和大邏輯門(mén)的IVD。

圖1A描繪了用于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的傳統(tǒng)電力頭/位線預(yù)充電電路100的典型構(gòu)造。如圖1A中所示，芯片供應(yīng)(chip supply)101通過(guò)電力使能晶體管102和多個(gè)預(yù)充電控制晶體管103a-103c連接到多條位線104。應(yīng)該理解，雖然圖1A中僅示出三個(gè)預(yù)充電控制晶體管103，但是可以根據(jù)存在的位線104的數(shù)量而使用更少或更多的預(yù)充電控制晶體管103。還應(yīng)該理解，雖然沒(méi)有示出位線104的細(xì)節(jié)，但是位線104中的每條位線分別以公知的方式結(jié)合到一個(gè)或更多個(gè)SRAM存儲(chǔ)器單元(未示出)。

預(yù)充電控制信號(hào)結(jié)合到預(yù)充電控制晶體管103a-103c中的每個(gè)的柵極以控制位線104的預(yù)充電。電力使能信號(hào)結(jié)合到電力使能晶體管102的柵極以使電力能夠應(yīng)用于預(yù)充電控制晶體管103a-103c和位線104。

在芯片供應(yīng)101與電力使能晶體管102之間的互連節(jié)點(diǎn)(圖1B中的節(jié)點(diǎn)106)包括硅至金屬(硅-金屬)界面。相似地，在電力使能晶體管102與預(yù)充電控制晶體管103之間的互連節(jié)點(diǎn)(圖1B中的節(jié)點(diǎn)107)包括硅-金屬界面(silicon-metal interface)。與硅-金屬界面相關(guān)聯(lián)的電阻通過(guò)使電流從芯片供應(yīng)101流過(guò)位線104時(shí)產(chǎn)生相對(duì)大的瞬時(shí)電壓降(IVD)而對(duì)電路100的性能產(chǎn)生不利的影響。

圖1B描繪了圖1A示出的傳統(tǒng)電力頭-位線(power header-bit line)預(yù)充電電路100的典型構(gòu)造的等效電路圖。圖1B包括分別與電路100的硅-金屬界面相關(guān)聯(lián)的電阻。應(yīng)該理解，電力頭-位線預(yù)充電電路100可以包括圖1B中未示出的其他電阻。具體地，因?yàn)殡娮?05a-105e中的每個(gè)與電力頭-位線預(yù)充電電路100中可能存在的所有其他電阻相比會(huì)是顯著的，所以圖1B中的電阻105a-105e中的每個(gè)表示硅-金屬界面電阻。例如，在金屬化物106與電力使能晶體管102的源極處的硅進(jìn)行界面連接處形成電阻105a。相似地，電阻105b包括來(lái)自電力使能晶體管102的漏極與金屬化物107之間的界面的電阻。在金屬化物107與預(yù)充電控制晶體管103a-103c各自的源極發(fā)生界面連接處分別形成電阻105c至105e。因此，用于傳統(tǒng)電路100的預(yù)充電控制晶體管103a-103c中的每個(gè)的負(fù)載側(cè)經(jīng)受由三個(gè)硅-金屬界面產(chǎn)生的IVD。

圖2A描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路200的示例實(shí)施例。如圖2A中所示，芯片供應(yīng)201a-201c通過(guò)多個(gè)電力使能晶體管202a-202c和多個(gè)預(yù)充電控制晶體管203a-203c而連接到多條位線204。應(yīng)該理解，雖然圖2A中示出三個(gè)預(yù)充電控制晶體管203，但是可以根據(jù)存在的位線204的數(shù)量使用更少或更多的預(yù)充電控制晶體管203。還應(yīng)該理解，雖然沒(méi)有示出位線204的細(xì)節(jié)，但是位線204中的每條位線分別以公知的方式結(jié)合到一個(gè)或更多個(gè)SRAM存儲(chǔ)器單元(未示出)。

預(yù)充電控制信號(hào)結(jié)合到預(yù)充電控制晶體管203a-203c中的每個(gè)的柵極以控制位線204的預(yù)充電。電力使能信號(hào)結(jié)合到電力使能晶體管202a-202c各自的柵極以使電力能夠應(yīng)用到預(yù)充電控制晶體管203a-203c和位線204。

對(duì)于圖2A中示出的實(shí)施例，僅芯片供應(yīng)201與電力使能晶體管202之間的互連節(jié)點(diǎn)(圖2B中的節(jié)點(diǎn)206a-206c)包括硅-金屬界面。在電力使能晶體管202與預(yù)充電控制晶體管203之間的每個(gè)互連節(jié)點(diǎn)(圖2B中的節(jié)點(diǎn)208a-208c)不包括硅-金屬界面。即，每個(gè)各自的互連節(jié)點(diǎn)208a-208c是僅硅的互連。

圖2B描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于圖2A中示出的電力頭/位線預(yù)充電電路200的示例實(shí)施例的等效電路圖。圖2B的等效電路包括與電路200的各自的硅-金屬界面相關(guān)聯(lián)的電阻。具體地，圖2B中示出的電阻205a-205c中的每個(gè)表示與芯片供應(yīng)201和電力使能晶體管202的源極之間的硅-金屬界面相關(guān)聯(lián)的電阻。對(duì)照?qǐng)D1A和圖1B中示出的傳統(tǒng)電路100，預(yù)充電控制晶體管203a-203c中的每個(gè)的負(fù)載側(cè)經(jīng)受僅由一個(gè)硅-金屬界面產(chǎn)生的IVD而不是由三個(gè)硅-金屬界面產(chǎn)生的IVD。

圖2C描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于代表性邏輯門(mén)電路的電力頭250的示例實(shí)施例。如圖2C中所示，芯片供應(yīng)251a-251b連接到多個(gè)電力使能晶體管252a-252b。具體地，由晶體管253a、253b、254和255形成NAND邏輯電路。電力使能信號(hào)結(jié)合到電力使能晶體管252a-252b中的每個(gè)的柵極以控制被施加到代表性邏輯門(mén)電路的電力。應(yīng)該理解，可以使用其他邏輯門(mén)電路代替在圖2C中描繪的代表性邏輯門(mén)電路。對(duì)于圖2C中示出的實(shí)施例，僅芯片供應(yīng)251與電力使能晶體管252之間的互連節(jié)點(diǎn)包括硅-金屬界面。在電力使能晶體管252與代表性邏輯門(mén)電路的晶體管之間的每個(gè)互連節(jié)點(diǎn)不包括硅-金屬界面。即，在電力使能晶體管252與代表性邏輯門(mén)電路的晶體管之間的每個(gè)各自的互連節(jié)點(diǎn)是僅硅的互連。

圖2D描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的電力頭260至驅(qū)動(dòng)器電路或緩沖器電路的示例實(shí)施例。如圖2D中所示，芯片供應(yīng)261a-261e連接到多個(gè)電力使能晶體管262a-262e。由晶體管263a-263e和264a-264e形成驅(qū)動(dòng)器電路。電力使能信號(hào)結(jié)合到電力使能晶體管262a-262e中的每個(gè)的柵極以控制被施加到驅(qū)動(dòng)器電路的電力。應(yīng)該理解，可以使用其他緩沖器電路代替在圖2D中描述的驅(qū)動(dòng)器電路。對(duì)于圖2D中所示的實(shí)施例，僅芯片供應(yīng)261與電力使能晶體管262之間的互連節(jié)點(diǎn)包括硅-金屬界面。在電力使能晶體管262與驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管之間的每個(gè)互連節(jié)點(diǎn)不包括硅-金屬界面。即，在電力使能晶體管262與驅(qū)動(dòng)器電路的晶體管之間的每個(gè)各自的互連節(jié)點(diǎn)是僅硅的互連。

圖3描繪了針對(duì)圖2A中示出的電路200的用于電力使能信號(hào)和預(yù)充電控制信號(hào)的示例時(shí)序圖300。如時(shí)序圖300中所示，預(yù)充電控制信號(hào)可以作為時(shí)鐘型信號(hào)操作，在該時(shí)鐘型信號(hào)下，低電平有效地使預(yù)充電控制晶體管203a-203c導(dǎo)通，即，使預(yù)充電控制晶體管203a-203c導(dǎo)電。電力使能信號(hào)是低有效信號(hào)，當(dāng)電力使能信號(hào)為低時(shí)，使電力能夠被施加到預(yù)充電控制晶體管203a-203c和位線204。應(yīng)該理解，時(shí)序圖300描繪了電力使能信號(hào)與預(yù)充電控制信號(hào)之間的一般關(guān)系。其他時(shí)序情形也是可能的。還應(yīng)該理解，電力使能晶體管和預(yù)充電控制晶體管可以可選擇地被構(gòu)造為高有效裝置。

圖4A描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路的物理電路布局400的一個(gè)示例實(shí)施例的平面圖。圖4B描繪了沿著圖4A中的線A-A′截取的根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路的物理電路布局400的所述示例實(shí)施例的剖視圖。如圖4A和圖4B中描繪的，電力使能晶體管401和相應(yīng)的預(yù)充電控制晶體管402形成在基底403的有源區(qū)中。應(yīng)該理解，為了清楚起見(jiàn)，未在圖4A和圖4B中示出諸如(但不限于)層間介電層的層。此外，圖4A和圖4B中描繪的各種層使用公知材料使用公知技術(shù)來(lái)形成。

參照?qǐng)D2A、圖4A和圖4B，并作為示例，圖4A和圖4B的電力使能晶體管401對(duì)應(yīng)于圖2A中的電力使能晶體管202a，并且預(yù)充電控制晶體管402對(duì)應(yīng)于圖2A中的預(yù)充電控制晶體管203a。金屬化物404對(duì)應(yīng)于圖2B中的金屬化物206a。硅-金屬界面電阻405對(duì)應(yīng)于硅-金屬界面電阻205a。漏極/源極區(qū)406對(duì)應(yīng)于電力使能晶體管202a的源極。柵極結(jié)構(gòu)407對(duì)應(yīng)于電力使能晶體管202a的柵極。漏極/源極區(qū)408對(duì)應(yīng)于電力使能晶體管202a的漏極和預(yù)充電控制晶體管203a的源極。柵極結(jié)構(gòu)409對(duì)應(yīng)于預(yù)充電控制晶體管203a的柵極。漏極/源極區(qū)410對(duì)應(yīng)于預(yù)充電控制晶體管203a的漏極。金屬化物411對(duì)應(yīng)于位線204或者連接到位線204。

如圖4A和圖4B中可見(jiàn)，不使用金屬來(lái)進(jìn)行電力使能晶體管401與預(yù)充電控制晶體管402之間的連接。即，電力使能晶體管401和預(yù)充電控制晶體管402共享漏極/源極區(qū)408。結(jié)果，在電力使能晶體管401與預(yù)充電控制晶體管402之間沒(méi)有硅-金屬界面電阻。

雖然已經(jīng)依照結(jié)合到位線的預(yù)充電控制晶體管描述了這里所公開(kāi)的主題，但是應(yīng)該理解，這里公開(kāi)的主題適用于所有電路，其中，預(yù)充電型晶體管結(jié)合到在操作中被預(yù)充電的線，以減小由諸如(但不限于)大驅(qū)動(dòng)器、中繼器、時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和大邏輯門(mén)的負(fù)載經(jīng)受的IVD。

圖5是根據(jù)這里公開(kāi)的主題的用于形成針對(duì)SRAM的電力頭/位線預(yù)充電電路的流程圖500。在操作501中，使用公知的技術(shù)和公知的材料在硅基底中形成有源區(qū)。在操作502中，使用公知的技術(shù)和公知的材料在有源區(qū)中形成漏極/源極區(qū)。在操作502中形成的漏極/源極區(qū)被預(yù)充電控制晶體管和電力頭的電力使能晶體管共享，使得在電力使能晶體管與預(yù)充電控制晶體管之間形成僅硅的連接?？梢詧?zhí)行額外的公知的操作來(lái)增加作為柵極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)和金屬化物以使電力使能晶體管和預(yù)充電控制晶體管完整。應(yīng)該理解，雖然流程圖500描繪了針對(duì)一對(duì)電力控制和預(yù)充電控制晶體管僅形成一個(gè)漏極/源極區(qū)的工藝，但是對(duì)于相應(yīng)的一對(duì)電力控制和預(yù)充電控制晶體管，可以形成多于一個(gè)的漏極/源極區(qū)。

圖6描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例的電子裝置600，所述電子裝置600包括一個(gè)或更多個(gè)集成電路(芯片)，所述集成電路(芯片)包括通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管的至少一個(gè)電力頭，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面。電子裝置600可以用在但不限于計(jì)算機(jī)裝置、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、膝上型計(jì)算機(jī)、移動(dòng)計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板、無(wú)線手機(jī)、手機(jī)、智能手機(jī)、數(shù)字音樂(lè)播放器或者有線或無(wú)線電子裝置中。電子裝置600可以包括控制器610、輸入/輸出裝置620(諸如但不限于小鍵盤(pán)、鍵盤(pán)、顯示器或觸摸屏顯示器)、存儲(chǔ)器630以及無(wú)線接口640，上述組件通過(guò)總線650彼此結(jié)合。控制器610可以包括例如至少一個(gè)微型處理器、至少一個(gè)數(shù)字信號(hào)處理器、至少一個(gè)微型控制器等。存儲(chǔ)器630可以被構(gòu)造為存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)或?qū)⒁豢刂破?10使用的指令代碼。根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例的電子裝置600和包括電子裝置600的各種系統(tǒng)組件可以包括至少一個(gè)電力頭，該至少一個(gè)電力頭通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面。電子裝置600可以使用被構(gòu)造為使用RF信號(hào)從無(wú)線通信網(wǎng)絡(luò)傳輸數(shù)據(jù)或接收數(shù)據(jù)的無(wú)線接口640。無(wú)線接口640可以包括例如天線、無(wú)線電收發(fā)機(jī)等。電子系統(tǒng)600可以用在諸如(但不限于)碼分多址(CDMA)、全球移動(dòng)通信系統(tǒng)(GSM)、北美數(shù)字通信(NADC)、擴(kuò)展時(shí)分多址(E-TDMA)、寬帶CDMA(WCDMA)、CDMA2000、Wi-Fi、城市Wi-Fi(市政Wi-Fi)、藍(lán)牙、數(shù)字增強(qiáng)無(wú)線通信(DECT)、無(wú)線通用串行總線(無(wú)線USB)、具有無(wú)縫切換正交頻分復(fù)用的快速低延遲訪問(wèn)(Flash-OFDM)、IEEE 802.20、通用分組無(wú)線業(yè)務(wù)(GPRS)、iBurst、無(wú)線寬帶(WiBro)、WiMAX、WiMAX-高級(jí)、通用移動(dòng)通信服務(wù)-時(shí)分雙工(UMTS-TDD)、高速分組接入(HSPA)、演進(jìn)數(shù)據(jù)優(yōu)化(EVDO)、長(zhǎng)期演進(jìn)-高級(jí)(LTE-高級(jí))、多信道多點(diǎn)分配服務(wù)(MMDS)等的通信系統(tǒng)的通信接口協(xié)議中。

圖7描繪了根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例的存儲(chǔ)器系統(tǒng)700，該存儲(chǔ)系統(tǒng)700可以包括一個(gè)或更多個(gè)集成電路(芯片)，所述集成電路(芯片)包括通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管的至少一個(gè)電力頭，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面。存儲(chǔ)器系統(tǒng)700可以包括存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器裝置710和存儲(chǔ)器控制器720。存儲(chǔ)器控制器720響應(yīng)于主機(jī)730的讀/寫(xiě)請(qǐng)求而控制存儲(chǔ)器裝置710，以讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置710中的數(shù)據(jù)或者向存儲(chǔ)器裝置710寫(xiě)入數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器控制器730可以包括將從主機(jī)730(例如，移動(dòng)裝置或計(jì)算機(jī)系統(tǒng))提供的地址映射到存儲(chǔ)器裝置710的物理地址的地址映射表。根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例，存儲(chǔ)器裝置710可以包括一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括通過(guò)硅直接連接到預(yù)充電控制晶體管的至少一個(gè)電力頭，從而消除電力頭與預(yù)充電控制晶體管之間的硅-金屬界面。

如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，可以在應(yīng)用的寬范圍內(nèi)對(duì)這里描述的創(chuàng)新性構(gòu)思進(jìn)行修改和改變。因此，要求保護(hù)的主題的范圍不應(yīng)該限制于上面討論的任意特定示例性教導(dǎo)，而是由權(quán)利要求來(lái)限定。