1.一種磁記錄頭，包括：
主極，配置為產(chǎn)生用于在磁記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的磁場；
振蕩裝置，在磁道方向上設(shè)置在所述主極上方，所述振蕩裝置配置為產(chǎn)生高頻率磁場；
磁性蓋層，在所述磁道方向上設(shè)置在所述振蕩裝置上方，所述磁性層具有位于所述磁記錄頭的面對介質(zhì)側(cè)的前區(qū)，以及在元件高度方向上設(shè)置在所述前區(qū)的后面的后區(qū)，其中所述磁性蓋層的前區(qū)的厚度小于所述磁性蓋層的后區(qū)的厚度；以及
在所述磁道方向上設(shè)置在所述磁性蓋層上方的尾部屏蔽件。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層的前區(qū)的厚度在從大約4nm至小于大約25nm的范圍中。
3.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層的后區(qū)的厚度在從大于大約4nm至大約25nm的范圍中。
4.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層包括一種或多種磁性材料。
5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層包括至少一種與尾部屏蔽件共有的磁性材料。
6.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層包括鎳、鐵和鈷中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，還包括設(shè)置在所述尾部屏蔽件和所述磁性蓋層之間的尾部屏蔽件籽層。
8.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層的上表面的至少一部分相對于所述磁記錄頭的沉積平面以大于0°且小于90°的第一傾角成角。
9.如權(quán)利要求8所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層的上表面實質(zhì)上沿一平面分布，所述平面從所述面對介質(zhì)側(cè)沿所述元件高度方向以所述第一傾角傾斜。
10.如權(quán)利要求8所述的磁記錄頭，其中所述磁性蓋層的下表面相對于所述磁記錄頭的沉積平面以第二傾角成角，其中所述第二傾角小于所述第一傾角。
11.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述振蕩裝置包括自旋轉(zhuǎn)矩振蕩器。
12.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，其中所述振蕩裝置在所述元件高度方向上具有均勻的厚度。
13.如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭，還包括絕緣層，所述絕緣層的部分在所述元件高度方向上設(shè)置在所述振蕩裝置和所述磁性蓋層的后面。
14.如權(quán)利要求13所述的磁記錄頭，其中所述絕緣層包括氧化鋁。
15.一種磁數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)，包括：
至少一個如權(quán)利要求1所述的磁記錄頭；
磁介質(zhì)；
驅(qū)動機構(gòu)，用于使所述磁介質(zhì)經(jīng)過所述至少一個磁記錄頭之上；以及
電耦合至所述至少一個磁記錄頭的控制器，用于控制所述至少一個磁記錄頭的運行。
16.一種形成磁記錄頭的方法，包括：
形成主極，所述主極配置為產(chǎn)生用于在磁記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的磁場；
在磁道方向上在所述主極上方形成振蕩裝置；
在所述磁道方向上在所述振蕩裝置上方形成磁性蓋層，其中所述磁性層配置為保持所述振蕩裝置的厚度；
限定所述振蕩裝置的條帶高度以及所述磁性蓋層的條帶高度；
在元件高度方向上在所述振蕩裝置和所述磁性蓋層的后面沉積絕緣層；以及
清潔所述磁性蓋層的上表面以及所述絕緣層的上表面，
其中在所述清潔之后，所述磁性蓋層的前區(qū)的厚度小于所述磁性蓋層的后區(qū)的厚度，所述前區(qū)設(shè)置在所述磁記錄頭的面對介質(zhì)側(cè)，且所述后區(qū)在所述元件高度方向上設(shè)置在所述前區(qū)的后面。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在所述清潔之后，所述振蕩裝置在所述元件高度方向上具有均勻的厚度。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述振蕩裝置包括自旋轉(zhuǎn)矩振蕩器。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述磁性蓋層包括鎳、鐵和鈷中的至少一種。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，還包括在所述磁道方向上在所述磁性蓋層和所述絕緣層上方沉積尾部屏蔽件。